專利名稱：平面顯示器的像素單元及其驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平面顯示器的像素單元及其驅(qū)動方法，特別是涉及一種使用非易失性內(nèi)存為主動組件的像素單元及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有顯示器在播放同一靜態(tài)畫面(static image)時，例如在閱讀文章、電子信件時，驅(qū)動芯片仍必需多次傳送同一畫面信息至每一像素單元中。換句話說，即使畫面靜止不動，驅(qū)動芯片仍然不斷地消耗電力。然而，對于攜帶式顯示器，有必要使用更低的耗電量來顯示靜態(tài)畫面以減少其充電次數(shù)。
為了降低顯示器的耗電，有現(xiàn)有技術(shù)提出在像素單元里加置內(nèi)存單元，例如靜態(tài)隨機存取內(nèi)存(SRAM)，來達到顯示靜態(tài)畫面時的省電效果。
請參照圖1A，是為現(xiàn)有平面顯示器的像素單元。像素單元10具有一掃描線11、一數(shù)據(jù)線12、一薄膜晶體管13、一靜態(tài)隨機存取內(nèi)存14及一電極15。掃描線11電性連接至薄膜晶體管13的柵極。數(shù)據(jù)線12電性連接至薄膜晶體管13的源極。靜態(tài)隨機存取內(nèi)存14的一端電性連接至電極15，另一端可隨使用者選擇「一般模式」或「靜態(tài)省電模式」而與薄膜晶體管13斷開或電性連接。
在一般模式下，靜態(tài)隨機存取內(nèi)存14并不與薄膜晶體管13電性連接，因此像素單元10僅以薄膜晶體管13為主動組件以配合一電容(未圖標)來運作。若切換至靜態(tài)省電模式，則靜態(tài)隨機存取內(nèi)存14與薄膜晶體管13電性連接以共同控制畫面的明暗或灰階。如此，驅(qū)動芯片(未圖標)不需多次傳送同一畫面信息至像素單元10中，可以讓耗電量下降。
靜態(tài)隨機存取內(nèi)存14的電路結(jié)構(gòu)如圖1B所示，包括一N溝道晶體管142串接至二個并聯(lián)的反相器144及146，再串接至另一N溝道晶體管148。
再參照圖1C，說明反相器的基本結(jié)構(gòu)。反相器144是為一N溝道晶體管1441與一P溝道晶體管1442并聯(lián)而成。反相器146亦有相同的結(jié)構(gòu)，因此圖1B所示的靜態(tài)隨機存取內(nèi)存14事實上由6顆晶體管組成。
承上述，由于靜態(tài)隨機存取內(nèi)存需由6-8顆晶體管組成，故會降低像素單元的開口率。當顯示器以有機發(fā)光二極管(OLED)為發(fā)光組件時，若有靜態(tài)隨機存取內(nèi)存設(shè)置在其下方，則不能采用底部發(fā)光(bottom-emission)的方式。另外，配置靜態(tài)隨機存取內(nèi)存的每個子像素(sub-pixel)僅能顯示亮與暗兩種灰階。因此，由紅綠藍(RGB)三個子像素組成的每個像素單元，最多只能顯示8種顏色。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種像素單元，以一非易失性內(nèi)存(non-volatilememory device)為主動組件，并具有較高的開口率。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種像素單元的驅(qū)動方法，該像素單元以一非易失性內(nèi)存為主動組件。當該像素單元被應用于一平面顯示器中，可藉由該驅(qū)動方法使該平面顯示器能用更低的耗電量來顯示靜態(tài)畫面，以及產(chǎn)生大于8種顏色的色彩變化。
本發(fā)明的像素單元包括至少一非易失性內(nèi)存、至少一掃描線電性連接至該非易失性內(nèi)存的柵極、至少一數(shù)據(jù)線電性連接至該非易失性內(nèi)存的源極，以及，至少一儲存電容電性連接至該非易失性內(nèi)存的漏極。
為配合上述像素單元的運作，本發(fā)明亦提供了一種驅(qū)動方法。在一般模式下，該非易失性內(nèi)存具有一第一起始電壓，以使該儲存電容具有一第一儲存電位。欲切換為靜態(tài)省電模式時，以下列步驟進行。首先，抹除該第一起始電壓。接著寫入一第二起始電壓于該非易失性內(nèi)存，以取代該第一起始電壓。再提供一掃描電壓于該非易失性內(nèi)存的柵極，藉由該掃描電壓與該第二起始電壓的差值以定義該儲存電容的一第二儲存電位。以及，提供一數(shù)據(jù)電壓于該非易失性內(nèi)存的源/漏極，以對該儲存電容充電，使該第一儲存電位改變?yōu)樵摰诙Υ骐娢弧?br> 根據(jù)本發(fā)明，像素單元較現(xiàn)有技術(shù)少了靜態(tài)隨機存取內(nèi)存，因此開口率可以增加。以非易失性內(nèi)存取代薄膜晶體管后，配合上述驅(qū)動方法，可以彈性地改變起始電壓以達到省電與增加色彩及灰階數(shù)的目的。本發(fā)明特別適用于顯示靜態(tài)畫面時，作一般模式與靜態(tài)省電模式的切換。


圖1A是為現(xiàn)有平面顯示器的像素單元；圖1B是為靜態(tài)隨機存取內(nèi)存的電路結(jié)構(gòu)；圖1C是為反相器的基本結(jié)構(gòu)；圖2A是為本發(fā)明的像素單元應用于一液晶顯示器中；圖2B是依據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動方法，操作液晶顯示器中的三個像素單元的結(jié)果；圖3A是為本發(fā)明的像素單元應用于一有機電激發(fā)光顯示器；圖3B-3C是為本發(fā)明的像素單元，具有多個有機發(fā)光二極管；圖4的為本發(fā)明的像素單元，具有N溝道薄膜晶體管；圖5是為本發(fā)明的像素單元，具有反相型有機發(fā)光二極管；圖6是為本發(fā)明的像素單元應用于液晶顯示器中，其可分別控制靜態(tài)顯示與動態(tài)顯示；圖7A-7C是為本發(fā)明的像素單元應用于有機電激發(fā)光顯示器中，其可分別控制靜態(tài)顯示與動態(tài)顯示；圖8是為靜態(tài)畫面的時序控制圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明，驅(qū)動芯片的功率消耗曲線；以及圖10是為功率消耗與面板亮區(qū)比例的關(guān)系曲線。
附圖符號說明10像素單元30像素單元11掃描線 31數(shù)據(jù)線12數(shù)據(jù)線 32掃描線13薄膜晶體管 33非易失性內(nèi)存14靜態(tài)隨機存取內(nèi)存34儲存電容142 N溝道晶體管 35驅(qū)動晶體管144 反相器 36有機發(fā)光二極管1441 N溝道晶體管 40像素單元1442 P溝道晶體管 42有機發(fā)光二極管146 反相器 50像素單元148 N溝道晶體管 52有機發(fā)光二極管15電極60像素單元20像素單元62N溝道薄膜晶體管
20a 像素單元70 像素單元20b 像素單元72 有機發(fā)光二極管20c 像素單元80 像素單元201 像素電極82 掃描線202 像素電極84 薄膜晶體管203 像素電極90 像素單元21 數(shù)據(jù)線 92 掃描線22 掃描線 94 開關(guān)晶體管23 非易失性內(nèi)存100 像素單元24 儲存電容102 N溝道薄膜晶體管25 液晶電容104 有機發(fā)光二極管25a 液晶層 110 像素單元112 N溝道薄膜晶體管114 有機發(fā)光二極管具體實施方式

茲配合圖標詳述本發(fā)明的像素單元及其驅(qū)動方法，并列舉較佳實施例說明該像素單元在液晶顯示器或有機電激發(fā)光顯示器等平面顯示器中的應用方式。
請參照圖2A，是為本發(fā)明的像素單元應用于一液晶顯示器中。像素單元20包括至少一數(shù)據(jù)線21、至少一掃描線22、至少一非易失性內(nèi)存23、至少一儲存電容24及至少一液晶電容25。掃描線22電性連接至非易失性內(nèi)存23的柵極端G。數(shù)據(jù)線21電性連接至非易失性內(nèi)存23的源/漏極端S。非易失性內(nèi)存23的另一源/漏極端D則藉由一像素電極(未圖標)電性連接至儲存電容24及一液晶層(未圖標)。儲存電容24的另一端被提供一參考電位Vref1，其與源/漏極端D電位的差值形成一電容電位。該液晶層的一表面接受源/漏極端D電位，而液晶層的另一表面則被提供另一參考電位Vref2，而形成如電容一般的功能，稱為液晶電容25。此處，參考電位Vref1及Vref2可相同，或不相同，也可以接地而形成零電位。
非易失性內(nèi)存23與靜態(tài)隨機存取內(nèi)存不同之處在于，非易失性內(nèi)存23不隨電源消失而改變其儲存數(shù)據(jù)狀態(tài)，但靜態(tài)隨機存取內(nèi)存會隨著電源消失，其儲存數(shù)據(jù)都會遺失?；谏鲜鎏匦?，本發(fā)明使用非易失性內(nèi)存23，例如電子式可抹除/寫入只讀存儲器(electrically erasable programmableread-only memory，EEPROM)、閃存(flash memory)或類似的內(nèi)存，以取代現(xiàn)有的薄膜晶體管作為像素單元的主動組件。特別地，當平面顯示器顯示一靜態(tài)畫面時，驅(qū)動芯片不再需要多次傳送同一畫面信息至每一像素單元中。因此可節(jié)省驅(qū)動芯片操作所需的電能。
像素單元20的具體作動方式如下。在一般模式下，非易失性內(nèi)存23的操作就如一般薄膜晶體管，設(shè)此時的起始電壓為Vth1。若是要切換為靜態(tài)省電模式時，則在柵極與源/漏極間形成一電壓差以抹除起始電壓Vth1。同樣地，再在柵極與源/漏極間形成另一電壓差以寫入一預定電壓在非易失性內(nèi)存23的浮動柵(floating gate)中，例如FN穿隧機制(FN tunning)。如此可以改變非易失性內(nèi)存23的起始電壓為Vth2。
在平面顯示器中，透過上述起始電壓Vth的寫入機制，可以使每個像素單元20的非易失性內(nèi)存23具有不同的起始電壓Vth，并使儲存電容24具有不同的電容電位。在儲存電容24充電時，對平面顯示器的所有的掃描線22提供一掃描電壓Vscan，以及對所有的數(shù)據(jù)線21提供一數(shù)據(jù)電壓Vdata。當數(shù)據(jù)電壓大于掃描電壓時(Vdata＞Vscan)。此時，假設(shè)參考電位Vref1為零，則儲存電容24的充電電壓等于掃描電壓與起始電壓的壓差(Vscan-Vth)。需要更新畫面時，再次抹除起始電壓；若不需更新畫面，則使掃描電壓Vscan與數(shù)據(jù)電壓Vdata維持在一穩(wěn)定狀態(tài)即可。
對于數(shù)據(jù)電壓Vdata與掃描電壓Vscan的大小關(guān)系說明如下。當數(shù)據(jù)電壓Vdata小于「掃描電壓Vscan與起始電壓Vth的差值」時，儲存電容24的充電電壓等于數(shù)據(jù)電壓Vdata。此狀況下，由于靜態(tài)省電模式是提供所有像素單元相同的數(shù)據(jù)電壓Vdata，故全體像素的電容電位相同，無法顯示不同像素所設(shè)定的灰階亮度。當數(shù)據(jù)電壓Vdata大于掃描電壓Vscan時，儲存電容24的充電電壓則固定在最大值「Vscan-Vth」的狀況，故可利用調(diào)整起始電壓，達到不同灰階的顯示。
請參照圖2B，是以液晶顯示器中的三個像素單元20a、20b及20c為例，說明本發(fā)明的操作結(jié)果。假設(shè)先利用上述方法改變非易失性內(nèi)存231的起始電壓為5V、非易失性內(nèi)存232的起始電壓為2.5V，以及非易失性內(nèi)存233的起始電壓為0V。對整個液晶面板提供8V的數(shù)據(jù)電壓，以及5V的掃描電壓。此時，因數(shù)據(jù)電壓Vdata大于掃描電壓Vscan，故儲存電容241、242及243的充電電壓以「Vscan-Vth」計算分別為0V、2.5V及5V，代表像素電極201、202及203的電位亦為0V、2.5V及5V。設(shè)若液晶層25a的參考電位Vref2等于零或接地，則像素單元20a的操作電壓變?yōu)?V，像素單元20b的操作電壓變?yōu)?.5V，而像素單元20c的操作電壓變?yōu)?V。如此一來，非易失性內(nèi)存以變動的起始電壓，搭配數(shù)據(jù)線及掃描線上的穩(wěn)定電壓，即可產(chǎn)生多種灰階亮度，以及節(jié)省靜態(tài)畫面顯示時的電力消耗。
請參照圖3A，是為本發(fā)明的像素單元應用于一有機電激發(fā)光顯示器。像素單元30包括至少一數(shù)據(jù)線31、至少一掃描線32、至少一非易失性內(nèi)存33、至少一儲存電容34、至少一驅(qū)動晶體管35及至少一有機發(fā)光二極管36。
掃描線32電性連接于非易失性內(nèi)存33的柵極端G。數(shù)據(jù)線31電性連接至非易失性內(nèi)存33的其中一個源/漏極端S。非易失性內(nèi)存33的另一個源/漏極端D電性連接至驅(qū)動晶體管35的柵極及儲存電容34。儲存電容34的兩端分別電性連接至驅(qū)動晶體管35的柵極及漏極。有機發(fā)光二極管36的陽極則同時與驅(qū)動晶體管35的漏極及儲存電容34。
本實施例中，驅(qū)動晶體管35是為一P溝道薄膜晶體管，其源極用以接受一高電壓電平Vdd。有機發(fā)光二極管36的陰極用以接受一低電壓電平Vss。此處，D點的電壓亦為Vscan-Vth。若改變非易失性內(nèi)存33的Vth，則D點電壓可調(diào)變，因此可決定驅(qū)動晶體管35的柵極跨壓，同時決定有機發(fā)光二極管36的驅(qū)動電流。
請參照圖3B，是為本發(fā)明的像素單元，具有多個串聯(lián)的有機發(fā)光二極管。比較圖3A，像素單元40加置一有機發(fā)光二極管42與有機發(fā)光二極管36串聯(lián)。
請參照圖3C，是為本發(fā)明的像素單元，具有多個并聯(lián)的有機發(fā)光二極管。比較圖3A，像素單元50加置一有機發(fā)光二極管52與有機發(fā)光二極管36并聯(lián)。
請參照圖4，同時比較圖3A，像素單元60采用一N溝道薄膜晶體管62取代驅(qū)動晶體管35(P溝道)。有機發(fā)光二極管36的陽極則電性連接至N溝道薄膜晶體管62的源極。
請參照圖5，是為具有反相型(inverted)有機發(fā)光二極管的像素單元70。比較圖4，有機發(fā)光二極管72的陰極電性連接至N溝道晶體管62的漏極。
圖3B-3C、圖4、圖5均以單顆非易失性內(nèi)存為主動組件，藉由改變其起始電壓來調(diào)節(jié)像素單元的亮度。然而，為了將靜態(tài)顯示與動態(tài)顯示分別作控制，亦可以非易失性內(nèi)存搭配薄膜晶體管作為主動組件，請參照下列實施例的說明。
請參照圖6，是為本發(fā)明的像素單元應用于液晶顯示器中，其可分別控制靜態(tài)顯示與動態(tài)顯示。比較圖2A，像素單元80多了一條掃描線82及一個薄膜晶體管84。數(shù)據(jù)線21連接薄膜晶體管84及非易失性內(nèi)存33的源極。掃描線22電性連接至非易失性內(nèi)存33的柵極。掃描線82電性連接至薄膜晶體管84的柵極。薄膜晶體管84及非易失性內(nèi)存33的漏極均與儲存電容24電性連接。
在一般模式下，像素單元80的操作電壓由薄膜晶體管84控制圖像顯示。特別地，當顯示靜態(tài)圖像時，可改由非易失性內(nèi)存33控制像素單元80的操作電壓以切換至靜態(tài)省電模式。
另外在有機電激發(fā)光顯示器中，靜態(tài)顯示與動態(tài)顯示也可以分別作控制。
請參照圖7A，同時比較圖3A，像素單元90多了一條掃描線92及一個開關(guān)晶體管94。數(shù)據(jù)線31連接開關(guān)晶體管94及非易失性內(nèi)存33的源極。掃描線92電性連接至開關(guān)晶體管94的柵極。開關(guān)晶體管94的源/漏極與非易失性內(nèi)存33的源/漏極共同連接至驅(qū)動晶體管35(P溝道)的柵極及儲存電容34。有機發(fā)光二極管36的陽極是電性連接至驅(qū)動晶體管35的漏極。如此一來，在一般模式下，像素單元90的操作電位由開關(guān)晶體管94以控制圖像。但是在顯示靜態(tài)圖像時，可改由非易失性內(nèi)存33控制像素單元90的操作電位以切換至靜態(tài)省電模式。
同樣地，圖7A驅(qū)動晶體管35也可以換成N溝道晶體管，請參照圖7B-7C。在像素單元100中，有機發(fā)光二極管104的陰極是電性連接至N溝道薄膜晶體管102的漏極，形成反相型架構(gòu)。在像素單元110中，有機發(fā)光二極管114的陽極是電性連接至N溝道薄膜晶體管112的源極。
在本發(fā)明中，薄膜晶體管可采用非晶硅(α-Si)或低溫多晶硅(LTPS)制程。為了避免高溫氧化制程對玻璃基板造成破壞，可以在低于650℃的溫度下，使用PECVD沉積非易失性內(nèi)存中的氧化層。
以上所有實施例的共同特征在于，像素單元包括至少一非易失性內(nèi)存、至少一掃描線電性連接至該非易失性內(nèi)存的柵極、至少一數(shù)據(jù)線電性連接至該非易失性內(nèi)存的源極，以及，至少一電容電性連接至該非易失性內(nèi)存的漏極。
在一般模式下，該非易失性內(nèi)存具有一第一起始電壓，以使該電容具有一第一儲存電位。欲切換為靜態(tài)省電模式時，以下列步驟進行。首先，提供一電壓差于該非易失性內(nèi)存的柵極與源/漏極之間以抹除該第一起始電壓。同樣地，提供一電壓差于該非易失性內(nèi)存的柵極與源/漏極之間以寫入一第二起始電壓于該非易失性內(nèi)存，以取代該第一起始電壓；再提供一掃描電壓于該非易失性內(nèi)存的柵極，藉由該掃描電壓與該第二起始電壓的差值以定義該電容的一第二儲存電位；以及，提供一數(shù)據(jù)電壓于該非易失性內(nèi)存的源/漏極，以對該電容充電，使該第一儲存電位改變?yōu)樵摰诙Υ骐娢弧?br> 承上述，由于每個像素單元中，非易失性內(nèi)存23的起始電壓均不相同，故儲存電容24的儲存電位亦不相同，可作多種顏色顯示。另外，每個像素單元僅用一顆非易失性內(nèi)存即可取代靜態(tài)隨機存取內(nèi)存的功能。由于每個非易失性內(nèi)存通常由二個晶體管構(gòu)成，但靜態(tài)隨機存取內(nèi)存則包括六至八個晶體管，因此所需晶體管數(shù)目較少，故能提高像素單元的開口率。
請參照圖8，是為靜態(tài)畫面的時序控制圖。在時段I，由一般模式切換為靜態(tài)省電模式時，可以提供一掃描電壓以重置電容電位。在時段II，提供一數(shù)據(jù)電壓用以顯示畫面。
請參照圖9，是為驅(qū)動芯片的功率消耗(power consumption)曲線。橫軸為輸入電壓(V)；縱軸為功率消耗(mW)。當輸入電壓在3.0V至3.6V之間時，功率消耗在40mW至60mW之間。
請參照圖10，是為功率消耗與面板亮區(qū)比例的關(guān)系曲線，并據(jù)此算出所節(jié)省的電力。圖中橫軸為面板亮區(qū)比例；左側(cè)縱軸為功率消耗(mW)；右側(cè)縱軸為節(jié)省電力(％)。有機電激發(fā)光面板的亮區(qū)比例在1/3-1/4時，假設(shè)為靜態(tài)顯示，有機發(fā)光二極管所消耗的功率為240mW至180mW，則使用本發(fā)明的電路設(shè)計可節(jié)省驅(qū)動芯片的功率消耗為40mW至60mW。
上列詳細說明是針對本發(fā)明較佳實施例的具體說明，惟上述實施例并非用以限制本發(fā)明的專利范圍，凡未脫離本發(fā)明技藝精神所為的等效實施或變更，均應包含于本案的專利范圍中。
權(quán)利要求
1.一種平面顯示器的像素單元，包括至少一非易失性內(nèi)存；至少一掃描線，電性連接至該非易失性內(nèi)存的柵極；至少一數(shù)據(jù)線，電性連接至該非易失性內(nèi)存的源極；以及至少一儲存電容，電性連接至該非易失性內(nèi)存的漏極。
2.如權(quán)利要求1所述的像素單元，更包括一像素電極電性連接至該儲存電容，且該像素電極是接觸于一液晶層。
3.如權(quán)利要求1所述的像素單元，更包括至少一薄膜晶體管，其具有一柵極電性連接至該儲存電容及該非易失性內(nèi)存的漏極；以及至少一有機發(fā)光二極管，是電性連接至該薄膜晶體管的漏極與源極二者之一。
4.如權(quán)利要求3所述的像素單元，其中，該薄膜晶體管是為一P溝道薄膜晶體管。
5.如權(quán)利要求3所述的像素單元，其中，該薄膜晶體管是為一N溝道薄膜晶體管。
6.如權(quán)利要求4所述的像素單元，其中，該有機發(fā)光二極管的陽極是電性連接至該P溝道薄膜晶體管的漏極。
7.如權(quán)利要求5所述的像素單元，其中，該有機發(fā)光二極管的陰極是電性連接至該N溝道薄膜晶體管的漏極。
8.如權(quán)利要求5所述的像素單元，其中，該有機發(fā)光二極管的陽極是電性連接至該N溝道薄膜晶體管的源極。
9.如權(quán)利要求1所述的像素單元，更包括至少一薄膜晶體管，具有一柵極電性連接至該儲存電容及該非易失性內(nèi)存的漏極；以及多個有機發(fā)光二極管，是電性連接至該薄膜晶體管的漏極與源極二者之一，且各該有機發(fā)光二極管是互相串聯(lián)。
10.如權(quán)利要求1所述的像素單元，更包括至少一薄膜晶體管，具有一柵極電性連接至該儲存電容及該非易失性內(nèi)存的漏極；以及多個有機發(fā)光二極管，是電性連接至該薄膜晶體管的漏極與源極二者之一，且各該有機發(fā)光二極管是互相并聯(lián)。
11.一種平面顯示器的像素單元，包括至少一薄膜晶體管；至少一第一掃描線，電性連接至該薄膜晶體管的柵極；至少一非易失性內(nèi)存；至少一第二掃描線，電性連接至該非易失性內(nèi)存的柵極；至少一數(shù)據(jù)線，電性連接至該薄膜晶體管及該非易失性內(nèi)存的源極；以及至少一儲存電容，電性連接至該薄膜晶體管及該非易失性內(nèi)存的漏極。
12.如權(quán)利要求11所述的像素單元，更包括一像素電極電性連接至該電容，且該像素電極是接觸于一液晶層。
13.如權(quán)利要求11所述的像素單元，更包括至少一第二薄膜晶體管，具有一柵極電性連接至該儲存電容及該非易失性內(nèi)存的漏極；以及至少一有機發(fā)光二極管，是電性連接至該第二薄膜晶體管的漏極與源極二者之一。
14.如權(quán)利要求13所述的像素單元，其中，該第二薄膜晶體管是為一P溝道薄膜晶體管。
15.如權(quán)利要求13所述的像素單元，其中，該第二薄膜晶體管是為一N溝道薄膜晶體管。
16.如權(quán)利要求14所述的像素單元，其中，該有機發(fā)光二極管的陽極是電性連接至該P溝道薄膜晶體管的漏極。
17.如權(quán)利要求15所述的像素單元，其中，該有機發(fā)光二極管的陰極是電性連接至該N溝道薄膜晶體管的漏極。
18.如權(quán)利要求15所述的像素單元，其中，該有機發(fā)光二極管的陽極是電性連接至該N溝道薄膜晶體管的源極。
19.如權(quán)利要求11所述的像素單元，更包括至少一第二薄膜晶體管，具有一柵極電性連接至該儲存電容及該非易失性內(nèi)存的漏極；以及多個有機發(fā)光二極管，是電性連接至該薄膜晶體管的漏極與源極二者之一，且各該有機發(fā)光二極管是互相串聯(lián)。
20.如權(quán)利要求11所述的像素單元，更包括至少一第二薄膜晶體管，具有一柵極電性連接至該儲存電容及該非易失性內(nèi)存的漏極；以及多個有機發(fā)光二極管，是電性連接至該薄膜晶體管的漏極與源極二者之一，且各該有機發(fā)光二極管是互相并聯(lián)。
21.一種像素單元的驅(qū)動方法，該像素單元包括至少一非易失性內(nèi)存電性連接至少一儲存電容，其中，該非易失性內(nèi)存具有一第一起始電壓，以使該儲存電容具有一第一儲存電位，該方法包括寫入一第二起始電壓于該非易失性內(nèi)存，以取代該第一起始電壓；提供一掃描電壓于該非易失性內(nèi)存的柵極，藉由該掃描電壓與該第二起始電壓的差值以定義該儲存電容的一第二儲存電位；以及提供一數(shù)據(jù)電壓于該非易失性內(nèi)存的源/漏極，以對該儲存電容充電，使該第一儲存電位改變?yōu)樵摰诙Υ骐娢弧?br> 22.如權(quán)利要求21所述的驅(qū)動方法，其中，上述寫入該第二起始電壓的步驟更包括提供一電壓差于該非易失性內(nèi)存的柵極與源/漏極之間。
23.如權(quán)利要求21所述的驅(qū)動方法，其中，該數(shù)據(jù)電壓大于該掃描電壓。
24.如權(quán)利要求21所述的驅(qū)動方法，更包括抹除該第一起始電壓于寫入該第二起始電壓之前。
25.如權(quán)利要求24所述的驅(qū)動方法，其中，上述抹除該第一起始電壓的步驟是包括提供一電壓差于該非易失性內(nèi)存的柵極與源/漏極之間。
全文摘要
一種平面顯示器的像素單元，包括至少一非易失性內(nèi)存、至少一掃描線、至少一數(shù)據(jù)線及至少一儲存電容。該掃描線電性連接至該非易失性內(nèi)存的柵極。該數(shù)據(jù)線電性連接至該非易失性內(nèi)存的源極。該儲存電容電性連接至該非易失性內(nèi)存的漏極。上述像素單元的驅(qū)動方法包括提供一掃描電壓及一數(shù)據(jù)電壓以改變該非易失性內(nèi)存的起始電壓，進而重新定義該儲存電容的儲存電位。
文檔編號G09G3/36GK1808536SQ200610007118
公開日2006年7月26日 申請日期2006年2月9日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月9日
發(fā)明者陳紀文, 張鼎張, 劉柏村 申請人:友達光電股份有限公司