專(zhuān)利名稱(chēng)：電子裝置、電－光裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有由電流驅(qū)動(dòng)的電流驅(qū)動(dòng)元件的電子裝置、電-光裝置和電子設(shè)備。
在這種類(lèi)型的顯示裝置中，存在利用非液晶的電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光元件進(jìn)行顯示的情況。這種電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光元件和液晶不同，是通過(guò)所提供的電流來(lái)發(fā)光的自發(fā)光元件，因此，不需要背光，可適應(yīng)低功率化的市場(chǎng)要求。還在高視角、高對(duì)比度等方面具有優(yōu)越的顯示性能。由于能實(shí)現(xiàn)大面積化、高精細(xì)化、全彩色化，因此，在這種電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光元件中，場(chǎng)致發(fā)光元件(Electroluminescent device)特別適用于顯示器。
在場(chǎng)致發(fā)光元件中，有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件(Organic Electroluminescentdevice)因?yàn)楦吡孔有识鹱⒁狻?br> 這樣，提出了例如圖21所示的顯示裝置作為用有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件進(jìn)行顯示的顯示裝置。即，該顯示裝置對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線X和掃描線Y的交點(diǎn)配置象素電路，通過(guò)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器51驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線，通過(guò)掃描驅(qū)動(dòng)器52驅(qū)動(dòng)掃描線Y。
例如，如圖22所示，上述象素電路55由2個(gè)晶體管61、62、數(shù)據(jù)保持用電容元件63和有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件64構(gòu)成。并且，通過(guò)掃描線Y進(jìn)行晶體管61的開(kāi)關(guān)動(dòng)作，將從數(shù)據(jù)線X提供的數(shù)據(jù)信號(hào)作為電荷保持在電容元件63中，通過(guò)在該電容元件63中保持的電荷使晶體管62處于導(dǎo)通狀態(tài)，將與數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的電流量供給有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件64，有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件64發(fā)光。
例如，有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件等電流驅(qū)動(dòng)型元件用電流比用電壓控制容易。這是由于有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件的電流量決定亮度，因此用電流作為數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行控制是正確的。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第1電子裝置的特征在于具有導(dǎo)線、與該導(dǎo)線連接的多個(gè)單元電路和與所述導(dǎo)線連接且根據(jù)在該導(dǎo)線中流動(dòng)的電流的電流量設(shè)定柵極電壓的晶體管。例如，可舉出具有MRAM(磁阻RAM)單元、有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件或激光二極管的電子裝置作為相關(guān)的電子裝置的例子。
本發(fā)明的第2電子裝置的特征在于，在上述第1的電子裝置中，上述晶體管的柵極與該晶體管的源極端或漏極端連接。在本說(shuō)明書(shū)中，所謂“上述晶體管的柵極與該晶體管的源極端或漏極端連接”包含在源極端或漏極端和柵極之間連接晶體管、二極管等電阻元件的情況。
在本發(fā)明的第1和第2電子裝置中，與導(dǎo)線連接的晶體管的柵極電壓根據(jù)在該導(dǎo)線中流動(dòng)的電流量來(lái)設(shè)定。
本發(fā)明的第3電子裝置具有導(dǎo)線、與該導(dǎo)線連接的多個(gè)單元電路和與所述導(dǎo)線連接且根據(jù)在該導(dǎo)線中流動(dòng)的電流的電流量設(shè)定柵極電壓的第一晶體管，其特征在于，所述單元電路具有與上述第一晶體管一起構(gòu)成電流鏡象電路的第二晶體管。
本發(fā)明第4電子裝置的特征在于，在上述第3電子裝置中，上述第一晶體管的柵極和該第一晶體管的源極端或漏極端連接。
在本發(fā)明的第3和第4電子裝置中，與導(dǎo)線連接的第一晶體管的柵極電壓根據(jù)在該導(dǎo)線中流動(dòng)的電流量來(lái)設(shè)定，根據(jù)第一晶體管的柵極電壓設(shè)定在第二晶體管中流動(dòng)的電流量。
本發(fā)明第5電子裝置具有導(dǎo)線、與該導(dǎo)線連接的多個(gè)單元電路和與所述導(dǎo)線連接且根據(jù)在該導(dǎo)線中流動(dòng)的電流的電流量設(shè)定柵極電壓的第一晶體管，其特征在于，所述單元電路的導(dǎo)電型為p型，具有與上述第一晶體管一起構(gòu)成電流鏡象電路的第二晶體管。由此，在形成將電子元件連接到第二晶體管的電子器件時(shí)，基于該電子器件的特性，可容易地形成有關(guān)電子裝置。
本發(fā)明的第6電子裝置的特征在于，在上述第5電子裝置中，上述第一晶體管的柵極和該第一晶體管的源極端或漏極端連接。
本發(fā)明的第7電子裝置具有導(dǎo)線、與該導(dǎo)線連接的多個(gè)單元電路和與所述導(dǎo)線連接且根據(jù)在該導(dǎo)線中流動(dòng)的電流的電流量設(shè)定柵極電壓的第一晶體管，其特征在于，所述單元電路具有與上述第一晶體管一起構(gòu)成電流鏡象電路的第二晶體管，上述第二晶體管的增益系數(shù)設(shè)置成生成的電流量比在上述導(dǎo)線中流動(dòng)的電流的電流量大。
本發(fā)明的第8電子裝置具有導(dǎo)線、與該導(dǎo)線連接的多個(gè)單元電路和與所述導(dǎo)線連接且根據(jù)在該導(dǎo)線中流動(dòng)的電流的電流量設(shè)定柵極電壓的第一晶體管，其特征在于，所述單元電路具有與上述第一晶體管一起構(gòu)成電流鏡象電路的第二晶體管，上述第二晶體管的增益系數(shù)設(shè)置成生成的電流量比在上述導(dǎo)線中流動(dòng)的電流的電流量小。
本發(fā)明的第9電子裝置的特征在于，在上述第7或8電子裝置中，上述第一晶體管的柵極和該第一晶體管的源極端或漏極端連接。
本發(fā)明的第1電-光裝置的特征在于，具有數(shù)據(jù)線，具有電-光元件且與上述數(shù)據(jù)線連接的多個(gè)單元電路和與上述數(shù)據(jù)線連接、根據(jù)在該數(shù)據(jù)線中流動(dòng)的電流的電流量設(shè)定柵極電壓的晶體管。
本發(fā)明的第2電-光裝置的特征在于，在上述第1電-光裝置中，還具有掃描線，上述多個(gè)單元電路分別具有與上述電-光元件電連接的驅(qū)動(dòng)晶體管和柵極連接到上述掃描線的開(kāi)關(guān)晶體管，數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)上述數(shù)據(jù)線提供給上述多個(gè)單元電路。
本發(fā)明的第3電-光裝置的特征在于，在上述第2電-光裝置中，上述開(kāi)關(guān)晶體管的源極端或漏極端連接上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。
本發(fā)明的第4電-光裝置的特征在于，在上述第2或3電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)信號(hào)是具有由數(shù)模轉(zhuǎn)換電路生成的模擬量的電流。
本發(fā)明的第5電-光裝置的特征在于，在上述第2-4中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述晶體管和上述驅(qū)動(dòng)晶體管構(gòu)成電流鏡象電路。
本發(fā)明的第6電-光裝置的特征在于，在上述第2-5中任一項(xiàng)電-光裝置中，將連接上述數(shù)據(jù)線的第一電源的電壓值和通過(guò)上述驅(qū)動(dòng)晶體管與上述電-光元件連接的第二電源的電壓值設(shè)定成規(guī)定比率。
本發(fā)明的第7電-光裝置的特征在于，在上述第4-6中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述晶體管配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述數(shù)據(jù)線之間。
本發(fā)明的第8電-光裝置的特征在于，在上述第4-6中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)線配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述晶體管之間。
本發(fā)明的第9電-光裝置的特征在于，在上述第7或8電-光裝置中，上述晶體管、上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述數(shù)據(jù)線形成在同一基體上。
本發(fā)明的第10電-光裝置的特征在于，在上述第7或8電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)線和上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路形成在同一基體上。
本發(fā)明的第11電-光裝置的特征在于，在上述第7或8電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)線和上述晶體管形成在同一基體上。
本發(fā)明的第12電-光裝置的特征在于，在上述第7或8電-光裝置中，上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述晶體管形成在同一基體上。
在上述本發(fā)明的第9-12電-光裝置中，可舉出玻璃襯底、石英襯底或硅襯底等作為“基體”的例子。
本發(fā)明的第13電-光裝置的特征在于，在上述第2-12中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述晶體管和包含在上述單元電路中的晶體管由薄膜晶體管構(gòu)成。
在本發(fā)明的第13電-光裝置中，當(dāng)包含在上述單元電路中的晶體管是薄膜晶體管時(shí)，在玻璃襯底等基體上，上述晶體管和包含在上述單元電路中的晶體管一體形成為薄膜晶體管。
本發(fā)明的第14電-光裝置的特征在于，在上述第1-12中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述晶體管由硅基的MOS晶體管構(gòu)成。與薄膜晶體管相比，硅基的MOS晶體管的晶體管特性容易控制，可降低晶體管特性的偏差。上述晶體管是硅基的MOS晶體管，在上述單元電路由薄膜晶體管構(gòu)成時(shí)，可配置在外加數(shù)據(jù)線IC驅(qū)動(dòng)器內(nèi)，也可在晶片上制作上述晶體管，將上述晶體管再配置在承載上述電壓電路的基體上。
若驅(qū)動(dòng)晶體管電連接到電-光元件上，則最好在它們之間連接另一個(gè)晶體管。
本發(fā)明的第15電-光裝置的特征在于，在上述第1-14中任一項(xiàng)電-光裝置中，用于設(shè)定供給上述電-光元件的電流量的，流過(guò)上述數(shù)據(jù)線的電流量為供給上述電-光元件的電流量以上。用于提供給電-光元件的電流量低時(shí)，為了將與其相對(duì)應(yīng)的電流輸出到數(shù)據(jù)線中來(lái)設(shè)定上述晶體管的柵極電壓需要時(shí)間，但通過(guò)在數(shù)據(jù)線中流過(guò)提供給電-光元件的電流量以上的電流量，可加快設(shè)定上述晶體管的柵極電壓的時(shí)間。
本發(fā)明的第16電-光裝置的特征在于，在上述第1-14中任一項(xiàng)電-光裝置中，流過(guò)用于設(shè)定供給上述電-光元件的電流量的上述數(shù)據(jù)線的電流量在供給上述電-光元件的電流量以下。
為了設(shè)定提供給上述電-光元件的電流量，通過(guò)將輸出到上述數(shù)據(jù)線中的電流量作到提供給上述電-光元件的電流量以下可降低耗電。
本發(fā)明的第17電-光裝置的特征在于，具有數(shù)據(jù)線、與上述數(shù)據(jù)線連接，根據(jù)在該數(shù)據(jù)線中流動(dòng)的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流量設(shè)定柵極電壓的轉(zhuǎn)換晶體管和具有電-光元件及與該電-光元件電連接且其導(dǎo)電型是p型的驅(qū)動(dòng)晶體管的單元電路。
在本發(fā)明的第17電-光裝置中，不用追加新電源就可使轉(zhuǎn)換晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管完全導(dǎo)通。
本發(fā)明的第18電-光裝置的特征在于，還具有掃描線，上述多個(gè)單元電路分別具有柵極連接到上述掃描線的開(kāi)關(guān)晶體管，通過(guò)上述數(shù)據(jù)線將數(shù)據(jù)信號(hào)提供給上述多個(gè)單元電路。
本發(fā)明的第19電-光裝置的特征在于，在上述第17電-光裝置中，上述開(kāi)關(guān)晶體管的源極端或漏極端連接上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。
本發(fā)明的第20電-光裝置的特征在于，在上述第18電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)信號(hào)是具有由數(shù)模轉(zhuǎn)換電路產(chǎn)生的模擬量的電流。
本發(fā)明的第21電-光裝置的特征在于，在上述第12-20中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述轉(zhuǎn)換晶體管和上述驅(qū)動(dòng)晶體管構(gòu)成電流鏡象電路。
本發(fā)明地第22電-光裝置的特征在于，在上述第20或21電-光裝置中，上述轉(zhuǎn)換晶體管配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述數(shù)據(jù)線之間。
本發(fā)明的第23電-光裝置的特征在于，在上述第20或21電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)線配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述轉(zhuǎn)換晶體管之間。
本發(fā)明的第24電-光裝置的特征在于，在上述第20-23中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述轉(zhuǎn)換晶體管、上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述數(shù)據(jù)線形成在同一基體上。
本發(fā)明的第25電-光裝置的特征在于，在上述第23電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)線和上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路形成在同一基體上。
本發(fā)明的第26電-光裝置的特征在于，在上述第22或23電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)線和上述轉(zhuǎn)換晶體管形成在同一基體上。
本發(fā)明的第27電-光裝置的特征在于，在上述第22電-光裝置中，上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述轉(zhuǎn)換晶體管形成在同一基體上。
在本發(fā)明的第24-27電-光裝置中，可舉玻璃襯底、石英襯底或者硅襯底等作為“基體”的例子。
本發(fā)明的第28電-光裝置的特征在于，在上述第18-27中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述轉(zhuǎn)換晶體管和包含在上述單元電路中的上述開(kāi)關(guān)晶體管以及上述驅(qū)動(dòng)晶體管由薄膜晶體管構(gòu)成。
本發(fā)明的第29電-光裝置的特征在于，在上述第17-27中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述轉(zhuǎn)換晶體管由硅基的MOS晶體管構(gòu)成。與薄膜晶體管相比，硅基的MOS晶體管的晶體管特性容易控制，可降低晶體管特性的偏差。上述晶體管是硅基的MOS晶體管，在上述單元電路由薄膜晶體管構(gòu)成時(shí)，可配置在外加數(shù)據(jù)線IC驅(qū)動(dòng)器內(nèi)，也可在晶片上制作上述晶體管，將上述晶體管再配置在承載上述電壓電路的基體上。
若驅(qū)動(dòng)晶體管電連接到電-光元件上，則最好在它們之間連接另一個(gè)晶體管。
本發(fā)明第30電-光裝置的特征在于，具有數(shù)據(jù)線；與上述數(shù)據(jù)線連接，根據(jù)在該數(shù)據(jù)線中流動(dòng)的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流量設(shè)定柵極電壓的轉(zhuǎn)換晶體管；驅(qū)動(dòng)晶體管，該驅(qū)動(dòng)晶體管設(shè)定其增益系數(shù)，以便和上述轉(zhuǎn)換晶體管構(gòu)成電流鏡象電路，生成比在上述數(shù)據(jù)線中流動(dòng)的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流量大的電流量；和具有與上述驅(qū)動(dòng)晶體管電連接的電-光元件的單元電路。
在本發(fā)明的第30電-光裝置中，在用于提供給電-光元件的電流量低的情況下，為了將與其相對(duì)應(yīng)的電流輸出到數(shù)據(jù)線中且設(shè)定上述晶體管的柵極電壓但需要時(shí)間，但是通過(guò)在數(shù)據(jù)線中流過(guò)提供給電-光元件的電流量以上的電流量，可加快設(shè)定上述晶體管的柵極電壓的時(shí)間。
本發(fā)明的第31電-光裝置的特征在于，具有數(shù)據(jù)線；與上述數(shù)據(jù)線連接，根據(jù)在該數(shù)據(jù)線中流動(dòng)的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流量設(shè)定柵極電壓的轉(zhuǎn)換晶體管；驅(qū)動(dòng)晶體管，該驅(qū)動(dòng)晶體管設(shè)定其增益系數(shù)，使與上述轉(zhuǎn)換晶體管一起構(gòu)成電流鏡象電路，通過(guò)在上述數(shù)據(jù)線中流動(dòng)的的數(shù)據(jù)信號(hào)電流量來(lái)生成小的電流量；和具有與上述驅(qū)動(dòng)晶體管電連接的電-光元件的單元電路。
在本發(fā)明的第31電-光裝置中，為了設(shè)定提供給上述電-光元件的電流量，通過(guò)將輸出到上述數(shù)據(jù)線中的電流量作到在提供給上述電-光元件的電流量以下，可降低耗電。
本發(fā)明的第32電-光裝置的特征在于，在上述第30或31電-光裝置中，還具有掃描線，上述多個(gè)單元電路分別具有柵極連接到上述掃描線的開(kāi)關(guān)晶體管，數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)上述掃描線供給上述多個(gè)單元電路。
本發(fā)明的第33電-光裝置的特征在于，在上述第32電-光裝置中，上述開(kāi)關(guān)晶體管的源極端或漏極端連接到上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。
本發(fā)明的第34電-光裝置的特征在于，在上述第30-33中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)信號(hào)是具有由數(shù)模轉(zhuǎn)換電路生成的模擬量的電流。
本發(fā)明的第35電-光裝置的特征在于，在上述第30-34中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述轉(zhuǎn)換晶體管和上述驅(qū)動(dòng)晶體管構(gòu)成電流鏡象電路。
本發(fā)明的第36電-光裝置的特征在于，在上述第34或35電-光裝置中，上述轉(zhuǎn)換晶體管配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述數(shù)據(jù)線之間。
本發(fā)明的第37電-光裝置的特征在于，在上述第34或35電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)線配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述轉(zhuǎn)換晶體管之間。
本發(fā)明的第38電-光裝置的特征在于，在上述第34-37中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述轉(zhuǎn)換晶體管和上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路以及上述數(shù)據(jù)線形成在同一基體上。
本發(fā)明的第39電-光裝置的特征在于，在上述第37電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)線和上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路形成在同一基體上。
本發(fā)明的第40電-光裝置的特征在于，在上述第36或37電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)線和上述轉(zhuǎn)換晶體管形成在同一基體上。
本發(fā)明的第41電-光裝置的特征在于，在上述第36電-光裝置中，上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述轉(zhuǎn)換晶體管形成在同一基體上。
本發(fā)明的第42電-光裝置的特征在于，在上述第32-41中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述轉(zhuǎn)換晶體管和包含在上述單元電路中的上述開(kāi)關(guān)晶體管及上述驅(qū)動(dòng)晶體管由薄膜晶體管構(gòu)成。
本發(fā)明的第43電-光裝置的特征在于，在上述第30一41中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述轉(zhuǎn)換晶體管由硅基MOS晶體管構(gòu)成。
本發(fā)明的第44電-光裝置具有提供數(shù)據(jù)信號(hào)的多條數(shù)據(jù)線和，對(duì)上述數(shù)據(jù)信號(hào)的電流量分別配備驅(qū)動(dòng)范圍不同的多個(gè)單元電路，其特征在于，具有與上述數(shù)據(jù)連接的，具有與上述電-光元件的驅(qū)動(dòng)范圍相對(duì)應(yīng)的增益系數(shù)的轉(zhuǎn)換晶體管；和設(shè)置在上述單元電路的，與上述轉(zhuǎn)換晶體管一起構(gòu)成電流鏡象電路的驅(qū)動(dòng)晶體管。不需要使電-光裝置的電路構(gòu)成配合驅(qū)動(dòng)范圍不同的電-光元件特性來(lái)形成，可全部由特性相同的電路來(lái)構(gòu)成。
本發(fā)明的第45電-光裝置的特征在于，在上述第44電-光裝置中，上述電-光元件是具有分別由發(fā)紅、綠和藍(lán)光的有機(jī)材料形成的發(fā)光層的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件。
本發(fā)明的第46電-光裝置的特征在于，在上述第44或45電-光裝置中，還具有掃描線，上述多個(gè)單元電路分別具有柵極連接到上述掃描線的開(kāi)關(guān)晶體管。
本發(fā)明的第47電-光裝置的特征在于，在上述第44、45或46電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)信號(hào)是具有由數(shù)模轉(zhuǎn)換電路生成的模擬量的電流。
本發(fā)明的第48電-光裝置的特征在于，在上述44-47中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述轉(zhuǎn)換晶體管配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述數(shù)據(jù)線之間。
本發(fā)明的第49電-光裝置的特征在于，在上述第44-47中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)線配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述轉(zhuǎn)換晶體管之間本發(fā)明的第50電-光裝置的特征在于，在上述第44-49中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述轉(zhuǎn)換晶體管和上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路以及上述數(shù)據(jù)線形成在同一基體上。
本發(fā)明的第51電-光裝置的特征在于，在上述第47-49中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)線和上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路形成在同一基體上。
本發(fā)明的第52電-光裝置的特征在于，在上述第47-49中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述數(shù)據(jù)線和上述轉(zhuǎn)換晶體管形成在同一基體上。
本發(fā)明的第53電-光裝置的特征在于，在上述第47或48電-光裝置中，上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述轉(zhuǎn)換晶體管形成在同一基體上。
本發(fā)明的第54電-光裝置的特征在于，在上述第46-53中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述轉(zhuǎn)換晶體管和包含在上述單元電路中的上述開(kāi)關(guān)晶體管及上述驅(qū)動(dòng)晶體管由薄膜晶體管構(gòu)成。
本發(fā)明的第55電-光裝置的特征在于，在上述第44-54中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述轉(zhuǎn)換晶體管由硅基MOS晶體管構(gòu)成。
本發(fā)明的第56電-光裝置的特征在于，在上述第1-54中任一項(xiàng)電-光裝置中，上述電-光元件是有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件。
本發(fā)明的電子設(shè)備，其特征在于，利用上述第1-54中任一項(xiàng)電-光裝置作為顯示部件。
圖2是本發(fā)明第1實(shí)施例的顯示裝置的主要部分的概略構(gòu)成方框圖。
圖3是一例第1實(shí)施例的象素電路的電路圖。
圖4是第2實(shí)施例的顯示裝置的主要部件的概略構(gòu)成方框圖。
圖5是第3實(shí)施例的顯示裝置的主要部件的概略構(gòu)成方框圖。
圖6是一例第3實(shí)施例的象素電路的電路圖。
圖7是第4實(shí)施例的顯示裝置的主要部件的概略構(gòu)成方框圖。
圖8是第5實(shí)施例的顯示裝置的主要部件的概略構(gòu)成方框圖。
圖9是對(duì)第5實(shí)施例的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的電路圖。


圖10是對(duì)第5實(shí)施例的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的電路圖。
圖11是第6實(shí)施例的顯示裝置的主要部件的概略構(gòu)成方框圖。
圖12是第7實(shí)施例的顯示裝置的主要部件的概略構(gòu)成方框圖。
圖13是對(duì)第7實(shí)施例的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的電路圖。
圖14是對(duì)第7實(shí)施例的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的電路圖。
圖15是第8實(shí)施例的顯示裝置的主要部件的概略構(gòu)成方框圖。
圖16是第9實(shí)施例的顯示裝置的主要部件的概略構(gòu)成方框圖。
圖17是適用本發(fā)明的電-光裝置的磁阻RAM的概略構(gòu)成的結(jié)構(gòu)圖。
圖18是一例適用本發(fā)明的電-光裝置的電子設(shè)備的個(gè)人計(jì)算機(jī)構(gòu)成的斜視圖。
圖19是一例適用本發(fā)明的電-光裝置的電子設(shè)備的便攜電話構(gòu)成的斜視圖。
圖20是一例適用本發(fā)明的電-光裝置的電子設(shè)備的數(shù)字靜物攝象機(jī)背面?zhèn)葮?gòu)成的斜視圖。
圖21是一例現(xiàn)有顯示裝置的方框圖。
圖22是一例現(xiàn)有象素電路的電路圖。
首先，說(shuō)明實(shí)施例1。
圖1是適用實(shí)施例1的電-光裝置的顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)方框圖。該顯示裝置具有生成在顯示器中顯示的數(shù)據(jù)和與顯示有關(guān)的數(shù)據(jù)的控制器1，該控制器1控制掃描驅(qū)動(dòng)器3和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4，掃描驅(qū)動(dòng)器3驅(qū)動(dòng)與包含在顯示面板2中的晶體管柵極連接的掃描線，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4驅(qū)動(dòng)與包含在顯示面板2中的晶體管源極或漏極連接的數(shù)據(jù)線。
控制器1進(jìn)行掃描線和數(shù)據(jù)線的驅(qū)動(dòng)定時(shí)的定時(shí)控制。
如圖2所示，顯示面板2對(duì)應(yīng)由掃描驅(qū)動(dòng)器3驅(qū)動(dòng)的多個(gè)掃描線Yn和由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4驅(qū)動(dòng)的多個(gè)數(shù)據(jù)線Xm垂直布線的交點(diǎn)，設(shè)置象素電路10如圖2所示，在與驅(qū)動(dòng)各數(shù)據(jù)線Xm的驅(qū)動(dòng)器4a的相反側(cè)的端部配置電源Vx，而在電源Vx與數(shù)據(jù)線Xm之間連接轉(zhuǎn)換晶體管12。轉(zhuǎn)換晶體管12是二極管連接的P型晶體管，通過(guò)驅(qū)動(dòng)器4a并根據(jù)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)信號(hào)輸出到數(shù)據(jù)線Xm的電流量設(shè)定轉(zhuǎn)換晶體管12的柵極電壓。
如圖3所示，象素電路10由作為電-光元件的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14、用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14的驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1、用于驅(qū)動(dòng)上述驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1的控制用晶體管Tr2和用于保持?jǐn)?shù)據(jù)線Xm的數(shù)據(jù)的電容元件C構(gòu)成。
在本實(shí)施例中，上述各晶體管Tr1和Tr2以及轉(zhuǎn)換晶體管12是TFT(薄膜晶體管Thin Film Transistor)，各象素電路10、數(shù)據(jù)線Xm、掃描線Yn和轉(zhuǎn)換晶體管12在絕緣襯底上一體形成。
驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1例如是p溝道型晶體管，驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1的一端連接電源Vdd，另一端連接有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14，有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14的另一端連接接地電位Vss。該驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1是轉(zhuǎn)換晶體管12和驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1構(gòu)成電流鏡象電路。
另一方面，控制用晶體管Tr2例如由n溝道型晶體管構(gòu)成，其一端連接數(shù)據(jù)線Xm，另一端連接驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1的柵極和電容元件C?？刂朴镁w管Tr2的柵極和掃描線Yn連接。
電容元件C的一端連接電源Vc。例如，該電源Vc設(shè)定成驅(qū)動(dòng)電源Vdd的電位或者接地電位Vss或者任意電位。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，控制用晶體管Tr2通過(guò)掃描線驅(qū)動(dòng)信號(hào)變成導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，根據(jù)數(shù)據(jù)線Xm的電位，向電容元件C充電，驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1通過(guò)該電荷變成導(dǎo)通狀態(tài)，將與向電容元件C充電的電荷量相對(duì)應(yīng)的電流量提供給有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14。
本實(shí)施例的數(shù)據(jù)線Xm、聲音系統(tǒng)19、轉(zhuǎn)換晶體管12、驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1、控制用晶體管Tr2、電源Vx和電源Vdd分別對(duì)應(yīng)于本發(fā)明范圍內(nèi)的導(dǎo)線及數(shù)據(jù)線、單元電路、晶體管或第1晶體管、第2晶體管或驅(qū)動(dòng)晶體管、開(kāi)關(guān)晶體管、第一電源、及第二電源。另外，在本發(fā)明中的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路包含在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4中。
通過(guò)任意設(shè)定轉(zhuǎn)換晶體管12和驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1的特性比或者電源Vdd的電位等可控制輸出道數(shù)據(jù)線Xm中的電流量。即，Vdd＝Vx時(shí)，如果將轉(zhuǎn)換晶體管12的增益系數(shù)設(shè)成比驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1的增益系數(shù)高，則可提高輸出到數(shù)據(jù)線Xm中的電流量，因此，可高速地向電容元件C充電。另一方面，如果將轉(zhuǎn)換晶體管12的增益系數(shù)設(shè)成比驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1的增益系數(shù)低，則可降低輸出到數(shù)據(jù)線Xm中的電流量，因此，可降低耗電。
例如，如果驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1的轉(zhuǎn)換晶體管12的特性比在象素區(qū)域2中是均一的，則對(duì)于輸出到數(shù)據(jù)線Xm中的電流量，將預(yù)定的電流量提供給有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14。其結(jié)果是，可均勻控制面板內(nèi)亮度，提高顯示品質(zhì)。
轉(zhuǎn)換晶體管12對(duì)與同一數(shù)據(jù)線連接的各象素電路10是公用的，各象素電路10的驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1和公用的轉(zhuǎn)換晶體管12沒(méi)有電流鏡象電路，因此，不需要給每個(gè)象素電路10設(shè)置轉(zhuǎn)換晶體管12，可減少構(gòu)成象素電路10的元件數(shù)。
在上述第1實(shí)施例中，對(duì)象素電路10中控制用晶體管Tr2由導(dǎo)電型為n型的n溝道晶體管構(gòu)成的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但不限于此，也可以由導(dǎo)電型為p型的p溝道晶體管構(gòu)成。
在上述第1實(shí)施例中，轉(zhuǎn)換晶體管12和驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1分別由p溝道型晶體管構(gòu)成。這里，轉(zhuǎn)換晶體管12和驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1的源極分別連接電源Vx、電源Vdd。轉(zhuǎn)換晶體管12和驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1的閾值電壓等于Vth時(shí)，如果電源Vx、電源Vdd的電壓值在Vth以上，則為使轉(zhuǎn)換晶體管12和驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1完全導(dǎo)通，可以把柵極電壓設(shè)定成兩個(gè)晶體管的漏極要采用的電壓值以下。所謂兩個(gè)晶體管的漏極要采用的電壓值即為接地電位Vss，因此，如果給兩個(gè)晶體管的柵極電壓施加相當(dāng)Vss的電壓值，則可變成完全導(dǎo)通的狀態(tài)。假設(shè)轉(zhuǎn)換晶體管12和驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1由n溝道型晶體管構(gòu)成時(shí)，為了完全導(dǎo)通兩個(gè)晶體管，需要施加Vx+Vth和Vdd+Vth作為柵極電壓。這意味著追加新電源，從而造成顯示裝置的成本增加。
在上述第1實(shí)施例中，掃描驅(qū)動(dòng)器3和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4可以由薄膜晶體管或硅基MOS晶體管中的任一個(gè)構(gòu)成。掃描驅(qū)動(dòng)器3和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4是薄膜晶體管時(shí)，這些驅(qū)動(dòng)器可一體形成在玻璃襯底等絕緣襯底上。掃描驅(qū)動(dòng)器3和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4由硅基MOS晶體管構(gòu)成時(shí)，這些晶體管通常是外加IC驅(qū)動(dòng)器，但可在絕緣襯底上再配置這些驅(qū)動(dòng)器。
接著，說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施例。
該第2實(shí)施例除了上述第1實(shí)施例中顯示區(qū)域2的構(gòu)成不同之外，和上述第1實(shí)施例是相同的，因此，相同的部件用相同的符號(hào)表示，詳細(xì)說(shuō)明從略。
如圖4所示，轉(zhuǎn)換晶體管12配置在各數(shù)據(jù)線Xm的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4側(cè)。
轉(zhuǎn)換晶體管12和上述第1實(shí)施例一樣與二極管連接，其柵極和漏極連接數(shù)據(jù)線Xm，源極連接電源VD。
根據(jù)通過(guò)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4輸出到各數(shù)據(jù)線Xm中的電流量設(shè)定轉(zhuǎn)換晶體管12的柵極電壓。根據(jù)該柵極電壓決定供給有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14的電流量。第2實(shí)施例的情況也可得到和上述第1實(shí)施例同樣的效果。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4可由薄膜晶體管構(gòu)成，也可由硅基的MOS晶體管構(gòu)成。轉(zhuǎn)換晶體管12可以是薄膜晶體管，也可以硅基的MOS晶體管。轉(zhuǎn)換晶體管12是硅基的MOS晶體管時(shí)，可以將轉(zhuǎn)換晶體管12和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4一體化作為IC驅(qū)動(dòng)器。轉(zhuǎn)換晶體管12是硅基的MOS晶體管時(shí)，可使每個(gè)轉(zhuǎn)換晶體管12的晶體管特性均勻化，因此，可更精密地控制供給有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14的電流量。
下面說(shuō)明第3實(shí)施例。
該第3實(shí)施例除了上述第1實(shí)施例中顯示區(qū)域2的構(gòu)成不同之外，和上述第1實(shí)施例是相同的，因此，相同的部件用相同的符號(hào)表示，詳細(xì)說(shuō)明從略。
在該第3實(shí)施例中，如圖5所示，象素區(qū)域2B是數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4設(shè)在電源Vx側(cè)，轉(zhuǎn)換晶體管12配置在和數(shù)據(jù)線Xm的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4相反的端部上。該轉(zhuǎn)換晶體管12是n溝道型晶體管。
第3實(shí)施例中的象素電路10A如圖6所示構(gòu)成。即，第3實(shí)施例中的驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1A由n溝道型晶體管構(gòu)成，有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14配置在電源Vdd和驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1A之間。驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1A的柵極和控制用晶體管Tr2的一端連接。
這時(shí)，電源Vc設(shè)為電源Vdd的電位或者接地電位Vss或者任意電位。
根據(jù)通過(guò)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4輸出到各數(shù)據(jù)線Xm中的與數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的電流量，設(shè)定轉(zhuǎn)換晶體管12的柵極電壓。將與該柵極電壓對(duì)應(yīng)的電荷量充到電容元件C中?；谠撾姾闪?，驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1A變成導(dǎo)通狀態(tài)，將電流供給有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14。
因此，這種情況可得到與上述第1實(shí)施例同樣的作用效果。
這種情況和上述第1實(shí)施例相同，掃描驅(qū)動(dòng)器3和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4可由薄膜晶體管構(gòu)成，也可由硅基的MOS晶體管構(gòu)成。
構(gòu)成象素電路10A的控制用晶體管Tr2可使用n溝道型或p溝道型任何一種類(lèi)型的晶體管。
下面說(shuō)明第4實(shí)施例。
該第4實(shí)施例除了上述第3實(shí)施例中顯示區(qū)域2的構(gòu)成不同之外，和上述第3實(shí)施例是相同的，因此，相同的部件用相同的符號(hào)表示，詳細(xì)說(shuō)明從略。
即，如圖7所示，該第4實(shí)施例中的象素區(qū)域2C是對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線Xm和掃描線Yn的交點(diǎn)來(lái)設(shè)置象素電路10A，轉(zhuǎn)換晶體管12設(shè)在各數(shù)據(jù)線Xm的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4側(cè)，和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4相鄰配置。
轉(zhuǎn)換晶體管12和上述第3實(shí)施例一樣是二極管連接。
驅(qū)動(dòng)掃描驅(qū)動(dòng)器3的掃描線Y1，根據(jù)通過(guò)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4輸出到數(shù)據(jù)線Xm中的與數(shù)據(jù)信號(hào)相對(duì)應(yīng)的電流量設(shè)定轉(zhuǎn)換晶體管12的柵極電壓，將與該柵極電壓對(duì)應(yīng)的電荷量充電到電容元件中?；谠摮潆婋姾闪浚?qū)動(dòng)用晶體管Tr1變成導(dǎo)通狀態(tài)，將電流供給有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14。
這種情況下，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4可由薄膜晶體管構(gòu)成，也可由硅基的MOS晶體管構(gòu)成，但有適于以比硅基的MOS晶體管更高的精度控制電流量的情況。
下面說(shuō)明第5實(shí)施例。
該第5實(shí)施例是使在上述第2實(shí)施例中輸出到數(shù)據(jù)線Xm中的電流量和供給象素電路10的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14的電流量之比變化。
將電流電壓變換電路5插在象素區(qū)域2A和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4之間。如圖8所示，該電流電壓變換電路5由漏極端與數(shù)據(jù)線Xm連接、驅(qū)動(dòng)電源VD與源極端連接的轉(zhuǎn)換晶體管12以及插在數(shù)據(jù)線Xm和漏極端的連接點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)器4a之間的電阻13構(gòu)成，電阻13和驅(qū)動(dòng)器4a之間的電位連接到轉(zhuǎn)換晶體管12的柵極上。
例如，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電源VD＝驅(qū)動(dòng)電源Vdd時(shí)，各象素電路10和電流電壓變換電路5可如圖9那樣表示。
上述轉(zhuǎn)換晶體管12的閾值電壓和驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1的閾值電壓相等，各晶體管分別在飽和區(qū)域內(nèi)動(dòng)作時(shí)，其間下式(1)～(3)成立。
式中，Idata是驅(qū)動(dòng)器4a的輸出電流量，β是表示晶體管的電流供給能力的系數(shù)(增益系數(shù))，VG1是電阻13和驅(qū)動(dòng)器4a之間的電位，VTH是轉(zhuǎn)換晶體管12和驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1的閾值電壓，IOEL是供給有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14的電流值，k是表示Idata和IOEL的電流比的常數(shù)，VG2是轉(zhuǎn)換晶體管12和電阻13之間的電位，R是電阻13的電阻值。
Idata＝(1/2)·β·(Vdd-VG1-VTH)2........(1)IOEL＝(1/2)·kβ·(Vdd-VG1-VTH)2........(2)VG2-VG1＝R·Idata...................................(3)從式(1)～(3)可得出式(4)。IOEL=0.5k·β·R2·Idata(Idata-1R2β)2----(4)]]>因此，從式(4)中，可將Idata和IOEL的關(guān)系設(shè)定成圖10的特性圖，因此，在圖10中，例如，用1/(2R2·β)≤Idata≤2/(R2·β)的話，可反向設(shè)定Idata的變化和IOEL的變化。
這時(shí)，掃描驅(qū)動(dòng)器3、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4和電流電壓變換電路5可由薄膜晶體管或硅基的MOS晶體管中的任何一種構(gòu)成，可將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4和電流電壓變換電路5一體形成。
下面，說(shuō)明本發(fā)明的第6實(shí)施例。
如圖11所示，該第6實(shí)施例是將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4和電流電壓變換電路5A插在電源Vx和象素區(qū)域2C之間。
上述象素區(qū)域2C是使象素電路10A對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線Xm和掃描線Yn的交點(diǎn)配置而構(gòu)成。
如圖11所示，上述電流電壓變換電路5A由n溝道型轉(zhuǎn)換晶體管12和電阻13構(gòu)成，轉(zhuǎn)換晶體管12的源極端連接電源Vs，漏極端連接數(shù)據(jù)線Xm。并且，將轉(zhuǎn)換晶體管12的柵極連接在數(shù)據(jù)線Xm和漏極端之間的連接點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)器4a之間。在數(shù)據(jù)線Xm的柵極的連接點(diǎn)和漏極的連接點(diǎn)之間插入電阻13。
因此，這種情況可具有和上述第5實(shí)施例同樣的動(dòng)作，得到和第5實(shí)施例同樣的作用效果。
下面，說(shuō)明本發(fā)明的第7實(shí)施例。
如圖12所示，該第7實(shí)施例是在象素區(qū)域2A和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4之間插入電流電壓變換電路5B。
上述象素區(qū)域2A由對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線Xm和掃描線Yn的交點(diǎn)配置的象素電路10構(gòu)成。
如圖12所示，電流電壓變換電路5B由p溝道型轉(zhuǎn)換晶體管12和電阻13構(gòu)成，轉(zhuǎn)換晶體管12的源極端和數(shù)據(jù)線Xm連接，在其漏極和驅(qū)動(dòng)電源VD之間插入電阻13。并且，將轉(zhuǎn)換晶體管12的柵極連接在數(shù)據(jù)線Xm的源極端的連接點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)器4a之間。
例如，當(dāng)電源VD＝驅(qū)動(dòng)電源Vdd時(shí)，各象素電路10和電流電壓變換電路5可如圖13那樣表示。
上述轉(zhuǎn)換晶體管12的閾值電壓和驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1的閾值電壓相等，各晶體管分別在飽和區(qū)域內(nèi)動(dòng)作時(shí)，其間下式(5)～(7)成立。
式中，Idata是驅(qū)動(dòng)器4a的輸出電流量，β是表示晶體管的電流供給能力的系數(shù)(增益系數(shù))，VS1是電阻13和驅(qū)動(dòng)器4a之間的電位，VTH是轉(zhuǎn)換晶體管12和驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1的閾值電壓，IOEL是供給有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14的電流值，k是表示Idata和IOEL的電流比的常數(shù)，R是電阻13的電阻值。
Idata＝(1/2)·β·(VS1-VG-VTH)2........(5)IOEL＝(1/2)·kβ·(Vdd-VG-VTH)2........(6)Vdd-VS1＝R·Idata..................................(7)從式(5)～(7)可得出式(8)。IOEL=0.5k·β·(R·Idata+2·Idataβ)2----(8)]]>因此，從式(8)中，可將Idata和IOEL的關(guān)系表示成圖14的特性圖。因此，可在Δidata和ΔIOEL之間建立非線性關(guān)系，可使ΔIOEL對(duì)輸出電流量Idata的變化的變化更大。
下面，說(shuō)明本發(fā)明的第8實(shí)施例。
如圖15所示，該第8實(shí)施例是在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4和象素區(qū)域2C之間插入電流電壓變換電路5C。
上述象素區(qū)域2C由對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線Xm和掃描線Yn的交點(diǎn)配置的象素電路10構(gòu)成。
如圖15所示，電流電壓變換電路5C由p溝道型轉(zhuǎn)換晶體管12和電阻13構(gòu)成，轉(zhuǎn)換晶體管12的源極端和數(shù)據(jù)線Xm連接，在其源極和電源Vs之間插入電阻13。并且，將轉(zhuǎn)換晶體管12的柵極連接在數(shù)據(jù)線Xm的源極端的轉(zhuǎn)換晶體管12的漏極端的連接點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)器4a之間。
因此，這種情況和上述第7實(shí)施例是相同的，驅(qū)動(dòng)器4a的輸出電流量由于流過(guò)象素電路10A的驅(qū)動(dòng)用晶體管Tr1的電流量變大，可得到和第7實(shí)施例同樣的作用效果。
在上述第5至第8實(shí)施例中，電流電壓變換電路5可由薄膜晶體管構(gòu)成，也可由硅基的MOS晶體管構(gòu)成?？梢惑w形成數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4和電流電壓變換電路5。
下面，說(shuō)明本發(fā)明的第9實(shí)施例。
該第9實(shí)施例是本發(fā)明涉及的電-光裝置適用于彩色顯示器的情況。此外，在該第9實(shí)施例中，除了上述第1實(shí)施例中的象素區(qū)域2的構(gòu)成不同之外均與上述第1實(shí)施例相同，相同的部件用相同的符號(hào)表示，詳細(xì)說(shuō)明從略。
圖16示出了第9實(shí)施例中顯示裝置的主要部件的概略構(gòu)成。如圖16所示，象素區(qū)域2D是沿掃描線Yn按順序反復(fù)設(shè)置紅、綠色和藍(lán)色用象素電路10R、10G、10B，紅、綠色和藍(lán)色用象素電路10R、10G、10B具有由發(fā)紅、綠色和藍(lán)色光的有機(jī)材料構(gòu)成的發(fā)光層的各色用有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14R、14G、14B。上述象素區(qū)域2D是沿?cái)?shù)據(jù)線Xm分別設(shè)置同色的象素電路10R、10G、10B?？傊t色用象素電路10R和數(shù)據(jù)線X1、X4、X7，……連接。綠色用象素電路10G和數(shù)據(jù)線X2、X5、X8，……連接。藍(lán)色用象素電路10B和藍(lán)色用數(shù)據(jù)線X3、X6、X9，……連接。
與紅色用象素電路10R連接的上述數(shù)據(jù)線X1、X4、X7，……同紅色用轉(zhuǎn)換晶體管12R連接。將紅色用轉(zhuǎn)換晶體管12R的增益系數(shù)設(shè)置成生成作為上述紅色用有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14R發(fā)光的驅(qū)動(dòng)范圍的電流范圍。紅色用轉(zhuǎn)換晶體管12R連接到供給用于驅(qū)動(dòng)該紅色用轉(zhuǎn)換晶體管12R的電壓的紅色用電源VxR上。和各紅色用象素電路10R連接的上述數(shù)據(jù)線X1、X4、X7，……配置在和上述紅色用電源VxR相反側(cè)的端部上，分別與驅(qū)動(dòng)該數(shù)據(jù)線X1、X4、X7，……的紅色用驅(qū)動(dòng)器4aR連接。即，將上述數(shù)據(jù)線X1、X4、X7，……配置在紅色用驅(qū)動(dòng)器4aR和紅色用轉(zhuǎn)換晶體管12R之間。
與綠色用象素電路10G連接的上述數(shù)據(jù)線X2、X5、X8，……同綠色用轉(zhuǎn)換晶體管12G連接。將綠色用轉(zhuǎn)換晶體管12G的增益系數(shù)設(shè)置成生成作為上述綠色用有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14G發(fā)光的驅(qū)動(dòng)范圍的電流范圍。綠色用轉(zhuǎn)換晶體管12G連接到供給用于驅(qū)動(dòng)該綠色用轉(zhuǎn)換晶體管12G的電壓的綠色用電源VxG上。和各綠色用象素電路10G連接的上述數(shù)據(jù)線X2、X5、X8，……配置在和上述綠色用電源VxG相反側(cè)的端部上，分別與驅(qū)動(dòng)該數(shù)據(jù)線X2、X5、X8，……的綠色用驅(qū)動(dòng)器4aG連接。即，將上述數(shù)據(jù)線X2、X5、X8，……配置在綠色用驅(qū)動(dòng)器4aG和綠色用轉(zhuǎn)換晶體管12G之間。
與藍(lán)色用象素電路10B連接的上述數(shù)據(jù)線X3、X6、X9，……同藍(lán)色用轉(zhuǎn)換晶體管12B連接。將藍(lán)色用轉(zhuǎn)換晶體管12B的增益系數(shù)設(shè)置成生成作為上述藍(lán)色用有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14B發(fā)光的驅(qū)動(dòng)范圍的電流范圍。藍(lán)色用轉(zhuǎn)換晶體管12B連接到供給用于驅(qū)動(dòng)該藍(lán)色用轉(zhuǎn)換晶體管12B的電壓的藍(lán)色用電源VxB上。和各藍(lán)色用象素電路10B連接的上述數(shù)據(jù)線X3、X6、X9，……配置在和上述藍(lán)色用電源VxB相反側(cè)的端部上，分別與驅(qū)動(dòng)該數(shù)據(jù)線X3、X6、X9，……的藍(lán)色用驅(qū)動(dòng)器4aB連接。即，將上述數(shù)據(jù)線X3、X6、X9，……配置在藍(lán)色用驅(qū)動(dòng)器4aB和藍(lán)色用轉(zhuǎn)換晶體管12B之間。
此外，上述紅、綠和藍(lán)色用轉(zhuǎn)換晶體管12R、12G、12B分別是p溝道型晶體管。
在具有上述構(gòu)成的象素區(qū)域2D電-光裝置中，提供分別調(diào)整上述各色用轉(zhuǎn)換晶體管12R、12G、12B的增益系數(shù)，可調(diào)整使各色用有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14R、14G、14B發(fā)光的電流范圍。
因此，各色用驅(qū)動(dòng)器4aR、4aG、4aB不需要配合各色用有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件14R、14G、14B的特性分別形成特性不同的電路，可由完全相同的電路構(gòu)成。這里，對(duì)于圖15中的轉(zhuǎn)換晶體管12R、12G、12B的配置位置，不限于本實(shí)施例所示的位置，例如可適用第2～第8實(shí)施例所示的配置。
在上述各實(shí)施例中，掃描驅(qū)動(dòng)器3和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器4可由薄膜晶體管構(gòu)成，也可由硅基的MOS晶體管構(gòu)成。
在上述各實(shí)施例中，對(duì)適用于將象素電路10或10A配置成矩陣狀的顯示裝置進(jìn)行了說(shuō)明，但也適用于配置成其它形狀的情況。
在上述各實(shí)施例中，對(duì)適用有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但不限于此，例如本發(fā)明所述的電路構(gòu)成也是適用于配備由發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)、FE(Fiedl emission)元件等電流驅(qū)動(dòng)發(fā)光的元件的電子裝置。除此之外，本發(fā)明所述的電路構(gòu)成還適用于具有磁阻RAM(Magnetoresistive RAM)等非發(fā)光型電流驅(qū)動(dòng)元件的電子裝置。
例如如圖17所示，磁阻RAM由在強(qiáng)磁性金屬層構(gòu)成的2個(gè)電極21和22之間插入由絕緣體構(gòu)成的阻擋層23來(lái)構(gòu)成。在上述電極21和22之間，通過(guò)上述阻擋層23流過(guò)隧道電流時(shí)，利用該隧道電流的大小根據(jù)上下強(qiáng)磁性金屬的磁化方向而變化的特點(diǎn)，進(jìn)行記憶。此外，將其中一個(gè)電極22作為參考層固定其磁化方向，將另一個(gè)電極21作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層。在寫(xiě)入電極24中流過(guò)電流，通過(guò)由此產(chǎn)生的磁場(chǎng)，改變作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)層的電極21的磁化方向來(lái)進(jìn)行信息的存儲(chǔ)。在讀出存儲(chǔ)信息的情況下，在寫(xiě)入電極24中流過(guò)反方向的電流，電氣讀出此時(shí)隧道電阻的變化。
作為上述有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置，例如，可適用于移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī)、便攜電話、數(shù)字靜物照相機(jī)等。
圖18示出了移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)的斜視圖。
圖18中，個(gè)人計(jì)算機(jī)100由具有鍵盤(pán)102的主體104、由適用上述電-光裝置的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置構(gòu)成的顯示單元106構(gòu)成。
圖19是便攜電話的斜視圖。在圖19中，便攜電話200除了具有多個(gè)操作按鈕202之外，還具有受話器耳承204、送話器口承206，由適用上述電-光裝置的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置構(gòu)成的顯示面板208。
圖20示出了數(shù)字照相機(jī)300的結(jié)構(gòu)的斜視圖。簡(jiǎn)要示出了和外部裝置的連接。
與普通照相機(jī)是根據(jù)景物的光像來(lái)感光膠片相對(duì)照，數(shù)字照相機(jī)300通過(guò)CCD(電荷耦合器件)等攝像元件對(duì)靜物的光像進(jìn)行光電變化來(lái)生成攝像信號(hào)。這里，在數(shù)字照相機(jī)300的機(jī)殼302的背面上設(shè)置由適用上述電-光裝置的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光裝置構(gòu)成的顯示面板304，基于CCD產(chǎn)生的攝像信號(hào)，進(jìn)行顯示。因此，顯示面板304具有精細(xì)顯示靜物的功能。在機(jī)殼302的觀察側(cè)(圖中的里面?zhèn)?上，設(shè)置包含光學(xué)鏡頭和CCD等的受光元件306。
這里，攝像者確認(rèn)顯示在顯示面板304上的景象，按下快門(mén)308時(shí)，此刻CCD的攝像信號(hào)被傳送存儲(chǔ)在電路板310的存儲(chǔ)器上。在數(shù)字照相機(jī)300中，在機(jī)殼302的側(cè)面上設(shè)置視頻信號(hào)輸出端子312和數(shù)據(jù)通信用輸入輸出端子314。如圖所示，根據(jù)需要將電視監(jiān)視器430連接到前者視頻信號(hào)輸出端子312上，將個(gè)人計(jì)算機(jī)440連接到后者的數(shù)據(jù)通信用輸入輸出端子314上。通過(guò)預(yù)定的操作，存儲(chǔ)在電路板310的存儲(chǔ)器中的攝像信號(hào)輸出到電視監(jiān)視器430和個(gè)人計(jì)算機(jī)440中。
作為電子設(shè)備，除了圖18的個(gè)人計(jì)算機(jī)、圖19的便攜電話、圖20的數(shù)字照相機(jī)之外，還可舉出配備電視、取景器型和監(jiān)視器直視型的視頻型記錄器、汽車(chē)導(dǎo)航裝置、傳呼機(jī)、電子手帳、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、文字處理器、工作站、電視電話、POS終端、觸屏等的設(shè)備。由上述電-光裝置構(gòu)成的顯示裝置有自然可以作為這些各種電子設(shè)備上的顯示部件。
根據(jù)上述的發(fā)明，可通過(guò)電流驅(qū)動(dòng)進(jìn)行高精度的電-光元件的驅(qū)動(dòng)控制并減少構(gòu)成元件數(shù)。
權(quán)利要求
1.一種電子裝置，其特征在于，具有導(dǎo)線、與該導(dǎo)線連接的多個(gè)單元電路和與所述導(dǎo)線連接且根據(jù)在該導(dǎo)線中流動(dòng)的電流的電流量設(shè)定柵極電壓的晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述晶體管的柵極與該晶體管的源極端或漏極端連接。
3.一種電子裝置，其特征在于，具有導(dǎo)線、與該導(dǎo)線連接的多個(gè)單元電路和與所述導(dǎo)線連接且根據(jù)在該導(dǎo)線中流動(dòng)的電流的電流量設(shè)定柵極電壓的第一晶體管，其特征在于，所述單元電路具有與上述第一晶體管一起構(gòu)成電流鏡象電路的第二晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子裝置，其特征在于，上述第一晶體管的柵極和該第一晶體管的源極端或漏極端連接。
5.一種電子裝置，其特征在于，具有導(dǎo)線、與該導(dǎo)線連接的多個(gè)單元電路和與所述導(dǎo)線連接且根據(jù)在該導(dǎo)線中流動(dòng)的電流的電流量設(shè)定柵極電壓的第一晶體管，其特征在于，所述單元電路的導(dǎo)電型為p型，具有與上述第一晶體管一起構(gòu)成電流鏡象電路的第二晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子裝置，其特征在于，上述第一晶體管的柵極和該第一晶體管的源極端或漏極端連接。
7.一種電子裝置，具有導(dǎo)線、與該導(dǎo)線連接的多個(gè)單元電路和與所述導(dǎo)線連接且根據(jù)在該導(dǎo)線中流動(dòng)的電流的電流量設(shè)定柵極電壓的第一晶體管，其特征在于，所述單元電路具有與上述第一晶體管一起構(gòu)成電流鏡象電路的第二晶體管，上述第二晶體管的增益系數(shù)設(shè)置成生成的電流量比在上述導(dǎo)線中流動(dòng)的電流的電流量大。
8.一種電子裝置，具有導(dǎo)線、與該導(dǎo)線連接的多個(gè)單元電路和與所述導(dǎo)線連接且根據(jù)在該導(dǎo)線中流動(dòng)的電流的電流量設(shè)定柵極電壓的第一晶體管，其特征在于，所述單元電路具有與上述第一晶體管一起構(gòu)成電流鏡象電路的第二晶體管，上述第二晶體管的增益系數(shù)設(shè)置成生成的電流量比在上述導(dǎo)線中流動(dòng)的電流的電流量小。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的電子裝置，上述第一晶體管的柵極和該第一晶體管的源極端或漏極端連接。
10.一種電-光裝置，其特征在于，具有數(shù)據(jù)線；具有電-光元件且與上述數(shù)據(jù)線連接的多個(gè)單元電路；和與上述數(shù)據(jù)線連接，根據(jù)在該數(shù)據(jù)線中流動(dòng)的電流的電流量設(shè)定柵極電壓的晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電-光裝置，其特征在于，還具有掃描線，上述多個(gè)單元電路分別具有與上述電-光元件電連接的驅(qū)動(dòng)晶體管和柵極連接到上述掃描線的開(kāi)關(guān)晶體管，數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)上述數(shù)據(jù)線提供給上述多個(gè)單元電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電-光裝置，其特征在于，上述開(kāi)關(guān)晶體管的源極端或漏極端連接上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)信號(hào)是具有由數(shù)模轉(zhuǎn)換電路生成的模擬量的電流。
14.根據(jù)權(quán)利要求11-13中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述晶體管和上述驅(qū)動(dòng)晶體管構(gòu)成電流鏡象電路。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的電-光裝置，其特征在于，將連接上述數(shù)據(jù)線的第一電源的電壓值和通過(guò)上述驅(qū)動(dòng)晶體管與上述電-光元件連接的第二電源的電壓值設(shè)定成規(guī)定比率。
16.根據(jù)權(quán)利要求13-15中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述晶體管配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述數(shù)據(jù)線之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求13-15中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述晶體管之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的電-光裝置，其特征在于，上述晶體管、上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述數(shù)據(jù)線形成在同一基體上。
19.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線和上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路形成在同一基體上。
20.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線和上述晶體管形成在同一基體上。
21.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述晶體管形成在同一基體上。
22.根據(jù)權(quán)利要求11-21中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述晶體管和包含在上述單元電路中的晶體管由薄膜晶體管構(gòu)成。
23.根據(jù)權(quán)利要求10-21中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述晶體管由硅基的MOS晶體管構(gòu)成。
24.根據(jù)權(quán)利要求10-23中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，流過(guò)用于設(shè)定供給上述電-光元件的電流量的上述數(shù)據(jù)線的電流量在供給上述電-光元件的電流量以上。
25.根據(jù)權(quán)利要求10-23中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，用于設(shè)定供給上述電-光元件的電流量的流過(guò)上述數(shù)據(jù)線的電流量為供給上述電-光元件的電流量以下。
26.一種電-光裝置，其特征在于，具有數(shù)據(jù)線，與上述數(shù)據(jù)線連接、根據(jù)在該數(shù)據(jù)線中流動(dòng)的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流量設(shè)定柵極電壓的轉(zhuǎn)換晶體管，和具有電-光元件和與該電-光元件電連接且其導(dǎo)電型是p型的驅(qū)動(dòng)晶體管的單元電路。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的電-光裝置，其特征在于，還具有掃描線，上述多個(gè)單元電路分別具有柵極連接到上述掃描線的開(kāi)關(guān)晶體管，通過(guò)上述數(shù)據(jù)線將數(shù)據(jù)信號(hào)提供給上述各單元電路。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的電-光裝置，其特征在于，上述開(kāi)關(guān)晶體管的源極端或漏極端連接上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。
29.根據(jù)權(quán)利要求26-28中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)信號(hào)是具有由數(shù)模轉(zhuǎn)換電路生成的模擬量的電流。
30.根據(jù)權(quán)利要求26-29中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換晶體管和上述驅(qū)動(dòng)晶體管構(gòu)成電流鏡象電路。
31.根據(jù)權(quán)利要求29或30所述的電-光裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換晶體管配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述數(shù)據(jù)線之間。
32.根據(jù)權(quán)利要求29或30所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述轉(zhuǎn)換晶體管之間。
33.根據(jù)權(quán)利要求29-32中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換晶體管、上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述數(shù)據(jù)線形成在同一基體上。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線和上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路形成在同一基體上。
35.根據(jù)權(quán)利要求31或32所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線和上述轉(zhuǎn)換晶體管形成在同一基體上。
36.根據(jù)權(quán)利要求31所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述轉(zhuǎn)換晶體管形成在同一基體上。
37.根據(jù)權(quán)利要求27-36中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換晶體管和包含在上述單元電路中的上述開(kāi)關(guān)晶體管以及上述驅(qū)動(dòng)晶體管由薄膜晶體管構(gòu)成。
38.根據(jù)權(quán)利要求26-36中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換晶體管由硅基的MOS晶體管構(gòu)成。
39.一種電-光裝置，其特征在于，具有數(shù)據(jù)線；與上述數(shù)據(jù)線連接，根據(jù)在該數(shù)據(jù)線中流動(dòng)的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流量設(shè)定柵極電壓的轉(zhuǎn)換晶體管；驅(qū)動(dòng)晶體管，該驅(qū)動(dòng)晶體管設(shè)定其增益系數(shù)，以便和上述轉(zhuǎn)換晶體管構(gòu)成電流鏡象電路，生成比在上述數(shù)據(jù)線中流動(dòng)的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流量大的電流量；和具有與上述驅(qū)動(dòng)晶體管電連接的電-光元件的單元電路。
40.一種電-光裝置，其特征在于，具有數(shù)據(jù)線；與上述數(shù)據(jù)線連接，根據(jù)在該數(shù)據(jù)線中流動(dòng)的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流量設(shè)定柵極電壓的轉(zhuǎn)換晶體管；和驅(qū)動(dòng)晶體管，設(shè)定其增益系數(shù)，以便和上述轉(zhuǎn)換晶體管構(gòu)成電流鏡象電路，生成比在上述數(shù)據(jù)線中流動(dòng)的的數(shù)據(jù)信號(hào)電流量小的電流量；具有與上述驅(qū)動(dòng)晶體管電連接的電-光元件的單元電路。
41.根據(jù)權(quán)利要求39或40所述的電-光裝置，還具有掃描線，上述多個(gè)單元電路分別具有柵極連接到上述掃描線的開(kāi)關(guān)晶體管，數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)上述掃描線供給上述多個(gè)單元電路。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的電-光裝置，其特征在于，上述開(kāi)關(guān)晶體管的源極端或漏極端連接到上述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極。
43.根據(jù)權(quán)利要求39-42中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)信號(hào)是具有由數(shù)模轉(zhuǎn)換電路生成的模擬量的電流。
44.根據(jù)權(quán)利要求39-43中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換晶體管和上述驅(qū)動(dòng)晶體管構(gòu)成電流鏡象電路。
45.根據(jù)權(quán)利要求43或44所述的電-光裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換晶體管配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述數(shù)據(jù)線之間。
46.根據(jù)權(quán)利要求43或44所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述轉(zhuǎn)換晶體管之間。
47.根據(jù)權(quán)利要求43-46中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換晶體管和上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路以及上述數(shù)據(jù)線形成在同一基體上。
48.根據(jù)權(quán)利要求46所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線和上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路形成在同一基體上。
49.根據(jù)權(quán)利要求45或46所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線和上述轉(zhuǎn)換晶體管形成在同一基體上。
50.根據(jù)權(quán)利要求45所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述轉(zhuǎn)換晶體管形成在同一基體上。
51.根據(jù)權(quán)利要求41-50中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換晶體管和包含在上述單元電路中的上述開(kāi)關(guān)晶體管及上述驅(qū)動(dòng)晶體管由薄膜晶體管構(gòu)成。
52.根據(jù)權(quán)利要求39-50中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換晶體管由硅基MOS晶體管構(gòu)成。
53.一種電-光裝置，具有提供數(shù)據(jù)信號(hào)的多條數(shù)據(jù)線；多個(gè)單元電路，對(duì)上述數(shù)據(jù)信號(hào)的電流量分別配備驅(qū)動(dòng)范圍不同的電-光元件，其特征在于，具有與上述數(shù)據(jù)連接，具有與上述電-光元件的驅(qū)動(dòng)范圍相對(duì)應(yīng)的增益系數(shù)的轉(zhuǎn)換晶體管；分別設(shè)置在上述單元電路中，與上述轉(zhuǎn)換晶體管一起構(gòu)成電流鏡象電路的驅(qū)動(dòng)晶體管。
54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的電-光裝置，其特征在于，上述電-光元件是具有分別由發(fā)紅、綠和藍(lán)光的有機(jī)材料形成的發(fā)光層的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件。
55.根據(jù)權(quán)利要求53或54所述的電-光裝置，其特征在于，還具有掃描線，上述多個(gè)單元電路分別具有柵極連接到上述掃描線的開(kāi)關(guān)晶體管。
56.根據(jù)權(quán)利要求53-55中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)信號(hào)是具有由數(shù)模轉(zhuǎn)換電路生成的模擬量的電流。
57.根據(jù)權(quán)利要求53-56中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換晶體管配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述數(shù)據(jù)線之間。
58.根據(jù)權(quán)利要求53-56中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線配置在上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述轉(zhuǎn)換晶體管之間。
59.根據(jù)權(quán)利要求53-58中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換晶體管和上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路以及上述數(shù)據(jù)線形成在同一基體上。
60.根據(jù)權(quán)利要求56-58中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線和上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路形成在同一基體上。
61.根據(jù)權(quán)利要求56-58中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)線和上述轉(zhuǎn)換晶體管形成在同一基體上。
62.根據(jù)權(quán)利要求56或57所述的電-光裝置，其特征在于，上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和上述轉(zhuǎn)換晶體管形成在同一基體上。
63.根據(jù)權(quán)利要求55-62中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換晶體管和包含在上述單元電路中的上述開(kāi)關(guān)晶體管及上述驅(qū)動(dòng)晶體管由薄膜晶體管構(gòu)成。
64.根據(jù)權(quán)利要求53-63中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述轉(zhuǎn)換晶體管由硅基MOS晶體管構(gòu)成。
65.根據(jù)權(quán)利要求10-53中任一項(xiàng)所述的電-光裝置，其特征在于，上述電-光元件是有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件。
66.一種電子設(shè)備，其特征在于，利用權(quán)利要求10-65中任一項(xiàng)所述的電-光裝置作為顯示部件。
全文摘要
一種電子裝置或電－光裝置，在驅(qū)動(dòng)電源Vx和驅(qū)動(dòng)器(4a)之間連接象素電路(10)，在驅(qū)動(dòng)電源Vx和象素電路(10)之間插入由二極管連接的晶體管構(gòu)成的轉(zhuǎn)換晶體管(12)。利用轉(zhuǎn)換晶體管(12)作為個(gè)象素電路(10)中的公用晶體管，各象素電路由和上述轉(zhuǎn)換晶體管(12)構(gòu)成電流鏡象電路的驅(qū)動(dòng)用晶體管、通過(guò)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(4)使轉(zhuǎn)換晶體管(12)和驅(qū)動(dòng)用晶體管的連接導(dǎo)通的控制用晶體管、以及保持通過(guò)控制用晶體管施加到驅(qū)動(dòng)用晶體管的柵極上的電壓的電容元件構(gòu)成，通過(guò)驅(qū)動(dòng)用晶體管將與電容元件的保持電壓相對(duì)應(yīng)的電流供給有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件。這種裝置可實(shí)現(xiàn)更高精度地進(jìn)行由電流驅(qū)動(dòng)的電－光元件的驅(qū)動(dòng)控制并減少構(gòu)成元件數(shù)。
文檔編號(hào)G09G3/32GK1402214SQ021429
公開(kāi)日2003年3月12日 申請(qǐng)日期2002年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月2日
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