專利名稱：液體排出頭的制造方法和排出口部件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有排出液體的排出口的液體排出頭的制造方法和用于液體排出頭 的排出口部件的制造方法。
背景技術(shù)：
液體排出頭可被用作安裝在噴墨打印機(jī)上的噴墨頭。日本專利申請(qǐng)公開(kāi) NO.H03-049960公開(kāi)了通過(guò)電鑄法(electroforming)形成具有排出墨水的排出口并被用 于噴墨打印機(jī)的排出口部件的方法。將詳細(xì)描述通過(guò)使用電鑄法形成排出口部件的方法。圖11是液體排出頭1中的 排出口和液體流路的部分的放大截面圖。排出口部件11具有多個(gè)排出口 12，并且，排出口 部件11通過(guò)粘接劑16被固定到流路壁13上。流路壁13被布置在元件基板10上，元件基 板10具有產(chǎn)生用于排出墨水的能量的能量產(chǎn)生元件14。作為被流路壁13、元件基板10和 排出口部件11包圍的區(qū)域的液體室被墨水填充。通過(guò)由能量產(chǎn)生元件14產(chǎn)生的能量，使 液體室內(nèi)的墨水作為墨滴從排出口部件11的排出12飛行并粘附于打印紙上。作為在排出口部件11中形成排出口 12的方法，存在大量的方法，例如，鉆孔、放電 加工、激光加工和電鑄法等是通常已知的。在這些方法中，電鑄法具有可以以低成本形成多 個(gè)排出口 12的優(yōu)點(diǎn)。圖4A 4C是用于描述通過(guò)電鑄法形成排出口 12的例子的示圖。首先，如圖4A 所示，在導(dǎo)電基板21上涂敷由感光樹(shù)脂制成的抗蝕劑17。然后，在抗蝕劑17上布置具有開(kāi) 口的掩模18。另外，在掩模18中，一開(kāi)口和與其相鄰的另一開(kāi)口之間的距離(圖4A中的箭 頭部分)為D。然后，通過(guò)使用曝光光19，抗蝕劑17的與開(kāi)口對(duì)應(yīng)的部分被曝光。當(dāng)這些 部分經(jīng)受顯影處理時(shí)，抗蝕劑17如圖4B所示的那樣被顯影。另外，抗蝕劑17的厚度為定 義為tD。然后，當(dāng)通過(guò)電鑄法在導(dǎo)電基板21上鍍覆M(鎳)時(shí)，如圖4C所示，鍍鎳20被層 疊。此時(shí)，在鍍鎳20之間形成具有直徑d的排出口。當(dāng)鍍鎳20的厚度(參照?qǐng)D4C)被定 義為tN時(shí)，直徑d基本上由下式表達(dá)。d=D-2(tN-tD)(式 ι)因此，d由掩模中的一開(kāi)口和與其相鄰的另一開(kāi)口之間的距離D、抗蝕劑17的厚度 tD和鍍鎳20的厚度tN確定。由于tD是可忽略不計(jì)的，因此，在d不變的情況下，當(dāng)排出口 之間的距離變小時(shí)，鍍層的厚度必須變小。換句話說(shuō)，隨著排出口的密度變高，排出口部件變薄。這里，引向通過(guò)鍍覆形成的排出口部件的排出口 12的流路由曲面形成，使得其直 徑向著排出口 12逐漸變小。當(dāng)排出口部件被形成為使得該部件的厚度變小的形狀時(shí)，變得 難以使排出液滴沿著該液滴向基板101直進(jìn)的方向飛行。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種通過(guò)使用電鑄法有效地制造具有高排出性能的排出口形成部件的方法。一種液體排出頭的制造方法，該液體排出頭具有基板和排出口部件，該基板包含 產(chǎn)生用于排出液體的能量的能量產(chǎn)生元件，該排出口部件具有排出液體的排出口并與基板 接合，由此形成與排出口連通的液體流路，該方法依次執(zhí)行以下的步驟制備導(dǎo)電基底，在 該導(dǎo)電基底上依次層疊有用于形成排出口的第一絕緣抗蝕劑和第二絕緣抗蝕劑；通過(guò)使用 第一抗蝕劑和第二抗蝕劑作為掩模執(zhí)行鍍覆，并形成第一鍍層，使得第一鍍層的頂面距基 底的高度比第一抗蝕劑的頂面距基底的高度高并比第二抗蝕劑的頂面距基底的高度低；去 除第二抗蝕劑；通過(guò)使用第一抗蝕劑作為掩模在基底上執(zhí)行鍍覆，由此形成第二鍍層以覆 蓋第一鍍層；去除基底和第一抗蝕劑，由此形成排出口部件；和將基板和排出口部件接合 在一起。根據(jù)本發(fā)明，可有效地通過(guò)使用電鑄法制造具有高排出性能的排出口形成部件。參照附圖閱讀示例性實(shí)施例的以下說(shuō)明，本發(fā)明的其它特征將變得顯而易見(jiàn)。


圖1是示出液體排出頭中的排出口形成部件的周邊的示意圖。圖2是圖1的線II-II的截面示意圖。圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E、圖3F和圖3G是用于描述本實(shí)施例的排出口形成 部件的制造過(guò)程的過(guò)程截面圖。圖4A、圖4B和圖4C是用于描述常規(guī)排出口形成部件的形成過(guò)程流程的過(guò)程截面 圖。圖5A、圖5B、圖5C、圖5D、圖5E和圖5F是用于描述本發(fā)明的排出口形成部件的制 造方法的過(guò)程截面圖。圖6是示出在本實(shí)施例中制造的排出口形成部件的配置例子的示意圖。圖7是圖6的線VII-VII的截面示意圖，該圖示出具有在本實(shí)施例中制造的排出 口形成部件的液體排出頭的配置例子。圖8A、圖8B、圖8C、圖8D、圖8E、圖8F和圖8G是用于描述本實(shí)施例的排出口形成 部件的制造過(guò)程的過(guò)程截面圖。圖9A、圖9B、圖9C、圖9D、圖9E和圖9F是用于描述本實(shí)施例的排出口形成部件的 制造過(guò)程的過(guò)程截面圖。圖10是示出具有在本實(shí)施例中制造的排出口形成部件的液體排出頭的配置例子 的截面示意圖。圖11是具有常規(guī)排出口形成部件的液體排出頭的截面示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將根據(jù)附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。本發(fā)明涉及具有排出液體的排出口的用于液體排出頭的排出口形成部件的制造 方法。另外，通過(guò)使用電鑄法執(zhí)行至少兩個(gè)鍍覆處理，形成排出口形成部件。將參照?qǐng)D5A 5F描述與本發(fā)明有關(guān)的排出口形成部件的制造過(guò)程。首先，如圖5A所示，制備導(dǎo)電基板(基底)1408。然后，如圖5B所示，在導(dǎo)電基板上的排出口的形成位置處形成包含第一抗蝕劑層1409'和第一抗蝕劑層上的第二抗蝕劑 層1410'的結(jié)構(gòu)，該第一抗蝕劑層1409'和第二抗蝕劑層1410'成為形成排出口的尖端 部分的成型材料(molding material) 0即，在導(dǎo)電基板上在要形成排出口的位置處形成包 含第一抗蝕劑層1409'和第二抗蝕劑層1410'的結(jié)構(gòu)。第一抗蝕劑層1409'的厚度可被設(shè)為例如0.01 ΙΟμπκ優(yōu)選被設(shè)為0.01 3 μ m、更優(yōu)選被設(shè)為0. 1 2 μ m。第二抗蝕劑層1410'的厚度可被設(shè)為例如1 1000 μ m、優(yōu)選被設(shè)為5 200 μ m、 更優(yōu)選被設(shè)為10 100 μ m。作為導(dǎo)電基板的材料，可以使用具有導(dǎo)電性的任何材料。例如，可以使用金屬基 板或在諸如樹(shù)脂、陶瓷和玻璃的材料上形成導(dǎo)電層的基板。通過(guò)使用諸如銅、鎳、鉻和鐵的 導(dǎo)電金屬作為材料，通過(guò)諸如濺射方法、氣相沉積方法、鍍覆和離子鍍覆方法的薄膜形成方 法，形成導(dǎo)電層。然后，如圖5C所示，通過(guò)使用電鑄法在導(dǎo)電基板的露出導(dǎo)電表面上形成第一鍍層 1413，使得高度高于第一抗蝕劑層的頂面并低于第二抗蝕劑層的頂面。S卩，通過(guò)執(zhí)行第一鍍 覆處理，在導(dǎo)電基板1408的露出表面上形成第一鍍層1413。此時(shí)，形成第一鍍層，使得其高 度高于第一抗蝕劑層的頂面并低于第二抗蝕劑層的頂面。第一鍍層1413的高度可被設(shè)為例如2 500 μ m、優(yōu)選被設(shè)為5 80 μ m。通過(guò)在
該范圍中設(shè)定第一鍍層，可進(jìn)一步提高液滴的直進(jìn)性能。通過(guò)使用電鑄法執(zhí)行鍍覆處理。作為電鑄法，例子可以是將導(dǎo)電基板浸入諸如氨 基磺酸鎳浴液的鍍覆浴液中并向?qū)щ娀迨┘与娏饔纱穗娢鲦嚨鹊姆椒āＨ缓?，如圖5D所示，去除第二抗蝕劑層。然后，如圖5E所示，通過(guò)使用電鑄法在第一鍍層1413周圍形成第二鍍層1413'， 并且形成排出口。即，執(zhí)行第二鍍覆處理，以形成第二鍍層1413'、形成排出口并形成排出 口形成部件。雖然作為第二鍍層的材料可以使用與上述的第一鍍層的材料不同的材料，但是， 從第二鍍層和第一鍍層之間的緊密接觸的觀點(diǎn)看，優(yōu)選由相同的材料形成第二鍍層和第一 鍍層?？梢允褂孟嗤牟牧稀Ｈ鐖D5F所示，由于由本發(fā)明形成的排出口形成部件不具有邊緣，并且排出口的截 面形狀具有直線部分，因此，可以提高液滴的直進(jìn)性能。另外，即使噴嘴的密度為極高的密 度，也可保證排出口形成部件所需要的厚度。因此，可以通過(guò)本發(fā)明使用電鑄法制造具有優(yōu) 異的排出性能的排出口形成部件。另外，本發(fā)明可通過(guò)使用電鑄法制造具有高密度排出口 的排出口形成部件。以下，將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。另外，雖然將以噴墨記錄頭為本發(fā)明的應(yīng) 用例進(jìn)行以下的描述，但是，本發(fā)明的應(yīng)用范圍不限于此，并且也可被應(yīng)用于生物芯片的制 造或者用于電子電路印刷的液體排出頭的制造。除了噴墨記錄頭以外，液體排出頭還包含 例如用于制造濾色器的頭。(實(shí)施例1)以下，將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例1。圖1是示出在本實(shí)施例中制造的用于液體排出頭的排出口形成部件的周邊的示意圖。另外，圖2是圖1的線II-II的示意性截面圖。在圖2中，液體排出頭100具有元件基板101和構(gòu)成與排出口 104連通的流路115 的流路壁103。另外，元件基板101包含產(chǎn)生用于排出墨水的能量的多個(gè)能量產(chǎn)生元件(例 如，加熱元件)102。另外，能量產(chǎn)生元件102位于流路115下面。另外，通過(guò)光刻法在元件 基板101上形成流路壁103。另外，排出口形成部件105形成有排出墨水的排出口 104，并 且，排出口形成部件105接合到流路壁103的頂部上。在圖1中，元件基板101具有電極部分(未示出)，并且與電氣布線帶106電連接。 另外，元件基板101和電氣布線帶106之間的電連接部分被涂覆有保護(hù)電連接部分免受墨 水影響的鉛密封劑107。雖然元件基板101的材料不被特別限制，但是Si可以是例子。另外，元件基板的 厚度可被設(shè)為例如0. 2 1mm。作為流路壁103的材料，例如，可以使用感光樹(shù)脂，該感光樹(shù)脂是可由光構(gòu)圖的材 料。另外，流路壁的材料優(yōu)選具有作為可耐受包含于諸如墨水的液體中的溶劑的材料的環(huán) 氧樹(shù)脂。另外，可對(duì)于流路壁103和排出口形成部件105之間的接合使用粘接劑。另外，在 流路壁103被光學(xué)構(gòu)圖之后，在不使用粘接劑的情況下，流路壁103和排出口形成部件105 可被連接在一起，并通過(guò)加熱被接合在一起。雖然鉛密封劑107的材料優(yōu)選為通過(guò)熱或光固化的環(huán)氧樹(shù)脂或丙烯酸酯樹(shù)脂，但 是，該材料不限于此，并且可被適當(dāng)?shù)剡x擇。在本實(shí)施例中，例如，噴嘴之間的間距可被設(shè)為1200dpi，并且，排出口的孔徑d' 可被設(shè)為10 μ m。在圖3A 3G中示出用于制造排出口形成部件105的過(guò)程圖。首先，如圖3A所示，在導(dǎo)電基板108上層疊第一抗蝕劑材料109和第二抗蝕劑材 料110。另外，以下，第一抗蝕劑材料也被稱為下層抗蝕劑材料，并且，第二抗蝕劑材料也被 稱為上層抗蝕劑材料。雖然負(fù)或正抗蝕劑材料可被用作第二抗蝕劑材料，但是，當(dāng)考慮易去除性時(shí)，正抗 蝕劑是所希望的。作為正抗蝕劑，例如，可以使用作為溶劑顯影型抗蝕劑并在250nm的敏感 波長(zhǎng)區(qū)域附近具有峰值的諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的甲基丙烯酸酯樹(shù)脂；作為溶劑 顯影型抗蝕劑并在290nm的敏感波長(zhǎng)區(qū)域附近具有峰值的聚甲基異丙烯酮樹(shù)脂；或作為堿 顯影型抗蝕劑的重氮基萘醌樹(shù)脂等。作為第一抗蝕劑材料，可以使用與第二抗蝕劑材料不同的抗蝕劑材料。作為第二抗蝕劑材料和第一抗蝕劑材料的組合，例子可以如下重氮基萘醌樹(shù)脂 和PMMA樹(shù)脂；PMMA樹(shù)脂和甲基異丙烯酮樹(shù)脂；或者甲基異丙烯酮樹(shù)脂和PMMA樹(shù)脂等。在 使用重氮基萘醌樹(shù)脂作為第一抗蝕劑材料的情況下，由于作為第二抗蝕劑材料的顯影劑的 溶劑顯影劑溶解重氮基萘醌樹(shù)脂，因此，重氮基萘醌樹(shù)脂僅被用作第二抗蝕劑材料。在本實(shí)施例中，例如，下層抗蝕劑材料109的厚度可被設(shè)為1 μ m，并且，上層抗蝕 劑材料110的厚度可被設(shè)為12 μ m。然后，如圖:3B所示，通過(guò)使用掩模111，用曝光光112 —并照射下層抗蝕劑材料和 上層抗蝕劑材料的預(yù)定位置。
然后，如圖3C所示，通過(guò)去除溶液顯影用曝光光112照射了的下層抗蝕劑材料和 上層抗蝕劑材料的區(qū)域，并且，形成第一抗蝕劑層109'和第二抗蝕劑層110'的層疊結(jié) 構(gòu)。即，下層抗蝕劑材料和上層抗蝕劑材料被構(gòu)圖，以至少留下與排出口的形成位置對(duì)應(yīng)的 部分，并且，形成包含第一抗蝕劑層和第二抗蝕劑層的層疊結(jié)構(gòu)。以下，第一抗蝕劑層也被稱為下層抗蝕劑，并且，第二抗蝕劑層也被稱為上層抗蝕 劑。此時(shí)，例如，在抗蝕劑為溶劑顯影正抗蝕劑的情況下，作為去除溶液，可以使用甲 基異丁基酮或環(huán)己酮等，并且，例如，在抗蝕劑為堿顯影正抗蝕劑的情況下，作為去除溶液， 可以使用2 10%的TMAH溶液等。另外，第一抗蝕劑層成為用于形成排出口的尖端部分的第一抗蝕劑層。另外，在本 實(shí)施例中制造的排出口形成部件中，排出口的尖端部分具有彎月結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，例如，留下的下層抗蝕劑109'和上層抗蝕劑110'的寬度D'(參 見(jiàn)圖3D)可被設(shè)為14 μ m。然后，如圖3D所示，執(zhí)行第一鍍覆處理，以在通過(guò)去除下層抗蝕劑材料和上層抗 蝕劑材料露出的導(dǎo)電基板的部分上形成第一鍍層113。此時(shí)，執(zhí)行第一鍍覆處理，使得第一 鍍層113的頂面位于下層抗蝕劑109'的頂面之上并位于上層抗蝕劑110'的頂面以下。作為鍍覆材料，即排出口形成部件的材料，例如，可以使用Ni。另外，除了 Ni以外， 可以使用Pd、Cu或Au或它們的復(fù)合材料。除這些以夕卜，例如，可以選擇諸如Ti、&、Hf、V、 Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Os、Rh、Ir、Pt、Ag、Au、Ge、SiO2, Si3N4, Al2O3 禾口 BeO 的 材料。另外，諸如特氟綸的樹(shù)脂成分可被共同沉積于各金屬中。作為鍍覆處理，例如，可以執(zhí)行電解鍍覆或無(wú)電鍍覆。例如，通過(guò)濺射方法在玻璃 基板上形成Pd或Ni的薄膜，以制造導(dǎo)電基板。隨后，通過(guò)濺射方法形成成為第一抗蝕劑層 的Si02。使用導(dǎo)電基板作為工件，并且，通過(guò)以導(dǎo)電基板為陰極使用氨基磺酸鎳浴液執(zhí)行電 鍍，使得Ni電鍍物質(zhì)在導(dǎo)電基板上生長(zhǎng)。此時(shí)，浴液中的pH值為3 5，浴液溫度為40 60°C，并且，陰極電流密度為2 50A/dm2。在本實(shí)施例中，例如，第一鍍層的厚度t可被設(shè)為10 μ m。然后，如圖3E所示，上層抗蝕劑110'被去除。此時(shí)，作為去除上層抗蝕劑110'的方法，可以使用采用不溶解第一抗蝕劑層但溶 解第二抗蝕劑層的溶解溶液的方法。在上層抗蝕劑和下層抗蝕劑中，存在利用感光波長(zhǎng)的 差異的方法或用不同顯影劑執(zhí)行顯影的方法，具體而言，存在使用堿顯影材料和溶劑顯影 材料的方法。然后，如圖3F所示，執(zhí)行第二鍍覆處理，以在第一鍍層113周圍形成第二鍍層 113'并且形成排出口形成部件105。例如，通過(guò)以第一鍍層為陰極用Ni電鍍?cè)∫簣?zhí)行電鍍來(lái)執(zhí)行第二鍍覆處理，由此 可進(jìn)一步使得鍍覆物質(zhì)在第一鍍層上各向同性生長(zhǎng)，從而形成排出口形成部件。在本實(shí)施例中，例如，通過(guò)使得鍍覆物質(zhì)在第一鍍層上各向同性地僅生長(zhǎng)到2 μ m 的厚度，排出口直徑d'可被設(shè)為ΙΟμπι。另外，在本實(shí)施例中，排出口形成部件的厚度T可 被設(shè)為12 μ m。然后，如圖3G所示，去除下層抗蝕劑109'，并且，從導(dǎo)電基板108去除排出口形成部件105。另外，排出口形成部件的排出口直徑d'可由下式表達(dá)。d^D’-2 (T-t)(式 2)圖3G所示的由本發(fā)明的方法制造的排出口形成部件105具有在彎曲部分114處 不具有邊緣的形狀。另外，即使噴嘴的密度為極高的密度，也可保證所需要的排出口形成部 件厚度。因此，通過(guò)將排出口形成部件105接合到流路壁103上獲得的液體排出頭具有明 顯優(yōu)異的排出性能，這是由于排出的墨滴變?yōu)榫哂酗@著直進(jìn)力的點(diǎn)。(實(shí)施例2)另外，在圖6和圖7中示出以交錯(cuò)方式布置排出口的情況下的具有排出口形成部 件的液體排出頭的示意圖。例如，在本實(shí)施例中，噴嘴之間的間距被設(shè)為1200dpi。此時(shí)，由于以交錯(cuò)的方式布置排出口，因此，排出口之間的間距變?yōu)?00dpi。但是， 在相鄰的排出口之間存在交錯(cuò)布置中的不同行的墨水流路(液體流路)。由于與流路壁303 和排出口形成部件305接合的排出口形成部件的部分是平著形成的，因此，流路壁303的接 合可靠性極高，并且也不存在關(guān)于串?dāng)_等的擔(dān)心。(實(shí)施例3)在圖8A 8G中示出在實(shí)施例1中的下層抗蝕劑中使用無(wú)機(jī)材料的排出口形成部 件的制造過(guò)程。在本實(shí)施例中，描述使用為絕緣材料的SiO2膜作為第一抗蝕劑層的方面。首先，如圖8A所示，在導(dǎo)電基板408上形成作為固定部件的具有絕緣性能的SW2 膜409。然后，構(gòu)圖抗蝕劑411在5丨02膜409上形成為膜并被構(gòu)圖。然后，SiO2膜409通過(guò) 蝕刻氣體412被蝕刻和構(gòu)圖。圖8B示出構(gòu)圖的SiO2膜409'。作為固定部件的材料，可以使用可在導(dǎo)電基板上固定和形成的任何絕緣材料，并 且，除了 SiA以外，例子為諸如SiN和SiC的無(wú)機(jī)材料或諸如聚酰亞胺樹(shù)脂和環(huán)氧樹(shù)脂的 樹(shù)脂材料等。然后，如圖8C所示，在3丨02膜409'上形成第二抗蝕劑層410‘。此時(shí)，在本實(shí)施 例中，使得第二抗蝕劑層410'的寬度與SiO2膜409'的寬度相同。即，成為第一抗蝕劑層 的SiO2膜409'和第二抗蝕劑層具有層疊的結(jié)構(gòu)，使得其側(cè)端面是連續(xù)的。通過(guò)層疊成為 第一抗蝕劑層的第一抗蝕劑材料和成為第二抗蝕劑層的第二抗蝕劑材料并將兩個(gè)層一并 構(gòu)圖以形成第一抗蝕劑層和第二抗蝕劑層，可使得抗蝕劑層都變成相同的形狀，并且，可使 得這些層的側(cè)端面的位置相互一致。第二抗蝕劑層由樹(shù)脂材料形成。然后，如圖8D所示，執(zhí)行第一鍍覆處理，以在導(dǎo)電基板上形成第一鍍層413。此時(shí)， 執(zhí)行第一鍍覆處理，使得第一鍍層413的頂面位于SiO2膜409 ‘的頂面上面并位于第二抗 蝕劑層410'的頂面下面。例如，鍍鎳在不存在第二抗蝕劑層和成為第一抗蝕劑層的S^2 膜409'的區(qū)域中生長(zhǎng)，并且，鍍覆處理停在處于3丨02層409'的頂面之上和第二抗蝕劑層 410'的頂面之下的區(qū)域中。然后，如圖8E所示，僅去除第二抗蝕劑層410'。然后，如圖8F所示，執(zhí)行第二鍍覆處理，以在第一鍍層413周圍形成第二鍍層 413'并且形成排出口形成部件405。圖8G示出從導(dǎo)電基板408和SiO2膜(固定部件)409'去除了排出口形成部件 405的狀態(tài)。
導(dǎo)電部件和固定部件堅(jiān)固接合在一起，并且可在本發(fā)明的制造方法中被重新使 用。當(dāng)通過(guò)再次使用該基板制造排出口形成部件時(shí)，能夠從圖8C的過(guò)程開(kāi)始，并且，可實(shí)現(xiàn) 過(guò)程的簡(jiǎn)化和成本的降低。(實(shí)施例4)以下將描述本發(fā)明的實(shí)施例4。圖9A示出在導(dǎo)電基板2108上構(gòu)圖并形成下層抗蝕劑2109'的狀態(tài)。然后，如圖9B所示，在下層抗蝕劑2109'上施加并構(gòu)圖上層抗蝕劑材料以形成上 層抗蝕劑2110'。此時(shí)，上層抗蝕劑材料被構(gòu)圖，使得上層抗蝕劑覆蓋下層抗蝕劑的頂面和 側(cè)端面。然后，如圖9C所示，在導(dǎo)電基板2108上形成第一鍍層2113。例如，在導(dǎo)電基板 2108上的不存在抗蝕劑的區(qū)域中形成Ni鍍。然后，如圖9D所示，去除上層抗蝕劑2110'。然后，如圖9E所示，執(zhí)行第二鍍覆處理，以在第一鍍層2113周圍形成第二鍍層 2113'并形成排出口形成部件2105。此時(shí)，在下層抗蝕劑2109'上形成突起2106。然后，如圖9F所示，去除下層抗蝕劑2109'，并且，從導(dǎo)電基板2108去除排出口形 成部件2105。圖10示出排出口形成部件2105與流路壁2103接合的狀態(tài)。流路壁2103與元件 基板2101接合。由于在排出口形成部件2105中存在突起2106，因此，與在排出口 2104附近 沒(méi)有突起2106并且具有相同排出口面積的排出口的排出口形成部件相比，在排出口 2104 的附近存在更多的墨水。因此，可進(jìn)一步從存在于下面的墨水補(bǔ)充已從排出口 2104的表面 蒸發(fā)的液體成分。因此，在不排出墨水時(shí)出現(xiàn)的排出口的干燥化減少。因此，通過(guò)使用排出 口形成部件2105，可望提高排出效率。如以上的實(shí)施例所示，可通過(guò)使用第一抗蝕劑層給予排出口所謂的彎月結(jié)構(gòu)。圖8C所示的包含第一抗蝕劑層和第二抗蝕劑層的結(jié)構(gòu)也可以是表面相互一致并 且相互重疊的層疊結(jié)構(gòu)。另外，如圖9B所示，也可采用第二抗蝕劑層的形狀沿平面方向比 第一抗蝕劑層的形狀大并且第二抗蝕劑層覆蓋第一抗蝕劑層的結(jié)構(gòu)。此外，也可采用第一 抗蝕劑層的形狀沿平面方向比第二抗蝕劑層的形狀大并且在排出尖端成型材料內(nèi)形成第 二抗蝕劑層的層疊結(jié)構(gòu)?？煽紤]排出口的希望形狀，適當(dāng)?shù)剡x擇哪一個(gè)結(jié)構(gòu)被選擇作為包 含第一抗蝕劑層和第二抗蝕劑層的結(jié)構(gòu)。雖然已參照示例性實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于公開(kāi)的示例性 實(shí)施例。以下的權(quán)利要求的范圍應(yīng)被賦予最寬的解釋以包含所有的變更方式以及等同的結(jié) 構(gòu)和功能。
權(quán)利要求
1.一種液體排出頭的制造方法，該液體排出頭具有基板和排出口部件，該基板包含產(chǎn) 生用于排出液體的能量的能量產(chǎn)生元件，該排出口部件具有排出液體的排出口并與基板接 合，由此形成與排出口連通的液體流路，該方法依次執(zhí)行以下的步驟制備具有導(dǎo)電表面的基底，依次在導(dǎo)電表面上層疊有用于形成排出口的絕緣性的第一 抗蝕劑和絕緣性的第二抗蝕劑；通過(guò)使用第一抗蝕劑和第二抗蝕劑作為掩模執(zhí)行鍍覆，以在導(dǎo)電表面上形成第一鍍 層，使得第一鍍層的頂面距基底的高度比第一抗蝕劑的頂面距基底的高度高并比第二抗蝕 劑的頂面距基底的高度低； 去除第二抗蝕劑；通過(guò)使用第一抗蝕劑作為掩模在導(dǎo)電表面上執(zhí)行鍍覆，由此形成第二鍍層以覆蓋第一 鍍層；去除基底和第一抗蝕劑，由此形成排出口部件；和 將基板和排出口部件接合在一起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的液體排出頭的制造方法，其中，第一抗蝕劑和第二抗蝕劑被層疊，使得第一抗蝕劑的側(cè)端面和第二抗蝕劑的側(cè) 端面連續(xù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的液體排出頭的制造方法， 其中，第二抗蝕劑被布置在第一抗蝕劑內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的液體排出頭的制造方法，其中，第二抗蝕劑被設(shè)置為覆蓋第一抗蝕劑的側(cè)端面和頂面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的液體排出頭的制造方法， 其中，第一抗蝕劑由S^2制成。
6.一種排出口部件的制造方法，該排出口部件被用于排出液體的液體排出頭并具有排 出口，該方法依次執(zhí)行以下的步驟制備具有導(dǎo)電表面的基底，依次在導(dǎo)電表面上層疊有用于形成排出口的絕緣性的第一 抗蝕劑和絕緣性的第二抗蝕劑；通過(guò)使用第一抗蝕劑和第二抗蝕劑作為掩模執(zhí)行鍍覆，以在導(dǎo)電表面上形成第一鍍 層，使得第一鍍層的頂面距基底的高度比第一抗蝕劑的頂面距基底的高度高并比第二抗蝕 劑的頂面距基底的高度低； 去除第二抗蝕劑；通過(guò)使用第一抗蝕劑作為掩模在導(dǎo)電表面上執(zhí)行鍍覆，由此形成第二鍍層以覆蓋第一 鍍層；和去除基底和第一抗蝕劑，由此形成排出口部件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的排出口部件的制造方法，其中，第一抗蝕劑和第二抗蝕劑被層疊，使得第一抗蝕劑的側(cè)端面和第二抗蝕劑的側(cè) 端面連續(xù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的排出口部件的制造方法， 其中，第二抗蝕劑被設(shè)置為被布置在第一抗蝕劑的內(nèi)部。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的排出口部件的制造方法，其中，第二抗蝕劑被布置為覆蓋第一抗蝕劑的側(cè)端面和頂面。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的排出口部件的制造方法， 其中，第一抗蝕劑由SiO2制成。
全文摘要
本申請(qǐng)涉及液體排出頭的制造方法和排出口部件的制造方法。提供一種液體排出頭的制造方法，該液體排出頭具有包含能量產(chǎn)生元件的基板和排出口部件，該排出口部件具有排出口并與基板接合，由此形成與排出口連通的液體流路。該方法依次執(zhí)行以下的步驟制備導(dǎo)電基底，在該導(dǎo)電基底上依次層疊用于形成排出口的第一絕緣抗蝕劑和第二絕緣抗蝕劑；通過(guò)使用第一抗蝕劑和第二抗蝕劑作為掩模執(zhí)行鍍覆，并形成第一鍍層；去除第二抗蝕劑；通過(guò)使用第一抗蝕劑作為掩模在基底上執(zhí)行鍍覆，由此形成第二鍍層以覆蓋第一鍍層；去除基底和第一抗蝕劑，由此形成排出口部件；和將基板和排出口部件接合在一起。
文檔編號(hào)B41J2/16GK102139568SQ20101055
公開(kāi)日2011年8月3日 申請(qǐng)日期2010年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月26日
發(fā)明者三原弘明, 池亀健 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社