專利名稱：具有獨(dú)立觸發(fā)和受控保持電極的平面等離子體顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平面等離子體顯示板，具體涉及一種以高效操作的、并包括獨(dú)立觸發(fā)和受控保持電極的全色、高分辨率平面等離子體顯示板的改進(jìn)結(jié)構(gòu)。
AC等離子體顯示板或PDP的基本結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)玻璃板，在每個(gè)板的內(nèi)表面上具有電極的導(dǎo)電圖形。玻璃板由充氣縫隙隔離。使用常規(guī)薄膜或厚膜技術(shù)把電極配置為x-y陣列，每個(gè)板上的電極被淀積為彼此成直角。AC PDP的至少一組保持電極被薄玻璃電介質(zhì)層覆蓋。把玻璃板組裝成三明治結(jié)構(gòu)，板之間的縫隙由間隔物固定。密封板的邊沿，并抽空板之間的空腔，填充氖或氙氣的混合物或本領(lǐng)域已知類型的相似氣體混合物。
在AC PDP的操作期間，向電極施加足夠的驅(qū)動(dòng)電壓脈沖以使板之間包含的氣體電離。在氣體電離時(shí)，電介質(zhì)象小電容器一樣充電，減小氣體中的電壓并消除放電。這種電容性電壓是由存儲的電荷引起的，通常被稱為壁電荷(wall charge)。然后該電壓倒相，并且驅(qū)動(dòng)電壓和壁電荷電壓的總和再次大到足以激發(fā)氣體和產(chǎn)生輝光放電脈沖。這種反復(fù)施加的驅(qū)動(dòng)電壓的序列被稱為保持電壓，或保持序列(sustainer)。利用保持序列波形，已經(jīng)存儲電荷的像素將在每個(gè)保持序列周期放電并發(fā)射光脈沖。沒有存儲電荷的像素將不發(fā)光。在將適當(dāng)波形施加到電極的x-y陣列上時(shí)，小的發(fā)光像素形成一個(gè)可視圖像。
通常，在玻璃板之一的內(nèi)表面上交替淀積紅、綠或藍(lán)熒光粉層。電離氣體造成熒光粉從每個(gè)像素發(fā)射有色光。通常在板之間設(shè)置阻擋肋以防止電極之間的串色和串像素干擾。阻擋肋還增加了分辨率以提供清晰的圖像。阻擋肋進(jìn)一步通過利用阻擋肋高度、寬度和圖形縫隙在玻璃板之間提供均勻的放電空間，以獲得希望的像素間距。
關(guān)于AC PDP的結(jié)構(gòu)和操作的進(jìn)一步細(xì)節(jié)，在名稱為“平板顯示器”的美國專利No.5,723,945，名稱為“顯示板操作方法”的美國專利No.5,962,983，和1999年3月1日提交的名稱為“平板顯示器”的美國專利申請No.09/259,940中得到公開，這些專利文件都包含在本文中作為參考。
已經(jīng)知道，制造具有成對保持電極的平面等離子體顯示板，在顯示基底之間建立充電容積。該充電用于支持等離子體放電，等離子體放電是通過把電壓施加到多個(gè)地址電極上來控制的。充電容積是通過把初始電壓施加到保持電極來建立的。通過把第二保持電壓施加到保持電極，在保持電極之間啟動(dòng)實(shí)際等離子體放電。在調(diào)整氣體和幾何參數(shù)以提高保持放電所需的電壓時(shí)，顯示板的效率通常較高。但是，這導(dǎo)致啟動(dòng)電壓的相關(guān)電壓供給電路的復(fù)雜性。因此，希望開發(fā)一種等離子體顯示器，其在以相對高電壓保持等離子體放電的同時(shí)可以允許以相對低電壓啟動(dòng)和控制保持放電。
也已經(jīng)知道，為等離子體顯示板中的每個(gè)電極提供一個(gè)單獨(dú)的電壓驅(qū)動(dòng)器。電壓驅(qū)動(dòng)器的總數(shù)和它們與顯示板電極的物理連接對最終的顯示板增加了相當(dāng)大的體積和成本。因此，也希望減小單獨(dú)電壓驅(qū)動(dòng)器的數(shù)量。
本發(fā)明提出一種具有第一透明基底的等離子體平板顯示器，在第一透明基底上淀積第一對平行保持序列電極。第一對平行保持序列電極包括第一保持序列電極和第二保持序列電極。顯示器還包括淀積在第一基底上、與第一對保持序列電極平行并鄰近第一對保持序列電極中的第一保持序列電極的至少一個(gè)輔助電極。在第一基底上與輔助電極平行地淀積第二對平行保持序列電極，第二對保持序列電極包括第一保持序列電極和第二保持序列電極。第二保持序列電極對在第一基底上與第一保持序列電極對成鏡像取向，第二對保持序列電極中的第一保持序列電極鄰近輔助電極。單個(gè)公共的第一保持序列電極焊盤電連接到第一保持序列電極對中的第一保持序列電極和第二保持序列電極對中的第一保持序列電極。第一保持序列電極焊盤適于連接到第一保持序列電壓波形供給裝置，使得單個(gè)供給裝置把第一保持序列電壓波形提供給兩個(gè)第一保持序列電極。電介質(zhì)材料層覆蓋保持序列和輔助電極。形成一保護(hù)層以覆蓋電介質(zhì)層。顯示器進(jìn)一步包括被嚴(yán)密密封到第一基底上的第二基底，第二基底在其鄰近第一基底的表面上形成有多個(gè)微空穴(micro-void)。微空穴中填充氣體，并與第一基底協(xié)同定義多個(gè)子像素。在每個(gè)微空穴內(nèi)淀積熒光材料，并且在所述第二基底內(nèi)包含多個(gè)地址電極。每個(gè)地址電極對應(yīng)于熒光子像素。
本發(fā)明還提出一種操作等離子體平板顯示器的方法，包括在設(shè)置時(shí)段(set-up period)中把第一和第二保持、輔助和地址電壓波形施加到對應(yīng)電極。相似電極由焊盤連接，以造成對應(yīng)于子單元的受控放電容積的相關(guān)電介質(zhì)表面上的所有壁電荷被設(shè)置為適合于“OFF”狀態(tài)的值。然后對于由焊盤連接到對應(yīng)的第一輔助電極的每個(gè)輔助電壓波形供給裝置，順序在尋址時(shí)段中施加第一輔助電壓波形連同地址電壓波形。第一輔助電壓波形選擇性地啟動(dòng)相關(guān)的第一和第二保持電極對之間的放電，從而把與對應(yīng)于所選擇子單元的受控放電容積的保持序列電極相關(guān)的電介質(zhì)表面上的壁電荷設(shè)置為適合于“ON”狀態(tài)的值。隨后，在保持時(shí)段期間通過第一和第二保持波形供給裝置施加預(yù)定數(shù)量的電壓波形，從而以對應(yīng)于被設(shè)置到“ON”狀態(tài)的單元中的電壓脈沖的順序產(chǎn)生預(yù)定數(shù)量的放電，由輔助電壓波形供給裝置控制這些放電的位置和形狀。
在結(jié)合附圖閱讀了以下優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說明后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明的各種目的和優(yōu)點(diǎn)有更清楚的理解。
通常，PDP 10包括一個(gè)嚴(yán)密密封的充氣外殼，其中包括頂部玻璃基底12和間隔一定距離的底部玻璃基底14。頂部玻璃基底12疊加在底部玻璃基底14之上。玻璃基底12和14通常是可透射過光的，并且具有均勻厚度，盡管只需要可視側(cè)(通常是頂部基底12)對于可見光是透明的。例如，玻璃基底12和14的厚度可以是大約1/8至1/4英寸。
頂部玻璃基底12可以包含SiO2，Al2O3，MgO2和CaO作為主要成份，Na2O，K2O，PbO，B2O3等等作為輔助成份。在頂部基底12的下表面16上淀積多組平行電極。

圖1中顯示了一組這種電極，標(biāo)記為18。每組電極包括一對內(nèi)部顯示或保持序列電極22和23，它們通常具有大約800微米的間隔。位于圖1中前部的保持序列電極22被稱為第一保持序列電極，并且在以下說明中被標(biāo)記為Y，而另一個(gè)保持序列電極23被稱為第二保持序列電極，并在以下說明中也被標(biāo)記為Y。鄰近并平行于第一保持序列電極22設(shè)置觸發(fā)電極24，在以下說明中其被標(biāo)記為T。類似地，鄰近并平行于第二保持序列電極23設(shè)置控制電極25，其在以下說明中被標(biāo)記為C。如圖2所示，保持序列電極22和23在觸發(fā)電極24和控制電極25之間。觸發(fā)和控制電極24和25與對應(yīng)的保持序列電極22和23的間隔通常在100微米至400微米范圍內(nèi)。電極22，23，24和25由常規(guī)工藝形成。在優(yōu)選實(shí)施例中，電極22，23，24和25是由氣化金屬(例如Au，Cr和Au，Cu和Au，Cu和Cr，ITO和Au，Ag或Cr等等)制備的薄膜電極。
均勻電荷存儲膜26(例如本領(lǐng)域中公知類型的一種電介質(zhì)膜)利用顯示器制造領(lǐng)域公知的各種平面技術(shù)覆蓋電極22，23，24和25。電荷存儲膜26可以是任何適當(dāng)?shù)牟牧?，例如鉛玻璃材料。在優(yōu)選實(shí)施例中，電荷存儲膜26由一個(gè)薄電子發(fā)射層27覆蓋。電子發(fā)射層27可以由任何適當(dāng)材料形成，例如金剛石涂層，MgO等等。在下面將說明，電子發(fā)射層27可以是均勻的或者是圖形化的。
如圖1所示，在底部基底14的上表面中形成多個(gè)平行微溝槽32。微溝槽32通常與淀積在頂部基底12上的電極22，23，24和25垂直。微溝槽32由在圖1的向上方向伸展的阻擋肋34隔離。每一個(gè)阻擋肋34的上端接觸淀積在頂部基底12的下表面16上的電子發(fā)射層27。另選地，微溝槽32和阻擋肋34可以被形成為一個(gè)設(shè)置在頂部和底部基底12和14之間的中間玻璃層(未示出)。不管使用什么工藝，微溝槽32和阻擋肋34優(yōu)選由一種固有地選擇性結(jié)晶的可腐蝕玻璃材料形成，例如摻雜了適當(dāng)成核劑的玻璃陶瓷合成物。
在每個(gè)微溝槽32內(nèi)淀積地址電極36，其在以下說明中被標(biāo)記為X。沿著微溝槽32的基底和周圍側(cè)壁淀積地址電極36以提高激發(fā)的均勻性和沿著微溝槽32的整個(gè)表面提供最佳熒光粉涂敷。通過在微溝槽表面內(nèi)選擇性噴涂一個(gè)金屬薄層(Cr和Au或Cu和Au，或氧化銦錫(ITO)和Au，或Cu和Cr，或Ag或Cr)來淀積地址電極36?？梢酝ㄟ^本領(lǐng)域公知的薄膜淀積，電子束淀積或無電淀積等等來完成金屬噴涂。因?yàn)槲喜?2通常與頂部基底12上淀積的電極22，23，24和25垂直，地址電極36與保持電極對22和23合作來定義一個(gè)正交電極矩陣。
作為微溝槽的替代，應(yīng)該理解本發(fā)明可以利用通過在電極22，23，24和25之上并與其對準(zhǔn)地在底部基底表面上生成井(wells)而形成的微空穴(未顯示)來實(shí)現(xiàn)。未空的表面區(qū)域形成與電極22，23，24和25垂直的阻擋肋，和與保持電極對22和23和觸發(fā)和控制電極24和25平行并將其隔離的分隔肋。另選地，如上述美國專利申請09/259,940中所述，可以在地址電極之上并與其對準(zhǔn)地在底部基底的表面上形成平行阻擋肋，以形成微空穴。
在每個(gè)地址電極36的至少一部分上淀積熒光材料38。在優(yōu)選實(shí)施例中，利用本領(lǐng)域公知的電泳法淀積熒光材料38。熒光材料是本領(lǐng)域的一種公知類型，對于全色顯示器，以交替模式單獨(dú)淀積紅，綠和藍(lán)熒光粉以便定義各個(gè)像素。PDP 10的分辨率由每個(gè)單位面積的像素?cái)?shù)量決定。
溝道32被填充以能夠電離的兩種或更多種氣體的成比例混合物。這些氣體產(chǎn)生足夠的UV輻射以激發(fā)熒光材料38。在優(yōu)選實(shí)施例中，使用氖和大約占5-20％重量比的氙和氦的氣體混合物。
圖2表示頂部基底電極22，23，24和25的布局。在圖2中，電極22，23，24和25以陰影表示，以便顯示電極圖形。頂部的四個(gè)電極形成標(biāo)記為38的第一組電極。組38包括一個(gè)在圖頂部的控制電極25?？刂齐姌O25也可稱為輔助電極或第二輔助電極。控制電極25連接到圖2左側(cè)的一個(gè)控制電極焊盤25′。如下所述，焊盤25′提供控制電極25和控制電壓驅(qū)動(dòng)器之間的電連接。從圖2中控制電極25向下方向前進(jìn)，第一組38中的下一個(gè)電極是第二保持序列電極23，第二保持序列電極23連接到圖2中左側(cè)的第二保持序列電極焊盤23′。第二保持序列電極23被標(biāo)記為“Z”。在圖2中的向下方向繼續(xù)前進(jìn)，鄰近第二保持序列電極23的是第一保持序列電極22，第一保持序列電極22連接到圖2右側(cè)的第一保持序列電極焊盤22′。第一保持序列電極22被標(biāo)記為“Y”。第一組38中的底部電極是觸發(fā)電極24，觸發(fā)電極24連接到圖2中右側(cè)的觸發(fā)電極焊盤24′。觸發(fā)電極24被標(biāo)記為字母“T”。觸發(fā)電極24也可稱為輔助電極或第一輔助電極。因此，第一組38中電極的取向與圖1中相同。
所示的電極組38的電極取向?qū)D2中的剩余電極組重復(fù)采用。因此，第一組38下面緊鄰的第二組電極40在頂部具有控制電極45，控制電極45連接到圖2左側(cè)的控制電極焊盤45’。從第二組40頂部開始的第二電極是第二保持序列電極43，第二保持序列電極43連接到圖2左側(cè)的第二保持序列電極焊盤43’。第三電極是連接到右側(cè)的第一保持序列電極焊盤42’的第一保持序列電極42，而第二組中的底部電極是連接到右側(cè)的觸發(fā)電極焊盤44’的觸發(fā)電極44。圖2中的其余電極用字母標(biāo)記以顯示電極的圖形。從字母標(biāo)記C，Z，Y和T可以看出，每個(gè)連續(xù)電極組的圖形是重復(fù)的。與電極相關(guān)的各個(gè)電極焊盤將連接到常規(guī)等離子體顯示板電壓驅(qū)動(dòng)器以選擇性地在顯示板微溝槽32的對應(yīng)部分內(nèi)建立等離子體放電。
如圖3所示，發(fā)明人提出了等離子體顯示板中電極的另選布局。圖3中頂部電極組是以與圖2所示電極組相同的順序形成的。因此，圖3中頂部組被標(biāo)記為38，從頂部開始向下方向的電極順序是控制電極C，第二保持序列電極Z，第一保持序列電極Y和觸發(fā)電極T。圖3中的第二組電極被標(biāo)記為50，在頂部基底12上與第一組38成鏡像形成。因此，第二組50中的頂部電極是觸發(fā)電極T，從組50頂部開始的第二電極是第一保持序列電極Y。類似地，第三電極是第二觸發(fā)序列電極Z，而組50中的底部電極是控制電極C。注意到，與保持序列電極Y和Z相關(guān)的電極焊盤在圖3的右側(cè)，而與控制和觸發(fā)電極C和T相關(guān)的電極焊盤在圖3的左側(cè)。每個(gè)組中電極圖形的交替在整個(gè)顯示板10中交替出現(xiàn)。因此，第三組電極55具有與第一組38相同的圖形，而第四組60重復(fù)第二組50的圖形。
因?yàn)閳D3所示每個(gè)電極組中的保持序列電極Y和Z被顛倒，第一和第二保持序列電極對可以電連接到一個(gè)公共電極焊盤。因此，在圖3中，第一電極組38中的第一保持序列電極22(Y)和第二電極組50中的第一保持序列電極42(Y)電連接到公共第二保持序列電極焊盤62(Y’)。類似地，第二電極組50中的第二保持序列電極43(Z)和第三電極組55中的第二保持序列電極64(Z)電連接到公共第二保持序列電極焊盤66(Z’)。與圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)電極布局相比，如圖3中幻象焊盤所示，已經(jīng)消除了顯示板10右側(cè)的幾乎一半保持序列電極焊盤。因此，本發(fā)明可以顯著減少現(xiàn)有技術(shù)中的電連接和相關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)量。因此，本發(fā)明顯著降低等離子體顯示板10的制造成本。
圖4中顯示的顯示板10平面圖中表示與電極相關(guān)的驅(qū)動(dòng)器。為了簡潔，圖4中的顯示板圖已經(jīng)簡化。圖3所示頂部基底電極的圖形在圖4中重復(fù)采用，添加了在底部基底14上形成的地址電極32和阻擋肋34。如上所述，地址電極32和阻擋肋34通常與頂部基底電極垂直。如圖4所示，地址電極32被標(biāo)記為字母“X”。圖4還顯示了電極驅(qū)動(dòng)器的示意圖。圖4中顯示了六組底部基底電極和五個(gè)地址電極，定義了具有30個(gè)像素的6×5陣列?？梢岳斫?，圖4所示電路也可應(yīng)用于更大或更小的陣列。
每個(gè)驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè)電壓供給裝置，電壓供給裝置選擇性地通過常規(guī)開關(guān)連接到相關(guān)電極。因此，如圖4中右側(cè)所示，成對的第一保持序列電極Y選擇性地通過公共電極焊盤Y’，標(biāo)記為SY的常規(guī)電開關(guān)連接到標(biāo)記為VY的第一保持電壓供給裝置。第一保持電壓供給裝置產(chǎn)生下面所述的第一保持電壓波形。為了簡化附圖，圖4中省略了用于控制電開關(guān)的邏輯電路。類似地，成對的第二保持電極Z選擇性地通過公共電極焊盤Z’，標(biāo)記為SZ的常規(guī)電開關(guān)連接到標(biāo)記為VZ的第二保持電壓供給裝置。第二保持電壓供給裝置VZ產(chǎn)生下面所述的第二保持電壓波形。在圖4左側(cè)，觸發(fā)電極T選擇性地通過電極焊盤T’和標(biāo)記為ST1到ST6的各個(gè)常規(guī)電開關(guān)連接到標(biāo)記為VT的觸發(fā)電壓供給裝置。觸發(fā)電壓供給裝置VT產(chǎn)生下面所述的觸發(fā)電壓波形?？刂齐姌OC選擇性地通過電極焊盤C’和標(biāo)記為SC的常規(guī)電開關(guān)連接到標(biāo)記為VC的控制電壓供給裝置。最后，地址電極X選擇性地通過標(biāo)記為SX1到SX5的常規(guī)電開關(guān)連接到標(biāo)記為VX的地址電壓供給裝置。地址電壓供給裝置VX產(chǎn)生下面所述的地址電壓波形。
因?yàn)楣脖３中蛄须姌O焊盤Y’和Z’，在等離子體顯示板10的操作期間，保持電壓波形被同時(shí)施加到在鄰近電極組中的成對第一和第二保持序列電極Y和Z。但是，觸發(fā)電壓波形對觸發(fā)電極T的選擇性施加可以控制顯示板10的等離子體放電的建立。
圖5表示本發(fā)明的另選實(shí)施例，其中與圖3所示部件相同的部件具有相同標(biāo)記。圖5中的頂部基底電極圖形與圖3所示相同，但是，電極與電極焊盤的連接不同。在圖5的左側(cè)，相鄰的觸發(fā)電極對連接到一個(gè)公共觸發(fā)電極焊盤T’，而相鄰的控制電極對C連接到一個(gè)公共控制電極焊盤C’。因此，觸發(fā)電極焊盤T’的數(shù)量減半，同時(shí)控制電極焊盤C’的數(shù)量近似減半。如下面將解釋的，成對的保持序列電極Y和Z分別電連接到圖5右側(cè)的相關(guān)保持序列電極焊盤Y’和Z’或Y”和Z”，以控制放電。與圖3和4中所示PDP類似，觸發(fā)和控制電極焊盤T’和C’的數(shù)量的減小使得與現(xiàn)有技術(shù)顯示板相比，電連接和相關(guān)驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)量顯著減小。因此，本發(fā)明顯著降低了等離子體顯示板10的制造成本。
圖6所示顯示板10的平面圖中顯示了另選實(shí)施例的與電極相關(guān)的驅(qū)動(dòng)器。如上所述，為了簡潔，圖6中的顯示板圖已經(jīng)簡化。圖6中與圖4所示部件相同的部件具有相同標(biāo)記。如上所述，驅(qū)動(dòng)器包括選擇性地通過常規(guī)電開關(guān)連接到相關(guān)驅(qū)動(dòng)器的電壓供給裝置。雖然圖6中顯示了一個(gè)6×5陣列，應(yīng)該理解，本發(fā)明也可以應(yīng)用于更大或更小的陣列。如圖6所示，觸發(fā)電極T的電開關(guān)的數(shù)量已經(jīng)從6(如圖4所示)減小到3。而且，控制電極的數(shù)量已經(jīng)從6減小到4。
因?yàn)楣灿|發(fā)電極焊盤T’，在等離子體顯示板10的操作期間，觸發(fā)電壓波形被同時(shí)施加到相鄰的觸發(fā)電極對T。因?yàn)橛|發(fā)電壓被施加到相鄰的觸發(fā)電極對，由通過標(biāo)記為SZ’，SY’，SZ”，SY”的四個(gè)電開關(guān)連接的單獨(dú)保持電壓供給裝置對相鄰的保持序列電極對供電。因此，觸發(fā)電壓和保持電壓都必須存在以在一個(gè)特定像素建立放電。因此，保持電壓波形對保持電極對Y和Z的選擇性施加與觸發(fā)電壓合作以控制顯示板10的特定像素的等離子體放電的建立。應(yīng)該理解，雖然圖6顯示了4個(gè)保持電壓供給裝置，本發(fā)明也可應(yīng)用于以下情況一個(gè)電壓供給裝置VZ供給兩個(gè)Z電極電開關(guān)SZ’和SZ”，和一個(gè)電壓供給裝置VY供給兩個(gè)Y電極電開關(guān)SY’和SY”(未示出)。
本發(fā)明還提出了顯示板10的更高效操作。下面參考圖7所示的電壓波形說明PDP 10的操作。對圖4和6所示的兩個(gè)電路實(shí)施例使用相同電壓波形。如上所述，當(dāng)電開關(guān)選擇性地閉合以把波形施加到相關(guān)電極時(shí)，電壓供給裝置產(chǎn)生具有所示形狀的電壓波形。
最初，等離子體顯示板10在t1和t2之間被預(yù)處理。預(yù)處理(preconditioning)包括把相反極性的電壓波形施加到保持電極Y和Z，并把負(fù)向電壓施加到觸發(fā)電極T。結(jié)果，所有壁電荷被從微溝槽32的側(cè)部除去。在啟動(dòng)或完全清除顯示板10時(shí)(正如在啟動(dòng)一個(gè)新顯示器時(shí))使用預(yù)處理。如t2和t3之間標(biāo)記為VY和VZ的曲線所示，可以通過把交變電壓施加到保持電極Y和Z來保持預(yù)處理狀態(tài)。盡管圖7中只顯示了交替保持電壓的一個(gè)周期，可以通過連續(xù)施加交變電壓把壁電荷保持更長的時(shí)間段。由于整個(gè)顯示板10被清除，預(yù)處理和保持經(jīng)常被稱為“體擦除”(bulk erase)。
為了準(zhǔn)備顯示板10的寫入，第一和第二保持序列電壓都從t3到t4變?yōu)樨?fù)向，而觸發(fā)電壓變?yōu)檎?。如圖8所示，這些電壓在頂部基底12上的觸發(fā)電極T和底部基底14上的相對地址電極X之間建立橫向跨過微溝槽32延伸的簡短等離子體放電70。等離子體放電70包括陰極壓降區(qū)域72和等離子體卷流(plasma plume)74。等離子體放電70造成壁電荷76在包含放電70的微溝槽32的相鄰側(cè)壁上累積。當(dāng)保持序列電極電壓在t4重新開始交替時(shí)，等離子體放電70熄滅；但是，如圖9所示，壁電荷76保留。在圖7下部用標(biāo)記為VY-VZ和VT-VX的電壓波形中的虛線顯示壁電荷。顯示板10的相關(guān)部分現(xiàn)在準(zhǔn)備好寫入。因此，t1和t5之間的電壓曲線部分經(jīng)常被稱為“設(shè)置”階段。如圖7中t5到t7所示，通過交替保持電壓VY和VZ可以保持壁電荷。
在t6，開始用于點(diǎn)亮一個(gè)選定像素的實(shí)際寫入。施加到地址電極X的電壓波形變正，而第一和第二保持序列電壓分別變負(fù)和變正。結(jié)果，在微溝槽32中重新建立等離子體放電卷流80。如圖10所示，卷流80在微溝槽32內(nèi)從觸發(fā)和第一保持序列電極T和Y側(cè)向起弧到第二保持序列電極Z。卷流80由電離氣體構(gòu)成，包括正電荷離子和負(fù)電荷電子，激發(fā)微溝槽32淀積的熒光粉38。激發(fā)的熒光粉38發(fā)射可見光。如圖11所示，在t7，保持電壓重新開始交替以保持等離子體卷流80和從相關(guān)像素的光發(fā)射。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，利用上述等離子體顯示板，相對低的小于100伏特的觸發(fā)電壓可以啟動(dòng)相對高的280到380伏特保持電壓的等離子體放電80，顯著高于現(xiàn)有技術(shù)中通常的180到200伏特的保持電壓。如圖10和11所示，較高的保持電壓驅(qū)動(dòng)的等離子體放電80更深入溝道。放電80對微溝槽32的更深入穿透可以激發(fā)額外的熒光粉38，進(jìn)而得到更亮的顯示。而且，較高的保持電壓通過減小為顯示器供電所需的電流量而改善了顯示板10的效率。
如圖4和6所示，本發(fā)明提出了單獨(dú)的觸發(fā)和保持電壓供給裝置VT，VY和VZ。在現(xiàn)有技術(shù)顯示板中，通常使用同一電壓供給裝置來提供觸發(fā)和保持電壓。這不僅增加了開關(guān)電路的復(fù)雜性，而且限制了保持電壓的幅度。因此，提供單獨(dú)的觸發(fā)電壓供給裝置VT可以提高如上所述保持電壓的幅度。
如上所述，設(shè)置階段的初始部分擦除顯示板中的單元?？梢园杨愃频谋３趾陀|發(fā)電壓施加到選定電極以擦除特定單元。但是，該擦除通常會(huì)產(chǎn)生單元的簡短低水平照明。低水平照明會(huì)降低顯示板10上出現(xiàn)的圖像的對比度。因此，本發(fā)明還提出施加斜坡保持電壓(未示出)以在擦除操作期間消除照明。如圖12所示，斜坡電壓導(dǎo)致了局部化的壁電荷86。
本發(fā)明還提出把控制電壓波形施加到顯示板10。如圖4和6中的電路圖所示，這種控制電壓波形由控制電壓供給裝置VC產(chǎn)生并通過單個(gè)常規(guī)電開關(guān)SC施加。相關(guān)的控制電壓波形在圖7中顯示為頂部曲線?？刂齐妷翰ㄐ窝a(bǔ)充了保持序列電壓以確保等離子體卷流80被迫深入微溝槽32和控制卷流80的形狀。
本發(fā)明還提出一種選擇性擦除等離子體顯示板上的選定像素的方法。圖13表示施加到顯示板電極以擦除一個(gè)像素的電壓。在圖13中，假設(shè)存在等離子體放電，并且放電從t8到t9保持。圖中沿著水平軸顯示的時(shí)間順延先前圖7中顯示的時(shí)間。在t9，啟動(dòng)一個(gè)選擇性擦除。在t10，保持電極Y和Z上的電壓被減小到零并保持在零，同時(shí)把脈沖施加到該特定像素的觸發(fā)和地址電極T和X。觸發(fā)和電極脈沖與減小的保持序列電極電壓合作以擦除被點(diǎn)亮的像素。然后，在t11，電壓返回到它們的常規(guī)保持值。所擦除的單元保留重新建立等離子體放電所需的壁電荷。但是，施加到電極的電壓不足以觸發(fā)另一個(gè)放電。如圖7中t6到t7所示，在把脈沖施加到對應(yīng)的觸發(fā)和地址電極T和X時(shí)有必要使施加到保持電極Y和Z的電壓保持在相反電壓，以重新啟動(dòng)等離子體放電。因此，擦除步驟使單元處于重新啟動(dòng)放電的條件。
應(yīng)該注意，施加到觸發(fā)和控制電極T和C的電壓的幅度在圖7和13中都變化。該變化代表調(diào)整放電形狀和深度的能力，該能力被包括為本發(fā)明的一部分。
本發(fā)明進(jìn)一步提出圖3和4所示PDP的另選電路實(shí)施例。圖14中顯示該另選實(shí)施例，其中相鄰電極組中的保持電極Y和Z連接到一起并由單個(gè)接觸焊盤Y’和Z’供電，雖然與圖3和4相比，這些電極從圖14的頂部到底部以不同順序排列，應(yīng)該注意，相鄰組的保持序列電極Y和Z，觸發(fā)電極T和控制電極C相互以鏡像排列。而且，圖14所示的電路連接也可應(yīng)用于圖3所示的PDP電極取向。
圖14中的頂部Y電極具有通過電開關(guān)SY連接到標(biāo)記為VY的保持電壓供給裝置的右端13和連接到從圖中頂部開始第二電極組中的Y電極左端的左端。頂部Z電極具有連接到從圖中頂部開始第二組中Z電極的左端的左端。第二組中的Z電極也具有通過電開關(guān)SZ連接到標(biāo)記為VZ的保持電壓供給裝置的右端。所示與保持電壓供給裝置VZ和VY的連接不僅減少了接觸焊盤的數(shù)量，簡化了驅(qū)動(dòng)電路，而且補(bǔ)償了補(bǔ)償電極Z和Y中的電壓降。因?yàn)榘央妷菏┘拥浇M合的Z和Y保持電極對的相反端，即使有沿著電極的電壓降，每對保持電極之間和微空穴兩端的電壓差保持相同?？刂齐姌O焊盤C’已經(jīng)被移動(dòng)到顯示板的右側(cè)以避免跨過連接Y和Z電極端的連接跡線。
圖14所示的PDP的操作與上述相同。
根據(jù)專利法規(guī)定，已經(jīng)在優(yōu)選實(shí)施例中解釋和說明了本發(fā)明的原理和操作模式。但是，必須理解，在不偏離本發(fā)明精神或范圍的情況下，可以以不同于所專門解釋和說明的方式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此，圖4，6和13中表示的用于保持和控制電極的驅(qū)動(dòng)電路也可應(yīng)用于圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)電極結(jié)構(gòu)(未示出)。
權(quán)利要求
1.一種等離子體平板顯示器，包括第一透明基底，包括淀積在所述第一基底上的成對平行保持序列電極的陣列，每個(gè)所述成對保持序列電極包括第一保持序列電極和第二保持序列電極；淀積在所述第一基底上、平行并對應(yīng)于每一個(gè)所述成對保持序列電極的輔助電極，至少一個(gè)第一輔助電極鄰近每一對保持序列電極中的第一保持序列電極；由電介質(zhì)材料形成的電介質(zhì)層，覆蓋所述保持序列和輔助電極；由電子發(fā)射材料形成的進(jìn)一步保護(hù)層，覆蓋所述電介質(zhì)；嚴(yán)密密封到所述第一基底的第二基底，包括在所述第二基底鄰近所述第一基底的表面上形成的微空穴陣列；所述第二基底內(nèi)包括的多個(gè)地址電極，每個(gè)所述地址電極與所述保持電極正交并對應(yīng)于每個(gè)所述微空穴，所述微空穴與所述第一基底合作定義多個(gè)子像素，每個(gè)所述子像素在所述地址電極和具有相關(guān)輔助電極的保持序列電極對的交叉點(diǎn)限定一個(gè)受控放電容積；淀積在每個(gè)微空穴內(nèi)并與所述地址電極相關(guān)的熒光材料；和填充所述微空穴的氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子體平板顯示器，其中每個(gè)所述第一保持序列電極連接到對應(yīng)的第一保持序列電極焊盤，所述保持序列電極焊盤適于連接到至少一個(gè)組中，所述組連接到第一保持序列電壓波形供給裝置；每個(gè)所述第二保持序列電極連接到對應(yīng)的第二保持序列電極焊盤，所述保持序列電極焊盤適于連接到至少一個(gè)組中，所述組連接到與第一保持序列電壓波形供給裝置相反相位的第二保持序列電壓波形供給裝置；至少一個(gè)鄰近每個(gè)第一保持電極的所述輔助電極連接到相關(guān)的輔助電極焊盤，所述輔助電極焊盤適于連接到多個(gè)單獨(dú)可控的第一控制電壓波形供給裝置；每個(gè)所述地址電極連接到對應(yīng)的電極焊盤，所述地址電極焊盤適于連接到與所述第一保持序列電壓波形供給裝置同相但是電壓較低的單獨(dú)可控的地址電壓波形供給裝置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的等離子體顯示器，其中所述輔助電極中鄰近每個(gè)第二保持電極的第二輔助電極連接到相關(guān)的輔助電極焊盤，所述第二輔助電極焊盤適于共同連接到至少一個(gè)組中，所述組連接到與所述第一控制電壓波形供給裝置以相反相位操作的第二控制電壓波形供給裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的等離子體平板顯示器，其中所述第一和第二保持序列電壓波形供給裝置把電壓波形施加到所述保持序列電極以保持所述第一和第二保持電極之間的等離子體放電順序，由輔助電壓波形控制放電路徑的位置和形狀，從而提高相關(guān)子像素的照明。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的等離子體顯示器，其中所述波形供給裝置合作施加電壓波形，在設(shè)置時(shí)段中消除與所有電極相關(guān)的電介質(zhì)表面上的任何壁電荷；所述地址電壓波形供給裝置與所述第一輔助電壓波形供給裝置合作施加電壓，所施加的電壓選擇性地在所述第一保持電極和第二保持電極之間的受控放電容積中啟動(dòng)一個(gè)放電，并允許在與第一和第二保持電極相關(guān)的電介質(zhì)表面上聚集電荷，聚集的電荷量與在尋址時(shí)段中對應(yīng)于選定子像素的受控放電容積中通常保持的電荷量相同；所述電壓波形供給裝置合作在子像素中在所述第一和第二保持電極之間的受控放電容積中產(chǎn)生預(yù)定數(shù)量的序列保持放電，其中子像素已經(jīng)在保持時(shí)段中在保持電極的所述相關(guān)電介質(zhì)表面上存儲了電荷。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的等離子體平板顯示器，其中所述保持序列電壓波形大于250伏特，并且所述觸發(fā)電壓波形小于100伏特。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的等離子體平板顯示器，其中所述保持序列電壓波形的范圍是280到380伏特。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子體平板顯示器，其中所述輔助電極位于所述第一和第二保持電極之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子體平板顯示器，其中所述輔助電極位于所述第一和第二保持電極外側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的等離子體平板顯示器，其中所述保持電極具有相同寬度，但是與輔助電極的寬度不同。
11.根據(jù)權(quán)利要求9的等離子體平板顯示器，其中所述第一和第二保持電極對沿著電極對的陣列鏡像交替，使得在整個(gè)陣列中形成和重復(fù)第一-第二-第二-第一保持電極的圖形。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的等離子體平板顯示器，其中所述輔助電極共同連接到在兩個(gè)相鄰輔助電極之間共享的焊盤，因此使焊盤數(shù)量減半，并使對應(yīng)的輔助波形電壓供給裝置減半。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的等離子體平板顯示器，其中所述第一保持電極共同連接到在兩個(gè)相鄰第一保持電極之間共享的焊盤，第二保持電極連接到在兩個(gè)相鄰第二保持電極之間共享的焊盤，因此使焊盤數(shù)量減半。
14.根據(jù)權(quán)利要求3的等離子體平板顯示器，其中所述第一和第二保持序列電壓波形供給裝置把電壓波形施加到所述保持序列電極，以在所述第一和第二保持電極之間保持等離子體放電順序，由輔助電壓波形控制放電路徑的位置和形狀，由此提高相關(guān)子像素的照明。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的等離子體平板顯示器，其中所述波形供給裝置合作施加電壓波形，在設(shè)置時(shí)段中消除與所有電極相關(guān)的電介質(zhì)表面上的任何壁電荷；所述地址電壓波形供給裝置與所述第一輔助電壓波形供給裝置合作施加電壓，所施加的電壓選擇性地在所述第一保持電極和第二保持電極之間的受控放電容積中啟動(dòng)一個(gè)放電，并允許在與第一和第二保持電極相關(guān)的電介質(zhì)表面上聚集電荷，聚集的電荷量與在尋址時(shí)段中對應(yīng)于選定子像素的受控放電容積中通常保持的電荷量相同；所述電壓波形供給裝置合作在子像素中的所述第一和第二保持電極之間的受控放電容積中產(chǎn)生預(yù)定數(shù)量的序列保持放電，其中子像素已經(jīng)在保持時(shí)段中在保持電極的所述相關(guān)電介質(zhì)表面上存儲了電荷。
16.一種等離子體平板顯示器，包括第一透明基底；淀積在所述第一基底上的第一對平行保持序列電極，所述第一對保持序列電極包括第一保持序列電極和第二保持序列電極；淀積在所述第一基底上、平行于所述第一對保持序列電極的至少一個(gè)輔助電極，所述輔助電極之一鄰近所述第一對保持序列電極中的所述第一保持序列電極；淀積在所述第一基底上、平行于所述觸發(fā)電極的第二對平行保持序列電極，所述第二對保持序列電極包括第一保持序列電極和第二保持序列電極，所述保持序列電極對在所述第一基底上與所述第一保持序列電極對成鏡像取向，使得所述第二對保持序列電極中的所述第一保持序列電極鄰近所述觸發(fā)電極中的所述另一個(gè)電極；單個(gè)公共第一保持序列電極焊盤，電連接到所述第一保持序列電極對中的所述第一保持序列電極和所述第二保持序列電極對中的所述第一保持序列電極，所述第一保持序列電極焊盤適于連接到第一保持序列電壓波形供給裝置，從而使單個(gè)供給裝置向兩個(gè)所述第一保持序列電極提供第一保持序列電壓波形；由電介質(zhì)材料形成的電介質(zhì)層，覆蓋所述保持序列和觸發(fā)電極；保護(hù)層，覆蓋所述電介質(zhì)層；嚴(yán)密密封到所述第一基底上的第二基底，所述第二基底具有在其鄰近所述第一基底的表面中形成的多個(gè)微空穴，所述微空穴與所述第一基底合作限定多個(gè)子像素；填充所述微空穴的氣體；淀積在每個(gè)微空穴中的熒光材料；和所述第二基底中包含的多個(gè)地址電極，每個(gè)所述地址電極對應(yīng)于所述子像素之一。
17.一種操作等離子體平板顯示器的方法，包括以下步驟(a)提供一個(gè)等離子體平板顯示器，該顯示器包括第一透明基底；淀積在所述第一基底上的第一對平行保持序列電極，第一對保持序列電極包括第一保持序列電極和第二保持序列電極；淀積在第一基底上、平行于第一對保持序列電極的至少一個(gè)輔助電極，輔助電極鄰近第一對保持序列電極中的第一保持序列電極；淀積在第一基底上、平行于觸發(fā)電極的第二對平行保持序列電極，第二對保持序列電極包括第一保持序列電極和第二保持序列電極，保持序列電極對在第一基底上與第一保持序列電極對成鏡像取向，使得第二對保持序列電極中的第一保持序列電極鄰近輔助電極；單個(gè)公共第一保持序列電極焊盤，電連接到第一保持序列電極對中的第一保持序列電極和第二保持序列電極對中的第一保持序列電極，第一保持序列電極焊盤適于連接到第一保持序列電壓波形供給裝置，從而使單個(gè)供給裝置向兩個(gè)第一保持序列電極提供第一保持序列電壓波形；由電介質(zhì)材料形成的電介質(zhì)層，覆蓋保持序列和觸發(fā)電極；保護(hù)層，覆蓋電介質(zhì)層；嚴(yán)密密封到第一基底上的第二基底，第二基底具有在其鄰近第一基底的表面中形成的多個(gè)微空穴，微空穴與第一基底合作限定多個(gè)子像素；填充微空穴的氣體；淀積在每個(gè)微空穴中的熒光材料；和第二基底中包含的多個(gè)地址電極，每個(gè)地址電極對應(yīng)于子像素之一；(b)在設(shè)置時(shí)段中向由焊盤連接的對應(yīng)電極施加第一和第二保持、輔助和地址電壓波形，以造成對應(yīng)于子單元的受控放電容積的相關(guān)電介質(zhì)表面上的所有壁電荷被設(shè)置為適合于“OFF”狀態(tài)的值；(c)對于由焊盤連接到對應(yīng)的第一輔助電極的每個(gè)輔助電壓波形供給裝置，順序地在尋址時(shí)段中施加第一輔助電壓波形連同地址電壓波形，選擇性地啟動(dòng)相關(guān)的第一和第二保持電極對之間的放電，從而把與對應(yīng)于所選擇子單元的受控放電容積的所述保持序列電極相關(guān)的電介質(zhì)表面上的壁電荷設(shè)置為適合于“ON”狀態(tài)的值；和(d)在保持時(shí)段期間通過第一和第二保持波形供給裝置施加預(yù)定數(shù)量的電壓波形，從而以對應(yīng)于被設(shè)置到“ON”狀態(tài)的單元中的所述電壓脈沖的順序產(chǎn)生預(yù)定數(shù)量的放電，由輔助電壓波形供給裝置控制所述放電的位置和形狀。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中第一和第二電壓波形的電壓大小相等，相位相反。
19.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中由第一輔助波形發(fā)生器產(chǎn)生的電壓波形與第一保持電壓波形供給裝置同相，但電壓較小。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，其中由第一輔助波形發(fā)生器產(chǎn)生的電壓波形是可調(diào)整的，以便得到最佳光輸出和效率。
21.一種操作等離子體平板顯示器的方法，包括以下步驟(a)提供一個(gè)等離子體平板顯示器，該顯示器包括第一透明基底；淀積在所述第一基底上的成對平行保持序列電極的陣列，每一個(gè)所述成對保持序列電極包括第一保持序列電極和第二保持序列電極；淀積在所述第一基底上、平行并對應(yīng)于每一個(gè)所述成對保持序列電極的輔助電極，至少一個(gè)第一輔助電極鄰近每一對保持序列電極中的第一保持序列電極；由電介質(zhì)材料形成的電介質(zhì)層，覆蓋保持序列和輔助電極；由電子發(fā)射材料形成的進(jìn)一步保護(hù)層，覆蓋所述電介質(zhì)；嚴(yán)密密封到所述第一基底的第二基底，包括在所述第二基底鄰近所述第一基底的表面中形成的微空穴陣列；所述第二基底內(nèi)包括的多個(gè)地址電極，每個(gè)所述地址電極與所述保持電極正交并對應(yīng)于每個(gè)所述微空穴，所述微空穴與所述第一基底合作定義多個(gè)子像素，每個(gè)所述子像素在所述地址電極和具有相關(guān)輔助電極的保持序列電極對的交叉處限定一個(gè)受控放電容積；淀積在每個(gè)微空穴內(nèi)并與所述地址電極相關(guān)的熒光材料；和填充所述微空穴的氣體；(b)在設(shè)置時(shí)段中向由焊盤連接的對應(yīng)電極施加第一和第二保持、輔助和地址電壓波形，以造成對應(yīng)于子單元的受控放電容積的相關(guān)電介質(zhì)表面上的所有壁電荷被設(shè)置為適合于“OFF”狀態(tài)的值；(c)對于由焊盤連接到對應(yīng)的第一輔助電極的每個(gè)輔助電壓波形供給裝置，順序地在尋址時(shí)段中施加第一輔助電壓波形連同地址電壓波形，選擇性地啟動(dòng)相關(guān)的第一和第二保持電極對之間的放電，從而把與對應(yīng)于所選擇子單元的受控放電容積的所述保持序列電極相關(guān)的電介質(zhì)表面上的壁電荷設(shè)置為適合于“ON”狀態(tài)的值；和(d)在保持時(shí)段期間通過第一和第二保持波形供給裝置施加預(yù)定數(shù)量的電壓波形，從而以對應(yīng)于被設(shè)置到“ON”狀態(tài)的單元中的所述電壓脈沖的順序產(chǎn)生預(yù)定數(shù)量的放電，由輔助電壓波形供給裝置控制所述放電的位置和形狀。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中第一和第二電壓波形的電壓大小相等，相位相反。
23.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中由第一輔助波形發(fā)生器產(chǎn)生的電壓波形與第一保持電壓波形供給裝置同相，但電壓較小。
24.根據(jù)權(quán)利要求23的方法，其中由第一輔助波形發(fā)生器產(chǎn)生的電壓波形是可調(diào)整的，以便得到最佳光輸出和效率。
25.一種等離子體平板顯示器，包括第一透明基底；淀積在所述第一基底上的第一對平行保持序列電極，所述第一對保持序列電極包括第一保持序列電極和第二保持序列電極；淀積在所述第一基底上、平行于所述第一對保持序列電極的至少一個(gè)輔助電極，所述輔助電極之一鄰近所述第一對保持序列電極中的所述第一保持序列電極；淀積在所述第一基底上、平行于所述觸發(fā)電極的第二對平行保持序列電極，所述第二對保持序列電極包括第一保持序列電極和第二保持序列電極，所述保持序列電極對在所述第一基底上與所述第一保持序列電極對成鏡像取向，使得所述第二對保持序列電極中的所述第一保持序列電極鄰近所述觸發(fā)電極中的所述另一個(gè)電極；單個(gè)公共第一保持序列電極焊盤，電連接到所述第一保持序列電極對中的所述第一保持序列電極的一端，第一保持序列電極的所述另一端連接到所述第二保持序列電極對中的所述第一保持序列電極的對應(yīng)端；單個(gè)公共第二保持序列電極焊盤，電連接到所述第二保持序列電極對中的所述第二保持序列電極的一端，第二保持序列電極的所述另一端連接到所述第一保持序列電極對中的所述第二保持序列電極的對應(yīng)端；由電介質(zhì)材料形成的電介質(zhì)層，覆蓋所述保持序列和觸發(fā)電極；保護(hù)層，覆蓋所述電介質(zhì)層；嚴(yán)密密封到所述第一基底上的第二基底，所述第二基底具有在其鄰近所述第一基底的表面中形成的多個(gè)微空穴，所述微空穴與所述第一基底合作限定多個(gè)子像素；填充所述微空穴的氣體；淀積在每個(gè)微空穴中的熒光材料；和所述第二基底中包含的多個(gè)地址電極，每個(gè)所述地址電極對應(yīng)于所述子像素之一。
26.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，在步驟(d)之后進(jìn)一步包括以下步驟以擦除所選擇子像素中包含的放電(e)對于由焊盤連接到對應(yīng)的第一輔助電極的每個(gè)輔助電壓波形供給裝置，順序地在尋址時(shí)段中施加第一輔助電壓波形連同地址電壓波形，選擇性地啟動(dòng)相關(guān)的第一和第二保持電極對之間的放電，從而把與對應(yīng)于所選擇子單元的受控放電容積的所述保持序列電極相關(guān)的電介質(zhì)表面上的壁電荷設(shè)置為適合于“ON”狀態(tài)的值；和(d)在隨后的保持時(shí)段期間通過第一和第二保持波形供給裝置施加預(yù)定數(shù)量的電壓脈沖，從而以對應(yīng)于被設(shè)置到“ON”狀態(tài)的單元中的所述電壓脈沖的順序產(chǎn)生預(yù)定數(shù)量的放電，由輔助電壓波形供給裝置控制所述放電的位置和形狀。
27.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，在步驟(d)之后進(jìn)一步以下步驟以擦除所選擇子單元中包含的放電(e)對于由焊盤連接到對應(yīng)的第一輔助電極的每個(gè)輔助電壓波形供給裝置，順序地在尋址時(shí)段中施加第一輔助電壓波形連同地址電壓波形，選擇性地啟動(dòng)相關(guān)的第一和第二保持電極對之間的放電，從而把與對應(yīng)于所選擇子單元的受控放電容積的所述保持序列電極相關(guān)的電介質(zhì)表面上的壁電荷設(shè)置為適合于“ON”狀態(tài)的值；和(d)在隨后的保持時(shí)段期間通過第一和第二保持波形供給裝置施加預(yù)定數(shù)量的電壓脈沖，從而以對應(yīng)于被設(shè)置到“ON”狀態(tài)的單元中的所述電壓脈沖的順序產(chǎn)生預(yù)定數(shù)量的放電，由輔助電壓波形供給裝置控制所述放電的位置和形狀。
28.一種操作平面等離子體顯示器的方法，包括以下步驟(a)提供一個(gè)等離子體平板顯示器，該顯示器包括第一透明基底；淀積在第一基底上的第一對平行保持序列電極，第一對保持序列電極包括第一保持序列電極和第二保持序列電極；淀積在第一基底上、平行于第一對保持序列電極的至少一個(gè)輔助電極，輔助電極鄰近第一對保持序列電極中的第一保持序列電極；淀積在第一基底上、平行于觸發(fā)電極的第二對平行保持序列電極，第二對保持序列電極包括第一保持序列電極和第二保持序列電極，保持序列電極對在第一基底上與第一保持序列電極對成鏡像取向，使得第二對保持序列電極中的第一保持序列電極鄰近輔助電極；單個(gè)公共第一保持序列電極焊盤，電連接到第一保持序列電極對中的第一保持序列電極和第二保持序列電極對中的第一保持序列電極，第一保持序列電極焊盤適于連接到第一保持序列電壓波形供給裝置，從而使單個(gè)供給裝置向兩個(gè)第一保持序列電極提供第一保持序列電壓波形；由電介質(zhì)材料形成的電介質(zhì)層，覆蓋保持序列和觸發(fā)電極；保護(hù)層，覆蓋電介質(zhì)層；嚴(yán)密密封到第一基底上的第二基底，第二基底具有在其鄰近第一基底的表面中形成的多個(gè)微空穴，微空穴與第一基底合作限定多個(gè)子像素；填充所述微空穴的氣體；淀積在每個(gè)微空穴中的熒光材料；和第二基底中包含的多個(gè)地址電極，每個(gè)地址電極對應(yīng)于子像素之一；電極被施加以適當(dāng)?shù)碾妷阂员３种辽僖粋€(gè)子像素中建立的等離子體放電；(b)對于由焊盤連接到對應(yīng)的第一輔助電極的每個(gè)輔助電壓波形供給裝置，順序地在尋址時(shí)段中施加第一輔助電壓波形連同地址電壓波形，選擇性地啟動(dòng)相關(guān)的第一和第二保持電極對之間的放電，從而把與對應(yīng)于所選擇子單元的受控放電容積的所述保持序列電極相關(guān)的電介質(zhì)表面上的壁電荷設(shè)置為適合于“ON”狀態(tài)的值；和(c)在隨后的保持時(shí)段期間通過第一和第二保持波形供給裝置施加預(yù)定數(shù)量的電壓脈沖，從而以對應(yīng)于被設(shè)置到“ON”狀態(tài)的單元中的所述電壓脈沖的順序產(chǎn)生預(yù)定數(shù)量的放電，由輔助電壓波形供給裝置控制所述放電的位置和形狀。
29.一種操作平面等離子體顯示器的方法，包括以下步驟(a)提供一個(gè)等離子體平板顯示器，該顯示器包括第一透明基底；淀積在所述第一基底上的成對平行保持序列電極的陣列，每一個(gè)所述成對保持序列電極包括第一保持序列電極和第二保持序列電極；淀積在所述第一基底上、平行并對應(yīng)于每一個(gè)所述成對保持序列電極的輔助電極，至少一個(gè)第一輔助電極鄰近每一對保持序列電極中的第一保持序列電極；由電介質(zhì)材料形成的電介質(zhì)層，覆蓋所述保持序列和輔助電極；由電子發(fā)射材料形成的進(jìn)一步保護(hù)層，覆蓋所述電介質(zhì)；嚴(yán)密密封到所述第一基底的第二基底，包括在所述第二基底鄰近所述第一基底的表面中形成的微空穴陣列；所述第二基底內(nèi)包括的多個(gè)地址電極，每個(gè)所述地址電極與所述保持電極正交并對應(yīng)于每個(gè)所述微空穴，所述微空穴與所述第一基底合作定義多個(gè)子像素，每個(gè)所述子像素在所述地址電極和具有相關(guān)輔助電極的保持序列電極對的交叉處限定一個(gè)受控放電容積；淀積在每個(gè)微空穴內(nèi)并與所述地址電極相關(guān)的熒光材料；填充所述微空穴的氣體；電極被施加以適當(dāng)?shù)碾妷阂员３种辽僖粋€(gè)子像素中建立的等離子體放電；(b)對于由焊盤連接到對應(yīng)的第一輔助電極的每個(gè)輔助電壓波形供給裝置，順序地在尋址時(shí)段中施加第一輔助電壓波形連同地址電壓波形，選擇性地啟動(dòng)相關(guān)的第一和第二保持電極對之間的放電，從而把與對應(yīng)于所選擇子單元的受控放電容積的所述保持序列電極相關(guān)的電介質(zhì)表面上的壁電荷設(shè)置為適合于“ON”狀態(tài)的值；和(c)在隨后的保持時(shí)段期間通過第一和第二保持波形供給裝置施加預(yù)定數(shù)量的電壓脈沖，從而以對應(yīng)于被設(shè)置到“ON”狀態(tài)的單元中的所述電壓脈沖的順序產(chǎn)生預(yù)定數(shù)量的放電，由輔助電壓波形供給裝置控制所述放電的位置和形狀。
全文摘要
一種包括嚴(yán)密密封的充氣外殼的等離子體平板顯示器。外殼包括一個(gè)頂部玻璃基底,在第一玻璃基底上淀積第一對平行保持序列電極,第一對保持序列電極包括第一保持序列電極和第二保持序列電極。在第一基底上與第一對保持序列電極平行地淀積至少一個(gè)輔助電極,輔助電極鄰近第一對保持序列電極中的第一保持序列電極。在第一基底上平行于觸發(fā)電極淀積第二對平行保持序列電極,第二對保持序列電極包括第一保持序列電極和第二保持序列電極,并且在第一基底上與第一保持序列電極對成鏡像取向,使得第二對保持序列電極中的第一保持序列電極鄰近輔助電極。單個(gè)公共第一保持序列電極焊盤電連接到第一保持序列電極對和第二保持序列電極對中的第一保持序列電極。
文檔編號G09G3/298GK1345018SQ0112378
公開日2002年4月17日 申請日期2001年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月31日
發(fā)明者杰里D·謝默霍恩, 奧萊克桑德·什韋德凱 申請人:電等離子體公司