專利名稱：抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜及其制備方法和應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜及其制備方法與應(yīng)用，尤其是涉及一種應(yīng)用于制造防靜電屏蔽袋的抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜，屬于高分子材料技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著電子工業(yè)的快速發(fā)展，電子線路板集成度越來越高，主機板上電子元器件的高密度、布線的緊湊，以及表面貼裝式元件的廣泛采用，都易導(dǎo)致靜電損傷線路板卡。研究表明，出現(xiàn)故障的集成電路，其三分之一是被靜電放電擊穿的。因此，用防靜電薄膜包裝電子元器件產(chǎn)品或半成品能夠避免靜電造成的集成電路損壞。電子行業(yè)中常用的防靜電屏蔽袋大多是采用二層復(fù)合或更高的四層復(fù)合結(jié)構(gòu)。防靜電屏蔽袋里形成法拉第籠感應(yīng)罩效應(yīng)，最大程度保護袋內(nèi)物品與靜電場隔離，防止靜電積累，免受靜電危害。目前常用的防靜電屏蔽袋大多是采用具有聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜/鋁箔/聚乙烯薄膜復(fù)合結(jié)構(gòu)的薄膜材料制造而成。由于鋁箔在與其他薄膜復(fù)合時常使用粘合劑，使得上述防靜電屏蔽袋在使用過程中，即使溫度較低時也可能會揮發(fā)出苯、酮、醚、酯、醇、醛等20多種有機物。且聚乙烯薄膜通常含有烴類與芳香類化合物等揮發(fā)性有機物，較低溫度環(huán)境下也會揮發(fā)出對電子元器件產(chǎn)品或半成品有影響以及污染環(huán)境的有機物，因此不能滿足高端的電子元器件產(chǎn)品或半成品對其環(huán)境中的有機物揮發(fā)含量的嚴格要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決上述技術(shù)問題而提供一種抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜及其制備方法與應(yīng)用，通過本發(fā)明抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜可制造在電子行業(yè)中用于包裝電子元器件產(chǎn)品或半成品的防靜電屏蔽袋。本發(fā)明的技術(shù)解決方案如下
一種抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜，依次包括內(nèi)層、中層和外層，各層分別由如下質(zhì)量百分數(shù)的原料制成
內(nèi)層低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ；
中層低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ;
外層低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ;
其中，得到的所述防靜電薄膜中所含的苯系化合物< 2ng/cm2，烷烴類化合物< 150ng/
2
cm ο本發(fā)明另一方面地，還包括一種抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜的制備方法，將所述低密度聚乙烯和所述高密度聚乙烯按照配比加入多層共擠吹膜機中，經(jīng)擠出、冷卻制得所述抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜，其擠出過程中，設(shè)置內(nèi)層擠出溫度為160°C 200°C，中層擠出溫度為160°C 200°C，外層擠出溫度為160°C 200°C，模頭溫度為160°C 200°C。進一步地，上述抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜的制備方法還包括電暈處理步驟，將所述抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜的外層表面經(jīng)電暈處理。
本發(fā)明另一方面地，還包括一種屏蔽袋，其通過將所述抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜經(jīng)分切、制袋制得。本發(fā)明的技術(shù)效果主要體現(xiàn)在
①本發(fā)明采用苯系化合物含量和烷烴類化合物含量均較低的低密度聚乙烯顆粒為原料，搭配硬挺度較高的高密度聚乙烯顆粒按照本發(fā)明所述原料配比制得的防靜電薄膜，低溫條件也可減少防靜電薄膜中的有機化合物揮發(fā)，避免對產(chǎn)品和環(huán)境的污染。②由于以高密度聚乙烯作為原料之一，使制得的防靜電薄膜降低了摩擦系數(shù)，不會造成在自動包裝作業(yè)中開口困難，且有利于避免靜電產(chǎn)生。
具體實施例方式下面通過具體實施例對本發(fā)明的方法進行說明，所舉的實施例僅是對本發(fā)明作概括性例示，有助于更好地理解本發(fā)明，但并不會限制本發(fā)明范圍。下述實施例中所述材料，如無特殊說明，均可從商業(yè)途徑獲得。本實施例一種抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜，依次包括內(nèi)層、中層和外層復(fù)合構(gòu)成，上述內(nèi)層、中層和外層分別由如下質(zhì)量百分數(shù)的原料制成內(nèi)層，低密度聚乙烯50 % 95%，高密度聚乙烯5 % 50 % ;中層，低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ;外層，低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ;其中，得到的所述防靜電薄膜中所含的苯系化合物< 2ng/cm2,燒烴類化合物< 150ng/cm2。本發(fā)明在制備防靜電膜之前，對原料低密度聚乙烯中所含的苯系化合物和烷烴類化合物兩類雜質(zhì)的含量進行控制，上述苯系化合物通常包括甲苯、乙苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、異丙苯、苯乙烯等，上述烷烴類化合物通常包括異庚烷、庚烷、辛烷、壬烷、丙酸丁酯、癸烷等。由于采用了上述苯系化合物含量和烷烴類化合物含量均較低的低密度聚乙烯顆粒為原料，并搭配硬挺度較高的高密度聚乙烯按照本發(fā)明所述原料配比制得本發(fā)明防靜電薄膜，使其所含的苯系化合物< 2ng/cm2,燒烴類化合物< 150ng/cm2,低溫條件也可減少防靜電薄膜的有機化合物揮發(fā)，避免對產(chǎn)品和環(huán)境的污染。并且，由于以高密度聚乙烯作為原料之一，使制得的防靜電薄膜降低了摩擦系數(shù)，不會造成在自動包裝作業(yè)中開口困難，且有利于避免靜電產(chǎn)生。制備上述抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜的方法如下將所述低密度聚乙烯和所述高密度聚乙烯按照內(nèi)層為低密度聚乙烯50 % 95 %和高密度聚乙烯5 % 50 %，中層為低密度聚乙烯50 % 95 %和高密度聚乙烯5 % 50 %，外層為低密度聚乙烯50 % 95%和高密度聚乙烯5 % 50 %的配比加入多層共擠吹膜機中，經(jīng)擠出、冷卻制得抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜。在擠出過程中，設(shè)置內(nèi)層擠出溫度為160°C 200°C，中層擠出溫度為160°C 200°C，外層擠出溫度為160°C 200°C，模頭溫度為160°C 200°C。通過多層共擠吹膜機制得本發(fā)明抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜之后，還可對其外層表面經(jīng)電暈處理，進一步降低防靜電薄膜的摩擦系數(shù)，有利于自動包裝作業(yè)中開口容易且避免靜電產(chǎn)生。具體地，還可通過本發(fā)明抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜可采用常規(guī)方法，如分切、制袋制得在電子行業(yè)中用于包裝電子元器件產(chǎn)品或半成品的防靜電屏蔽袋。上述實施例對本發(fā)明的保護范圍不構(gòu)成任何限制，凡采用等同替換或者等效變換而形成的所有技術(shù)方案，均落在本發(fā)明要求保護的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜，其特征在于依次包括內(nèi)層、中層和外層，各層分別由如下質(zhì)量百分數(shù)的原料制成 內(nèi)層低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ; 中層低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ; 外層低密度聚乙烯50 % 95 %，高密度聚乙烯5 % 50 % ; 其中，得到的所述防靜電薄膜中所含的苯系化合物< 2ng/cm2，烷烴類化合物< 150ng/ cm ο
2.一種如權(quán)利要求1所述的抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜的制備方法，其特征在于將所 述低密度聚乙烯和所述高密度聚乙烯按照配比加入多層共擠吹膜機中，經(jīng)擠出、冷卻制得所述抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜，其擠出過程中，設(shè)置內(nèi)層擠出溫度為160°C 200°C，中層擠出溫度為160°C 200°C，外層擠出溫度為160°C 200°C，模頭溫度為160°C 200。。。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜的制備方法，其特征在于還包括電暈處理步驟，將所述抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜的外層表面經(jīng)電暈處理。
4.一種屏蔽袋，其通過將權(quán)利要求1所述的抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜經(jīng)分切、制袋制得。
全文摘要
本發(fā)明提供一種抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜和一種應(yīng)用其制成的防靜電屏蔽袋。所述抗有機物揮發(fā)的防靜電薄膜，依次包括內(nèi)層、中層和外層，所述內(nèi)層包括50﹪～95﹪低密度聚乙烯和5﹪～50﹪高密度聚乙烯，所述中層包括50﹪～95﹪低密度聚乙烯和5﹪～50﹪高密度聚乙烯，所述外層包括50﹪～95﹪低密度聚乙烯和5﹪～50﹪高密度聚乙烯，其中，得到的所述防靜電薄膜中所含的苯系化合物＜2ng/cm2，烷烴類化合物＜150ng/cm2。本發(fā)明所述防靜電薄膜在低溫條件也可減少防靜電薄膜中的有機化合物揮發(fā)，從而避免對產(chǎn)品和環(huán)境的污染，且本發(fā)明防靜電薄膜摩擦系數(shù)較低，不會造成在自動包裝作業(yè)中開口困難，有利于避免靜電產(chǎn)生。
文檔編號B32B27/06GK103042783SQ2013100043
公開日2013年4月17日 申請日期2013年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月7日
發(fā)明者方杰, 裴俊 申請人:蘇州天華超凈科技股份有限公司