專利名稱：可有效率地對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管矩陣的電容充電的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種對(duì)電容充電的方法，特指一種可有效率地對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管矩陣的電容充電的方法。
背景技術(shù)：
在一般的顯示器面板中，當(dāng)驅(qū)動(dòng)用的集成電路需寫入數(shù)據(jù)電壓至顯示器面板所包含的各像素時(shí)，由該驅(qū)動(dòng)用的集成電路延伸至各像素的行數(shù)據(jù)線可直接視為電容。而每一像素接收驅(qū)動(dòng)用的集成電路所發(fā)出的數(shù)據(jù)電壓的過程中，需要對(duì)被視為電容的各行數(shù)據(jù)線加以充電與放電以使得顯示器面板所包含的各像素可依照驅(qū)動(dòng)用的集成電路所發(fā)出的數(shù)據(jù)電壓正確的工作。
請(qǐng)參閱圖1與圖2。圖1為先前技術(shù)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包含的電路中的行像素單元100與數(shù)據(jù)集成電路123的示意圖。圖2為應(yīng)用于圖1的行像素單元100的波形示意圖。如圖1所示，行像素單元100包含多個(gè)像素單元101、漏極電壓源103、源極電壓源105、參考電壓源107、行數(shù)據(jù)線117、與一組列掃描線119。像素單元101包含用來當(dāng)作控制晶體管的N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)109；電容111，其第一端耦合于N型金屬氧化物半導(dǎo)體109的源極；P型金屬氧化物半導(dǎo)體113，其柵極耦合于N型金屬氧化物半導(dǎo)體的源極；以及二極管115，其第一端耦合于P型金屬氧化物半導(dǎo)體113的漏極。漏極電壓源103是與像素單元101耦合于二極管115的第二端。源極電壓源105是與像素單元101耦合于P型金屬氧化物半導(dǎo)體113的源極。參考電壓源107是與像素單元101耦合于電容107的第二端。行數(shù)據(jù)線117是與行像素單元100所包含的每一像素單元101耦合于N型金屬氧化物半導(dǎo)體109的漏極。每一列掃描線119是與像素單元101耦合于N型金屬氧化物半導(dǎo)體109的柵極，圖1中只圖標(biāo)該組列掃描線119所包含的列掃描線Scan N、Scan N+1、Scan N+2、與Scan N+3。該電路還包含數(shù)據(jù)集成電路123，耦合于行像素單元100所包含的每一行數(shù)據(jù)線117，并用來提供行數(shù)據(jù)線117所使用的數(shù)據(jù)電壓。圖2的波形示意圖中，「掃描脈波」為該組列掃描線119所使用的波形，且「數(shù)據(jù)內(nèi)容」為傳輸至行數(shù)據(jù)線117的數(shù)據(jù)。由圖1與圖2可知，當(dāng)圖2的數(shù)據(jù)不斷地輸入行像素單元100時(shí)，該組列掃描線119包含的每一列掃描線將輪流地被致能來開啟N型金屬氧化物半導(dǎo)體109，并藉此在單一掃描周期內(nèi)更新每一像素單元101由行數(shù)據(jù)線117所接收的數(shù)據(jù)。但是由于隨著液晶顯示器面板的尺寸的增加，其電路負(fù)荷也將增加，因此在對(duì)應(yīng)于每一列掃描線119的掃描周期中，像素單元101的電壓未必能夠達(dá)到輸入的行數(shù)據(jù)線117的數(shù)據(jù)電壓，意即像素單元101的電壓未必能夠與輸入的行數(shù)據(jù)線117的數(shù)據(jù)電壓同步。此是因掃描信號(hào)周期未必能與增加的液晶顯示器面板尺寸同步調(diào)整，因而造成像素單元101所接收的數(shù)據(jù)電壓常在未能充電至所輸入的數(shù)據(jù)電壓的電壓值時(shí)，掃描周期就已結(jié)束，而無法繼續(xù)充電至所輸入的數(shù)據(jù)電壓的電壓值。一種可短期地解決此問題的技術(shù)為加厚液晶顯示面板中金屬導(dǎo)線間絕緣層的厚度，并加厚行數(shù)據(jù)線的金屬導(dǎo)線厚度，以使得各導(dǎo)線的電容與電阻得以減少而降低電路負(fù)荷，加快像素單元充電與放電的反應(yīng)速度以使得像素單元所接收的數(shù)據(jù)電壓可與行數(shù)據(jù)線所提供的數(shù)據(jù)電壓同步。但是隨著有機(jī)發(fā)光二極管器面板的尺寸逐漸加大，此種用來增加導(dǎo)線厚度與絕緣層厚度來提高像素單元充電的反應(yīng)速度的方法也將碰到瓶頸，因?yàn)閷?dǎo)線厚度與絕緣層厚度并不可能無限度的增加來配合像素單元充電與放電的反應(yīng)速度。
請(qǐng)參閱圖3與圖4。圖3為美國(guó)專利第6,809,719號(hào)所揭露的用來實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT LCD)的電路配置圖。圖4為用來實(shí)現(xiàn)圖3所示的電路所使用的波形示意圖。如圖3的電路所示，每一三重列單元51T包含第一列單元50F、第二列單元50S、以及第三列單元50T，且三重列單元51T所包含的各列單元皆由相對(duì)應(yīng)的列掃描線驅(qū)動(dòng)器51所驅(qū)動(dòng)。在同一行單元50C中，每一第一列單元50F所包含的控制晶體管52皆耦合于第一行數(shù)據(jù)線59F，每一第二列單元50S所包含的控制晶體管52皆耦合于第二行數(shù)據(jù)線59S，且每一第三列單元50T所包含的控制晶體管52皆耦合于第三行數(shù)據(jù)線59T。每一行單元50C皆包含一組對(duì)應(yīng)的行數(shù)據(jù)線59F、59S、與59T，且行數(shù)據(jù)線59F、59S、與59T皆有其對(duì)應(yīng)的行數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)器。如圖4的波形示意圖所示，S(N)為對(duì)應(yīng)于一三重列單元51T的一列掃描線驅(qū)動(dòng)器51的輸出狀態(tài)波形，且S(N+1)為對(duì)應(yīng)于一與S(N)對(duì)應(yīng)的三重列單元51相鄰的另一三重列單元51T的一列掃描線驅(qū)動(dòng)器51的輸出狀態(tài)波形。由圖4可知，當(dāng)一三重列單元51T的有效掃描周期結(jié)束后，將立即進(jìn)行另一相鄰的三重列單元51T的有效掃描周期，但當(dāng)一三重列單元51T結(jié)束其有效掃描周期時(shí)，其包含的各電容可能尚未充電至其欲表現(xiàn)的數(shù)據(jù)電壓，因此造成輸出信號(hào)的錯(cuò)誤。當(dāng)此種輸出信號(hào)的錯(cuò)誤在不同的三重列單元51T累加之后，所造成的誤差將難以估計(jì)。此外，由于圖3的電路是應(yīng)用于薄膜晶體管液晶顯示器，因此在形成不同組的行數(shù)據(jù)線時(shí)，必須使用不同層的光罩，以免降低液晶顯示器的開口率，但此做法也增加了使用的光罩的成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管矩陣的電容充電方法，其中該有機(jī)發(fā)光二極管矩陣是由多條列掃描線以及多條行數(shù)據(jù)線相互交叉構(gòu)成。該有機(jī)發(fā)光二極管矩陣包含有多個(gè)像素區(qū)，且該有機(jī)發(fā)光二極管矩陣包含的每一像素區(qū)是由兩相鄰的列掃描線與兩相鄰的行數(shù)據(jù)線所定義出來。每一像素區(qū)包括含有控制晶體管的發(fā)光二極管單元。該有機(jī)發(fā)光二極管矩陣的第一像素區(qū)包含第一有機(jī)發(fā)光二極管單元，該有機(jī)發(fā)光二極管矩陣的第二像素區(qū)包含第二有機(jī)發(fā)光二極管單元，該第一像素區(qū)是與該第二像素區(qū)位于同一行且相鄰。該第一有機(jī)發(fā)光二極管單元包含第一控制晶體管，其漏極是連接至第一行數(shù)據(jù)線，該第二有機(jī)發(fā)光二極管單元包含第二控制晶體管，其漏極是連接至第二行數(shù)據(jù)線，且該第一行數(shù)據(jù)線在該有機(jī)發(fā)光二極管矩陣中是相鄰于該第二行數(shù)據(jù)線。該方法包括開啟該第一控制晶體管，使該第一行數(shù)據(jù)線對(duì)該第一有機(jī)發(fā)光二極管單元充電，以及在該第一有機(jī)發(fā)光二極管單元被充電的同時(shí)，對(duì)該第二行數(shù)據(jù)線充電。


圖1為先前技術(shù)的薄膜晶體管液晶顯示器包含的電路中的行像素單元與數(shù)據(jù)集成電路的示意圖。
圖2為應(yīng)用于圖1的行像素單元的波形示意圖。
圖3為先前技術(shù)中用來實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管液晶顯示器的電路配置圖。
圖4為用來實(shí)現(xiàn)圖3所示的電路所使用的波形示意圖。
圖5為用來實(shí)施本發(fā)明的方法的有機(jī)發(fā)光二極管矩陣所包含的有機(jī)發(fā)光二極管行單元與數(shù)據(jù)集成電路的示意圖。
圖6為用來實(shí)施本發(fā)明的方法于圖5所示的有機(jī)發(fā)光二極管行單元的波形示意圖。
圖7為本發(fā)明的方法的流程圖。
圖8，其為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管矩陣的另一種實(shí)施方式的示意圖。
有機(jī)發(fā)光二極管行單元 100、200有機(jī)發(fā)光二極管單元101、201漏極電壓源103、203源極電壓源105、205參考電壓源107、207N型金屬氧化物半導(dǎo)體 109、209電容 111、211P型金屬氧化物半導(dǎo)體 113、213二極管115、215行數(shù)據(jù)線 117、217、221、59F、59S、59T列掃描線 119、219、SCAN N、SCAN N+1、SCAN N+2、SCAN N+3數(shù)據(jù)集成電路 123、223列單元50F、50S、50T三重列單元51T列掃描線驅(qū)動(dòng)器51控制晶體管52行單元50C具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖5與圖6。圖5為用來實(shí)施本發(fā)明的方法的有機(jī)發(fā)光二極管矩陣所包含的有機(jī)發(fā)光二極管行單元200與數(shù)據(jù)集成電路223的示意圖。圖6為用來實(shí)施本發(fā)明的方法于圖5所示的有機(jī)發(fā)光二極管行單元200的波形示意圖。如圖5所示，有機(jī)發(fā)光二極管行單元200包含多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管單元201、漏極電壓源203、源極電壓源205、參考電壓源207、第一行數(shù)據(jù)線217、第二行數(shù)據(jù)線221、與一組列掃描線219。有機(jī)發(fā)光二極管單元201包含N型金屬氧化物半導(dǎo)體209；電容211，其第一端耦合于N型金屬氧化物半導(dǎo)體209的源極；P型金屬氧化物半導(dǎo)體213，以其柵極耦合于N型金屬氧化物半導(dǎo)體209的源極；二極管215，其第一端耦合于P型金屬氧化物半導(dǎo)體213的漏極。漏極電壓源203是與有機(jī)發(fā)光二極管單元201耦合于二極管215的第二端。源極電壓源205是與有機(jī)發(fā)光二極管單元201耦合于P型金屬氧化物半導(dǎo)體213的源極。參考電壓源207是與有機(jī)發(fā)光二極管單元201耦合于電容211的第二端。有機(jī)發(fā)光二極管行單元200所包含的多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管單元201是代表液晶顯示器面板上奇數(shù)像素或偶數(shù)像素，且代表奇數(shù)像素的有機(jī)發(fā)光二極管單元201是與代表偶數(shù)像素的有機(jī)發(fā)光二極管單元201交錯(cuò)排列。第一行數(shù)據(jù)線217是與所有代表奇數(shù)像素的有機(jī)發(fā)光二極管單元201耦合于N型金屬氧化物半導(dǎo)體209的漏極，且第二行數(shù)據(jù)線221是與所有代表偶數(shù)像素的有機(jī)發(fā)光二極管單元201耦合于N型金屬氧化物半導(dǎo)體209的漏極。該組列掃描線219所包含的每一列掃描線是與有機(jī)發(fā)光二極管行單元200所包含的每一有機(jī)發(fā)光二極管單元201耦合于N型金屬氧化物半導(dǎo)體209的柵極，且于圖5中只圖標(biāo)該組列掃描線219所包含的列掃描線Scan N、Scan N+1、Scan N+2、與Scan N+3。本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管矩陣還包含數(shù)據(jù)集成電路223，耦合于本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管矩陣中所包含的所有對(duì)應(yīng)于有機(jī)發(fā)光二極管行單元200的行數(shù)據(jù)線217、221，以用來給予每一行數(shù)據(jù)線217、221一信號(hào)并個(gè)別控制每一有機(jī)發(fā)光二極管行單元201所接收的數(shù)據(jù)信號(hào)。圖6所示的「數(shù)據(jù)內(nèi)容1」與「數(shù)據(jù)內(nèi)容2」各自為圖5中第一行數(shù)據(jù)線217與第二行數(shù)據(jù)線221所使用的數(shù)據(jù)信號(hào)波形，而「掃描脈波」為圖5中各列掃描線219所使用的掃描信號(hào)波形。由圖6所示可知，「數(shù)據(jù)內(nèi)容1」中每一筆數(shù)據(jù)的周期與「數(shù)據(jù)內(nèi)容2」中每一筆數(shù)據(jù)的周期皆相同，每一筆數(shù)據(jù)的周期大約為「掃描脈波」中每一脈波的周期的兩倍。
請(qǐng)參閱圖7，并同時(shí)參閱圖5與圖6。圖7為本發(fā)明的方法的流程圖。假設(shè)「數(shù)據(jù)內(nèi)容1」所使用的波形是使用于第一行數(shù)據(jù)線217，「數(shù)據(jù)內(nèi)容2」所使用的波形是使用于第二行數(shù)據(jù)線221，并假設(shè)第一行數(shù)據(jù)線217所使用的數(shù)據(jù)信號(hào)波形是對(duì)應(yīng)于代表奇數(shù)像素的各有機(jī)發(fā)光二極管單元201，第二行數(shù)據(jù)線221所使用的數(shù)據(jù)信號(hào)波形是對(duì)應(yīng)于代表偶數(shù)像素的各有機(jī)發(fā)光二極管單元201。再者，可假設(shè)第一行數(shù)據(jù)線217與第二行數(shù)據(jù)線221各包含有機(jī)發(fā)光二極管矩陣的制程所形成的電容。圖7包含下列步驟步驟301開啟耦合于列掃描線Scan N的N型金屬氧化物半導(dǎo)體209，以使第一行數(shù)據(jù)線217對(duì)對(duì)應(yīng)于列掃描線Scan N的有機(jī)發(fā)光二極管單元201充電，并在此同時(shí)對(duì)第二行數(shù)據(jù)線221所包含的電容預(yù)先充電。
步驟303關(guān)閉該有機(jī)發(fā)光二極管單元201的N型金屬氧化物半導(dǎo)體209，并開啟耦合于列掃描線Scan N+1的有機(jī)發(fā)光二極管單元201的N型金屬氧化物半導(dǎo)體209，以使第二行數(shù)據(jù)線221對(duì)對(duì)應(yīng)于列掃描線Scan N+1的有機(jī)發(fā)光二極管單元201充電。在此同時(shí)，對(duì)第一行數(shù)據(jù)線217所包含的電容預(yù)先充電至接近數(shù)據(jù)電壓Data N+2的電壓值。
步驟305關(guān)閉耦合于列掃描線Scan N+1的N型金屬氧化物半導(dǎo)體209，并開啟耦合于列掃描線Scan N+2的N型金屬氧化物半導(dǎo)體209，以對(duì)對(duì)應(yīng)于列掃描線N+2的有機(jī)發(fā)光二極管單元201所包含的電容211充電至數(shù)據(jù)電壓Data N+2的電壓值。同時(shí)對(duì)第二行數(shù)據(jù)線221的電容預(yù)先充電至接近數(shù)據(jù)電壓Data N+3的電壓值。
步驟301中，當(dāng)進(jìn)入「掃描脈波」中對(duì)應(yīng)于列掃描線Scan N的周期時(shí)，耦合于圖5所示的該組列掃描線219包含的一列掃描線Scan N的N型金屬氧化物半導(dǎo)體209將開啟，并以數(shù)據(jù)電壓Data N對(duì)列掃描線Scan N所對(duì)應(yīng)的有機(jī)發(fā)光二極管201包含的電容211充電，以使得電容211的儲(chǔ)存電壓可達(dá)到數(shù)據(jù)電壓Data N的電壓值。在此同時(shí)，第二行數(shù)據(jù)線221欲使用的電壓為數(shù)據(jù)電壓Data N+1，并趕在列掃描線Scan N+1的周期來到之前對(duì)第二行數(shù)據(jù)線221所包含的電容預(yù)先充電(Pre-Charge)至接近數(shù)據(jù)電壓Data N+1的電壓值。
步驟303中，當(dāng)列掃描線Scan N的周期結(jié)束，并開始列掃描線Scan N+1的周期時(shí)，耦合于列掃描線Scan N的N型金屬氧化物半導(dǎo)體209將關(guān)閉，且耦合于列掃描線Scan N+1的N型金屬氧化物半導(dǎo)體209將開啟，以使得第二行數(shù)據(jù)線221可以接近數(shù)據(jù)電壓Data N+1的電壓值對(duì)列掃描線Scan N+1所對(duì)應(yīng)的有機(jī)發(fā)光二極管單元201所包含的電容211充電。此時(shí)，由于第二電壓線221已在scan N的周期內(nèi)對(duì)于其包含的電容預(yù)先充電至接近數(shù)據(jù)電壓Data N+1的電壓值，因此此時(shí)電容211欲充電至數(shù)據(jù)電壓Data N+1的值的時(shí)間將比先前技術(shù)中單一掃描信號(hào)周期對(duì)應(yīng)于單一數(shù)據(jù)信號(hào)周期的方式為短，并確實(shí)將電容211的電壓差充電至數(shù)據(jù)電壓Data N+1的值，而不會(huì)有先前技術(shù)中由于掃描信號(hào)周期過短而無法對(duì)電容充分充電至正確的數(shù)據(jù)電壓值的現(xiàn)象。此時(shí)，同樣利用第二行數(shù)據(jù)線221對(duì)對(duì)應(yīng)于列掃描線Scan N+1的電容211充電之時(shí)，對(duì)第一行數(shù)據(jù)線217所包含的電容以數(shù)據(jù)電壓N+2加以預(yù)先充電至接近數(shù)據(jù)電壓Data N+2的電壓值。
在步驟305中，當(dāng)列掃描線Scan N+1的周期結(jié)束并進(jìn)入列掃描線Scan N+2的周期時(shí)，關(guān)閉耦合于列掃描線Scan N+1的N型金屬氧化物半導(dǎo)體209，并開啟耦合于列掃描線Scan N+2的N型金屬氧化物半導(dǎo)體209，以對(duì)對(duì)應(yīng)于列掃描線N+2的有機(jī)發(fā)光二極管單元201所包含的電容211加以充電至數(shù)據(jù)電壓Data N+2的電壓值。同樣地，利用列掃描線Scan N+2的周期，對(duì)第二行數(shù)據(jù)線221的電容預(yù)先充電至接近數(shù)據(jù)電壓Data N+3的電壓值。
接下來的預(yù)先充電的過程便循此規(guī)則與波形加以遞歸，以在有機(jī)發(fā)光二極管矩陣的各有機(jī)發(fā)光二極管行單元200包含的每一有機(jī)發(fā)光二極管單元201間進(jìn)行，以使得有機(jī)發(fā)光二極管面板的顯示可充分達(dá)到理想的反應(yīng)速度，而不會(huì)有先前技術(shù)中因?yàn)殡娙莩潆姴怀浞侄沟糜袡C(jī)發(fā)光二極管面板的反應(yīng)跟不上數(shù)據(jù)電壓的更新而出現(xiàn)缺陷的情形。
如圖5所示的有機(jī)發(fā)光二極管矩陣，在本發(fā)明中，各第一行數(shù)據(jù)線217與各第二行數(shù)據(jù)線221可于形成有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板時(shí)使用同一層光罩或不同層的光罩。然而，由于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的結(jié)構(gòu)與稱為頂部發(fā)光(Top Emission)的特性，因此有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的開口率并不會(huì)受到第一行數(shù)據(jù)線217與第二行數(shù)據(jù)線221的影響，可使用同一層的光罩，并因而改進(jìn)了先前技術(shù)中液晶顯示面板必須對(duì)不同的數(shù)據(jù)線使用不同層的光罩而提高成本的缺點(diǎn)。
請(qǐng)參閱圖8，其為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管矩陣的另一種實(shí)施方式的示意圖。其與圖5的不同處為二極管215耦合于源極電壓源205與P型金屬氧化物半導(dǎo)體213之間，而不似圖5的有機(jī)發(fā)光二極管矩陣中，二極管215是耦合于P型金屬氧化物半導(dǎo)體213與漏極電壓源203之間的設(shè)置方式。此種設(shè)置方式與圖5的有機(jī)發(fā)光二極管矩陣相比之下，在制程上會(huì)較為容易實(shí)施。
除此之外，圖5所示的有機(jī)發(fā)光二極管矩陣所包含的每一有機(jī)發(fā)光二極管行單元200雖然只對(duì)應(yīng)于二行數(shù)據(jù)線，但在實(shí)作時(shí)，每一有機(jī)發(fā)光二極管行單元事實(shí)上可對(duì)應(yīng)二條以上的行數(shù)據(jù)線，且單一數(shù)據(jù)信號(hào)周期也可包含二個(gè)以上的掃描信號(hào)周期以配合對(duì)應(yīng)單一有機(jī)發(fā)光二極管行單元的二個(gè)以上的行數(shù)據(jù)線來對(duì)電容加以充電，而不受到圖6所示的單一數(shù)據(jù)信號(hào)周期只為單一掃描信號(hào)周期的二倍的限制。
在圖5所示的有機(jī)發(fā)光二極管矩陣中，只使用了一個(gè)數(shù)據(jù)集成電路223，但在實(shí)作上時(shí)，使用兩個(gè)以上的數(shù)據(jù)集成電路以分別支持各行數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓變化也是可以實(shí)施的，只是本發(fā)明所使用的單一數(shù)據(jù)集成電路223可較為節(jié)省本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管矩陣的體積。
本發(fā)明是提供一種方法，并配合對(duì)應(yīng)于奇數(shù)像素與偶數(shù)像素的不同行數(shù)據(jù)線以及預(yù)先充電的機(jī)制，來延長(zhǎng)有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板中的行數(shù)據(jù)線的充電時(shí)間，以使得電容有足夠的時(shí)間可以充電至所指定的數(shù)據(jù)電壓值，使得有機(jī)發(fā)光二極管單元的電容所儲(chǔ)存的電壓差可確實(shí)與行數(shù)據(jù)線給予的數(shù)據(jù)電壓值同步，進(jìn)而穩(wěn)定有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的顯示品質(zhì)，而不會(huì)有先前技術(shù)中有機(jī)發(fā)光二極管單元的顯示跟不上數(shù)據(jù)電壓變化的反應(yīng)時(shí)間的問題。本發(fā)明的方法所使用的有機(jī)發(fā)光二極管矩陣由于其本身的結(jié)構(gòu)與頂部發(fā)光的性質(zhì)，因此可于同一有機(jī)發(fā)光二極管行單元的不同行數(shù)據(jù)線上使用同一層光罩，而不會(huì)影響到有機(jī)發(fā)光二極管矩陣的開口率，也不會(huì)如先前技術(shù)使用薄膜晶體管液晶顯示器時(shí)，因?yàn)槭褂枚鄬庸庹侄档烷_口率的缺點(diǎn)，也節(jié)省了因?yàn)槭褂枚鄬庸庹侄黾拥某杀尽３酥?，使用本發(fā)明的方法并配合本發(fā)明所提供的有機(jī)發(fā)光二極管矩陣，可直接克服先前技術(shù)中必須不斷地增加導(dǎo)線厚度與絕緣層厚度以加快有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的電容儲(chǔ)存與釋放電壓差的反應(yīng)速度的缺點(diǎn)。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管矩陣的電容充電方法，其中該有機(jī)發(fā)光二極管矩陣是由多條列掃描線以及多條行數(shù)據(jù)線相互交叉構(gòu)成；該有機(jī)發(fā)光二極管矩陣包含有多個(gè)像素區(qū)，且該有機(jī)發(fā)光二極管矩陣包含的每一像素區(qū)是由兩相鄰的列掃描線與兩相鄰的行數(shù)據(jù)線所定義出來；每一像素區(qū)包括含有控制晶體管的發(fā)光二極管單元；該有機(jī)發(fā)光二極管矩陣的第一像素區(qū)包含第一有機(jī)發(fā)光二極管單元，該有機(jī)發(fā)光二極管矩陣的第二像素區(qū)包含第二有機(jī)發(fā)光二極管單元，該第一像素區(qū)是與該第二像素區(qū)位于同一行且相鄰，該第一有機(jī)發(fā)光二極管單元包含第一控制晶體管，其漏極是連接至第一行數(shù)據(jù)線，該第二有機(jī)發(fā)光二極管單元包含第二控制晶體管，其漏極是連接至第二行數(shù)據(jù)線，且該第一行數(shù)據(jù)線在該有機(jī)發(fā)光二極管矩陣中是相鄰于該第二行數(shù)據(jù)線；該方法包括開啟該第一控制晶體管，使該第一行數(shù)據(jù)線對(duì)該第一有機(jī)發(fā)光二極管單元充電；以及在該第一有機(jī)發(fā)光二極管單元被充電的同時(shí)，對(duì)該第二行數(shù)據(jù)線充電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包含當(dāng)該第一行數(shù)據(jù)線對(duì)該第一有機(jī)發(fā)光二極管單元完成充電后，關(guān)閉該第一控制晶體管；以及于關(guān)閉該第一控制晶體管后，并仍然對(duì)該第二行數(shù)據(jù)線充電時(shí)，開啟該第二控制晶體管，以使該第二行數(shù)據(jù)線對(duì)該第二有機(jī)發(fā)光二極管單元充電。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包含于使用光罩時(shí)形成該第一行數(shù)據(jù)線及該第二行數(shù)據(jù)線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包含于使用第一光罩時(shí)，形成該第一行數(shù)據(jù)線；以及于使用第二光罩時(shí)，形成該第二行數(shù)據(jù)線；其中該第一光罩及該第二光罩為相異的光罩。
全文摘要
先對(duì)連接于有機(jī)發(fā)光二極管單元的行數(shù)據(jù)線預(yù)先充電一段時(shí)間后再使該行數(shù)據(jù)線對(duì)該有機(jī)發(fā)光二極管單元充電，以使得該有機(jī)發(fā)光二極管單元的電容可以確實(shí)地充電至預(yù)期的數(shù)據(jù)電壓，而不會(huì)有因充電時(shí)間不足造成有機(jī)發(fā)光二極管面板未確實(shí)反應(yīng)數(shù)據(jù)電壓的變動(dòng)的情形。
文檔編號(hào)G09G3/20GK1845231SQ20061008181
公開日2006年10月11日 申請(qǐng)日期2006年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月12日
發(fā)明者唐宇駿 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司