專利名稱：Tft陣列試驗(yàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種驅(qū)動(dòng)EL元件的TFT陣列的試驗(yàn)方法，特別是涉及一種具有電流拷貝型像素的TFT陣列的試驗(yàn)方法。
背景技術(shù)：
近年來，作為平面/面板/顯示器的顯示用元件，EL元件(電致發(fā)光元件)受到矚目。由于EL元件是自發(fā)光型元件，因而與先前的利用液晶的顯示元件相比，具有所謂顯示色域較廣且消耗電力較小的特征。
EL元件的發(fā)光亮度根據(jù)驅(qū)動(dòng)電流而變化。因此，EL元件驅(qū)動(dòng)用的TFT陣列與先前的電壓控制型的液晶用的TFT陣列不同，必須具有控制施加于發(fā)光元件的電流量的構(gòu)成(參照專利文獻(xiàn)1、2)。
在圖2中表示代表性的EL元件驅(qū)動(dòng)用的TFT陣列的像素的電流拷貝型像素構(gòu)成。連接EL元件25(TFT陣列的狀態(tài)下未連接)的電極15、28為一方的電極15接地，他方的電極28連接于晶體管開關(guān)23。晶體管開關(guān)23的他端連接于供給EL元件25的驅(qū)動(dòng)電流的驅(qū)動(dòng)用晶體管22的漏極端子。驅(qū)動(dòng)用晶體管22的柵極端子與源極端子之間連接有電容器24。在驅(qū)動(dòng)用晶體管22的源極端子連接有EL元件25的驅(qū)動(dòng)用電源27。另外，在驅(qū)動(dòng)用晶體管22的柵極端子與漏極端子之間連接有晶體管開關(guān)21，在漏極端子連接有其他晶體管開關(guān)20。晶體管開關(guān)20與21均通過相同的控制線12實(shí)行接通斷開動(dòng)作。另外，晶體管開關(guān)20的他端連接于數(shù)據(jù)線10，數(shù)據(jù)線連接于電流源26。晶體管開關(guān)20、21、23中的任一開關(guān)均為P通道的FET，通過施加-5V(接通電壓)成為接通狀態(tài)，通過使其為0V(斷開電壓)而成為斷開狀態(tài)。
接著，就圖2的像素的動(dòng)作加以說明。首先，在控制線12施加電壓將開關(guān)20與21設(shè)為接通狀態(tài)，并且使控制線16為斷開電壓將開關(guān)23設(shè)為斷開狀態(tài)。則自電源27供給的電流經(jīng)由驅(qū)動(dòng)用晶體管22與開關(guān)20流入電流源26。此時(shí)流動(dòng)的電流量I通過電流源26而得以規(guī)定。另外，由于開關(guān)21為接通狀態(tài)，因而電容器24得以充電。充電后的電容器24的電位V等于電流量I流動(dòng)于驅(qū)動(dòng)用晶體管22時(shí)的柵極/源極間電壓V。
當(dāng)電容器24充電完畢則使控制線12為斷開電壓將開關(guān)20與21設(shè)為斷開狀態(tài)。由于開關(guān)21為斷開狀態(tài)，因而電容器24保持電位差V。其后，在控制線16施加電壓，將開關(guān)23設(shè)為接通狀態(tài)。則自電源27供給的電流經(jīng)由驅(qū)動(dòng)用晶體管22與開關(guān)23流動(dòng)于EL元件25。此時(shí)流動(dòng)于EL元件25的電流量通過驅(qū)動(dòng)用晶體管22的柵極/源極間電壓而得以控制。由于在驅(qū)動(dòng)用晶體管22的柵極/源極間連接有充電為電位差V的電容器24，因而柵極/源極間電壓成為V。如上所述，柵極/源極間電壓為V時(shí)流動(dòng)于驅(qū)動(dòng)晶體管22的電流量成為I，因而電流量I的驅(qū)動(dòng)電流會(huì)流動(dòng)于EL元件25。
如此，圖2的驅(qū)動(dòng)晶體管22具有所謂在斷絕與電流源26的連接后也可以電流源26所規(guī)定的電流量I驅(qū)動(dòng)EL元件25的特征。將具有如此特征的像素稱為電流拷貝型像素。再者，也存在不必如本實(shí)施例般將電極15接地，而將其設(shè)為特定的電位的使用方面，但動(dòng)作原理相同。
專利文獻(xiàn)1日本專利特開2004-4801號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本專利特開2003-323152號(hào)公報(bào)[發(fā)明所欲解決的問題]然而，為使如此的電流拷貝型像素正常實(shí)行動(dòng)作，像素的各要素全部必須正常地發(fā)揮功能。另外，存在缺陷點(diǎn)的情形時(shí)，必須確定缺陷點(diǎn)。因此，TFT陣列的制造步驟中，必須確立像素的試驗(yàn)方法。
另外，EL元件25價(jià)格較高，一旦與TFT陣列一同封入面板則難以再利用。因此，較好的是可于封入前、即于將EL元件25連接于TFT陣列的電極15、28前實(shí)行TFT陣列的像素的試驗(yàn)。然而，存在所謂由于在未封入EL元件25的狀態(tài)下，電極15與電極28之間成為開放狀態(tài)而電路未閉合，因而無法與實(shí)際使用狀態(tài)相同般流動(dòng)電流而試驗(yàn)的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是通過一種試驗(yàn)方法而解決上述問題，該試驗(yàn)方法的特征在于其具有像素的TFT陣列的試驗(yàn)方法，該像素包含用以控制電流量的晶體管，連接于上述晶體管的柵極端子與源極端子之間的電容器，連接于上述晶體管的柵極端子與漏極端子之間的第一開關(guān)，以及一端連接于上述晶體管的漏極端子，并與上述第一開關(guān)同步實(shí)行接通斷開動(dòng)作的第二開關(guān)；另外，其具有將上述第一開關(guān)以及上述第二開關(guān)設(shè)為接通狀態(tài)的步驟，在上述第二開關(guān)的他端施加未滿上述晶體管的閾電壓的第一電壓的步驟，以及在上述第二開關(guān)的他端施加未滿上述晶體管的閾電壓并與上述第一電壓不同的第二電壓，并且測(cè)定流動(dòng)于上述第一開關(guān)的電荷量的步驟。
另外，本發(fā)明通過一種試驗(yàn)方法而解決上述問題，該試驗(yàn)方法的特征在于其為具有像素的TFT陣列的試驗(yàn)方法，該像素包含用以控制電流量的晶體管，連接于上述晶體管的柵極端子與源極端子之間的電容器，連接于上述晶體管的柵極端子與漏極端子之間的第一開關(guān)，以及一端連接于上述晶體管的漏極端子，并與上述第一開關(guān)同步實(shí)行接通斷開動(dòng)作的第二開關(guān)；另外，其具有將上述第一開關(guān)以及上述第二開關(guān)設(shè)為接通狀態(tài)的步驟，在上述第二開關(guān)的他端連接可變電壓源的步驟，以及通過上述可變電壓源使電壓變化，并且測(cè)定上述電壓與流動(dòng)于上述第二開關(guān)的電流量的關(guān)系的步驟。也可以通過可變電流源使電流量變化取代通過可變電壓源使電壓可變，并測(cè)定第二開關(guān)的他端的電壓與流動(dòng)的電流量的關(guān)系。
另外，本發(fā)明通過一種試驗(yàn)方法而解決上述問題，該試驗(yàn)方法的特征在于其為具有像素的TFT陣列的試驗(yàn)方法，該像素包含用以連接EL元件的電極，用以控制上述EL元件的驅(qū)動(dòng)電流量的晶體管，連接于上述晶體管的柵極端子與源極端子之間的電容器，連接于上述晶體管的柵極端子與漏極端子之間的第一開關(guān)，一端連接于上述晶體管的漏極端子，并與上述第一開關(guān)同步實(shí)行接通斷開動(dòng)作的第二開關(guān)，以及連接于上述電極的一端與上述晶體管的漏極端子之間的第三開關(guān)；另外，其具有將上述第一開關(guān)以及上述第二開關(guān)設(shè)為接通狀態(tài)的步驟，將上述第三開關(guān)設(shè)為接通狀態(tài)，使上述電極的他端的電位變化，并測(cè)定流動(dòng)于上述第二開關(guān)的第一電荷量的步驟，將上述第三開關(guān)設(shè)為斷開狀態(tài)，使上述電極的他端的電位變化，并測(cè)定流動(dòng)于上述第二開關(guān)的第二電荷量的步驟，以及比較上述第一電荷量與上述第二電荷量的步驟。
另外，本發(fā)明通過一種試驗(yàn)方法而解決上述問題，該試驗(yàn)方法的特征在于其為具有像素的TFT陣列的試驗(yàn)方法，該像素包含用以控制電流量的晶體管，連接于上述晶體管的柵極端子與源極端子之間的電容器，連接于上述晶體管的柵極端子與漏極端子之間的第一開關(guān)，以及一端連接于上述晶體管的源極端子，并與上述第一開關(guān)同步實(shí)行接通斷開動(dòng)作的第二開關(guān)；另外，其具有將上述第一開關(guān)以及上述第二開關(guān)設(shè)為接通狀態(tài)的步驟，在上述第二開關(guān)的他端施加特定的電流的步驟，在上述晶體管的源極端子施加特定的電壓的步驟，以及測(cè)定流動(dòng)在上述晶體管的源極端子的電流量的步驟。
根據(jù)本發(fā)明可在未封入EL元件的狀態(tài)下試驗(yàn)電流拷貝型像素是否存在缺陷。
圖1為本發(fā)明的實(shí)施例(試驗(yàn)方法1)的說明圖。
圖2為代表性的電流拷貝型的像素構(gòu)成圖。
圖3為本發(fā)明的實(shí)施例(試驗(yàn)方法2)的說明圖。
圖4為本發(fā)明的實(shí)施例(試驗(yàn)方法3)的說明圖。
圖5為本發(fā)明的實(shí)施例(試驗(yàn)方法4)的說明圖。
圖6是本發(fā)明的試驗(yàn)方法與試驗(yàn)對(duì)象的構(gòu)成要素的對(duì)應(yīng)圖。
具體實(shí)施例方式以下參照?qǐng)D式就成為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方面的試驗(yàn)方法詳細(xì)加以說明。本試驗(yàn)方法包含如下所示的四個(gè)試驗(yàn)。在圖6中表示可通過各試驗(yàn)實(shí)行動(dòng)作確認(rèn)的試驗(yàn)點(diǎn)。若實(shí)施全部試驗(yàn)則可確認(rèn)在TFT陣列的像素的全構(gòu)成要素中無缺陷要素。但是，存在所謂若實(shí)施全試驗(yàn)則試驗(yàn)時(shí)間會(huì)較長(zhǎng)的問題。一般而言，像素的各構(gòu)成要素的缺陷產(chǎn)生概率因每一個(gè)構(gòu)成要素不同而有所不同，另外根據(jù)TFT陣列的制造步驟差異也較大。因此，不必實(shí)施全試驗(yàn)，可通過僅實(shí)施缺陷可能性較高的構(gòu)成要素的試驗(yàn)，而使試驗(yàn)時(shí)間的縮短與缺陷TFT陣列的顯現(xiàn)得以兩全。
(試驗(yàn)方法1)在圖1中表示TFT陣列的像素試驗(yàn)方法的一實(shí)例。本試驗(yàn)實(shí)行開關(guān)20、21以及電容器24的動(dòng)作的試驗(yàn)。在數(shù)據(jù)線10連接電荷量計(jì)30。將雙擲開關(guān)31的輸入端子連接于電荷量計(jì)30的他端。在雙擲開關(guān)31的輸入端子的一方連接有電源32，在他方的輸入端子連接有電源33。電源32的電壓V1與電源33的電壓V2是不同的電壓，電源33的電壓V2是以與電源27的電壓V0的電位差成為驅(qū)動(dòng)用晶體管22的閾電壓的絕對(duì)值|VT|以下(|VT|＞|V0-V2|)的方式而設(shè)定。
接著就試驗(yàn)方法詳細(xì)加以說明。首先，在控制線12施加接通電壓，將開關(guān)20、21設(shè)為接通狀態(tài)?？刂凭€16設(shè)為斷開電壓，將開關(guān)23設(shè)為斷開狀態(tài)。另外，將開關(guān)31的輸入端子與電源32連接。則電容器24的電位差成為V0-V1。此時(shí)，若將電容器24的電容設(shè)為C，則在電容器24充電有電荷量Q1＝C(V0-V1)的電荷。
于經(jīng)過充電所必需的時(shí)間后，使控制線12為斷開電壓，并將開關(guān)31切換至電源33。則由于開關(guān)20成為斷開狀態(tài)，因而若為理想的電路則在數(shù)據(jù)線10應(yīng)無電流流動(dòng)。但是，因現(xiàn)實(shí)的TFT陣列中存在有微小的補(bǔ)償電流，因而電流量不會(huì)為零。因此，首先，將開關(guān)20設(shè)為斷開狀態(tài)，而直接以電荷量計(jì)30測(cè)定補(bǔ)償電流。
其后，再次于控制線12施加接通電壓并將開關(guān)20、21設(shè)為接通狀態(tài)。則由于電容器24的電位差成為V0-V2，因而成為蓄積于電容器24的電荷量Q2＝C(V0-V2)。此時(shí)，Q1與Q2的差分△Q＝Q1-Q2＝C(V2-V1)通過數(shù)據(jù)線10流入電源33。測(cè)定該電荷量ΔQ，并減去補(bǔ)償電流的電荷量而求得真實(shí)電荷量ΔQ’。最后，求得電容器24的電容C＝ΔQ’/(V2-V1)，判定電容C是否于特定的容許范圍內(nèi)。
再者，若與在控制線16施加接通電壓，將開關(guān)23設(shè)為接通狀態(tài)而實(shí)行相同的測(cè)定的結(jié)果相比較，則可實(shí)行開關(guān)23的動(dòng)作確認(rèn)。即，若開關(guān)23正常動(dòng)作，則開關(guān)23為接通狀態(tài)時(shí)與斷開狀態(tài)時(shí)，測(cè)定值會(huì)有晶體管開關(guān)23的柵極/漏極間的寄生電容、或與晶體管開關(guān)23的漏極接近的數(shù)據(jù)線或其他像素的控制線間的程度的不同。通過測(cè)定該差值也可同時(shí)實(shí)行開關(guān)23的動(dòng)作確認(rèn)。
于開關(guān)20、21存在缺陷的情形時(shí)，由于顯現(xiàn)無法于電容器24充電，或有過大的補(bǔ)償電流流動(dòng)等癥狀，因而可通過本試驗(yàn)同時(shí)實(shí)行開關(guān)20、21的動(dòng)作確認(rèn)。
(試驗(yàn)方法2)在圖3中表示TFT陣列的像素試驗(yàn)方法的一個(gè)其他實(shí)例。本試驗(yàn)中，實(shí)行開關(guān)20、21以及驅(qū)動(dòng)用晶體管22的動(dòng)作試驗(yàn)。本試驗(yàn)中，將可變電壓源29與電流計(jì)40連接于數(shù)據(jù)線10。并且，在控制線12施加接通電壓，將開關(guān)20、21設(shè)為接通狀態(tài)。控制線16設(shè)為斷開電壓，將開關(guān)23設(shè)為斷開狀態(tài)。接著，使可變電壓源29的電壓變化，于各電壓V以電流計(jì)40測(cè)定數(shù)據(jù)線10的電流量I。由于晶體管開關(guān)20為接通狀態(tài)，因而盡管因接通電阻造成的電壓降低而存在誤差，電壓V仍大致等于驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極電壓。另外，由于流動(dòng)于電流計(jì)40的電流量I為自電源27經(jīng)由驅(qū)動(dòng)用晶體管22、開關(guān)20而流動(dòng)的電流，因而等于驅(qū)動(dòng)用晶體管22的驅(qū)動(dòng)電流的電流量。因此，由于電流量I與電壓V的關(guān)系大致與驅(qū)動(dòng)用晶體管22的IV特性相等，因而自測(cè)定結(jié)果可判定驅(qū)動(dòng)用晶體管22是否具有所期望的特性。
再者，于開關(guān)20、21存在缺陷的情形時(shí)，由于即使使可變電壓源的電壓變化，于驅(qū)動(dòng)用晶體管22也無電流流動(dòng)，因而通過本試驗(yàn)可同時(shí)實(shí)行開關(guān)20、21的動(dòng)作確認(rèn)。再者，本實(shí)施例中以可變電流源取代可變電壓源29，以電壓計(jì)取代電流計(jì)40，分別連接可變電流源與電壓計(jì)，使可變電流源的電流量I變化，測(cè)定開關(guān)20的漏極端子的電壓V，也可測(cè)定晶體管22的IV特性。
(試驗(yàn)方法3)在圖4中表示TFT陣列的像素試驗(yàn)方法的另一個(gè)實(shí)例。本試驗(yàn)中，實(shí)行開關(guān)20以及23的動(dòng)作試驗(yàn)。將信號(hào)產(chǎn)生器50連接于電極15，將電荷量計(jì)30連接于數(shù)據(jù)線10。在該狀態(tài)下，于控制線12施加接通電壓，將開關(guān)20設(shè)為接通狀態(tài)。
首先，于控制線16施加接通電壓，將開關(guān)23設(shè)為接通狀態(tài)，通過信號(hào)產(chǎn)生器50，于電極15賦予階躍信號(hào)。由于EL元件處于未封入的狀態(tài)，因而電極15與電極28作為電容器發(fā)揮功能，因而階躍信號(hào)的微分波形的電流經(jīng)由開關(guān)23以及20流動(dòng)于數(shù)據(jù)線10。此時(shí)以電荷量計(jì)30測(cè)定流動(dòng)的電荷量Q1。接著，將控制線16設(shè)為斷開電壓，將開關(guān)設(shè)為斷開狀態(tài)，而后于電極15賦予階躍信號(hào)，以電荷量計(jì)30測(cè)定流動(dòng)于數(shù)據(jù)線10的電荷量Q2。由于若開關(guān)23正常動(dòng)作，則開關(guān)23在斷開狀態(tài)下于數(shù)據(jù)線10無電流流動(dòng)，因而電荷量Q1與電荷量Q2成為不同值。因此，通過求得兩電荷量的差ΔQ＝Q1-Q2，可實(shí)行開關(guān)23的動(dòng)作確認(rèn)。
此處，流動(dòng)于數(shù)據(jù)線10的補(bǔ)償電流較大的情形時(shí)，可采用預(yù)先測(cè)定流動(dòng)于數(shù)據(jù)線10的補(bǔ)償電流，計(jì)算補(bǔ)償電流的電荷量，并自測(cè)定值減去此電荷量而求得真實(shí)電荷量的方法。另外，也可預(yù)先測(cè)定補(bǔ)償電流，將與補(bǔ)償電流相同電流量且電流方向相反的定電流源連接于數(shù)據(jù)線10，抵消補(bǔ)償電流，而后實(shí)施本試驗(yàn)。
再者，信號(hào)產(chǎn)生器50的輸出波形并不限于階躍信號(hào)，也可為脈沖信號(hào)、三角波信號(hào)、正弦波信號(hào)等隨時(shí)間而變化電壓的信號(hào)。另外，信號(hào)產(chǎn)生器50不必連接于電極15，也可連接于接近于電極28的數(shù)據(jù)線或其他像素的控制線等。該情形時(shí)，測(cè)定流動(dòng)于信號(hào)產(chǎn)生器50所連接的線與電極28之間的寄生電容的電流的電荷量。
本試驗(yàn)中，在開關(guān)20存在缺陷的情形時(shí)，與開關(guān)23的接通斷開無關(guān)，流動(dòng)于電荷量計(jì)30的電荷量無變化。因此，也可同時(shí)實(shí)行開關(guān)20的缺陷的判定。
除本試驗(yàn)方法以外，作為實(shí)行開關(guān)23的動(dòng)作確認(rèn)的方法，也可采用在使控制線16自斷開電壓變化至接通電位時(shí)，測(cè)定流入電荷量計(jì)30的電荷量的方法。開關(guān)23正常接通的情形與存在缺陷而未接通的情形時(shí)，由于晶體管開關(guān)23的柵極/漏極間的寄生電容、與晶體管開關(guān)23的漏極端子接近的數(shù)據(jù)線或其他像素的控制線間的寄生電容的測(cè)定值不同，因而通過測(cè)定該差值，可實(shí)行晶體管23的動(dòng)作確認(rèn)。通過該方法，即使使用信號(hào)產(chǎn)生器50，不充電于晶體管開關(guān)23的寄生電容，也可以圖1的電路的方式，將電容器24充電，通過來自電源27的電流將晶體管開關(guān)23的寄生電容充電。該情形時(shí)，若預(yù)先測(cè)定補(bǔ)償電流量，將與補(bǔ)償電流相同電流量且電流方向相反的定電流源連接于數(shù)據(jù)線10，抵消補(bǔ)償電流后實(shí)行測(cè)定，則可省去自測(cè)定結(jié)果減去補(bǔ)償電流量而求得真實(shí)電荷量的工作。
(試驗(yàn)方法4)在圖5中表示TFT陣列的像素試驗(yàn)方法的另一個(gè)實(shí)例。本試驗(yàn)中，實(shí)行開關(guān)20、21以及驅(qū)動(dòng)用晶體管22的動(dòng)作試驗(yàn)。本試驗(yàn)中，將電流計(jì)50設(shè)置于電源27與驅(qū)動(dòng)用晶體管22的源極端子之間。并且，于控制線12施加接通電壓，將開關(guān)20以及開關(guān)21設(shè)為接通狀態(tài)。若開關(guān)20、21以及晶體管22正常動(dòng)作，則應(yīng)于電流計(jì)50流動(dòng)有與流動(dòng)于電流源26的電流量相同電流量的電流。另一方面，期間漏電或斷線，或者開關(guān)20、21或晶體管22未動(dòng)作的情形時(shí)，來自電流源26的輸出與電流計(jì)50的值成為不同的值。如此通過比較電流計(jì)50的測(cè)定值與流動(dòng)于電流源26的電流量，可實(shí)行開關(guān)20、21以及晶體管22的動(dòng)作確認(rèn)。
以上，將本發(fā)明的技術(shù)性思想?yún)⒄仗囟ǖ膶?shí)施例詳細(xì)加以說明，但本發(fā)明的所屬領(lǐng)域相關(guān)人員應(yīng)了解可以不脫離權(quán)利要求的主旨以及范圍的方式增加各種變更以及改變。再者，本發(fā)明主要將封入EL元件25前的試驗(yàn)作為對(duì)象，但也可適用于試驗(yàn)封入EL元件25后的TFT面板的情形。再者，由于封入EL元件25后像素內(nèi)的電路成為閉合電路，因而若以圖5的方式設(shè)置電流計(jì)50，則可直接測(cè)定EL元件25的驅(qū)動(dòng)電流。
權(quán)利要求
1.一種試驗(yàn)方法，其特征在于其為具有像素的TFT陣列的試驗(yàn)方法，該像素包含晶體管，其用以控制電流量，電容器，其連接于上述晶體管的柵極端子與源極端子之間，第一開關(guān)，其連接于上述晶體管的柵極端子與漏極端子之間，以及第二開關(guān)，其一端連接于上述晶體管的漏極端子，并與上述第一開關(guān)同步實(shí)行接通斷開動(dòng)作；另外，其具有將上述第一開關(guān)以及上述第二開關(guān)設(shè)為接通狀態(tài)的步驟，于上述第二開關(guān)的他端施加未滿上述晶體管的閾電壓的第一電壓的步驟，以及于上述第二開關(guān)的他端施加未滿上述晶體管的閾電壓并與上述第一電壓不同的第二電壓，并且測(cè)定流動(dòng)于上述第一開關(guān)的電荷量的步驟。
2.一種試驗(yàn)方法，其特征在于其為具有像素的TFT陣列的試驗(yàn)方法，該像素包含晶體管，其用以控制電流量，電容器，其連接于上述晶體管的柵極端子與源極端子之間，第一開關(guān)，其連接于上述晶體管的柵極端子與漏極端子之間，以及第二開關(guān)，其一端連接于上述晶體管的漏極端子，并與上述第一開關(guān)同步實(shí)行接通斷開動(dòng)作；另外，其具有將上述第一開關(guān)以及上述第二開關(guān)設(shè)為接通狀態(tài)的步驟，于上述第二開關(guān)的他端連接可變電壓源的步驟，以及使上述可變電壓源的電壓變化，測(cè)定上述電壓與流動(dòng)于上述第二開關(guān)的電流量的關(guān)系的步驟。
3.一種試驗(yàn)方法，其特征在于其為具有像素的TFT陣列的試驗(yàn)方法，該像素包含晶體管，其用以控制電流量，電容器，其連接于上述晶體管的柵極端子與源極端子之間，第一開關(guān)，其連接于上述晶體管的柵極端子與漏極端子之間，以及第二開關(guān)，其一端連接于上述晶體管的漏極端子，并與上述第一開關(guān)同步實(shí)行接通斷開動(dòng)作；另外，其具有將上述第一開關(guān)以及上述第二開關(guān)設(shè)為接通狀態(tài)的步驟，于上述第二開關(guān)的他端連接可變電流源的步驟，以及使上述可變電流源的電流量變化，測(cè)定上述電流量與上述第二開關(guān)的他端的電壓的關(guān)系的步驟。
4.一種試驗(yàn)方法，其特征在于其為具有像素的TFT陣列的試驗(yàn)方法，該像素包含電極，其用以連接EL元件，晶體管，其用以控制上述EL元件的驅(qū)動(dòng)電流量，電容器，其連接于上述晶體管的柵極端子與源極端子之間，第一開關(guān)，其連接于上述晶體管的柵極端子與漏極端子之間，第二開關(guān)，其一端連接于上述晶體管的漏極端子，并與上述第一開關(guān)同步實(shí)行接通斷開動(dòng)作，以及第三開關(guān)，其連接于上述電極的一端與上述晶體管的漏極端子之間；另外，其具有將上述第一開關(guān)以及上述第二開關(guān)設(shè)為接通狀態(tài)的步驟，將上述第三開關(guān)設(shè)為接通狀態(tài)，使上述電極的他端的電位變化，測(cè)定流動(dòng)于上述第二開關(guān)的第一電荷量的步驟，將上述第三開關(guān)設(shè)為斷開狀態(tài)，使上述電極的他端的電位變化，測(cè)定流動(dòng)于上述第二開關(guān)的第二電荷量的步驟，以及比較上述第一電荷量與上述第二電荷量的步驟。
5.一種試驗(yàn)方法，其特征在于其為具有像素的TFT陣列的試驗(yàn)方法，該像素包含晶體管，其用以控制電流量，電容器，其連接于上述晶體管的柵極端子與源極端子之間，第一開關(guān)，其連接于上述晶體管的柵極端子與漏極端子之間，以及第二開關(guān)，其一端連接于上述晶體管的漏極端子，并與上述第一開關(guān)同步實(shí)行接通斷開動(dòng)作；另外，其具有將上述第一開關(guān)以及上述第二開關(guān)設(shè)為接通狀態(tài)的步驟，于上述第二開關(guān)的他端施加特定的電流的步驟，于上述晶體管的源極端子施加特定的電壓的步驟，以及測(cè)定流動(dòng)于上述晶體管的源極端子的電流量的步驟。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種試驗(yàn)方法，其可在未封入EL元件的狀態(tài)下試驗(yàn)電流拷貝型像素是否存在缺陷。上述問題可通過如下試驗(yàn)方法等而解決，該試驗(yàn)方法的特征在于其為具有像素的TFT陣列的試驗(yàn)方法，該像素包含用以控制電流量的晶體管，連接于晶體管的柵極端子與源極端子之間的電容器，連接于晶體管的柵極端子與漏極端子之間的第一開關(guān)，以及一端連接于晶體管的漏極端子，并與第一開關(guān)同步實(shí)行接通斷開動(dòng)作的第二開關(guān)；另外，其具有將第一開關(guān)以及第二開關(guān)設(shè)為接通狀態(tài)的步驟，在第二開關(guān)的他端施加第一電壓的步驟，及在第二開關(guān)的他端施加第二電壓，并且測(cè)定流動(dòng)于第一開關(guān)的電荷量的步驟。
文檔編號(hào)G09G3/30GK1661377SQ200410102
公開日2005年8月31日 申請(qǐng)日期2004年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月26日
發(fā)明者田島佳代子 申請(qǐng)人:安捷倫科技公司