專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置，特別是涉及提高有源矩陣型顯示裝置的亮度特性。
背景技術(shù)：
作為用有機(jī)薄膜EL元件的器件，平面發(fā)光型有機(jī)薄膜EL顯示器令人注目。這種顯示器將有機(jī)薄膜EL元件構(gòu)造作為單位像素，將該單位像素平面二維地配置在1塊支持基板上，進(jìn)行矩陣驅(qū)動。
作為矩陣驅(qū)動用的元件，從能夠內(nèi)藏周邊驅(qū)動電路、能夠使像素電路的元件尺寸小、能夠使用廉價(jià)的材料做支持基板這樣的特長出發(fā)，可以用低溫多晶硅TFT。
關(guān)于用于低溫多晶硅TFT的多晶硅層的形成，一般通過用受激準(zhǔn)分子激光器照射非晶硅進(jìn)行退火的方法(ELA法)正在成為主流。作為已有的激光退火法，例如，我們已經(jīng)知道了通過照射受激準(zhǔn)分子激光器的脈沖線光束，掃描基板或激光束，進(jìn)行掃描間隔中的重疊照射的方法。
可是，在這種線激光束中存在照射強(qiáng)度分布或照射間誤差。為了解決照射強(qiáng)度分布或照射間誤差引起的元件不均勻性，日本特開平9-321310號專利公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)，日本特開平11-330000號專利公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)公開了進(jìn)行激光束的45度掃描的技術(shù)，并且，日本特開平11-345783號專利公報(bào)(專利文獻(xiàn)3)公開了進(jìn)行2重掃描的技術(shù)。
另一方面，在平面發(fā)光型有機(jī)薄膜EL顯示器中，當(dāng)作為像素驅(qū)動電路用基本的2TFT方式時(shí)，發(fā)生由閾值電壓、遷移率等的TFT特性的零散引起的亮度斑點(diǎn)。作為對付這種問題的方法，提出了各種像素電路的方案，例如，可以舉出“A NewAMOLED Pixel Design bySelf-compensating Threshold Voltage Variation of Pol-Si TFT”(非專利文獻(xiàn)1)中公開的電壓程序電路和日本特開2001-147659號公報(bào)(專利文獻(xiàn)4)中公開的電流照射鏡型電流指定方式。在這種電路中，要求用于決定EL元件的驅(qū)動電流或補(bǔ)償像素驅(qū)動電路的元件特性的多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管的特性一致。
日本特開平9-321310號公報(bào)(第4頁，圖1)[專利文獻(xiàn)2]日本特開平11-330000號公報(bào)(第3頁，圖1)[專利文獻(xiàn)3]日本特開平11-345783號公報(bào)(第3頁，圖1)[專利文獻(xiàn)4]日本特開2001-147659號公報(bào)(第7、8、9頁，圖1)[非專利文獻(xiàn)1]“A New AMOLED Pixel Design by Self-compensating ThresholdVoltage Variation of Pol-Si TFT”(Sang-Hoon Jung等，AM-LCD 02、2002INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIXLIQUID-CRYSTAL DISPLAYS，THE JAPAN SOCIETY OF APPLIEDPHYSICS，July 10-12，2002，13～16頁)發(fā)明內(nèi)容可是，在改善上述受激準(zhǔn)分子激光器的照射強(qiáng)度分布，并減少照射間誤差的方法中，即便能夠提高整體的均勻性，要使像素內(nèi)的晶體管特性均勻一致也是困難的。
又，當(dāng)采取如上述文獻(xiàn)公開那樣的復(fù)雜的電路構(gòu)成時(shí)，存在著用于像素驅(qū)動電路的元件數(shù)增多，降低孔徑率那樣的問題。
本發(fā)明就是在上述背景下提出的，本發(fā)明的目的是提供通過使像素內(nèi)的特定的晶體管特性均勻化、減少亮度斑點(diǎn)的技術(shù)。本發(fā)明的另一目的是提供即便在元件多的像素驅(qū)動電路中也能夠提高孔徑率的技術(shù)。
本發(fā)明的顯示裝置具有將在像素區(qū)域內(nèi)控制光學(xué)元件亮度的多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管的半導(dǎo)體膜，配置在半導(dǎo)體膜形成時(shí)的熱處理強(qiáng)度分布上強(qiáng)度為相同程度的位置的構(gòu)成。
在本發(fā)明中，控制亮度的多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管，例如，是決定發(fā)光元件的驅(qū)動電流量的晶體管，并且，是用于補(bǔ)償像素驅(qū)動電路的元件特性的晶體管。多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管典型的是負(fù)載(duty)控制亮度的點(diǎn)亮用晶體管和熄滅用晶體管。
本發(fā)明考慮在顯示裝置的制造過程的熱處理中，當(dāng)察看一個(gè)像素內(nèi)的熱處理強(qiáng)度分布時(shí)，強(qiáng)度根據(jù)位置而雜亂。而且，本發(fā)明著眼于這種一個(gè)像素內(nèi)的熱處理強(qiáng)度分布，在加上相同程度強(qiáng)度的熱處理的位置(以下，適當(dāng)?shù)胤Q為相同熱處理強(qiáng)度位置)上，配置控制亮度的多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管。因此能夠使晶體管特性高度均勻化，能夠減少亮度斑點(diǎn)。
也可以與熱處理的掃描方向并列地配置上述多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管。能夠減少由熱處理區(qū)域的長度方向(一般與掃描方向成直角)的熱處理強(qiáng)度分布引起的晶體管特性的不均勻性。
本發(fā)明的其他方式也涉及顯示裝置。本裝置具有將控制像素區(qū)域內(nèi)的光學(xué)元件的亮度的多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管的半導(dǎo)體膜，配置在形成半導(dǎo)體膜時(shí)的熱處理的同一激光照射區(qū)域中的構(gòu)成。本發(fā)明可以很好地應(yīng)用于一面改變激光照射位置一面反復(fù)激光照射型的熱處理的顯示裝置。如果根據(jù)本發(fā)明，則能夠減少由照射間的誤差引起的晶體管特性的不均勻性，能夠減少亮度斑點(diǎn)。優(yōu)選是在上述熱處理強(qiáng)度分布中考慮的相同熱處理強(qiáng)度的位置，并且將上述多個(gè)晶體管配置在同一激光照射區(qū)域中，因此能夠進(jìn)一步減少亮度斑點(diǎn)。
也可以將上述多個(gè)同一導(dǎo)電型的晶體管配置在與熱處理的重疊照射中的重疊寬度相當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。能夠進(jìn)一步減少由照射間誤差引起的晶體管特性的不均勻性。
進(jìn)一步，也可以接近地配置上述多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管。將上述多個(gè)晶體管更接近地配置在相同熱處理強(qiáng)度的位置內(nèi)，并且，更接近地配置在同一激光照射區(qū)域內(nèi)。因此，能夠減少由半導(dǎo)體的膜厚不均引起的晶體管特性的不均勻性，能夠進(jìn)一步減少亮度斑點(diǎn)。
并且，在本發(fā)明中，也可以根據(jù)雜質(zhì)摻雜處理的布置將多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管配置在同一摻雜區(qū)域內(nèi)。能夠削除像素內(nèi)不要的空間，減少亮度斑點(diǎn)，并且能夠提高孔徑率。多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管，典型地，包含上述亮度控制用的晶體管，但是也可以不限于此，我們將用后述的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
此外，通過以上的構(gòu)成要素的任意組合和改編，表現(xiàn)本發(fā)明的方法，作為本發(fā)明的方式是有效的。


圖1是表示可以很好地應(yīng)用本發(fā)明的顯示裝置的例子的圖。
圖2是表示圖1的顯示裝置的動作的圖。
圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的半導(dǎo)體膜形成位置的配置的圖。
圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的半導(dǎo)體膜形成位置的配置的圖。
圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的半導(dǎo)體膜形成位置的配置的圖。
圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的半導(dǎo)體膜形成位置的配置的圖。
圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的像素電路圖案的圖。
圖8是表示可以很好地應(yīng)用本發(fā)明的顯示裝置的別的例子的圖。
圖9是表示本發(fā)明的別的實(shí)施方式中的像素電路圖案的圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖1表示顯示裝置的一個(gè)像素的電路構(gòu)成例。圖1表示可以很好地應(yīng)用本發(fā)明的顯示裝置的例子。如圖1所示，該像素電路10具有發(fā)光元件EL及其驅(qū)動電路。而且，驅(qū)動電路如圖中從左下到右上所示的那樣，由數(shù)據(jù)設(shè)定用晶體管M1和關(guān)聯(lián)的電容器C1、熄滅用晶體管M2、點(diǎn)亮用晶體管M3、初始化用晶體管M5和關(guān)聯(lián)的電容器C2、第1及第2輔助晶體管M4、M6、和驅(qū)動晶體管M7構(gòu)成。
在這些構(gòu)成要素中，初始化用晶體管M5的柵極與重置信號線RST連接，源極與第1電源供給線PVDD連接，漏極與第1、第2輔助晶體管M4、M6的柵極連接。電容器C2具有固定重置后的第1、第2輔助晶體管M4、M6的柵極電位的功能。
第1、第2輔助晶體管M4、M6構(gòu)成逆變器，第2輔助晶體管M6的源極與第1電源供給線PVDD連接，第1輔助晶體管M4的源極經(jīng)過點(diǎn)亮用晶體管M3與第2電源供給線VCC連接，第1電源供給線PVDD的電位比第2電源供給線VCC的電位高。而且，第1、第2輔助晶體管M4、M6的漏極與驅(qū)動晶體管M7的柵極連接。
驅(qū)動晶體管M7是向發(fā)光元件EL供給電力并使其發(fā)光的晶體管，源極與第1電源供給線PVDD連接，漏極與發(fā)光元件EL連接。
點(diǎn)亮用晶體管M3和熄滅用晶體管M2，分別是為了點(diǎn)亮和熄滅發(fā)光元件EL而設(shè)置的。點(diǎn)亮用晶體管M3和熄滅用晶體管M2的源極與第2電源供給線VCC連接，點(diǎn)亮用晶體管M3的漏極與第1輔助晶體管M4的源極連接，熄滅用晶體管M2的漏極與第1、第2輔助晶體管M4、M6的柵極連接。
下面，我們說明用于負(fù)載控制發(fā)光元件EL的亮度的構(gòu)成。如圖所示，點(diǎn)亮用晶體管M3的柵極與燈信號線RMP連接。熄滅用晶體管M2的柵極與數(shù)據(jù)設(shè)定用晶體管M1的漏極連接。而且，數(shù)據(jù)設(shè)定用晶體管M1的源極與數(shù)據(jù)線DATA連接，柵極與掃描線SEL連接。并且，在熄滅用晶體管M2的柵極和燈信號線RMP之間配置用于保持電壓的電容器C1。
圖2是表示圖1的顯示裝置的動作的定時(shí)圖。我們參照圖1和圖2說明上述顯示裝置的動作。
作為1幀的動作，首先重置信號線RST的重置信號成為低電平。結(jié)果，初始化用晶體管M5導(dǎo)通，將第1電源供給線PVDD的電位設(shè)定在第1、第2輔助晶體管M4、M6的柵極上。因此，第1輔助晶體管M4導(dǎo)通，第2輔助晶體管M6斷開。
其次，掃描線SEL的掃描信號成為高電平。因?yàn)楫?dāng)掃描信號成為高電平時(shí)數(shù)據(jù)設(shè)定用晶體管M1導(dǎo)通，所以數(shù)據(jù)設(shè)定用晶體管M1的漏極電位和源極電位大致相等。即熄滅用晶體管M2的柵極電位Vg2與數(shù)據(jù)線DATA的電位大致相等。
現(xiàn)在，在掃描線SEL的掃描信號成為高電平期間，將數(shù)據(jù)線DATA的電位設(shè)定在Vdata上。當(dāng)令數(shù)據(jù)線DATA的電位Vdata和燈信號線RMP的電位Vrmp之差為Din時(shí)，給出Din＝Vrmp-Vdata，由電壓Din對電容器C1進(jìn)行充電。當(dāng)在時(shí)刻T0掃描線SEL的掃描信號成為低電平時(shí)數(shù)據(jù)設(shè)定用晶體管M1斷開。結(jié)果，加在電容器C1上的電壓被固定在時(shí)刻T0的電壓Din上。
下面，增大燈信號線RMP的電位。在燈信號線RMP和第2電源供給線VCC的電位差，即點(diǎn)亮用晶體管M3的柵極源極電壓達(dá)到點(diǎn)亮用晶體管M3的閾值電壓Vt的時(shí)刻T1，點(diǎn)亮用晶體管M3導(dǎo)通。結(jié)果，驅(qū)動晶體管M7的柵極電位降低而導(dǎo)通，發(fā)光元件EL發(fā)光。
并且，圖2表示了燈信號和熄滅用晶體管M2的柵極電位Vg2。熄滅用晶體管M2的柵極電位Vg2比燈信號線RMP低的電位只是加在電容器C1上的電壓，但是該加在電容器C1上的電壓在時(shí)刻T0成為設(shè)定的電壓值Vdata。從而，熄滅用晶體管M2的柵極電位Vg2一面維持比燈信號的電位Vrmp，即點(diǎn)亮用晶體管的柵極電位低的電壓Vdata的狀態(tài)，一面隨著燈信號的電位Vrmp而增大。熄滅用晶體管M2的柵極源極電壓，如圖2所示，在比點(diǎn)亮用晶體管M3遲的時(shí)刻T2達(dá)到閾值電壓Vt。因此熄滅用晶體管M2導(dǎo)通，第1輔助晶體管M4斷開，第2輔助晶體管M6導(dǎo)通。結(jié)果，驅(qū)動晶體管M7因該柵極電位接近第1電源供給線PVDD的電位而斷開，發(fā)光元件EL停止發(fā)光。
在以上的1幀的發(fā)光動作中，發(fā)光期間Te是從時(shí)刻T1到時(shí)刻T2，即在點(diǎn)亮用晶體管M3導(dǎo)通后到熄滅用晶體管M2導(dǎo)通的期間。因?yàn)樵摪l(fā)光期間Te與點(diǎn)亮用晶體管M3的柵極電位和熄滅用晶體管M2的柵極電位Vg2的電位差，即，在時(shí)刻T0的電容器C1的電壓Vdata相應(yīng)地變化，所以給予數(shù)據(jù)線DATA的電位決定負(fù)載比。這樣一來，能夠?qū)崿F(xiàn)圖1的顯示裝置的負(fù)載控制。
下面，我們根據(jù)上述例子，說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。
在圖2的例子中，燈信號RMP與點(diǎn)亮用晶體管M3的柵極源極電壓對應(yīng)，并且，熄滅用晶體管M2的柵極電位Vg2與同一晶體管的柵極源極電壓對應(yīng)。所以，圖2的控制，以點(diǎn)亮用晶體管M3和熄滅用晶體管M2的閾值電壓Vt相等為前提，即以兩者的特性相等為前提，對亮度進(jìn)行控制。換句話說，當(dāng)點(diǎn)亮用晶體管M3和熄滅用晶體管M2的特性不同時(shí)，在圖2的亮度控制的發(fā)光期間Te中發(fā)生誤差，該誤差成為亮度斑點(diǎn)的原因。所以，為了減少亮度斑點(diǎn)，使點(diǎn)亮用晶體管M3和熄滅用晶體管M2的特性一致是有效的。
上述點(diǎn)亮用晶體管M3和熄滅用晶體管M2是本發(fā)明中控制亮度的多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管的例子。如下面說明的那樣，本發(fā)明提出了能夠使這種像素內(nèi)的多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管的特性均勻化的技術(shù)。
圖3表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式。圖3是形成晶體管的半導(dǎo)體膜時(shí)的狀態(tài)，表示像素區(qū)域的非晶硅膜F。
當(dāng)形成半導(dǎo)體膜時(shí)，對非晶硅膜F實(shí)施熱處理。在本實(shí)施方式中，熱處理是ELA(受激準(zhǔn)分子激光器退火)。在ELA中，如圖所示的細(xì)長的準(zhǔn)分子激光束L沿掃描方向Y進(jìn)行掃描。掃描方向Y與準(zhǔn)分子激光束L的光束長度方向X成直角。
這里，我們考慮兩個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管。作為本實(shí)施方式的特征，這些晶體管的半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2與掃描方向Y并列地配置。因此，將半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2配置在光束長度方向X中相同位置上。即，以多晶硅區(qū)域是在光束長度方向X中的同一區(qū)域中，進(jìn)行光束照射的方式設(shè)定圖案。這種配置的理由如下所述。
如圖3的上方所示，準(zhǔn)分子激光束L具有沿光束長度方向X的強(qiáng)度分布f(x)。在掃描過程中維持該強(qiáng)度分布。所以，如果半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2與掃描方向Y并列，即，如果光束長度方向X的照射位置相同，則進(jìn)行照射的光束的強(qiáng)度相同。
如上述那樣，如果根據(jù)本發(fā)明，則將半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2配置在形成半導(dǎo)體膜時(shí)的熱處理的強(qiáng)度分布上強(qiáng)度同等程度的位置。因此，能夠使在半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2上形成的晶體管的特性均勻化。更詳細(xì)地說，本發(fā)明著眼于這種一個(gè)像素內(nèi)的熱處理強(qiáng)度分布，在施加同等程度的強(qiáng)度的熱處理的位置，配置多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管。因此能夠使晶體管特性高度均勻化。
特別是，本發(fā)明使多個(gè)晶體管的半導(dǎo)體膜形成位置與熱處理的掃描方向并列，因此，能夠減少由熱處理區(qū)域的長度方向(一般與掃描方向成直角)的熱處理強(qiáng)度分布引起的晶體管特性的不均勻性。
此外，在圖3的例子中，半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2的位置在光束長度方向中完全重疊。即，在圖中的X方向，半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2的X坐標(biāo)相同，但是本發(fā)明不限于此。在光束強(qiáng)度實(shí)質(zhì)上相同的范圍內(nèi)半導(dǎo)體位置P1、P2的X坐標(biāo)既可以是偏移的，也可以是例如位置P1、P2部分地重疊。
圖4表示本發(fā)明的其他的實(shí)施方式。在圖3的實(shí)施方式中，半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2配置為晶體管的半導(dǎo)體膜的長度方向與光束長度方向X平行。所以，與此相對，在圖4的實(shí)施方式中，半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2配置為晶體管的半導(dǎo)體膜的長度方向與光束長度方向X成直角。
在圖4的實(shí)施方式中，使半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2與準(zhǔn)分子激光束L的掃描方向Y并列，配置在熱處理分布上熱處理強(qiáng)度同等程度的位置。所以可以同樣得到上述的本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。
圖5表示本發(fā)明的其他的實(shí)施方式。在該實(shí)施方式中，將半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2配置在準(zhǔn)分子激光束L的同一激光照射區(qū)域中，特別是，如下面說明的那樣，配置在與準(zhǔn)分子激光束L的重疊照射中的重疊寬度W相當(dāng)?shù)姆秶小?br> 例如，準(zhǔn)分子激光束L的光束寬度D為300微米，作為重疊照射進(jìn)行10次照射。這時(shí)，準(zhǔn)分子激光束L的照射位置每次偏移30微米。該偏移的寬度為圖5的重疊寬度W。
在本實(shí)施方式中，將半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2配置在與重疊寬度W相當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。在圖5的例子中，以成為與激光束長度方向平行并且等距離地排列的區(qū)域的方式配置半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2。所以，只將同一激光照射的準(zhǔn)分子激光束L照射在半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2上。
如以上說明的那樣，如果根據(jù)本發(fā)明，則因?yàn)閷雽?dǎo)體膜形成位置P1、P2配置在形成半導(dǎo)體膜時(shí)的熱處理的同一激光照射區(qū)域中，所以能夠進(jìn)一步減少由發(fā)射間誤差引起的晶體管特性的不均勻性。
在本發(fā)明中，進(jìn)一步將半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2配置在與熱處理的重疊照射中的重疊寬度相當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)，因此對于半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2只進(jìn)行同一激光照射，能夠進(jìn)一步減少由照射間誤差引起的晶體管特性的不均勻性。
圖6表示本發(fā)明的其他的實(shí)施方式。該實(shí)施方式，與上述圖3和圖5的構(gòu)成的組合相當(dāng)，與掃描方向Y并列地配置半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2，并且配置在同一激光照射區(qū)域中。而且，即使在同一激光照射區(qū)域中也配置在重疊照射的重疊寬度的范圍內(nèi)。在圖6的例子中，以與激光束長度方向平行并且在同一區(qū)域中進(jìn)入光束重疊寬度內(nèi)的方式配置半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2。
如果根據(jù)本發(fā)明，則通過減少由熱處理強(qiáng)度分布引起的特性雜亂，并且減少由照射間的雜亂引起的特性參差不齊，可以使晶體管特性更進(jìn)一步地均勻化。
下面，我們說明本發(fā)明的其他的實(shí)施方式。本實(shí)施方式是在圖3～圖6的構(gòu)成中，更接近地配置半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2。更具體地說，使與半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2對應(yīng)的多個(gè)多晶硅膜圖案間接近設(shè)置直到可以形成元件的最小尺寸為止。
如果根據(jù)本發(fā)明，則能夠減少由半導(dǎo)體膜厚雜亂引起的晶體管特性的不均勻性，能夠使晶體管特性更進(jìn)一步地均勻化。
下面，我們說明本發(fā)明的其他的實(shí)施方式。本實(shí)施方式是在圖3～圖6的構(gòu)成中，根據(jù)雜質(zhì)摻雜處理的布置在同一摻雜區(qū)域內(nèi)配置多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管。更具體地說，采用在一個(gè)像素內(nèi)，在一個(gè)掩蔽區(qū)域中形成雜質(zhì)的摻雜掩蔽區(qū)域那樣的構(gòu)成。
圖7表示本實(shí)施方式的例子。圖7的構(gòu)成與圖1的像素電路相當(dāng)。即，圖7的晶體管M1～M7、電容器C1、C2和發(fā)光元件EL與圖1的相同標(biāo)號的元件對應(yīng)。
而且，如圖所示，在本實(shí)施方式中，接近地配置點(diǎn)亮用晶體管M3和熄滅用晶體管M2，將兩者配置在同一個(gè)N+摻雜區(qū)域100中。進(jìn)而，在圖7中，也將稱為數(shù)據(jù)設(shè)定用晶體管M1、第1輔助晶體管M4的同一導(dǎo)電型晶體管配置在同一個(gè)N+摻雜區(qū)域100中。并且，也將逆向溝道的同一導(dǎo)電型晶體管M5、M6、M7配置在同一個(gè)P+摻雜區(qū)域200中。
如上所述，如果根據(jù)本發(fā)明，則因?yàn)楦鶕?jù)雜質(zhì)摻雜處理的布置在同一摻雜區(qū)域內(nèi)配置多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管，所以能夠削除像素內(nèi)的不要空間，能夠提高孔徑率。關(guān)于這一點(diǎn)，多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管，如上所述，可以不限于用于亮度控制的點(diǎn)亮和熄滅用晶體管。
并且，在本發(fā)明中，優(yōu)選接近地配置晶體管，并且如上所述地采用根據(jù)雜質(zhì)摻雜布置的配置。因此能夠使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)更加顯著。
下面，圖8表示可以適用本發(fā)明的又一個(gè)顯示裝置的例子。在圖8中，作為像素驅(qū)動電路，備有晶體管M1、M2、M3。其中，將晶體管M1用于數(shù)據(jù)設(shè)定。而且將晶體管M2、M3分別用于熄滅和點(diǎn)亮。用這些晶體管M2、M3與圖1同樣地控制發(fā)光期間Te，進(jìn)行負(fù)載控制。
在圖8的例子中，關(guān)于晶體管M2、M3，可以采用上述圖3～圖6所示的配置，使晶體管特性均勻化。并且，可以接近地配置晶體管M2、M3。進(jìn)而，圖9表示與圖8的電路相當(dāng)?shù)膱D案，在圖9的圖案上，可以根據(jù)雜質(zhì)摻雜的布置根據(jù)本發(fā)明適當(dāng)?shù)卦O(shè)定晶體管M1、M2、M3的配置。
以上我們說明了本發(fā)明的各種優(yōu)選實(shí)施方式。如上所述，如果根據(jù)本發(fā)明，則能夠使控制亮度數(shù)據(jù)的多個(gè)導(dǎo)電型晶體管的特性均勻化，因此能夠減少亮度斑點(diǎn)。
圖1的點(diǎn)亮用晶體管M3和熄滅用晶體管M2也能夠決定發(fā)光元件的驅(qū)動電流。所以，本發(fā)明能夠使決定發(fā)光元件的驅(qū)動電流量的多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管的特性均勻化，因此能夠減少亮度斑點(diǎn)。
進(jìn)而，圖1的點(diǎn)亮用晶體管M3和熄滅用晶體管M2，從即便兩個(gè)晶體管M3、M2的特性發(fā)生相同的偏移也能夠正確地進(jìn)行亮度控制(在圖2中即便發(fā)光時(shí)期發(fā)生偏移發(fā)光期間Te也不變)的觀點(diǎn)來看，也可以說對像素驅(qū)動電路的元件特性進(jìn)行了補(bǔ)償。所以，本發(fā)明能夠使補(bǔ)償像素驅(qū)動電路的元件特性的多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管的特性均勻化，因此能夠減少亮度斑點(diǎn)。
進(jìn)而，點(diǎn)亮用晶體管M3和熄滅用晶體管M2，如已經(jīng)說明的那樣可以用于控制發(fā)光元件的亮度負(fù)載。所以，本發(fā)明能夠使亮度負(fù)載控制中的點(diǎn)亮用晶體管和熄滅用晶體管的特性均勻化，因此能夠減少亮度斑點(diǎn)。
以上，通過實(shí)施方式說明了本發(fā)明。這些實(shí)施方式只是一些例示，關(guān)于它們的各構(gòu)成要素和各處理過程的組合可以具有各種不同的變形例，這些變形例也在本發(fā)明的范圍內(nèi)，這些對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是可以理解的。例如，熱處理不限定于ELA，只要能夠一面照射某種能量波一面移動光源和基板的方法，不管它的類型如何均可使用。作為一個(gè)例子，也可以是用YAG激光器和氬激光器的激光器退火。并且，也可以是燈退火、快速熱退火。
本發(fā)明能夠減少亮度斑點(diǎn)，在以有源矩陣型顯示裝置為代表的顯示裝置領(lǐng)域中是有用的。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其特征在于，在形成半導(dǎo)體膜時(shí)的熱處理的強(qiáng)度分布中強(qiáng)度為同等程度的位置，形成有在像素區(qū)域內(nèi)控制光學(xué)元件的亮度的多個(gè)同一導(dǎo)電型的晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述多個(gè)同一導(dǎo)電型的晶體管是亮度負(fù)載控制中的點(diǎn)亮用晶體管和熄滅用晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，與熱處理的掃描方向并列地配置所述多個(gè)同一導(dǎo)電型的晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，將所述多個(gè)同一導(dǎo)電型的晶體管配置在熱處理的同一照射區(qū)域中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，接近地配置所述多個(gè)同一導(dǎo)電型的晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，根據(jù)雜質(zhì)摻雜處理的布置，將所述多個(gè)同一導(dǎo)電型的晶體管配置在同一摻雜區(qū)域內(nèi)。
7.一種顯示裝置，其特征在于，在形成半導(dǎo)體膜時(shí)的熱處理的同一照射區(qū)域中，形成有在像素區(qū)域內(nèi)控制光學(xué)元件亮度的多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管的半導(dǎo)體膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，將所述多個(gè)同一導(dǎo)電型的晶體管配置在與熱處理的重疊照射中的重疊寬度相當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，接近地配置所述多個(gè)同一導(dǎo)電型的晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，根據(jù)雜質(zhì)摻雜處理的布置，將所述多個(gè)同一導(dǎo)電型的晶體管配置在同一摻雜區(qū)域內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明減少顯示裝置的亮度斑點(diǎn)。半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2是在各像素的驅(qū)動電路中控制光學(xué)元件的亮度的多個(gè)同一導(dǎo)電型晶體管的位置。將半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2配置在形成半導(dǎo)體膜時(shí)的熱處理的強(qiáng)度分布上強(qiáng)度同等程度的相同熱處理強(qiáng)度的位置。并且，將半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2配置在準(zhǔn)分子激光退火那樣的熱處理的同一照射區(qū)域中，進(jìn)而配置在與重疊照射中的重疊寬度相當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。使在這些半導(dǎo)體膜形成位置P1、P2上形成的多個(gè)晶體管的特性均勻化。
文檔編號G09G3/20GK1595477SQ2004100742
公開日2005年3月16日 申請日期2004年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月8日
發(fā)明者野口幸宏, 佐佐木昭史, 加屋純佳 申請人:三洋電機(jī)株式會社