專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示器的驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有電流驅(qū)動(dòng)電路的顯示器，且特別是關(guān)于一種非晶硅薄膜晶體管的電流驅(qū)動(dòng)電路的顯示器。
由于上述的問(wèn)題，而使得研究人員著手開(kāi)發(fā)所謂的平板顯示器(Flat Panel Display)。這個(gè)領(lǐng)域包含液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱(chēng)LCD)、場(chǎng)發(fā)射顯示器(Field Emission Display，簡(jiǎn)稱(chēng)FED)、真空熒光數(shù)碼顯示器(Vacuum Fluorescent Display，簡(jiǎn)稱(chēng)VFD)、有機(jī)光發(fā)射二極管(Organic Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱(chēng)OLED)、以及等離子體顯示板(Plasma Display Panel，簡(jiǎn)稱(chēng)PDP)。
其中，有機(jī)光發(fā)射二極管又稱(chēng)為有機(jī)物電致發(fā)光顯示器(OrganicElectroluminescence Display)，其為自發(fā)光性的元件，且為點(diǎn)矩陣式顯示器。因?yàn)镺LED的特性為直流低電壓驅(qū)動(dòng)、高亮度、高效率、高對(duì)比值、以及輕薄，并且其發(fā)光色澤由紅(Red，簡(jiǎn)稱(chēng)R)、綠(Green，簡(jiǎn)稱(chēng)G)、以及藍(lán)(Blue，簡(jiǎn)稱(chēng)B)三原色至白色的自由度高，因此OLED被喻為下一是世代的新型平面面板的發(fā)展重點(diǎn)。OLED技術(shù)除了兼具LCD的輕薄與高分辨率，以及LED的主動(dòng)發(fā)光、響應(yīng)速度快與省電冷光源等優(yōu)點(diǎn)外，還有視角廣、色彩對(duì)比效果好及成本低等多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。因此，OLED可廣泛應(yīng)用于移動(dòng)電話(huà)、數(shù)字相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)乃至于更大面積的顯示器。
從驅(qū)動(dòng)方式的觀點(diǎn)來(lái)看，OLED可分為被動(dòng)矩陣(Passive Matrix)驅(qū)動(dòng)方式及主動(dòng)矩陣(Active Matrix)驅(qū)動(dòng)方式兩大種類(lèi)。被動(dòng)矩陣式OLED的優(yōu)點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單且不需要使用薄膜晶體管(Thin FilmTransistor，簡(jiǎn)稱(chēng)TFT)驅(qū)動(dòng)，因而成本較低，但其缺點(diǎn)為不適用于高分辨率畫(huà)質(zhì)的應(yīng)用，而且在朝向大尺寸面板發(fā)展時(shí)，會(huì)產(chǎn)生耗電量增加、元件壽命降低、以及顯示性能不佳等問(wèn)題。而主動(dòng)矩陣式OLED的優(yōu)點(diǎn)除了可應(yīng)用在大尺寸的主動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)方式的需求外，其視角廣、高亮度、以及響應(yīng)速度快的特性也是不可忽視的，但是其成本會(huì)比被動(dòng)矩陣式OLED略高。
對(duì)于主動(dòng)矩陣式OLED而言，其驅(qū)動(dòng)像素(Pixel)的方式通常采用電流驅(qū)動(dòng)的方式。目前主動(dòng)矩陣式OLED的電流驅(qū)動(dòng)方式，通常需要結(jié)合低溫多晶硅(Low Temperature Poli-Silicon，簡(jiǎn)稱(chēng)LTPS)TFT的生產(chǎn)技術(shù)，因此大都是使用p型TFT或是p型TFT加上n型TFT所構(gòu)成。這是因?yàn)榈蜏囟嗑Ч鑄FT具有較高的電子與空穴移動(dòng)率的特性，以及提供p信道元件的特性，因此能產(chǎn)生比非晶硅(Amorphous Silicon，簡(jiǎn)稱(chēng)α-Si)TFT大的驅(qū)動(dòng)電流。對(duì)于非晶硅而言，并無(wú)法制作出適當(dāng)?shù)膒型信道TFT，所以目前像素的電流驅(qū)動(dòng)方式，并不適用于α-Si TFT的使用。再者，在目前的電流驅(qū)動(dòng)電路中，驅(qū)動(dòng)電流與數(shù)據(jù)電流大都相等，所以對(duì)于特性不同的R、G、以及B三種像素而言，必須利用驅(qū)動(dòng)集成電路(Integrated Circuit，簡(jiǎn)稱(chēng)IC)給予不同的數(shù)據(jù)電流，以補(bǔ)償R、G、以及B三種像素特性不同的效應(yīng)。
為達(dá)成上述及其它目的，本發(fā)明提出一種顯示器的驅(qū)動(dòng)電路。此顯示器包括多個(gè)像素，每一個(gè)像素包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、電容、以及發(fā)光元件。其中，第一晶體管具有第一漏極、第一柵極、以及第一源極，其中第一漏極耦接至一數(shù)據(jù)信號(hào)電極，此數(shù)據(jù)信號(hào)電極輸出一數(shù)據(jù)電流，而第一柵極耦接至掃描線(xiàn)。第二晶體管具有第二漏極、第二柵極、以及第二源極，其中第二漏極耦接至第一源極，而第二柵極耦接至掃描線(xiàn)及第一柵極。第三晶體管具有第三漏極、第三柵極、以及第三源極，其中第三漏極耦接至第一源極及第二漏極，而第三柵極耦接至第二源極。第四晶體管，具有第四漏極、第四柵極、以及第四源極，其中第四漏極耦接至一輸出正電壓(VDD)的電源供應(yīng)器，第四柵極耦接至第二源極及該第三柵極，而第四源極耦接至該第三源極。電容具有第一端及第二端，其中第一端耦接至第二源極、第三柵極、以及第四柵極，而第二端耦接至第三源極及第四源極。而發(fā)光元件具有正極及負(fù)極，其中正極耦接至第三源極、第四源極、以及第二端，而負(fù)極耦接至接地端。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，通過(guò)調(diào)整第三晶體管的信道寬度/信道長(zhǎng)度比，以及第四晶體管的信道寬度/信道長(zhǎng)度比，可以使流經(jīng)第四晶體管的驅(qū)動(dòng)電流不同于數(shù)據(jù)電流。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，發(fā)光元件為有機(jī)光發(fā)射二極管或?yàn)楦叻肿影l(fā)光二極管。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、以及第四晶體管可均為n型非晶硅薄膜晶體管(α-Si TFT)。
本發(fā)明另外還提出一種顯示器的驅(qū)動(dòng)電路。此顯示器包括多個(gè)像素，每一個(gè)像素包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、電容、以及發(fā)光元件。其中，第一晶體管具有第一漏極、第一柵極、以及第一源極，其中第一漏極耦接至一數(shù)據(jù)信號(hào)電極，此數(shù)據(jù)信號(hào)電極輸出一數(shù)據(jù)電流，而第一柵極耦接至掃描線(xiàn)。第二晶體管具有第二漏極、第二柵極、以及第二源極，其中第二漏極耦接至數(shù)據(jù)電流及第一漏極，而第二柵極耦接至掃描線(xiàn)及第一柵極。第三晶體管具有第三漏極、第三柵極、以及第三源極，其中第三漏極耦接至第一源極，而第三柵極耦接至第二源極。第四晶體管具有第四漏極、第四柵極、以及第四源極，其中第四漏極耦接至一輸出正電壓(VDD)的電源供應(yīng)器，第四柵極耦接至第二源極及第三柵極，而第四源極耦接至第三源極。電容具有第一端及第二端，其中第一端耦接至第二源極、第三柵極、以及第四柵極，而第二端耦接至第三源極及第四源極。而發(fā)光元件具有正極及負(fù)極，其中正極耦接至第三源極、第四源極、以及第二端，而負(fù)極耦接至接地端。
綜上所述，本發(fā)明可以使電流驅(qū)動(dòng)像素的方式，通過(guò)的α-Si TFT來(lái)完成，而不需使用LTPS TFT。并且可通過(guò)調(diào)整像素本身的TFT的信道寬度/信道長(zhǎng)度比，來(lái)補(bǔ)償R、G、以及B三種像素特性不同的效應(yīng)，而不需使用驅(qū)動(dòng)IC給予不同的數(shù)據(jù)電流。
圖中符號(hào)說(shuō)明10、20、30像素11數(shù)據(jù)信號(hào)電極12掃描信號(hào)電極13數(shù)據(jù)線(xiàn)14掃描線(xiàn)202、204、206、208、302、304、306、308晶體管210，310電容212，312有機(jī)光發(fā)射二極管(OLED)
根據(jù)本發(fā)明一較佳實(shí)施例的顯示器的驅(qū)動(dòng)電路中的每一個(gè)像素20的電路圖，請(qǐng)參照?qǐng)D2所繪示。像素20包括晶體管T1(202)、晶體管T2(204)、晶體管T3(206)、晶體管T4(208)、電容C(210)、以及OLED(212)，其中晶體管T1(202)、晶體管T2(204)、晶體管T3(206)、以及晶體管T4(208)均為n型的α-Si TFT。底下將敘述像素20的結(jié)構(gòu)。
晶體管T1(202)、T2(204)、T3(206)與T4(208)均為三端元件，分別具有一漏極、一柵極、以及一源極。電容C(210)具有第一端及第二端。而OLED(212)具有正極及負(fù)極。其中，晶體管T1(202)的漏極會(huì)耦接至數(shù)據(jù)信號(hào)電極，而數(shù)據(jù)信號(hào)電極會(huì)輸送一數(shù)據(jù)電流。晶體管T1(202)的柵極及晶體管T2(204)的柵極會(huì)耦接至掃描線(xiàn)。晶體管T1(202)的源極會(huì)耦接至晶體管T2(204)的漏極及晶體管T3(206)的漏極。晶體管T2(204)的源極會(huì)耦接到晶體管T3(206)的柵極、晶體管T4(208)的柵極、以及電容C(210)的第一端。晶體管T3(206)的源極會(huì)耦接到晶體管T4(208)的源極、電容C(210)的第二端、以及OLED(212)的正極。晶體管T4(208)的漏極會(huì)耦接至一輸出正電壓(VDD)的電源供應(yīng)器。而OLED(212)的負(fù)極會(huì)耦接到接地端。
接下來(lái)將敘述像素20的運(yùn)行情形。在本實(shí)施例中，假設(shè)數(shù)據(jù)電流為1μ安培，而晶體管T3(206)及晶體管T4(208)具有相同的臨界電壓(Threshold Voltage)。當(dāng)掃描線(xiàn)設(shè)定在高電位時(shí)，會(huì)使晶體管T1(202)的柵極與源極之間的電壓(Vgs1)大于晶體管T1(202)的臨界電壓，以及會(huì)使晶體管T2(204)的柵極與源極之間的電壓(Vgs2)大于晶體管T2(204)的臨界電壓，而分別使晶體管T1(202)及晶體管T2(204)導(dǎo)通。此時(shí)，數(shù)據(jù)電流會(huì)流過(guò)T1(202)及T2(204)，并且對(duì)電容C(210)充電。當(dāng)電容C(210)充電的電壓到達(dá)晶體管T3(206)的臨界電壓時(shí)，晶體管T3(206)會(huì)導(dǎo)通，1μ安培的數(shù)據(jù)電流即通過(guò)晶體管T3(206)。因?yàn)榫w管T4(208)的臨界電壓與晶體管T3(206)的臨界電壓相同，所以晶體管T4(208)也會(huì)導(dǎo)通，而流過(guò)一電流值的驅(qū)動(dòng)電流。通過(guò)電容C(210)所充電的電壓，會(huì)使得晶體管T3(206)的柵極與源極之間的電壓(Vgs3)相同于晶體管T4(208)的柵極與源極之間的電壓(Vgs4)。假設(shè)晶體管T3(206)及晶體管T4(208)的信道寬度/信道長(zhǎng)度比相同，則晶體管T4(208)的驅(qū)動(dòng)電流也為1μ安培。在此例中，當(dāng)晶體管T3(206)及晶體管T4(208)導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)OLED(212)的電流在短暫的時(shí)間內(nèi)會(huì)到達(dá)2μ安培；當(dāng)掃描線(xiàn)設(shè)定在低電位時(shí)，晶體管T1(202)及晶體管T2(204)會(huì)關(guān)閉，此時(shí)晶體管T3(206)無(wú)電流流過(guò)，但電容C(210)所充電的電壓仍得以保持，而使晶體管T4(208)保持之前電流值的驅(qū)動(dòng)電流，藉以持續(xù)驅(qū)動(dòng)OLED(212)，且驅(qū)動(dòng)OLED(212)的電流與晶體管T4(208)的驅(qū)動(dòng)電流(1μ安培)相同。而由于OLED(212)本身具有電容的特性，故短暫的2μ安培電流有助于對(duì)OLED(212)充電，使OLED(212)以更快的速度達(dá)到飽和的狀態(tài)。
晶體管在飽和區(qū)的漏極電流的公式為Id＝(1/2)xμnxCoxx(W/L)x(Vgs-Vth)2，其中電子移動(dòng)率μn及單位面積上的柵極電容Cox為定值，Vth為晶體管的臨界電壓，W為晶體管的信道寬度，而L為晶體管的信道長(zhǎng)度。由此公式可知，由于Vgs3＝Vgs4，所以通過(guò)調(diào)整晶體管T3(206)及晶體管T4(208)的信道寬度/信道長(zhǎng)度比，即可以調(diào)整晶體管T3(206)及晶體管T4(208)的電流比。因此，通過(guò)調(diào)整晶體管T3(206)及晶體管T4(208)的信道寬度/信道長(zhǎng)度比，可以在相同的數(shù)據(jù)電流下，使晶體管T4(208)的驅(qū)動(dòng)電流不同于數(shù)據(jù)電流，因此可以補(bǔ)償R、G、以及B三種元件特性不同的效應(yīng)。而與現(xiàn)有的一種電流驅(qū)動(dòng)像素的方式比較可知，因?yàn)榈腛LED顯示器的紅、綠、藍(lán)三種像素的特性各不相同，因此必須使用驅(qū)動(dòng)IC給予不同的數(shù)據(jù)電流，來(lái)補(bǔ)償紅、綠、藍(lán)三種像素特性不同的效應(yīng)。此外要說(shuō)明的是，晶體管T1(202)的作用為數(shù)據(jù)電流只會(huì)流過(guò)被選擇的掃描線(xiàn)；而晶體管T2(204)的作用為當(dāng)掃描線(xiàn)設(shè)定在高電位時(shí)，可以對(duì)電容C(210)充電；并且當(dāng)掃描線(xiàn)設(shè)定在低電位時(shí)，可以用來(lái)防止電容C(210)的放電，而使晶體管T4(208)的Vgs4得以維持。
而本發(fā)明第二較佳實(shí)施例顯示器的驅(qū)動(dòng)電路中的每一個(gè)像素30的電路圖，請(qǐng)參照?qǐng)D3所繪示。像素30包括晶體管T1(302)、晶體管T2(304)、晶體管T3(306)、晶體管T4(308)、電容C(310)、以及OLED(312)，其中晶體管T1(302)、晶體管T2(304)、晶體管T3(306)、以及晶體管T4(308)均為n型的α-Si TFT。底下將敘述像素30的結(jié)構(gòu)。
晶體管T1(302)、T2(304)、T3(306)與T4(308)均為三端元件，分別具有一漏極、一柵極、以及一源極。電容C(310)具有第一端及第二端。而OLED(312)具有正極及負(fù)極。其中，晶體管T1(302)的漏極會(huì)耦接至晶體管T2(304)的漏極及數(shù)據(jù)信號(hào)電極，而數(shù)據(jù)信號(hào)電極會(huì)輸送一數(shù)據(jù)電流。晶體管T1(302)的柵極及晶體管T2(304)的柵極會(huì)耦接至掃描線(xiàn)。晶體管T1(302)的源極會(huì)耦接至晶體管T3(306)的漏極。晶體管T2(304)的源極會(huì)耦接到晶體管T3(306)的柵極、晶體管T4(308)的柵極、以及電容C(310)的第一端。晶體管T3(306)的源極會(huì)耦接到晶體管T4(308)的源極、電容C(310)的第二端、以及OLED(312)的正極。晶體管T4(308)的漏極會(huì)耦接至一輸出正電壓(VDD)的電源供應(yīng)器。而OLED(312)的負(fù)極會(huì)耦接到接地端。
比較第一較佳實(shí)施例(圖2)與第二較佳實(shí)施例(圖3)的結(jié)構(gòu)可知，除了晶體管T1(302)及晶體管T2(304)改為并聯(lián)外，其余均相同。就功能而言，兩實(shí)施例的不同之處為當(dāng)?shù)诙^佳實(shí)施例(圖3)的掃描線(xiàn)設(shè)定在高電位(例如為15伏特)時(shí)，晶體管T1(302)及晶體管T2(304)的柵極、源極電壓差(Vgs)均可達(dá)15伏特。而當(dāng)?shù)谝惠^佳實(shí)施例(圖2)的掃描線(xiàn)設(shè)定在高電位(例如為15伏特)時(shí)，晶體管T1(202)的柵極、源極電壓差(Vgs1)加上晶體管T2(204)的柵極、源極電壓差(Vgs2)才為15伏特。因此，流經(jīng)晶體管302及晶體管304的電流比流經(jīng)晶體管202及晶體管204的電流高，而使第二較佳實(shí)施例(圖3)中的OLED(302)驅(qū)動(dòng)電流比第一較佳實(shí)施例(圖2)中的OLED(202)驅(qū)動(dòng)電流高。除了上述的差異之外，兩實(shí)施例的功能完全相同。
綜上所述，本發(fā)明可以使電流驅(qū)動(dòng)像素的方式，通過(guò)n型的α-SiTFT來(lái)完成，而不需使用低溫多晶硅TFT。并且可通過(guò)調(diào)整像素本身的TFT的信道寬度/信道長(zhǎng)度比，來(lái)補(bǔ)償紅、綠、藍(lán)三種像素特性不同的效應(yīng)，而不需使用驅(qū)動(dòng)IC給予不同的數(shù)據(jù)電流。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露于上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書(shū)并結(jié)合說(shuō)明書(shū)及附圖
所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種顯示器的驅(qū)動(dòng)電路，該顯示器包括多個(gè)像素，每一像素包括一第一晶體管，具有一第一漏極、一第一柵極、以及一第一源極，其中第一柵極耦接至一掃描線(xiàn)，而第一漏極耦接至一數(shù)據(jù)信號(hào)電極，數(shù)據(jù)信號(hào)電極輸出一數(shù)據(jù)電流；一第二晶體管，具有一第二漏極、一第二柵極、以及一第二源極，其中第二漏極耦接至第一源極，而第二柵極耦接至掃描線(xiàn)及第一柵極；一第三晶體管，具有一第三漏極、一第三柵極、以及一第三源極，其中第三漏極耦接至第一源極及第二漏極，而第三柵極耦接至第二源極；一第四晶體管，具有一第四漏極、一第四柵極、以及一第四源極，其中第四漏極耦接至一電源供應(yīng)器，電源供應(yīng)器具有一電位(VDD)，第四柵極耦接至第二源極及第三柵極，而第四源極耦接至第三源極；一電容，具有一第一端及一第二端，其中第一端耦接至第二源極、第三柵極、以及第四柵極，而第二端耦接至第三源極及第四源極；以及一發(fā)光元件，具有一正極及一負(fù)極，其中該正極耦接至第三源極、第四源極、以及電容的第二端。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于通過(guò)調(diào)整該第三晶體管的信道寬度/信道長(zhǎng)度比，以及第四晶體管的信道寬度/信道長(zhǎng)度比，可以使流經(jīng)第四晶體管的電流不同于數(shù)據(jù)電流。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示器的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于該發(fā)光元件為一有機(jī)光發(fā)射二極管。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示器的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于該發(fā)光元件為一高分子發(fā)光二極管。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示器的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于該第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、以及第四晶體管均為n型非晶硅薄膜晶體管。
6.一種顯示器的驅(qū)動(dòng)電路，該顯示器包括多個(gè)像素，每一像素包括一第一晶體管，具有一第一漏極、一第一柵極、以及一第一源極，其中第一柵極耦接至一掃描線(xiàn)，而第一漏極耦接至一數(shù)據(jù)信號(hào)電極，數(shù)據(jù)信號(hào)電極輸出一數(shù)據(jù)電流；一第二晶體管，具有一第二漏極、一第二柵極、以及一第二源極，其中第二漏極耦接至數(shù)據(jù)信號(hào)電極及第一漏極，而第二柵極耦接至掃描線(xiàn)及第一柵極；一第三晶體管，具有一第三漏極、一第三柵極、以及一第三源極，其中第三漏極耦接至第一源極，而第三柵極耦接至第二源極；一第四晶體管，具有一第四漏極、一第四柵極、以及一第四源極，其中第四漏極耦接至一電源供應(yīng)器，電源供應(yīng)器具有一電位(VDD)，第四柵極耦接至第二源極及第三柵極，而第四源極耦接至第三源極；一電容，具有一第一端及一第二端，其中第一端耦接至第二源極、第三柵極、以及第四柵極，而第二端耦接至第三源極及第四源極；以及一發(fā)光元件，具有一正極及一負(fù)極，其中該正極耦接至第三源極、第四源極、以及第二端。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示器的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于通過(guò)調(diào)整該第三晶體管的信道寬度/信道長(zhǎng)度比，以及第四晶體管的信道寬度/信道長(zhǎng)度比，可以使流經(jīng)第四晶體管的電流不同于數(shù)據(jù)電流。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示器的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于該發(fā)光元件為一有機(jī)光發(fā)射二極管。
9.如權(quán)利要求6所述的顯示器的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于該發(fā)光元件為一高分子發(fā)光二極管。
10.如權(quán)利要求6所述的顯示器的驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于該第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、以及第四晶體管均為非晶硅n型薄膜晶體管。
11.一種顯示器的驅(qū)動(dòng)電路，該顯示器包括多個(gè)像素，每一像素包括多個(gè)晶體管，其中該晶體管為非晶硅n型薄膜晶體管；以及一有機(jī)光發(fā)射二極管。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示器的驅(qū)動(dòng)電路。此顯示器具有多個(gè)像素，每一個(gè)像素具有第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、一電容、以及一發(fā)光元件。本發(fā)明可以使電流驅(qū)動(dòng)像素的方式，通過(guò)n型的非晶硅薄膜晶體管來(lái)完成，而不需使用低溫多晶硅薄膜晶體管。并且可通過(guò)調(diào)整像素本身的薄膜晶體管的信道寬度/信道長(zhǎng)度比，來(lái)補(bǔ)償紅(R)、綠(G)、以及藍(lán)(B)三種像素特性不同的效應(yīng)，而不需使用驅(qū)動(dòng)集成電路給予不同的數(shù)據(jù)電流。
文檔編號(hào)G09G3/32GK1450517SQ02105959
公開(kāi)日2003年10月22日 申請(qǐng)日期2002年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月10日
發(fā)明者李純懷 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司