專利名稱：電致發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光(EL，electroluminescence)顯示裝置，尤其涉及在各像素具有像素選擇用晶體管以及用來電流驅(qū)動電致發(fā)光組件的驅(qū)動用晶體管的電致發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來，采用有機電致發(fā)光(Organic Electro Luminescece以下簡稱“有機EL”)組件的有機EL顯示裝置正以取代CRT及LCD的顯示裝置而備受矚目。尤其已開發(fā)一種具備作為驅(qū)動有機EL組件的開關(guān)組件的薄膜晶體管(Thin Film Transistor以下簡稱“TFT”)的有機EL顯示裝置。
圖3是顯示有機EL顯示面板內(nèi)的一像素的等效電路圖。在實際的有機EL顯示面板中，該像素是多個地配置成n列m行的矩陣，供給柵極信號Gn的柵極信號線50與供給顯示信號Dm的漏極信號線51相互交叉。
在這些兩信號線的交叉點附近，配置有有機EL組件52以及驅(qū)動該有機EL組件52的驅(qū)動用TFT 53、用來選擇像素的像素選擇用TFT 54。
在驅(qū)動用TFT 53的源極中，是由電源線55供給正電源電壓PVdd。此外，該驅(qū)動用TFT 53的漏極是連接于有機EL組件52的陽極。在有機EL組件52的陰極則供給有負電源電壓CV。
在像素選擇用TFT 54的柵極是通過連接柵極信號線50來供給柵極信號Gn，而在其漏極54d則連接有漏極信號線51，并供給顯示信號Dm。像素選擇用TFT 54的源極54s是連接于驅(qū)動用TFT 53的柵極。在此，柵極信號Gn是由未圖示的垂直驅(qū)動電路輸出。顯示信號Dm是由未圖示的水平驅(qū)動電路輸出。
另外，在驅(qū)動用TFT 53的柵極連接有保持電容Cs。保持電容Cs是用來通過保持與顯示信號Dm相對應(yīng)的電荷，而在一圖場(field)期間保持顯示像素的顯示信號而設(shè)。
說明上述構(gòu)成的EL顯示裝置的動作。當柵極信號Gn達到一水平期間高電位時，像素選擇用TFT 54即導通。如此一來，顯示信號Dm即從漏極信號線51通過像素選擇用TFT 54，施加至驅(qū)動用TFT 53的柵極。
然后，驅(qū)動用TFT 53的導電性(conductance)即依據(jù)供給至該驅(qū)動用TFT 53的柵極的顯示信號Dm而變化，且與其相對應(yīng)的驅(qū)動電流即通過驅(qū)動用TFT 53而供給至有機EL組件52，使有機EL組件52點亮。對應(yīng)于供給至該驅(qū)動用TFT 53的柵極的顯示信號，當驅(qū)動用TFT 53Dm而呈關(guān)斷狀態(tài)時，由于驅(qū)動用TFT 53中沒有電流流動，故有機EL組件52也熄滅。
另外，在相關(guān)的先行技術(shù)文獻中，例如有以下的專利文獻1。
專利文獻1特開2002-175029號公報然而，由于制造上的原因，使得驅(qū)動用TFT 53的特性，例如其閾值電壓(threshold voltage)在像素間極為參差不齊，故驅(qū)動用TFT 53的電流驅(qū)動能力會依每一像素而有不同。因此，有機EL組件52的發(fā)光亮度即依每一像素而有不同，結(jié)果，有產(chǎn)生有機EL顯示面板的顯示不均的擔心。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而作出發(fā)明，其特征在于，具備多個像素，各像素具有對應(yīng)柵極信號而選擇各像素的像素選擇用晶體管；電致發(fā)光組件；以及對應(yīng)通過前述像素選擇用晶體管所供給的顯示信號而驅(qū)動前述電致發(fā)光組件的驅(qū)動用晶體管，而且，依各像素將前述驅(qū)動用晶體管分割成多個并加以配置，并將前述電致發(fā)光組件分割配置，以便與所分割的各驅(qū)動晶體管相對應(yīng)。
由此，由于可使在像素間的驅(qū)動晶體管的特性參差不齊的情況減少，故可防止有機EL顯示面板的顯示不均。
依據(jù)本發(fā)明其有益效果是，由于是在一像素內(nèi)將驅(qū)動晶體管分割，故可使在像素間的驅(qū)動晶體管的特性參差情形減少，故可防止有機EL顯示面板的顯示不均。


圖1是構(gòu)成本發(fā)明的實施方式的有機EL顯示裝置的等效電路圖。
圖2是表示本發(fā)明的實施方式的有機EL顯示裝置的圖案布局圖。
圖3是沿圖2的X-X線的剖視圖。
圖4是現(xiàn)有例子的電致發(fā)光顯示裝置的等效電路圖。
符號說明10柵極信號線；11漏極信號線；12、13、14、15驅(qū)動用TFT；16、17、18、19有機EL組件；20電源線；21像素選擇用TFT；21s源極；21d漏極；30主動層；31、32柵極；33接觸件；34保持電容線；35共通柵極；36鋁配線；37、38接觸件；40、41、42、43陽極；44電穴傳輸層；45發(fā)光層；46電子傳輸層；47陰極；100絕緣性基板；101主動層；102柵極絕緣層；103層間絕緣膜。
具體實施例方式
其次，參照附圖詳細說明有關(guān)本發(fā)明實施方式的有機EL顯示裝置。圖1是構(gòu)成此有機EL顯示裝置的一像素的等效電路圖。
其中，供給柵極信號Gn的柵極信號線10，是與供給顯示信號Dm的漏極信號線11相互交叉。然后，在像素內(nèi)配置分割成4個的P溝道型驅(qū)動用TFT 12、13、14、15，且這些驅(qū)動用TFT 12、13、14、15的各個漏極連接至經(jīng)分割的有機EL組件16、17、18、19的陽極。然后，在驅(qū)動用TFT 12、13、14、15的共通源極中，連接有供給正電源電壓PVdd的電源線20。有機EL組件16、17、18、19的陰極共通，其供給有負電源電壓CV。
此外，在N溝道型像素選擇用TFT 21的柵極中，是通過連接柵極信號線10而供給柵極信號Gn，其漏極21d則連接有漏極信號線11供給顯示信號Dm。像素選擇用TFT 21的源極21s，是共通連接于4個驅(qū)動用TFT 12、13、14、15的柵極。在此，柵極信號Gn是由未圖示的垂直驅(qū)動電路輸出。顯示信號Dm是由未圖示的水平驅(qū)動電路輸出。
此外，4個驅(qū)動用TFT 12、13、14、15的共通柵極中是連接有保持電容Cs。保持電容Cs是用來通過保持與顯示信號Dm相對應(yīng)的電荷，而在一圖場(field)期間保持顯示像素的顯示信號所設(shè)。
根據(jù)本實施方式，由于是將1個像素內(nèi)的驅(qū)動用TFT分割為4個，故即使驅(qū)動用TFT 12、13、14、15的特性各有變異，其變異也將在像素內(nèi)被平均化，且與其它像素內(nèi)的驅(qū)動用晶體管的間的特性參差情形也會減少。例如，即使在1個像素內(nèi)被分割的驅(qū)動用TFT 12的閾值變高，剩余的任何驅(qū)動用TFT(例如驅(qū)動用TFT 13)的閾值只要適當?shù)牡?，則該像素的亮度即會以該閾值適當?shù)偷尿?qū)動用TFT 17來決定。因此，可盡量縮小像素間的亮度不均。
圖2是表示有關(guān)有機EL顯示裝置的一像素的圖案布局圖。此外，圖3是沿圖2的X-X線的剖視圖。
其中，供給柵極信號Gn的柵極信號線10是朝行方向延伸，供給顯示信號Dm的漏極信號線11是朝列方向延伸，這些信號線是相互立體交叉。柵極信號線10是由鉻層或鉬層等所構(gòu)成，漏極信號線11是由該上層的鋁層等所構(gòu)成。
像素選擇用TFT 21是多晶硅TFT。此像素選擇用TFT 21構(gòu)成為在玻璃基板等透明絕緣性基板100上形成的多晶硅層所構(gòu)成的主動層30上，形成柵極絕緣層(未圖示)，且在該柵極絕緣層上，形成從柵極信號線10延伸的2個柵極31、32，構(gòu)成雙柵極構(gòu)造。
此外，此像素選擇用TFT 21的源極21d是通過接觸件33與漏極信號線11連接。構(gòu)成像素選擇用TFT 21的源極21s的多晶硅層，在保持電容領(lǐng)域延伸，而該上層的保持電容線34是通過電容絕緣膜而重疊，以該重疊部分形成保持電容Cs。
然后，從像素選擇用TFT 21的源極21s延伸的多晶硅層，通過鋁配線36而連接于4個驅(qū)動用TFT 12、13、14、15的共通柵極35。
4個驅(qū)動用TFT 12、13、14、15是為多晶硅TFT。在玻璃基板等透明絕緣性基板100上形成的多晶硅層所構(gòu)成的主動層101上，形成柵極絕緣層(未圖示)102，且在該柵極絕緣層102上，形成由鉻層或鉬層等所構(gòu)成的共通柵極35。在共通柵極35上形成有層間絕緣膜103。
在驅(qū)動用TFT 12、13、14、15的各源極，通過接觸件37而共通連接有供給正電源電壓PVdd的電源線20。例如，在驅(qū)動用TFT 12的源極12s是連接于電源線20。此外，驅(qū)動用TFT 12、13、14、15的各漏極，是分別連接于有機EL組件16、17、18、19的各陽極40、41、42、43。各陽極40、41、42、43是由經(jīng)分割的ITO所構(gòu)成。
例如，驅(qū)動用TFT 12的漏極12d是通過接觸件38，而連接至有機EL組件16的陽極40。在該上方層疊有電穴傳輸層44、發(fā)光層45、電子傳輸層46，且又在該上方形成有陰極47。陰極47，有機EL組件16、17、18、19是共通的。
另外，在本實施方式中，雖將驅(qū)動用TFT及有機EL組件分割為4個，但分割的數(shù)量可根據(jù)需要加以適當變化。又雖然會由于分割驅(qū)動用TFT及有機EL組件而使像素面積增加，但由于這些組件的進一步微細化，仍可充分縮小像素面積。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，具備多個像素，而各像素是具有對應(yīng)柵極信號而選擇各像素的像素選擇用晶體管；電致發(fā)光組件；以及對應(yīng)通過前述像素選擇用晶體管所供給的顯示信號而驅(qū)動前述電致發(fā)光組件的驅(qū)動用晶體管，而且，依各像素將前述驅(qū)動用晶體管分割成多個并加以配置，并將前述電致發(fā)光組件分割配置，以便與所分割的各驅(qū)動晶體管相對應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，前述電致發(fā)光組件的陽極被分割，以便與前述被分割的各驅(qū)動晶體管相對應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，前述驅(qū)動用晶體管被分割配置成4個。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電致發(fā)光顯示裝置，其目的在于減少在像素間的驅(qū)動晶體管的特性參差，防止有機EL顯示面板的顯示不均，其中，供給柵極信號Gn的柵極信號線(10)，與供給顯示信號Dm的漏極信號線(11)相互交叉。然后，在像素內(nèi)配置分割成4個的P溝道型驅(qū)動用TFT(12)、(13)、(14)、(15)，且于這些驅(qū)動用TFT(12)、(13)、(14)、(15)的各個漏極連接于分割的有機EL組件(16)、(17)、(18)、(19)的陽極。而且，在這些驅(qū)動用TFT(12)、(13)、(14)、(15)的共通柵極中，連接有像素選擇用TFT(21)。
文檔編號G09G3/10GK1542719SQ2004100069
公開日2004年11月3日 申請日期2004年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月3日
發(fā)明者米田清 申請人:三洋電機株式會社