專利名稱：用于擴(kuò)展等離子體顯示面板的尋址電壓區(qū)間的尋址并顯示的驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于等離子體顯示面板的尋址并顯示驅(qū)動方法，具體而言，一種用于表面放電型三極管的尋址并顯示驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
圖1示出了常規(guī)的表面放電型三極管等離子體顯示面板(PDP)1的結(jié)構(gòu)。圖2示出了圖1所示PDP1的一個顯示單元實(shí)例。參考圖1和2，在整個表面放電PDP1的前后玻璃基板10和13之間設(shè)置了尋址電極線A1，A2，…，Am-1，Am；前后介質(zhì)層11和15；Y-電極線Y1，…，Yn；X-電極線X1，…，Xn；磷層16；障壁17；和一個用作保護(hù)層的氧化鎂(MgO)層12。
尋址電極線A1-Am在后玻璃基板13的正表面上按預(yù)定圖形形成。一層后介質(zhì)層15在具有尋址電極線A1-Am的后玻璃基板13的整個表面上形成。障壁17在后介質(zhì)層15的正表面上以平行于尋址電極線A1-Am的方式形成。這些障壁17限定了各個顯示單元的放電區(qū)，并且防止了顯示單元之間的串?dāng)_。磷層16涂在障壁17之間。
X-電極線X1-Xn和Y-電極線Y1-Yn都是在前玻璃基板10的后表面上按預(yù)定圖形形成，和尋址電極線A1-Am互相垂直。各自的交點(diǎn)定為顯示單元。每個X-電極線X1-Xn由透明電極線Xna(圖2)和金屬電極線Xnb(圖2)組成，其中，透明電極線是由透明導(dǎo)電材料，即氧化銦錫(ITO)構(gòu)成，而金屬電極線是為了提高導(dǎo)電率。每個Y-電極線Y1-Yn由透明電極線Yna(圖2)和金屬電極線Ynb(圖2)組成，其中，透明電極線是由透明導(dǎo)電材料，即ITO構(gòu)成，金屬電極線是為了提高導(dǎo)電率。前介質(zhì)層11涂在前玻璃基板10的整個后表面上，其中前玻璃基板10的后表面有X-電極線X1-Xn和Y-電極線Y1-Yn。將用于保護(hù)PDP1免受強(qiáng)電場影響的保護(hù)層12即MgO層涂在前介質(zhì)層11的整個表面上。用來形成等離子體的氣體在放電空間14處密封。
圖3示出了關(guān)于圖1所示PDP1的Y-電極線的典型尋址顯示分離驅(qū)動的方法。參考圖3，為實(shí)現(xiàn)時分灰度級顯示，將一個單元幀分成8個子區(qū)，從SF1至SF8。另外，每個子區(qū)SF1-SF8是由各自的尋址周期A1-A8的每個周期和各自的顯示周期S1-S8的每個周期組成。
在每個尋址周期A1-A8中，顯示數(shù)據(jù)信號施加在圖1所示的尋址電極線A1-Am上，同時，掃描脈沖順序掃描Y-電極線Y1-Yn。如果在進(jìn)行脈沖掃描時高電平顯示數(shù)據(jù)信號施加在一些尋址電極線A1-Am上，只在相應(yīng)的顯示單元中因地址放電而產(chǎn)生壁電荷。
在每個顯示周期S1-S8中，顯示放電脈沖交替的施加在X-電極線X1-Xn和Y-電極線Y1-Yn上，這樣，在具有在每個尋址周期A1-A8中產(chǎn)生的壁電荷的顯示單元內(nèi)部促使了顯示放電。因此，PDP的亮度與單元幀內(nèi)的顯示周期S1-S8的總長成比例。顯示周期S1-S8的總長是255T(T是一個單元時間)。這樣，就包括了這種情況在一個單元幀內(nèi)沒有進(jìn)行顯示，可以顯示256灰度級。下面將對此作出解釋。
第一個子區(qū)SF1的顯示周期S1設(shè)置為時間1T，相應(yīng)為20。第二個子區(qū)SF2的顯示周期S2設(shè)置為時間2T，相應(yīng)為21。第三個子區(qū)SF3的顯示周期S3設(shè)置為時間4T，相應(yīng)為22。第四個子區(qū)SF4的顯示周期S4設(shè)置為時間8T，相應(yīng)為23。第五個子區(qū)SF5的顯示周期S5設(shè)置為時間16T，相應(yīng)為24。第六個子區(qū)SF6的顯示周期S6設(shè)置為時間32T，相應(yīng)為25。第七個子區(qū)SF7的顯示周期S7設(shè)置為時間64T，相應(yīng)為26。第八個子區(qū)SF8的顯示周期S8設(shè)置為時間128T，相應(yīng)為27。
因此，如果從8個子區(qū)當(dāng)中適當(dāng)?shù)倪x出一個要被顯示的子區(qū)，包括在任何子區(qū)都沒有進(jìn)行顯示的0亮度水平在內(nèi)總共要顯示256灰度級。
根據(jù)上面描述的尋址顯示分離顯示的方法，SF1-SF8的每個子區(qū)的時間區(qū)都是分開的，因此，這些子區(qū)SF1-SF8的各自尋址周期時間區(qū)也是分開的，并且這些子區(qū)SF1-SF8的各自顯示周期時間區(qū)也是分開的。這樣，在給定的尋址周期中，一個XY-電極線對在完成尋址后就處于等待狀態(tài)，直到所有其它的XY-電極線對都完成尋址。因此，在每個子區(qū)中，尋址周期增長了，并且顯示周期也增長了。結(jié)果，從PDP發(fā)出的光亮度減弱了。一個克服此問題的現(xiàn)有方法是如圖4所示的尋址并顯示驅(qū)動方法。
圖4示出了關(guān)于圖1所示PDP1的Y-電極線的典型尋址并顯示驅(qū)動方法。參考圖4，為實(shí)現(xiàn)時分灰度級顯示，將一個單元幀分成8個子區(qū)SF1-SF8。這里，子區(qū)SF1-SF8對于Y-電極線Y1-Yn交迭，并且構(gòu)成了一個單元幀。因?yàn)樵谌魏螘r間點(diǎn)都存在所有的子區(qū)SF1-SF8，所以為進(jìn)行每一個尋址步驟在顯示放電脈沖中設(shè)置尋址間隙，。
在每個子區(qū)SF1-SF8中，要進(jìn)行一個復(fù)位步驟，尋址步驟和顯示步驟。根據(jù)與一個灰度級相對應(yīng)的顯示放電時間，為每個子區(qū)SF1-SF8分配時間。例如，對于在單元幀中顯示具有8位圖像數(shù)據(jù)的256灰度級的情況，如果一個單元幀(通常，1/60秒)是由256個單元時間組成，那么根據(jù)最小有效位的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行驅(qū)動的第一個子區(qū)SF1有1個(20)單元時間，第二個子區(qū)SF2有2個(21)單元時間，第三個子區(qū)SF3有4個(22)單元時間，第四個子區(qū)SF4有8個(23)單元時間，第五個子區(qū)SF5有16個(24)單元時間，第六個子區(qū)SF6有32個(25)單元時間，第七個子區(qū)SF7有64個(26)單元時間，和根據(jù)最大有效位的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行驅(qū)動的第八個子區(qū)SF8有128個(27)單元時間。因?yàn)榉峙浣o子區(qū)SF1-SF8的單元時間總和是255，所以就可以實(shí)現(xiàn)255灰度級顯示。如果包括了一個在任何子區(qū)中都沒有顯示放電的灰度級，則可以實(shí)現(xiàn)256灰度級。
圖5示出了用于圖1所示PDP1的典型驅(qū)動裝置。參考圖5，用于PDP1的典型驅(qū)動裝置包括一個圖像處理器66，一個邏輯控制器62，一個地址驅(qū)動器63，一個X-驅(qū)動器64，和Y-驅(qū)動器65。圖像處理器66將一個外部模擬圖像信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號，以便產(chǎn)生一個由例如8位紅色(R)圖像數(shù)據(jù)，8位綠色(G)圖像數(shù)據(jù)，8位藍(lán)色(B)圖像數(shù)據(jù)，一個時鐘信號，一個水平同步信號，和一個垂直同步信號組成的內(nèi)部圖像信號。邏輯控制器62產(chǎn)生用于響應(yīng)來自圖像處理器66的內(nèi)部圖像信號的驅(qū)動控制信號SA、SY和Sx。地址驅(qū)動器63處理從邏輯控制器62輸出的驅(qū)動控制信號SA、SY和Sx中的地址信號SA，產(chǎn)生一個顯示數(shù)據(jù)信號，并將顯示數(shù)據(jù)信號施加到尋址電極線上。X-驅(qū)動器64處理從邏輯控制器62輸出的驅(qū)動控制信號SA、SY和Sx中的X-驅(qū)動控制信號Sx，并將處理結(jié)果施加到X-電極線上。Y-驅(qū)動器65處理從邏輯控制器62輸出的驅(qū)動控制信號SA、SY和Sx中的Y-驅(qū)動控制信號SY，并將處理結(jié)果施加到Y(jié)-電極線上。
圖6示出了根據(jù)常規(guī)的尋址并顯示驅(qū)動方法在電極線上施加的驅(qū)動信號。圖6中，一個參考符號Sx1表示一個施加在一個在單元幀F(xiàn)R1中進(jìn)行初始復(fù)位和尋址的XY-電極線對中的一個X-電極線上的驅(qū)動信號，一個參考符號SY1表示一個施加在一個在單元幀F(xiàn)R1中進(jìn)行初始復(fù)位和尋址的XY-電極線對中的一個Y-電極線上的驅(qū)動信號。一個參考符號Sx2表示一個施加在一個在單元幀F(xiàn)R1中進(jìn)行第二個復(fù)位和尋址的XY-電極線對中的一個X-電極線上的驅(qū)動信號，一個參考符號SY2表示一個施加在一個在單元幀F(xiàn)R1中進(jìn)行第二個復(fù)位和尋址的XY-電極線對中的一個Y-電極線上的驅(qū)動信號。一個參考符號SXn表示一個施加在一個在單元幀F(xiàn)R1中進(jìn)行最后復(fù)位和尋址的XY-電極線對中的一個X-電極線上的驅(qū)動信號，一個參考符號SYn表示一個施加在一個在單元幀F(xiàn)R1中進(jìn)行最后復(fù)位和尋址的XY-電極線對中的一個Y-電極線上的驅(qū)動信號。參考符號SA1...m表明一個從圖5中的地址驅(qū)動器63開始施加到所有尋址電極線的顯示數(shù)據(jù)信號。
下面將結(jié)合圖6詳細(xì)說明常規(guī)的尋址并顯示驅(qū)動方法。
如圖6所示，在用于PDP的一種尋址并顯示驅(qū)動方法中，當(dāng)?shù)谌秸妷篤sh和第一水平負(fù)電壓Vs1交替施加在圖1所示所有X-和Y-電極線X1-Xn和Y1-Yn上時，就在XY-電極線對X1Y1，X2Y2，……，XnYn上進(jìn)行了復(fù)位和尋址。
復(fù)位過程包括一段放電步驟ta-t1，一個擦除步驟tb-tc，和反復(fù)步驟。因?yàn)樵趩卧獛現(xiàn)R1中，一個和第一XY-電極線對相對應(yīng)的第二子區(qū)開始于和進(jìn)行初始復(fù)位和尋址的第一XY-電極線對相對應(yīng)的第一子區(qū)之后，在第一個脈沖寬度t0-t1中，第一水平負(fù)電壓Vs1施加在所有X-電極線X1-Xn上，同時，第三水平正電壓Vsh施加在所有Y-電極線Y1-Yn上。在第一個脈沖寬度t0-t1期間的一段放電步驟ta-t1中，高于第一水平的第二水平負(fù)電壓Vsc施加在第一XY-電極線對中的X-電極線X1上，同時，高于第三水平的第六水平正電壓Vre施加在第一XY-電極線對中的Y-電極線Y1上。因此，在所有和第一XY-電極線對X1Y1相對應(yīng)的顯示單元中會激發(fā)放電，由此，均勻的形成壁電荷和符合要求的形成空間電荷。
在進(jìn)行一段放電步驟ta-t1的第一個脈沖寬度t0-t1之后緊接著是第二個脈沖寬度期間t1-t2，其間，第三水平正電壓Vsh施加在所有的X-電極線X1-Xn上，同時，第一水平負(fù)電壓Vs1施加在所有的Y-電極線Y1-Yn，這樣使得在與第一XY-電極線對X1Y1相對應(yīng)的所有顯示單元中均勻的形成壁電荷，并且符合要求的形成空間電荷。
第二個脈沖寬度期間t1-t2之后緊接著是第三個脈沖寬度期間t2-t3，其間，在預(yù)定的時間tb-tc里進(jìn)行的擦除步驟中，低于第三水平的第七水平正電壓Veh施加在第一XY-電極線對X1Y1中的X-電極線X1上，同時，低于第一水平的第八水平負(fù)電壓Ve1施加在第一XY-電極線對X1Y1中的Y-電極線Y1上。因此，從與第一XY-電極線對X1Y1相對應(yīng)的所有顯示單元中擦除壁電荷。然而，顯示單元中仍保留符合要求的空間電荷。
隨后在余下的每個XY-電極線對(見圖6的驅(qū)動信號SX2和SY2)上順序進(jìn)行壁電荷的形成和擦除步驟。
圖6中，td-te，th-ti和ty-tz期間是尋址時間，其間，在復(fù)位之后，壁電荷在選定的顯示單元中形成。這些尋址時間td-te，th-ti和ty-tz各自與時間t3-t4，t5-t6和t2n+1-t2n+2相對應(yīng)，其間，第一水平負(fù)電壓Vs1應(yīng)有在所有的Y-電極線Y1-Yn上。在這些尋址時間td-te，th-ti和ty-tz中，高于第一水平的第二水平負(fù)的掃描電壓Vsc分別施加在被尋址的第一XY-電極線對X1Y1，X2Y2，XnYn中的Y-電極線上，同時，正顯示數(shù)據(jù)信號施加在圖1所示的所有尋址電極線A1-Am上。因此，在被尋址的XY-電極線對中的Y-電極線和選定的尋址電極線當(dāng)中出現(xiàn)反向放電，由此，在選定顯示單元的Y-電極線周圍形成正的壁電荷。在選定的顯示單元里，由于壁電荷產(chǎn)生的壁電壓，為響應(yīng)脈沖進(jìn)行顯示放電。
根據(jù)常規(guī)的尋址并顯示驅(qū)動方法，交替施加在每一個XY-電極線對中的X-和Y-電極線上的顯示電壓是恒定的。因此，在尋址時間td-te，th-ti和ty-tz的期間中施加在每個XY-電極線對上的電壓要較高于在其它時間的期間中施加在每個XY-電極線對上的電壓，并且施加在所有尋址電極線A1-Am當(dāng)中的選定電極線上的尋址電壓Va最大值會減小。換句話說，一個尋址電壓Va的可用范圍即區(qū)間會變窄。當(dāng)尋址電壓Va區(qū)間變窄時，由于錯誤的、不準(zhǔn)確的尋址，顯示性能將會下降。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上面描述的問題，本發(fā)明的一個目的提供一個尋址并顯示的驅(qū)動方法，用于擴(kuò)大表面放電三極管PDP中的尋址電壓區(qū)間，以便提高尋址的精確性，從而提高顯示性能。
為達(dá)到本發(fā)明的上述目的，提供了一種尋址并顯示的驅(qū)動方法，此方法在表面放電型三極管PDP中的每一個XY-電極線對上順序進(jìn)行復(fù)位和尋址，同時在所有的XY-電極線對上交替、持續(xù)的施加顯示電壓，該P(yáng)DP包括了以面對面分開形成的一個前基板和一個后基板，在前后基板之間交替平行排布以用來形成XY-電極線對的X-和Y-電極線，和以垂直X-和Y-電極線的方式形成的尋址電極線。本發(fā)明尋址并顯示驅(qū)動方法的實(shí)施例包括在每一個XY-電極線對的尋址時間中降低顯示電壓。
根據(jù)本發(fā)明尋址并顯示驅(qū)動方法的實(shí)施例，因?yàn)槭┘釉诿恳粋€XY-電極線對上的電壓在相應(yīng)的尋址時間中降低了，所以施加在所有尋址電極線當(dāng)中的選定電極線上的尋址電壓最大值就升高了。結(jié)果，尋址電壓的區(qū)間擴(kuò)大了，并且尋址精確度提高了。這樣，提高了顯示性能。


通過結(jié)合附圖詳細(xì)描述優(yōu)選實(shí)施例使本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點(diǎn)更加明了，其中圖1是典型表面放電型三極管PDP的內(nèi)部結(jié)構(gòu)透視圖；圖2是圖1所示PDP中的一個顯示單元實(shí)例的剖面圖；圖3是關(guān)于圖1所示PDP的Y-電極線的典型地址顯示分開驅(qū)動方法的時序圖；圖4是關(guān)于圖1所示PDP的Y-電極線的典型尋址并顯示驅(qū)動方法的時序圖；圖5是用于圖1所示PDP的典型驅(qū)動裝置的方框圖；圖6是示出根據(jù)常規(guī)尋址并顯示驅(qū)動方法施加在電極線中的驅(qū)動信號的時序圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的尋址并顯示驅(qū)動方法施加在電極線中的驅(qū)動信號的時序圖；圖8是實(shí)現(xiàn)圖7所示尋址并顯示驅(qū)動方法的X-和Y-驅(qū)動器的電路圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的尋址并顯示驅(qū)動方法施加在電極線中的驅(qū)動信號的時序圖；圖10是實(shí)現(xiàn)圖9所示尋址并顯示驅(qū)動方法的X-和Y-驅(qū)動器的電路圖；和圖11是示出關(guān)于圖7所示電壓Vpb的尋址電壓區(qū)間的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的尋址并顯示驅(qū)動方法施加在電極線上的驅(qū)動信號。在圖6和7中，相同參考符號表示相同部分。圖8示出實(shí)現(xiàn)圖7所示尋址并顯示驅(qū)動方法的X-和Y-驅(qū)動器。圖8中，PDP1左邊的電路與圖5所示的Y-驅(qū)動器65相對應(yīng)，同時PDP1右邊的電路與圖5所示的X-驅(qū)動器64相對應(yīng)。
參考圖8，圖5中的Y-驅(qū)動器65包括上端晶體管YU1-YUn，下端晶體管YL1-YLn，一個Y-能量發(fā)生電路ERY，一個Y-顯示放電電路SPY，和一個Y-復(fù)位/尋址電路RA。上端晶體管YU1-YUn和下端晶體管YL1-YLn與Y-電極線Y1-Yn連接。Y-能量發(fā)生電路ERY在從Y-顯示放電電路SPY同時施加到Y(jié)-電極線Y1-Yn上的顯示放電脈沖下降沿期間在Y-電極線Y1-Yn的周圍收集電荷，并且在顯示放電脈沖上升沿期間將收集到的電荷施加在Y-電極線Y1-Yn上。Y-顯示放電電路SPY將第三水平正電荷Vsh和第一水平負(fù)電荷Vs1交替施加到Y(jié)-電極線Y1-Yn上。Y-能量發(fā)生電路ERY和Y-顯示放電電路SPY經(jīng)由上端晶體管YU1-YUn共同連接所有Y-電極線Y1-Yn。根據(jù)本發(fā)明Y-復(fù)位/尋址電路RA輸出用于復(fù)位的電壓Yre和Ve1，和在每個Y-電極線的復(fù)位時間和尋址時間中用于尋址的電壓Vsc。因此，Y-復(fù)位/尋址電路RA經(jīng)過每個下端晶體管YL1-YLn獨(dú)立連接每個Y-電極線Y1-Yn。
同樣，圖5所示的X-驅(qū)動器64包括頂括上端晶體管XU1-XUn，下端晶體管XL1-XLn，一個X-能量發(fā)生電路ERX，一個X-顯示放電電路SPX，和一個X-復(fù)位電路RE。上端晶體管XU1-XUn和下端晶體管XL1-XLn與X-電極線X1-Xn連接。X-能量發(fā)生電路ERX在從X-顯示放電電路SPX施加到X-電極線X1-Xn上同時在顯示放電脈沖下降沿期間在X-電極線X1-Xn的周圍收集電荷，并且在顯示放電脈沖上升沿期間將收集到的電荷施加在X-電極線X1-Xn上。X-顯示放電電路SPX將第三水平正電荷Vsh加上第四水平正電壓Vpb，和第一水平負(fù)電荷Vs1交替施加到X-電極線X1-Xn上。X-能量發(fā)生電路ERX和X-顯示放電電路SPX經(jīng)由上端晶體管XU1-XUn共同連接所有X-電極線X1-Xn。根據(jù)本發(fā)明X-復(fù)位電路RE在每一個X-電極線的復(fù)位時間中輸出用于復(fù)位的電壓Yeh和Vsc。因此，X-復(fù)位電路RE經(jīng)由每一個下端晶體管XL1-XLn獨(dú)立連接每個X-電極線X1-Xn。
結(jié)合圖7和8詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種尋址并顯示驅(qū)動方法。
如圖7所示，在用于PDP1的尋址并顯示驅(qū)動方法中，當(dāng)將第三水平正電荷Vsh加上第四水平正電荷Vpb，和第一水平負(fù)電壓Vs1交替施加在所有的X-和Y-電極線X1-Xn和Y1-Yn上時，就在XY-電極線對X1Y1，X2Y2，…，XnYn上進(jìn)行復(fù)位和尋址。
復(fù)位過程包括一段放電步驟ta-t1，一個擦除步驟tb-tc，和反復(fù)步驟。因?yàn)楹鸵粋€第一XY-電極線對相對應(yīng)的第二子區(qū)開始于和在單元幀F(xiàn)R1中進(jìn)行初始復(fù)位和尋址的第一XY-電極線對相對應(yīng)的第一子區(qū)之后，在第一個脈沖寬度t0-t1期間，第一水平負(fù)電壓Vs1施加在所有的X-電極線X1-Xn上，同時，第三水平正電壓Vpb施加在所有的Y-電極線Y1-Yn上。在第一個脈沖寬度t0-t1期間的一段放電步驟ta-t1中，第一XY-電極線對(例如X1Y1)的上端晶體管(例如XU1和YU1)關(guān)斷，下端晶體管(例如XL1和YL1)開通，X-復(fù)位電路RE中的晶體管ST13開通，Y-復(fù)位/尋址電路RA中的晶體管ST5開通。結(jié)果，高于第一水平的第二水平負(fù)電壓Vsc施加到第一XY-電極線對X1Y1中的X-電極線X1上，同時，高于第三水平的第六水平正電壓Vre施加到第一XY-電極線對X1Y1中的Y-電極線Y1上。這樣，在所有和第一XY-電極線對X1Y1相對應(yīng)的放電單元中就會激發(fā)放電，由此，均勻的形成壁電荷和符合要求的形成空間電荷。
在其中進(jìn)行了放電步驟ta-t1的第一脈沖寬度t0-t1之后緊接著是第二脈沖寬度t1-t2的第一時間t1-t1a，其間，所有XY-電極線對X1Y1-XnYn的上端晶體管XU1-XUn開通，下端晶體管XL1-XLn關(guān)斷，X-顯示放電電路SPX的晶體管ST10開通，Y-顯示放電電路SPY的晶體管ST4開通。結(jié)果，將第三水平正電壓Vsh施加到所有的X-電極線X1-Xn上，同時，將第一水平負(fù)電壓Vs1施加到所有的Y-電極線Y1-Yn上，這樣就使得在與第一XY-電極線對X1Y1相對應(yīng)的所有放電單元中均勻的形成壁電荷，并符合要求的形成空間電荷。
在第二時間t1a-t2中進(jìn)行的工作不同于第一時間t1-t1a中進(jìn)行的工作，其中，在X-顯示放電電路SPX中取代了晶體管ST10的晶體管ST10a開通，這樣就將低于第三水平正電壓Vsh的第四水平這正電壓Vpb加到所有的X-電極線X1-Xn上。使施加到X-電極線X1-Xn上的顯示電壓下降的原因?qū)⒃谙旅婷枋鰧ぶ饭ぷ鲿r作詳細(xì)說明。
第二個脈沖寬度期間t1-t2之后緊接著是第三個脈沖寬度期間t2-t3，其間，在預(yù)定時間tb-tc進(jìn)行的擦除步驟中，第一XY-電極線對X1Y1的上端晶體管XU1和YU1關(guān)斷，下端晶體管XL1和YL1開通，X-復(fù)位電路SE中的晶體管ST12開通，和Y-復(fù)位/尋址電路RA中的晶體管ST7開通。結(jié)果，將低于第四水平的第七水平正電壓Veh施加在第一XY-電極線對X1Y1中的X-電極線X1上，同時，低于第一水平的第八水平負(fù)電壓Ve1施加在第一XY-電極線對X1Y1中的Y-電極線Y1上。這樣，從所有與第一XY-電極線對X1Y1相對應(yīng)的放電單元中擦除了壁電荷。然而，顯示單元中仍保留符合要求的空間電荷。
隨后在余下的每個XY-電極線對(見圖7的驅(qū)動信號SX2和SY2)上進(jìn)行壁電荷的形成和擦除步驟。
圖7中，td-te，th-ti和ty-tz期間是尋址時間，其間，復(fù)位之后在選定的顯示單元中形成壁電荷。這些尋址時間td-te，th-ti和ty-tz分別與脈沖寬度t3-t4，t5-t6，和t2n+1-t2n+2相對應(yīng)，其間，第一水平的負(fù)電壓Vs1施加在所有的Y-電極線Y1-Yn上。在其間進(jìn)行尋址的每個脈沖寬度t3-t4，t5-t6，和t2n+1-t2n+2都各自被分成不包括尋址時間的一個第一時間t3-t3a，t5-t5a，或t2n+1-t2n+1a，和包括尋址時間的一個第二時間t3a-t4，t5a-t6，或t2n+1a-t2n+2。
在不包括尋址時間的第一時間t3-t3a，t5-t5a，或t2n+1-t2n+1a中，所有XY-電極線對X1Y1-XnYn的上端晶體管XU1-YUn開通，下端晶體管XL1-YLn關(guān)斷，X-顯示放電電路SPX中的晶體管ST10開通，和Y-顯示放電電路SPY中的晶體管ST4開通。結(jié)果，第三水平正電壓Vsh加到所有的X-電極線X1-Xn上，同時，第一水平負(fù)電壓Vs1加到所有的Y-電極線Y1-Yn上。
在第二時間t3a-t4，t5a-t6，或t2n+1a-t2n+2中進(jìn)行的工作不同于在第一時間t3-t3a，t5-t5a，或t2n+1-t2n+1a中進(jìn)行的工作，其中，在X-顯示放電電路SPX中取代了晶體管ST10的晶體管ST10a開通，這樣使得低于第三水平正電壓Vsh的第四水平這正電壓Vpb加到所有的X-電極線X1-Xn上。
在第二時間t3a-t4，t5a-t6，和t2n+1a-t2n+2內(nèi)的各自尋址時間td-te，th-ti，和ty-tz中，XY-電極線對X1Y1，X2Y2，和XnYn中的相應(yīng)Y-電極線的下端晶體管和Y-復(fù)位/尋址電路RA中的晶體管ST6開通。這樣，高于第一水平的第二水平負(fù)的掃描電壓Vsc加到被尋址的每一個XY-電極線對中的Y-電極線上，同時，正的顯示數(shù)據(jù)信號加到圖1所示的所有尋址電極線A1-Am上。這樣，在被尋址的一個XY-電極線對中的Y-電極線和選定的尋址電極線當(dāng)中出現(xiàn)反向放電，由此在選定的顯示單元的Y-電極線周圍形成正的壁電荷。在選定的顯示單元中，由于壁電荷產(chǎn)生的壁電壓，為響應(yīng)脈沖進(jìn)行顯示放電。
在上述的尋址時間td-te，th-ti和ty-tz中，電壓Vpb低于在第一時間t3-t3a，t5-t5a，和t2n+1-t2n+1a中施加的電壓Vsh，將電壓Vpb施加在所有X-電極線X1-Xn上。這樣，在每個尋址時間td-te，th-ti和ty-tz中施加到XY-電極線對上的電壓降低了，使得在尋址電極線A1-Am當(dāng)中選定的電極線上施加的尋址電壓Va最大值升高了。換句話說，尋址電壓Va的可用范圍即區(qū)間變寬了。當(dāng)尋址電壓Va區(qū)間變寬時，就實(shí)現(xiàn)了尋址的精確性，由此提高了顯示性能。
圖9示出了在根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的尋址并顯示驅(qū)動方法中的電極線上施加的驅(qū)動信號。圖7和9中，相同參考符號表示相同功能部分。圖10示出了可以實(shí)現(xiàn)圖9所示的尋址并顯示驅(qū)動方法的X-和Y-驅(qū)動器。圖8和10中，相同參考符號表示相同功能部分。圖10所示電路不同于圖8所示電路，圖10中去掉了晶體管ST10a的電路，增加了晶體管ST4a的電路，其中圖8中晶體管ST10a的電路將第四水平正電壓Vpb加到所有X-電極線X1-Xn上，而晶體管ST4a的電路將低于第一水平的第五水平負(fù)電壓Vnb加到所有Y-電極線Y1-Yn上。
下面將詳細(xì)描述在圖7和8中所示第一實(shí)施例和圖9和10中所示第二實(shí)施例之間的不同。
在包括了尋址時間的第二時間t3a-t4，t5a-t6，和t2n+1a-t2n+2中，取代了施加的正電壓Vsh的第五水平負(fù)電壓Vnb通過Y-顯示放電電路SPY中開通的晶體管ST4a加在所有Y-電極線Y1-Yn上，其中第五水平負(fù)電壓Vnb低于在第一時間t3-t3a，t5-t5a，和t2n+1-t2n+1a中施加的負(fù)電壓Vs1，正電壓Vsh在第一時間t3-t3a，t5-t5a，和t2n+1-t2n+1a中加在所有X-電極線X1-Xn上。
因此，在每個尋址時間td-te，th-ti和ty-tz中施加到XY-電極線對上的電壓降低了，這使得在所有尋址電極線A1-Am當(dāng)中選定的電極線上施加的尋址電壓Va最大值升高了。換句話說，尋址電壓Va的可用范圍即區(qū)間變寬了。當(dāng)尋址電壓Va區(qū)間變寬時，就實(shí)現(xiàn)了尋址的精確性，由此提高了顯示性能。
圖11示出了關(guān)于圖7所示電壓Vpb的尋址電壓Va的區(qū)間Amar。這里，根據(jù)尋址并顯示驅(qū)動方法，電壓Vpb表示施加在所有X-電極線X1-Xn上的顯示電壓。圖11中，標(biāo)號Cmin表示關(guān)于電壓Vpb的尋址電壓Va最小值的特征曲線，和標(biāo)號Cmax表示關(guān)于電壓Vpb的尋址電壓Va最大值的特征曲線。
參考圖11，當(dāng)根據(jù)常規(guī)技術(shù)將電壓Vpb設(shè)置為高電平時，尋址電壓Vpb的最大值就會很低，這樣尋址電壓Va的區(qū)間Amar就會變窄。然而，當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例將電壓Vpb設(shè)置為低電平時，尋址電壓Va的區(qū)間Amar就會變寬。很明顯，通過將電壓Vpb設(shè)置為很低的電平來顯著提高尋址電壓Va的最小值是不必要的。
綜上所述，用于根據(jù)本發(fā)明的PDP的尋址并顯示驅(qū)動方法，因?yàn)槭┘拥絏Y-電極線對的電壓在尋址時間的期間中降低了，所以在所有尋址電極線中選定的電極線上施加的尋址電壓最大值就升高了。結(jié)果，尋址電壓的區(qū)間擴(kuò)大了，這樣就提高了尋址的精確度，由此提高了顯示性能。
本發(fā)明不局限于上面描述的實(shí)施例。本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員都會明白，在不脫離由權(quán)利要求書所限定本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，在形式上和具體細(xì)節(jié)上可以進(jìn)行各種變化。
權(quán)利要求
1.一種在表面放電型三極管等離子體顯示面板中的每一XY-電極線對上順序進(jìn)行復(fù)位和尋址，同時在所有XY-電極線對上交替、持續(xù)地施加顯示電壓的尋址并顯示驅(qū)動方法，其中所述面板包括以面對面分開形成的一個前基板和一個后基板，為形成XY-電極線對而在前后基板之間交替平行排布X-和Y-電極線，和以垂直于X-和Y-電極線的方向形成尋址電極線，該尋址并顯示驅(qū)動方法包括在每一XY-電極線對的一個尋址時間中降低顯示電壓步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的尋址并顯示驅(qū)動方法，其中的第一極性顯示電壓和與第一極性相反的的第二極性顯示電壓交替地施加在所有XY-電極線對上，并且其中的尋址時間是將處于第一水平的第二極性電壓施加在每一XY-電極線對中的每個Y-電極線上的時段的一部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的尋址并顯示驅(qū)動方法，其中在尋址時間里，該 高于第一水平顯示電壓的位于第二水平的第二極性掃描電壓施加在被尋址的每一XY-電極線對中的Y-電極線上，其中同時的第一極性顯示數(shù)據(jù)信號加在尋址電極線上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的尋址并顯示驅(qū)動方法，其中位于第一水平的第二極性電壓施加在每一XY-電極線對中的所有Y-電極線上，位于第三水平的第一極性電壓施加在每一XY-電極線對中的所有X-電極線上，并且在該尋址時間里，低于第三水平的第四水平第一極性電壓施加在每一XY-電極線對中的所有X-電極線上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的尋址并顯示驅(qū)動方法，其中在該尋址時間里，低于第一水平的第五水平第二極性電壓施加在沒有被尋址的那些XY-電極線對中的Y-電極線上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的尋址并顯示驅(qū)動方法，其中在每一XY-電極線對的一個尋址時間里降低顯示電壓的步驟包括在選定的尋址時間里降低加在一個XY-電極線對上的電壓，這使得施加在選定的尋址電極線上的尋址電壓最大值升高。
全文摘要
提供了一種用于表面放電型三極管等離子體顯示面板的尋址并顯示驅(qū)動方法，它包括在每一XY－電極線對上順序進(jìn)行的復(fù)位和尋址，同時在面板中的所有XY－電極線對上交替、持續(xù)的施加顯示電壓。面板包括以面對面分開形成的一個前基板和一個后基板，為形成XY－電極線對而在前后基板之間交替平行排布的X－和Y－電極線，和以垂直X－和Y－電極線的方式形成的尋址電極線。尋址并顯示驅(qū)動方法包括在每一XY－電極線對的一個尋址時間中降低顯示電壓。
文檔編號G09G3/28GK1421836SQ02152788
公開日2003年6月4日 申請日期2002年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月28日
發(fā)明者李周烈, 姜京湖 申請人:三星Sdi株式會社