專利名稱：具有非晶質炭膜的網(wǎng)版印刷用孔版及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具有非晶質炭膜的網(wǎng)版印刷用孔版及其制造方法。
背景技術：
為了將電子零件表面安裝于基板，已知利用網(wǎng)版印刷將焊接糊劑印刷于基板表面的技術。另外，網(wǎng)版印刷還在構成層疊電容器、層疊電感器的內部電極的金屬糊劑的印刷中使用。對于網(wǎng)版印刷而言，使網(wǎng)版、金屬掩模等網(wǎng)版印刷用孔版與基板等被印刷物重疊后，使用刮板將焊接糊劑、金屬糊劑等印刷糊劑涂布于橡皮輥面，使橡皮輥壓靠己涂布的印刷糊劑而移動，從而將糊劑從形成有孔版的多個印刷圖案開口部轉印于被印刷物。對于這樣的網(wǎng)版印刷用孔版而言，需要抑制印刷糊劑的滲透，改良版剝離和糊劑脫落。在使用高粘度的糊劑時，尤其需要版剝離性和糊劑脫落性的改良。
有用于抑制印刷糊劑的滲透、改良版剝離和糊劑脫落性的金屬掩模的公開例。專利文獻I 3提出了 通過在網(wǎng)版印刷用掩模的表面、印刷圖案開口部形成類金剛石炭(Diamond like Carbon, DLC)等非晶質炭膜,從而抑制滲透,改善版剝離性和糊劑脫落性。但是，非晶質炭膜沒有疏油性，反而與形成糊劑的樹脂粘接劑的親和性高，因此，若僅設置非晶質炭膜，則無法防止糊劑的滲透，無法充分地改善版剝離性和糊劑脫落性。因此，已經(jīng)研究了對DLC膜實施氟涂敷。例如，在專利文獻4中，通過使用碳化氟氣體，利用CVD法在掩模主體的表面形成DLC膜，從而使DLC膜中含有氟樹脂等潤滑劑，提高糊劑的脫落性，并且能夠防止被印刷面中的糊劑的滲透。另外，還提出了不使用氟系的氣體，而在DLC膜的表面設置含氟的疏水 疏油層的方法。例如，在專利文獻5中，公開了在DLC膜表面形成以極穩(wěn)定全氟烷基自由基作為有效成分的表面處理劑，在該表面處理劑的上面進一步實施氟涂敷，其中，所述DLC膜制作在各種固體狀物質的表面。專利文獻專利文獻I :日本特開平11-245371號公報專利文獻2 日本特開2002-67267號公報專利文獻3 日本特開2005-144973號公報專利文獻4 :日本特開2006-205716號公報專利文獻5 :日本特開2005-146060號公報

發(fā)明內容
發(fā)明所要解決的課題但是，形成于DLC膜上的具有疏水 疏油性的氟涂敷層對DLC膜的固定性不足。另夕卜，網(wǎng)版印刷用孔版的一部分例如橡皮輥面、構成構件彼此的連接部分需要充分的潤濕性，因此有時不希望在網(wǎng)版印刷用孔版整體設置氟涂敷層。利用本發(fā)明的各種實施方式，可提供具有DLC膜等非晶質炭膜、在該非晶質炭膜上的至少一部分固定性良好地設置有疏水·疏油層的網(wǎng)版印刷用孔版。解決課題的手段本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)含有硅(Si)、氧(O)、氮(N)中的至少I種的非晶質炭膜可固定性良好地保持含有氟的硅烷偶聯(lián)劑。并確認了 通過在這種非晶質炭膜的表面的需要疏水·疏油性的部分形成含有氟的硅烷偶聯(lián)劑的薄膜，從而可利用脫水縮合反應等的共價鍵或氫鍵等來使非晶質炭膜與硅烷偶聯(lián)劑的薄膜產生牢固的化學鍵，硅烷偶聯(lián)劑的薄膜被固定性良好地保持在非晶質炭膜上。
本發(fā)明的一實施方式所述的網(wǎng)版具有固定于框體的篩網(wǎng)，填充于前述篩網(wǎng)且形成有貫通孔的乳劑層，形成在前述貫通孔的內壁面的至少一部分且含有硅、氧或氮中的至少I種元素的非晶質炭膜層，和設置于前述非晶質炭膜層上的至少一部分的含有氟的硅烷偶聯(lián)劑薄膜層。本發(fā)明的一實施方式所述的網(wǎng)版印刷用掩模具有直接安裝于框體或者隔著篩網(wǎng)間接安裝于框體的具有貫通孔的掩模基板，形成于前述貫通孔的內壁面的至少一部分且含有硅、氧或氮中的至少一種元素的非晶質炭膜層，和設置于前述非晶質炭膜層上的至少一部分的含有氟的硅烷偶聯(lián)劑薄膜層。本發(fā)明的其他的實施方式所述的網(wǎng)版印刷用掩模具有固定于框體的篩網(wǎng)，安裝于前述篩網(wǎng)的一個面的具有貫通孔的掩?；?，和形成于前述貫通孔的內壁面的至少一部分且含有硅、氧或氮中的至少一種元素的非晶質炭膜層，和設置于前述非晶質炭膜層上的至少一部分的含有氟的硅烷偶聯(lián)劑薄膜層。本發(fā)明的一實施方式所述的網(wǎng)版的制造方法具有將篩網(wǎng)固定于框體的工序，將乳劑填充于前述篩網(wǎng)而形成乳劑層的工序，在前述乳劑層的與印刷圖案對應的位置形成貫通孔的工序，在前述貫通孔的內壁面的至少一部分形成含有硅、氧或氮中的至少一種元素的非晶質炭膜層的工序，和在前述非晶質炭膜層上的至少一部分形成含有氟的硅烷偶聯(lián)劑薄膜層的工序。本發(fā)明的一實施方式所述的網(wǎng)版印刷用掩模的制造方法具有將掩?；逯苯庸潭ㄓ诳蝮w或者隔著篩網(wǎng)間接固定于框體的工序，在前述金屬板的與印刷圖案對應的位置形成貫通孔的工序，在前述貫通孔的內壁面的至少一部分形成含有硅、氧或氮中的至少一種元素的非晶質炭膜層的工序，和在前述非晶質炭膜層上的至少一部分形成含有氟的硅烷偶聯(lián)劑薄膜層的工序。本發(fā)明的其他實施方式所述的網(wǎng)版印刷用掩模的制造方法具有將篩網(wǎng)固定于框體的工序，在前述篩網(wǎng)的一個面安裝具有貫通孔的掩模基板的工序，在前述貫通孔的內壁面的至少一部分形成含有硅、氧或氮中的至少一種元素的非晶質炭膜層的工序，和在前述非晶質炭膜層上的至少一部分形成含有氟的硅烷偶聯(lián)劑薄膜層的工序。發(fā)明效果利用本發(fā)明的各種實施方式，可提供具有DLC膜等非晶質炭膜、在該非晶質炭膜上的至少一部分固定性良好地設置有疏水·疏油層的網(wǎng)版及印刷用掩模。


圖I是示意性表示本發(fā)明的一實施方式所述的網(wǎng)版的整體構成的俯視圖。圖2是示意性表示本發(fā)明的一實施方式所述的網(wǎng)版的剖面圖。圖3是示意性表示本發(fā)明的其他實施方式所述的網(wǎng)版的剖面圖。
圖4是示意性表示本發(fā)明的其他實施方式所述的網(wǎng)版的剖面圖。圖5是示意性表示本發(fā)明的一實施方式所述的金屬掩模的剖面圖。圖6是示意性表示本發(fā)明的其他實施方式所述的金屬掩模的剖面圖。圖7是示意性表示本發(fā)明的其他實施方式所述的金屬掩模的剖面圖。圖8是表示本發(fā)明的一實施方式所述的不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)在印刷后的照片。圖9是表示未實施氟涂敷的不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)在印刷后的照片。圖10是表示使用本發(fā)明的一實施方式所述的SUS篩網(wǎng)而被印刷在基板上的糊劑的照片。圖11是表示實施例I 7和比較例I的與溶劑油(mineral spirit)的接觸角的·測定結果的曲線圖。圖12是表示實施例I 9、以及比較例I的與水的接觸角的測定結果的曲線圖。圖13是表示在比較例I的表面的多個位置測定與溶劑油的接觸角而得的結果的曲線圖。圖14是表示在實施例7的表面的多個位置測定與溶劑油的接觸角而得的結果的曲線圖。
具體實施例方式對于本發(fā)明的各種實施方式，參照附圖進行說明。在各實施方式中，對類似的構成要素施加類似的參照符號來進行說明，適當?shù)厥÷詫@種類似的構成要素的詳細說明。圖I是示意性表示本發(fā)明的一實施方式所述的網(wǎng)版的整體構成的俯視圖，圖2是示意性表示本發(fā)明的一實施方式所述的網(wǎng)版的剖面圖。需要注意的是，圖I和圖2是示意性表示本發(fā)明的一實施方式所述的網(wǎng)版的構成的圖，其尺寸未必被正確地圖示。如圖所示，本發(fā)明的一實施方式所述的網(wǎng)版10是如下構成的將由聚酯等樹脂、不銹鋼構成的篩網(wǎng)16張掛于由鐵制的鑄件、不銹鋼、鋁合金構成的框體12，在該篩網(wǎng)16的全部或一部分涂布乳劑14。篩網(wǎng)16例如是將由金屬、樹脂或炭纖維構成的絲加以編織而構成的。作為篩網(wǎng)16，例如可使用線徑φ 5μπ 、厚23 μ m、篩網(wǎng)開口部寬24. 7 μ m、篩號640 (在I英寸寬中存在640個篩孔)的篩網(wǎng)。在一實施方式中，可將篩網(wǎng)絲的交點部分壓碎而使篩網(wǎng)16的厚度變薄至相當于篩網(wǎng)的一條絲的厚度。篩網(wǎng)16的材質、線徑、篩號數(shù)等并不限于在此所述的范圍，可根據(jù)印刷對象適當?shù)馗淖?。在一實施方式中，作為乳?4，例如可使用重氮系感光乳劑。對于乳劑14而言，例如可利用光刻法來形成與印刷圖案對應的印刷圖案開口部18。以使乳劑14在厚度方向貫通的方式形成印刷圖案開口部18。在使用光刻法時，通過對涂布于篩網(wǎng)16的乳劑14曝光光掩模的掩模圖案，而使乳劑14的一部分固化，接著僅使乳劑14中經(jīng)曝光而固化的部分殘存在篩網(wǎng)16上，而將其以外的部分除去，從而形成印刷圖案開口部18。印刷圖案開口部18通過乳劑14的內壁22來劃分。也可以代替乳劑14，而將圖案化有印刷圖案的(形成有相當于印刷圖案開口部18的貫通孔)鎳、鎳合金或不銹鋼等的金屬箔貼附于篩網(wǎng)16。另夕卜，可以代替將形成有印刷圖案的篩網(wǎng)16直接貼附于框部12，而將與篩網(wǎng)16不同的支承網(wǎng)(未圖示)張掛于框部12，使篩網(wǎng)16貼附于該支承網(wǎng)。在一實施方式中，支承網(wǎng)的與篩網(wǎng)16重疊的部分可以利用割刀等切出。在一實施方式中，在篩網(wǎng)16的各絲的表面形成未圖示的非晶質炭膜。該非晶質炭膜例如是以碳(C)、氫(H)和硅(Si)為主成分的a-C:H:Si膜。膜中的Si含量例如為4 50原子％、優(yōu)選為10 40原子％。本發(fā)明的一實施方式所述的非晶質炭膜例如可利用等離子體CVD法形成。作為成為硅的原料的反應氣體，可使用四甲基硅烷、甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、二甲氧基二甲基硅烷和四甲基環(huán)四硅氧烷等。形成于篩網(wǎng)16的非晶質炭膜與粘接劑的親和性高，因此，通過使用粘接劑、粘合帶能夠將篩網(wǎng)16可靠地固定于框體12。另外，由于非晶質炭膜與乳劑14的粘接性高，因此，可將乳劑14可靠地保持于篩網(wǎng)16。另外，在代替乳劑14而設置上述的鎳等的金屬箔的情況下，通過不在金屬箔與篩網(wǎng)16的接合部形成非晶質炭膜，能夠可靠地將金屬箔保持于篩網(wǎng)16。本發(fā)明的非晶質炭膜可在含有Si的基礎上含有各種元素、或者代替Si而含有各種元素，以固定性良好地保持后述的硅烷偶聯(lián)劑。例如，作為非晶質炭膜，可使用使a-C:H:Si膜還含有氧原子(O)而得的a-C:H:Si:0膜。膜中的O含量可通過調整氧在含有 Si的主原料氣體和氧的總流量中所占的流量比例而加以改變。氧在主原料氣體和氧的總流量中所占的流量比例例如可調整為達到O. 01 12%、優(yōu)選可調整為達到O. 5 10%。另外，本發(fā)明的非晶質炭膜可以是使a-C: H: Si : O膜還含有氮(N)的a-C: H: Si : O: N膜，或者是對a-C:H:Si膜照射了氮等離子體而得的a-C:H:Si:N膜。另外,還可使用代替Si而含有O或N中的一種或兩種的膜(a-C:H:0膜、a_C:H:N膜、或a-C:H:0:N膜)。例如，通過使用氮或氧、或者它們的混合物來對非晶質炭膜的表面進行等離子體處理，從而可使非晶質炭膜含有氧或氮。該等離子體處理可以在與非晶質炭膜的成膜裝置相同的成膜裝置內，不中斷真空，就能夠與炭膜的成膜連續(xù)地或者成批地進行。經(jīng)等離子體處理后的非晶質炭膜表面在其表面具有Si-OH等各種各樣的官能團，因此，通過這些官能團與后述的含氟的硅烷偶聯(lián)劑所具有的官能團進行相互作用，從而能夠進一步改善后述的含氟的硅烷偶聯(lián)劑與非晶質炭膜表面的密合性。篩網(wǎng)16表面的非晶質炭膜上的至少一部分可形成由含有氟的硅烷偶聯(lián)劑形成的薄膜20。含氟的硅烷偶聯(lián)劑的薄膜20與篩網(wǎng)16表面的非晶質炭膜被由脫水縮合反應而產生的共價鍵或氫鍵等化學鍵牢固地固定。作為含有氟的硅烷偶聯(lián)劑，例如可使用Fluorosarf公司的FG-5010Z130-0. 2。在一實施方式中，該薄膜20按照對透過印刷圖案開口部18的印刷糊劑的透過體積不帶來實質的影響的程度而薄薄地形成，例如可形成為約20nm厚。薄膜20的膜厚并不限于此，可根據(jù)所使用的含氟的硅烷偶聯(lián)劑的種類適當?shù)馗淖?，例如可在Inm Ιμπι的范圍內形成。通過如上所述地使用等離子體CVD法來形成非晶質炭膜，從而能夠按照以不包埋的程度覆蓋乳劑14表面或上述鎳等的金屬箔表面的凹凸的方式形成非晶質炭膜。通過在如此形成的非晶質炭膜涂布硅烷偶聯(lián)劑，從而還可將硅烷偶聯(lián)劑配置于乳劑14表面的凹部。該凹部中的含氟的硅烷偶聯(lián)劑層受到形成于乳劑14表面的凸部的硬的非晶質炭膜的保護，因此不易發(fā)生因摩擦而導致的剝落。由此，可將含氟的硅烷偶聯(lián)劑的薄膜20保持于非晶質炭膜表面歷經(jīng)更長時間，。如上所述，薄膜20形成于非晶質炭膜上的至少一部分。如圖2所例示，一實施方式中的薄膜20可形成于篩網(wǎng)16的各絲的下表面26側。薄膜20例如可通過將含氟的硅烷偶聯(lián)劑的溶液涂布于篩網(wǎng)16的表面而形成。含氟的硅烷偶聯(lián)劑的涂布和在含氟的硅烷偶聯(lián)劑溶液中的浸潰可在大氣中進行，因此在網(wǎng)版10的需要疏水 疏油性的部分例如如上所述在篩網(wǎng)16的從印刷圖案開口部18露出的部分的下表面26側，可以比在真空中操作更容易地形成薄膜20。如上所述構成的網(wǎng)版10可以按照乳劑14的下表面26與被印刷物相對的方式加以配置來使用。將網(wǎng)版10配置在規(guī)定位置后，在上表面24涂布焊料糊劑、構成內部電極的金屬糊劑等印刷糊劑，以一定壓力將橡皮輥(未圖示)壓靠到上表面24，在此狀態(tài)下沿著上表面24使橡皮輥滑動，使所涂布的印刷糊劑通過印刷圖案開口部18，轉印到被印刷物。接著，對上述的網(wǎng)版10的制造方法的一例進行說明。首先，準備由鐵制鑄件、不銹鋼、鋁合金構成的框體12，和利用等離子體CVD法等在表面形成了非晶質炭膜的篩網(wǎng)16，將該篩網(wǎng)16張掛于框體12。篩網(wǎng)16可直接安裝于框體12，也可以通過支承網(wǎng)安裝。然后，將感光乳劑14涂布于該篩網(wǎng)16，利用光刻法將與印刷圖案對應的印刷圖案開口部18形成于乳劑14。接著，在篩網(wǎng)16的露出于印刷圖案開口部18的部分的下表面26側涂布含氟的·硅烷偶聯(lián)劑的薄膜20，得到網(wǎng)版10。這樣，對于本發(fā)明的一實施方式所述的網(wǎng)版10而言，在形成于篩網(wǎng)16表面的非晶質炭膜上的至少一部分設置疏水·疏油性優(yōu)異、與非晶質炭膜牢固地進行化學結合的含氟的硅烷偶聯(lián)劑的薄膜20。薄膜20的疏水 疏油性優(yōu)異，因此能夠抑制印刷時印刷糊劑殘存于印刷圖案開口部18，能夠改善版剝離性和糊劑脫落性。在一實施方式中，可在篩網(wǎng)16中露出于印刷圖案開口部18的部分的下表面26側形成薄膜20。這樣，在印刷糊劑特別容易殘存的部分選擇性地形成含氟的娃燒偶聯(lián)劑的薄膜20。另外,在一實施方式中,含氟的娃燒偶聯(lián)劑與經(jīng)改性的非晶質炭膜牢固地結合，因此不需要利用液狀底涂料來固定含氟的硅烷偶聯(lián)劑。由此，能夠防止因使用液狀底涂料而導致的膜厚的增加、印刷圖案開口部18的堵塞等的弊病。圖3是示意性表示本發(fā)明的其他的實施方式所述的網(wǎng)版30的剖面圖。如圖所示，在網(wǎng)版30中，含氟的硅烷偶聯(lián)劑的薄膜20’不僅可形成于篩網(wǎng)16的下表面?zhèn)?，還形成于內壁22的比篩網(wǎng)16更靠下的下表面26側的局部、和乳劑14的下表面26的印刷圖案開口部18附近。對于網(wǎng)版30的制造方法進行說明。首先，準備由鐵制的鑄件、不銹鋼、鋁合金構成的框體12，和篩網(wǎng)16，將該篩網(wǎng)16張掛于框體12。在篩網(wǎng)16的表面可以形成非晶質炭膜，也可以不形成。然后，將感光乳劑14涂布于篩網(wǎng)16，利用光刻法將印刷圖案開口部18形成于乳劑14。接著，利用等離子體CVD法在乳劑14的內壁22、上表面24、下表面26、和露出于篩網(wǎng)16的部分形成非晶質炭膜。需說明的是，對于篩網(wǎng)16，可以在張貼于框體12之前形成非晶質炭膜。就非晶質炭膜的原料氣體而言，可以使用與用于網(wǎng)版10的制作中的氣體相同的原料氣體。接著，將含氟的硅烷偶聯(lián)劑涂布在該非晶質炭膜上，形成含氟的硅烷偶聯(lián)劑的薄膜20’。由此，得到網(wǎng)版30。薄膜20’可通過將含氟的硅烷偶聯(lián)劑涂布于篩網(wǎng)16的下表面26側、內壁22的比篩網(wǎng)16更靠下的下表面?zhèn)鹊木植俊⒑腿閯?4的下表面26的印刷圖案開口部18附近而形成。這樣，對于本發(fā)明的一實施方式所述的網(wǎng)版30而言，可在非晶質炭膜上的篩網(wǎng)16和印刷圖案開口部18的內壁22的至少一部分固定性良好地設置疏水 疏油性優(yōu)異的硅烷偶聯(lián)劑的薄膜20’。由此，可進一步抑制印刷時印刷糊劑殘存在印刷圖案開口部18，進一步改善版剝離性和糊劑脫落性。另外，由于在乳劑14的下表面26的印刷圖案開口部18附近也形成硅烷偶聯(lián)劑的薄膜20’，因此可抑制印刷時的印刷糊劑的滲透，并且薄膜20’在網(wǎng)版30與被印刷物之間成為緩沖材料，可保護被印刷物以抗拒與網(wǎng)版30的接觸而產生的沖擊。另外，在本發(fā)明的一實施方式中，非晶質炭膜比乳劑14的潤濕性更高，因此，通過形成于乳劑14的上表面24的非晶質炭膜的高潤濕性，可將印刷糊劑涂布在整個乳劑14上。圖4是示意性地表示本發(fā)明的其他實施方式所述的網(wǎng)版40的剖面圖。如圖所示，在網(wǎng)版40中，含氟的硅烷偶聯(lián)劑的薄膜20”還形成于篩網(wǎng)16的上表面?zhèn)群蛢缺?2的上表面?zhèn)取Ｓ纱?，能夠進一步抑制印刷時印刷糊劑殘存在印刷圖案開口部18，能夠進一步改善版剝離性和糊劑脫落性。網(wǎng)版40可利用與網(wǎng)版30相同的方法來制造。圖5是示意性地表示本發(fā)明的其他的實施方式所述的金屬掩模50的剖面圖。如圖所示，本發(fā)明的一實施方式所述的金屬掩模50是利用蝕刻加工、擠壓沖剪加工、鉆削加工、激光加工等公知的手法，于由不銹鋼(SUS)等金屬構成的掩模單板51形成與印刷圖案對應 的印刷圖案開口部54。作為掩模單板51的材質，可利用各種各樣的材質，例如可使用聚氯乙烯、丙烯酸、聚碳酸酯等樹脂，陶瓷、纖維素等原料來構成掩模單板51。另外，掩模單板51也可以是將上述的金屬板與乳劑等感光性樹脂，聚酰亞胺、聚酰亞胺酰胺等樹脂，以及保護帶等接合而成的多層的合板?？衫蒙鲜龅入x子體CVD等方法將未圖示的非晶質炭膜形成于形成有印刷圖案開口部54的掩模單板51。在一實施方式中，非晶質炭膜可形成于掩模單板51的上表面52、下表面53、和內壁56。而且,可在內壁56的比厚度方向中央更靠近下表面53側的部分，在非晶質炭膜的上面形成含氟的硅烷偶聯(lián)劑的薄膜55。薄膜55可通過與上述的薄膜20相同的方法形成。使用時，將金屬掩模50按照使其下表面53與被印刷物相對的方向進行配置，在其上表面52涂布印刷糊劑，以一定壓力將橡皮輥壓靠到上表面，在這種狀態(tài)下使橡皮輥沿著上表面滑動。由此，可以介由印刷圖案開口部54將已涂布的印刷糊劑轉印于被印刷物。這樣，對于本發(fā)明的一實施方式所述的金屬掩模50而言，在印刷糊劑所通過的印刷圖案開口部54的內壁56的至少一部分，固定性良好地設置有疏水·疏油性優(yōu)異的硅烷偶聯(lián)劑的薄膜55。薄膜55的疏水 疏油性優(yōu)異，因此可以在印刷時抑制印刷糊劑殘存在印刷圖案開口部54，改善版剝離性和糊劑脫落性。形成于金屬掩模的含氟的硅烷偶聯(lián)劑的薄膜55的位置并不限于圖5所示的位置。圖6和圖7示出其他的示例。例如，在圖6所示的金屬掩模60中，硅烷偶聯(lián)劑的薄膜55’形成于印刷圖案開口部54的內壁56的下表面53側、和掩模單板51的下表面53的印刷圖案開口部54附近。由此，在提高糊劑脫落性的基礎上，還可抑制印刷時的印刷糊劑的滲透，并且薄膜55’可在金屬掩模60與被印刷物之間成為緩沖材，保護被印刷物。另外，在圖7所示的金屬掩模70中，非晶質炭膜(未圖示)及含氟的硅烷偶聯(lián)劑的薄膜55”形成于印刷圖案開口部54的內壁56整體、和掩模單板51的下表面53的印刷圖案開口部54附近。由此，能夠進一步改善版剝離性和糊劑脫落性。如上所述，對于本發(fā)明的各種實施方式所述的網(wǎng)版和金屬掩模而言，在開口部的內壁面內的至少一部分形成有經(jīng)改質的非晶質炭膜，進而由含氟的硅烷偶聯(lián)劑形成于該非晶質炭膜表面，因此能夠在印刷時抑制印刷糊劑殘存于開口部，使版剝離性和糊劑脫落性提聞。[實施例]基于電鑄工藝的Ni圖案箔的制作和炭膜的成膜將不銹鋼(SUS304)切割成表面加工拋光研磨品厚O. 3mm、一邊95mm的四邊形，進行脫脂，利用旋涂機(MIKASA(株)1H-DX II)以最大2500RPM將JSR公司制光致抗蝕劑THB-126N涂布后，利用熱板(井內sefi SHAMAL HOTPLATE HHP-401)在90°C下干燥5分鐘，使用利用手動掩模Alaina紫外線曝光裝置(SUSS MicroTec MA6)按照能夠預先描繪40 μ mLine&Space的格子形狀的方式制作而得的玻璃干板,在600mJ/cm2下進行曝光,加入顯影液進行手搖動75秒(15秒靜止后搖動)顯影?？刮g劑涂布厚度約40 μ m。然后，利用氨基磺酸鎳鍍覆液對該母型進行鍍覆，在電流I. 8A、電流密度約2. 4A/dm2下鍍覆50分鐘。然后，利用專用的抗蝕劑剝離液(THB-S2)將抗蝕劑部分除去。省略利 用機械研磨等的所析出的Ni箔的表面研磨工序。然后，將前述的形成圖案后的Ni箔從電鑄母型用不銹鋼(SUS304)板剝離，按照可在除電極接點部以外的Ni箔的整個面形成非晶質炭膜的方式加以固定。將固定于SUS板夾具的Ni箔投入到高壓脈沖等離子體CVD裝置中，真空減壓至I X 10_3pa為止，然后在使氬氣達到流量30CCM、氣壓2Pa、脈沖頻率10kHz、脈沖寬度10 μ s的條件下，利用氬氣等離子體對基材進行約5分鐘的清潔。然后，以三甲基硅烷達到流量40SCCM、氣壓2Pa的方式進行流量調整，在外加電場_7kV、脈沖頻率10kHz、脈沖寬度10 μ s下進行10分鐘的成膜處理。具體而言，在進行了 5分鐘的成膜后放置20分鐘進行冷卻，然后再進行5分鐘的成膜，從而進行10分鐘成膜。然后，將蒂托輪(Tetoron)篩網(wǎng)張掛于印刷掩模用的240mmX290mm的四邊形招合金框(flame),在該蒂托輪篩網(wǎng)的中央部分臨時固定上述已成膜的Ni箔。接著,將Aica工業(yè)株式會社制EX-582CA(主劑)、EX-582CB(固化劑)按照主劑2 :固化劑I的比率，有目標地從蒂托輪篩網(wǎng)側涂付抹糊料的部分(糊3 )lcm左右，投入到50°C的干燥爐中45分鐘，使粘接劑固化。然后，將已干燥的蒂托輪篩網(wǎng)從干燥爐中取出，將與Ni箔部分重疊的蒂托輪篩網(wǎng)部分切下。然后，在蒂托輪篩網(wǎng)部分整面地張掛鋁帶，得到型版掩模。將Fluorosarf公司的FG-5010Z130-0. 2氟涂布劑刷毛涂布在已做好的型版掩模的與印刷基板相接的側的面，使其干燥2天，完成帶有疏水·疏油性的表面結構的Ni電鑄型版掩模。為了進行本件發(fā)明的印刷性的提高的確認，而如下詳述，使用表面形成有疏水 疏油性的薄膜的不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)來進行印刷試驗。首先，準備切割成140mmX140mm見方的大阪篩網(wǎng)制SC500-18-18。利用不銹鋼(SUS304)板從兩方夾持該篩網(wǎng)的一半，從而將經(jīng)掩蔽的物體投入到高壓脈沖等離子體CVD裝置中。在將該高壓脈沖等離子體CVD裝置真空減壓至IX 10_3pa為止后，在使氬氣達到流量30CCM、氣壓2Pa、脈沖頻率IOkHz、脈沖寬度10 μ s的條件下，利用氬氣等離子體對基材進行約5分鐘的清潔。接著，使用流量40SCCM、氣壓2Pa的三甲基硅烷作為反應氣體，在外加電場_7kV、脈沖頻率10kHz、脈沖寬度10 μ s的條件下，在清潔后的篩網(wǎng)上成膜10分鐘，在不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)的表面形成非晶質炭膜。接著，將鋁制的240mmX290mm見方的框與不銹鋼(SUS304)制的板粘接。作為所述不銹鋼(SUS304)制的板，使用厚為O. 6mm且在板中央部設置有130mmX 130m的矩形的貫通孔的板。然后，以覆蓋該貫通孔的方式將前述不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)臨時固定于不銹鋼(SUS304)制的板。然后，使用粘接劑(Aron Alpha203TX)將不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)與不銹鋼(SUS304)制的板粘接。然后，將不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)和不銹鋼(SUS304)制的板投入到干燥爐中，使粘接劑固化。將粘接劑干燥后，使用鋁制的粘合帶將安裝于鋁框的不銹鋼(SUS304)制的板與不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)的接合部糊縫，從而使不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)僅露出120mmX 120mm的大小。然后，在已完成的網(wǎng)版的不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)的成膜有非晶質炭膜的部分涂布Fluorosarf公司的氟涂布劑、FG-5010Z130-0. 2，干燥2天。以噴霧的形式對干燥后的不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)整個面噴IPA，利用含有IPA的無紡布擦拭不銹鋼篩網(wǎng)露出部的兩面，完成試驗用的網(wǎng)版。然后，使用如上所述制成的試驗用的網(wǎng)版，進行印刷實驗。印刷機使用的是MINAMI株式會社制印刷機MK-850-SV。將上述試驗用網(wǎng)版的框體通過掩模接合器安裝于印刷機。然后，將硬度70的聚氨酯橡皮輥切割成IlOmm的長度，安裝于橡皮輥柄，在橡皮輥速度為約·20mm/S、橡皮輥擠入量為從橡皮輥與SUS篩網(wǎng)接觸而處于平行的點擠入I. 25mm(位移)、橡皮輥推進角度為60度的條件下進行接觸法印刷，驗證糊劑透過性。作為印刷基板(被印刷物)，準備了如下而得的基板將利用印制電路基板法使Ni-Zn-Cu鐵素體的漿料形成為厚約30 μ m的磁性體片的材料切割，再將其貼于不銹鋼(SUS304)的板上。另外，作為印刷用糊劑，使用NAMIX公司制X7348S-13Ag糊劑粒徑φ μπ 、粘度SOOPa' S。X7348S-13為厚膜印刷用且粘性高，具有容易殘留于印刷篩網(wǎng)的性質。圖8表示使用實施了上述的氟涂布而得的不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)將X7348S-13糊劑印刷后的該不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)部分的照片。圖9表示使用未形成非晶質炭膜和氟涂層的任一種的不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)將X7348S-13糊劑印刷后的該SUS篩網(wǎng)部分的照片。在圖8中，完全沒有觀察到糊劑附著于不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)。另一方面，如圖9所示，在未形成非晶質炭膜和氟涂層中的任一種的不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)部分，因印刷而導致大量的糊劑以填埋網(wǎng)孔的方式附著。圖10表示使用實施了氟涂布而得的不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)部分、和未實施氟涂布的不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)部分而印刷于基板上的糊劑的照片。該圖的比中央更靠左的左側表示利用實施了氟涂布而得的不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)部分而被印刷的糊劑，該圖的比中央更靠右的右側表示利用未實施氟涂布的不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)部分而被印刷的糊劑。如圖2所示可知，利用未實施氟涂布的不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)部分而被印刷的糊劑被糊劑較薄地印刷于基板。由此可知，未實施氟涂布的不銹鋼(SUS)篩網(wǎng)部分的糊劑的透過性差。這樣,能夠確認,通過對非晶質炭膜表面實施氟涂布,糊劑的透過性大幅改善。接觸角的測定將含有Si、O或N中的至少一種元素的非晶質炭膜形成于不銹鋼(SUS3042B品)表面，如下所述地制作對上述的非晶質炭膜實施氟涂布(含氟的硅烷偶聯(lián)劑層)而得的試樣。為了考察各試樣的氟涂布層的固定性，對各試樣進行了與溶劑油(油)及水(純水)的接觸角的測定。溶劑油大多作為印刷糊劑的稀釋液來使用，因此通過測定與溶劑油的接觸角，從而能夠評價與印刷糊劑的潤濕性。I.試樣的制作使用I邊為30mm、厚為1mm、表面粗糙度Ra為O. 034 μ m的矩形的不銹鋼(SUS304)板作為各試樣的基材。對不銹鋼(SUS304)板進行復合電解研磨處理。(I)實施例I的制作向高壓脈沖等離子體CVD裝置中2點投入上述不銹鋼(SUS304)基材，在真空減壓至I X IO-3Pa后，利用氬氣等離子體對該基材進行約5分鐘的清潔。利用氬氣等離子體的清潔在各實施例、比較例中均在氬氣流量15SCCM，氣壓IPa，外加電場_4kV脈沖頻率2kHz、脈沖寬度50μ s、5分鐘的條件下進行。清潔后，以使反應容器內的氣壓達到I. 5Pa的方式將流量15SCCM的氬和流量10SCCM的四甲基硅烷導入到反應容器中，在外加電場_4kV、脈沖頻 率2kHz、脈沖寬度50 μ s的條件下進行30分鐘的非晶質炭膜成膜。在這樣成膜而得的非晶質炭膜的表面浸潰涂布作為含氟的硅烷偶聯(lián)劑的Fluorosarf公司的FG-5010Z130-0. 2的溶液(氟樹脂O. 02 O. 2%、氟系溶劑99. 8% 99. 98% )，在室溫下干燥2天，得到實施例I的試樣。(2)實施例2的制作向高壓脈沖等離子體CVD裝置中2點投入上述不銹鋼(SUS304)基材，在真空減壓至IX IO-3Pa后，利用氬氣等離子體對基材進行約5分鐘的清潔。清潔后，以使反應容器內的氣壓達到I. 5Pa的方式將流量15SCCM的氬、和流量10SCCM的四甲基硅烷導入到反應容器中，在外加電場_4kV、脈沖頻率2kHz、脈沖寬度50 μ s的條件下成膜30分鐘。然后，將原料氣體排氣，然后以使氣壓達到I. 5Pa的方式將流量14SCCM的氧氣導入到反應容器中，在夕卜加電場_3kV、脈沖頻率2kHz、脈沖寬度50 μ s的條件下以氧等離子體對非晶質炭膜照射5分鐘。然后，在氧等離子體的照射后的非晶質炭膜的表面浸潰涂布作為氟系硅烷偶聯(lián)劑的Fluorosarf公司的FG-5010Z130-0· 2的溶液(氟樹脂O. 02 O. 2%、氟系溶劑99. 8% 99. 98% )，在室溫下干燥2天，得到實施例2的試樣。(3)實施例3的制作首先，與實施例I相同地使用氬和四甲基硅燒，將非晶質炭膜成膜。接著，將原料氣體排氣后，以使反應容器內的氣壓達到I. 5Pa的方式將流量15SCCM的氮氣導入到反應容器中，在外加電場_4kV、脈沖頻率2kHz、脈沖寬度50 μ s的條件下以氮等離子體對非晶質炭膜照射5分鐘。然后，與實施例I同樣，將氟系硅烷偶聯(lián)劑浸潰涂布于氮等離子體照射后的非晶質炭膜，在室溫下干燥2天，得到實施例3的試樣。(4)實施例4的制作與實施例I同樣，使用氬和四甲基硅烷，將非晶質炭膜成膜。接著，將原料氣體排氣后，以使反應容器內的氣壓達到I. 5Pa的方式將流量15SCCM的氮氣流量導入到反應容器中，在外加電場_4kV、脈沖頻率2kHz、脈沖寬度50 μ s的條件下以氮等離子體對非晶質炭膜照射5分鐘。然后，將氮氣排氣，以使反應容器內的氣壓達到I. 5Pa的方式將流量14SCCM的氧氣導入到反應容器中，在外加電場_3kV、脈沖頻率2kHz、脈沖寬度50 μ s的條件下以氧等離子體對非晶質炭膜照射5分鐘。與實施例I同樣，將氟系硅烷偶聯(lián)劑浸潰涂布于該氮等離子體和氧等離子體照射后的非晶質炭膜，在室溫下干燥2天，得到實施例4的試樣。
(5)實施例5的制作向高壓脈沖等離子體CVD裝置中2點投入上述不銹鋼(SUS304)基材，真空減壓至I X IO-3Pa為止后，利用氬氣等離子體對該基材進行清潔。清潔后，以使反應容器內的壓力達到I. 5Pa的方式將流量15SCCM的四甲基硅烷和流量O. 7SCCM的氧氣導入到反應容器中，在外加電場_4kV、脈沖頻率2kHz、脈沖寬度50 μ s的條件下成膜30分鐘。按照與四甲基硅烷的流量混合比達到4. 5%的方式調整氧氣。與實施例I同樣，在如此成膜而得的非晶質炭膜的表面涂布氟系硅烷偶聯(lián)劑，在室溫下干燥2天，得到實施例5的試樣。(6)實施例6的制作向高壓脈沖等離子體CVD裝置中2點投入上述不銹鋼(SUS304)基材，真空減壓至IX 10_3Pa為止后，利用氬氣等離子體對該基材進行清潔。清潔后，以使反應容器內的壓力達到I. 5Pa的方式，將流量15SCCM的四甲基硅烷和流量I. 4SCCM的氧氣導入到反應容器中，在外加電場_4kV、脈沖頻率2kHz、脈沖寬度50 μ s的條件下成膜30分鐘。按照與四甲基硅··烷的流量混合比達到8. 5%的方式調整氧氣。與實施例I同樣，在如此成膜而得的非晶質炭膜的表面浸潰涂布氟系硅烷偶聯(lián)劑，在室溫下干燥2天，得到實施例6的試樣。(7)實施例7的制作向高壓脈沖等離子體CVD裝置中2點投入上述不銹鋼(SUS304)基材，真空減壓至IX 10_3Pa為止后，利用氬氣等離子體對該基材進行清潔。清潔后，以使反應容器內的氣壓達到I. 5Pa的方式，將流量15SCCM的氬、和流量10SCCM的四甲基硅烷導入到反應容器內中，在外加電場_4kV、脈沖頻率2kHz、脈沖寬度50 μ s的條件下成膜約10分鐘。由此，在基材表面形成含有Si的非晶質炭膜作為打底中間層。然后，以使反應容器內的氣壓力達到I. 5Pa的方式，將流量20SCCM的乙炔導入到反應容器中，在外加電場-4kV、脈沖頻率2kHz、脈沖寬度50μ s的條件下進行30分鐘的成膜。由此，在打底中間層的表面形成了不含Si的非晶質炭膜。將原料氣體排氣后，以使反應容器內的氣壓達到I. 5Pa的方式將流量14SCCM的氧氣導入到反應容器中，在外加電場_4kV、脈沖頻率2kHz、脈沖寬度50 μ s的條件下，以氧等離子體對非晶質炭膜照射5分鐘。與實施例I同樣，在該氧等離子體照射后的非晶質炭膜的表面浸潰涂布氟系硅烷偶聯(lián)劑，在室溫下干燥2天，得到實施例7的試樣。(8)實施例8的制作與實施例7同樣，于不銹鋼(SUS304)基材形成含有Si的非晶質炭膜作為打底中間層，在該打底中間層的表面形成不含Si的非晶質炭膜。在本實施例中，將原料氣體排氣后，以使反應容器內的氣壓達到I. 5Pa的方式，將流量14SCCM的氮氣導入到反應容器中，在夕卜加電場_4kV、脈沖頻率2kHz、脈沖寬度50 μ s的條件下以氮等離子體對非晶質炭膜照射5分鐘。與實施例I同樣，在該氮等離子體照射后的非晶質炭膜的表面浸潰涂布氟系硅烷偶聯(lián)劑，在室溫下干燥2天，得到實施例8的試樣。(9)實施例9的制作與實施例7同樣，于不銹鋼(SUS304基材)形成含有Si的非晶質炭膜作為打底中間層，在該打底中間層的表面形成不含Si的非晶質炭膜。在本實施例中，將原料氣體排氣后，以使反應容器內的氣壓達到I. 5Pa的方式，將流量14SCCM的氮氣導入到反應容器中，在外加電場_4kV、脈沖頻率2kHz、脈沖寬度50μ s的條件下以氮等離子體對非晶質炭膜照射5分鐘。然后，將氮氣排氣，以使反應容器內的氣壓達到I. 5Pa的方式，將流量14SCCM的氧氣導入到反應容器中，在外加電場-3kV、脈沖頻率2kHz、脈沖寬度50 μ s的條件下以氧等離子體對非晶質炭膜照射5分鐘。與實施例I同樣，在該氮等離子體和氧等離子體照射后的非晶質炭膜的表面浸潰涂布氟系硅烷偶聯(lián)劑，在室溫下干燥2天，得到實施例9的試樣。(10)比較例I的制作與實施例7同樣，于SUS304基材形成含有Si的非晶質炭膜作為打底中間層。在本比較例中，將原料氣體排氣后，以使反應容器內的氣壓達到I. 5Pa的方式，將流量20SCCM的乙炔導入到反應容器中，在外加電場-4kV、脈沖頻率2kHz、脈沖寬度50μ s的條件下成膜30分鐘。這樣，在打底中間層上形成不含Si的非晶質炭膜。與實施例I同樣，將氟系硅烷偶聯(lián)劑浸潰涂布于該不含Si的非晶質炭膜，在室溫下干燥2天，得到比較例I的試樣。2.潤濕性的測定然后，對于上述實施例I 7和比較例I的各個試樣，測定與溶劑油(油)的潤濕 性。對于測定而言，使用Fibro system公司制的移動式接觸角計PG-X(移動接觸角計)，在室溫25°C、濕度30%的環(huán)境下進行。為了考察含氟的硅烷偶聯(lián)劑的固定性，而將實施例I 7和比較例I的各試樣投入到丙酮中，進行120分鐘超聲波洗滌，對于各試樣測定超聲波洗滌后的與溶劑油的接觸角。在進行超聲波洗滌時，將各試樣連續(xù)地進行60分鐘的超聲波洗滌后，停止60分鐘的超聲波洗滌而放置，然后再進行60分鐘的超聲波洗滌。需說明的是，對于比較例I的試樣而言，推測因短時間的超聲波洗滌而導致了含氟的硅烷偶聯(lián)劑脫落，因此僅進行5分鐘的超聲波洗滌，測定該5分鐘的超聲波洗滌后的接觸角。超聲波洗滌使用株式會社SND制的商品名US-20KS (振蕩38kHz (BLT自激振蕩)、高頻輸出功率480W)來進行。通過進行超聲波洗滌，從而因壓電振子的振動而在丙酮中產生空穴(空洞)，該空穴被基材表面壓破時對基材表面產生較大的物理的沖擊力，因此，與下層的結合弱的含氟的硅烷偶聯(lián)劑從基材表面剝離。因而，通過考察超聲波洗滌后的基材表面的接觸角，可確認出氟硅烷偶聯(lián)劑與其下層的密合性。圖11是表示實施例I 7和比較例I的與溶劑油的接觸角的測定結果的曲線圖，表示在基板上的16處測定位置所測定的接觸角的平均值。如圖示所示，對于比較例I的試樣而言，通過5分鐘的超聲波洗滌而使接觸角降低至約40°。另一方面，對于實施例I 7的試樣而言，即使在120分鐘的超聲波洗滌后也保持了 45°以上的接觸角。尤其是對于在非晶質炭膜中含有Si的實施例I 6的資料而言，均維持了 50°以上的接觸角。這樣，對于各實施例而言，確認了在試樣表面殘存了為發(fā)揮疏水·疏油性而足夠量的含氟的硅烷偶聯(lián)劑。然后，測定與水(純水)的潤濕性。測定裝置、環(huán)境與上述相同。將實施例I 9和比較例I的各試樣投入到丙酮中，進行5分鐘的超聲波洗滌，對于各試樣，測定超聲波洗滌后的與水的接觸角。圖12是表示實施例I 9和比較例I的與水的接觸角的測定結果的曲線圖，表示在基板上的10處測定位置所測定的接觸角的平均值。如圖所示，比較例I的接觸角約為90° ,與此相對,實施例I 9的接觸角均為105°以上,對于各實施例而言，確認了在試樣表面殘存了為發(fā)揮疏水·疏油性而足夠量的含氟的硅烷偶聯(lián)劑。由以上的接觸角的測定結果可知通過將實施例I 9所示的由非晶質炭膜和含氟的硅烷偶聯(lián)劑構成的膜結構應用于網(wǎng)版印刷用孔版的開口部，從而如圖9所示，能夠抑制在該開口部的糊劑的殘存。
圖13是表示在進行了 5分鐘的超聲波洗滌的比較例I的表面的多個位置(測定位點)測定與溶劑油的接觸角而得的結果的曲線圖，圖14是表示在進行了 120分鐘的超聲波洗滌的實施例7的表面的多個位置(測定位點)測定與溶劑油的接觸角的結果的曲線圖。由圖13和14可知，對于比較例I而言，確認了每個接觸角的測定位點的偏差(Max-Min)的幅度大，氟硅烷偶聯(lián)劑發(fā)生了剝離。對于實施例7而言，得到了相對均勻的接觸角。就上述實施例2 6而言，將含有硅的非晶質炭膜成膜后，在反應容器中不中斷真空，就進行了含有硅的原料氣體的排氣、氧和/或氮的導入、以及等離子體照射，但也可以在制作了含有硅的非晶質炭膜后，將反應容器返回至常壓，然后再度使反應容器成為真空狀態(tài)，導入氧和/或氮。這樣，即使是在等離子體照射前將反應容器返 回至常壓的情況，也確認了與水和溶劑油的接觸角顯示出與上述實施例大致相同的數(shù)值。
權利要求
1.一種網(wǎng)版，其具有 固定于框體的篩網(wǎng)， 填充于所述篩網(wǎng)且形成有貫通孔的乳劑層， 形成于所述貫通孔的內壁面的至少一部分且含有硅、氧或氮中的至少一種元素的非晶質炭膜層，和 設置于所述非晶質炭膜層上的至少一部分的含有氟的硅烷偶聯(lián)劑薄膜層。
2.根據(jù)權利要求I所述的網(wǎng)版，其中，所述非晶質炭膜使用氮或氧、或者氮和氧的混合物被等離子體處理。
3.根據(jù)權利要求I所述的網(wǎng)版，其中，所述非晶質炭膜還形成于所述篩網(wǎng)的表面。
4.根據(jù)權利要求I所述的網(wǎng)版，其中，所述非晶質炭膜還形成于所述乳劑層的表面。
5.根據(jù)權利要求I所述的網(wǎng)版，其中，所述乳劑層具有與被印刷物相對配置的下表面，所述硅烷偶聯(lián)劑薄膜層設置在所述貫通孔的內壁面內的所述乳劑層的下表面?zhèn)鹊牟糠帧?br> 6.根據(jù)權利要求I所述的網(wǎng)版，其中，所述硅烷偶聯(lián)劑薄膜層設置于所述貫通孔的整個內壁面。
7.根據(jù)權利要求5所述的網(wǎng)版，其中，所述硅烷偶聯(lián)劑薄膜層設置于所述下表面的所述貫通孔附近。
8.—種網(wǎng)版印刷用掩模，其具有 直接安裝于框體或者隔著篩網(wǎng)間接安裝于框體的具有貫通孔的掩?；?， 形成于所述貫通孔的內壁面的至少一部分且含有硅、氧或氮中的至少一種元素的非晶質炭膜層，和 設置于所述非晶質炭膜層上的至少一部分的含有氟的硅烷偶聯(lián)劑薄膜層。
9.根據(jù)權利要求8所述的網(wǎng)版印刷用掩模，其中，所述非晶質炭膜使用氮或氧、或者氮和氧的混合物被等離子體處理。
10.根據(jù)權利要求8所述的網(wǎng)版印刷用掩模，其中，所述非晶質炭膜還形成于所述金屬板的表面。
11.根據(jù)權利要求8所述的網(wǎng)版印刷用掩模，其中，所述掩模基板具有與被印刷物相對配置的下表面，所述硅烷偶聯(lián)劑薄膜層設置在所述貫通孔的內壁面內的所述掩模基板的下表面?zhèn)鹊牟糠帧?br> 12.根據(jù)權利要求9所述的網(wǎng)版印刷用掩模，其中，所述硅烷偶聯(lián)劑薄膜層設置于所述貫通孔的整個內壁面。
13.根據(jù)權利要求11所述的網(wǎng)版印刷用掩模，其中，所述硅烷偶聯(lián)劑薄膜層設置于所述下表面的所述貫通孔附近。
14.根據(jù)權利要求8所述的網(wǎng)版印刷用掩模，其中，所述掩?；逵山饘僦苹驑渲频陌宀臉嫵?。
15.一種網(wǎng)版印刷用掩模，其具有 固定于框體的篩網(wǎng)， 安裝于所述篩網(wǎng)的一個面的具有貫通孔的掩模基板， 形成于所述貫通孔的內壁面的至少一部分且含有硅、氧或氮中的至少一種元素的非晶質炭膜層，和設置于所述非晶質炭膜層上的至少一部分的含有氟的硅烷偶聯(lián)劑薄膜層。
16.根據(jù)權利要求15所述的網(wǎng)版印刷用掩模，其中，所述非晶質炭膜使用氮或氧、或者氮和氧的混合物被等離子體處理。
17.根據(jù)權利要求15所述的網(wǎng)版印刷用掩模，其中，所述非晶質炭膜還形成于所述篩網(wǎng)的表面。
18.根據(jù)權利要求15所述的網(wǎng)版印刷用掩模，其中，所述非晶質炭膜還形成于所述掩?；宓谋砻?。
19.根據(jù)權利要求15所述的網(wǎng)版印刷用掩模，其中，所述掩?；寰哂信c被印刷物相對配置的下表面，所述硅烷偶聯(lián)劑薄膜層設置在所述貫通孔的內壁面內的所述掩?；宓南卤砻?zhèn)鹊牟糠帧?br> 20.根據(jù)權利要求15所述的網(wǎng)版印刷用掩模，其中，所述硅烷偶聯(lián)劑薄膜層設置于所述貫通孔的整個內壁面。
21.根據(jù)權利要求19所述的網(wǎng)版印刷用掩模，其中，所述硅烷偶聯(lián)劑薄膜層設置于所述下表面的所述貫通孔附近。
22.根據(jù)權利要求15所述的網(wǎng)版印刷用掩模，其中，所述掩?；逵蛇x自鎳箔、鎳合金箔、不銹鋼箔的金屬箔構成。
23.—種網(wǎng)版的制造方法，其具有 將篩網(wǎng)固定于框體的工序， 將乳劑填充于所述篩網(wǎng)而形成乳劑層的工序， 在所述乳劑層的與印刷圖案相對應的位置形成貫通孔的工序， 在所述貫通孔的內壁面的至少一部分形成含有硅、氧或氮中的至少I種元素的非晶質炭膜層的工序，和 在所述非晶質炭膜層上的至少一部分形成含有氟的硅烷偶聯(lián)劑薄膜層的工序。
24.一種網(wǎng)版印刷用掩模的制造方法，其具有 將掩?；逯苯庸潭ㄓ诳蝮w或者隔著篩網(wǎng)間接固定于框體的工序， 在所述金屬板的與印刷圖案相對應的位置形成貫通孔的工序， 在所述貫通孔的內壁面的至少一部分形成含有硅、氧或氮中的至少一種元素的非晶質炭膜層的工序，和 在所述非晶質炭膜層上的至少一部分形成含有氟的硅烷偶聯(lián)劑薄膜層的工序。
25.一種網(wǎng)版印刷用掩模的制造方法，其具有 將篩網(wǎng)固定于框體的工序， 將具有貫通孔的掩?；灏惭b于所述篩網(wǎng)的一個面的工序， 在所述貫通孔的內壁面的至少一部分形成含有硅、氧或氮中的至少一種元素的非晶質炭膜層的工序，和 在所述非晶質炭膜層上的至少一部分形成含有氟的硅烷偶聯(lián)劑薄膜層的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供具有DLC膜等非晶質炭膜、且在該非晶質炭膜上的至少一部分固定性良好地設置有疏水·疏油層的網(wǎng)版印刷用孔版。本發(fā)明的一實施方式所述的網(wǎng)版(10)具有固定于框體(12)的篩網(wǎng)(16)，填充于篩網(wǎng)(16)且形成有印刷圖案開口部(18)的乳劑層(14)，形成于印刷圖案開口部(18)的內壁(22)的表面的至少一部分且含有硅、氧或氮中的至少一種元素的非晶質炭膜層，設置于該非晶質炭膜層上的至少一部分的含有氟的硅烷偶聯(lián)劑薄膜層(20)。
文檔編號B41C1/14GK102947103SQ2011800265
公開日2013年2月27日 申請日期2011年4月1日 優(yōu)先權日2010年5月28日
發(fā)明者澀澤邦彥, 佐藤剛, 木津克夫 申請人:太陽化學工業(yè)株式會社