專利名稱：一種可異地加工加強型單銀高透低輻射鍍膜玻璃的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種鍍膜玻璃，尤其是一種可異地加工加強型單銀高透低輻射鍍膜玻璃。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中生產(chǎn)高透低輻射鍍膜玻璃，生產(chǎn)難度較大，且只能采用先鋼化后鍍膜的生產(chǎn)方式，不能承受長途運輸，易損壞。
發(fā)明內(nèi)容為解決以上技術(shù)問題，本實用新型提供一種質(zhì)量可靠，具有加強型效果的可異地 加工加強型單銀高透低輻射鍍膜玻璃，其透過率在79%以上。為實現(xiàn)以上發(fā)明目的，本實用新型的技術(shù)方案為一種可異地加工加強型單銀高透低輻射鍍膜玻璃，其包括基片玻璃，所述基片玻璃為浮法玻璃，其不同之處為自基片玻璃向外依次設(shè)置有第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、第一保護層、Ag層、第二保護層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層，第一電介質(zhì)層為Si3N4電介質(zhì)層,第二電介質(zhì)層為ZnAlOx,第一保護層、第二保護層均為NiCrOx,第三電介質(zhì)層為TiOx,第四電介質(zhì)層為Si3N4介質(zhì)層,第一電介質(zhì)層的膜層厚度為22nm 28nm,第二電介質(zhì)層的膜層厚度為13nm 17nm,第一保護層的膜層厚度為O. 8nm I. 2nm, Ag層的膜層厚度為IOnm 13nm,第二保護層的膜層厚度為O. 8nm I. 2nm,第三電介質(zhì)層的膜層厚度為74nm 76nm,第四電介質(zhì)層的膜層厚度為35nm 40nmo本實用新型的有益效果是本實用新型提供了一種可異地加工加強型單銀高透低輻射鍍膜玻璃，可實現(xiàn)先鍍膜再進行改切、磨邊、鋼化等后續(xù)加工。在膜層中含有一層具有反射紅外線能力的銀層和具有減少可見光反射以及保護銀層作用的電介質(zhì)層和耐磨電介質(zhì)層，極大地降低了玻璃表面輻射率，起到了較好的隔熱保溫效果，同時也提高了整個玻璃的強度，抗氧化性能更好，能夠承受長途運輸，生產(chǎn)難度小。

圖I是本實用新型可異地加工加強型單銀高透低輻射鍍膜玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型可異地加工加強型單銀高透低輻射鍍膜玻璃的一個實施例結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型實施例作進一步的描述。如圖I，本實用新型實施例可異地加工加強型單銀高透低輻射鍍膜玻璃，其包括基片玻璃，所述基片玻璃為浮法玻璃，自基片玻璃向外依次設(shè)置有第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、第一保護層、Ag層、第二保護層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層。[0010]如圖2所示，本實用新型提供的可異地加工加強型單銀高透低輻射鍍膜玻璃的一個實施例，其中，GLASS指新鮮透明的優(yōu)質(zhì)浮法玻璃，第一電介質(zhì)層為Si3N4電介質(zhì)層，第二電介質(zhì)層為ZnAlOx，第一保護層、第二保護層均為NiCrOx，第三電介質(zhì)層為TiOx，第四電介質(zhì)層為Si3N4介質(zhì)層。優(yōu)選的，第一電介質(zhì)層的Si3N4的膜層厚度為22nm 28nm,第二電介質(zhì)層的ZnAlOx的膜層厚度為13nm 17nm,第一保護層的NiCrOx的膜層厚度為O. 8nm I. 2nm, Ag層的膜層厚度為IOnm 13nm,第二保護層的NiCrOx的膜層厚度為O. 8nm I. 2nm,第三電介質(zhì)層TiOx的膜層厚度為74nm 76nm,第四電介質(zhì)層的Si3N4介質(zhì)層的膜層厚度為35nm 40nm。上述膜層的加工工藝為所有Si3N4膜層采用雙陰極旋轉(zhuǎn)靶在中頻電源下濺射，工藝氣體為Ar和N2的混合氣體，濺射功率為40kw llOkw，中頻電源頻率為20kHz 55kHz。AlZnOx膜層膜層采用雙陰極旋轉(zhuǎn)靶在中頻電源下濺射，工藝氣體為Ar和O2的混合氣體，濺射功率為15kw 20kw，中頻電源頻率為IOkHz 50kHz。
·[0013]TiOx膜層采用雙陰極旋轉(zhuǎn)靶在中頻電源下濺射，工藝氣體為Ar和O2的混合氣體，濺射功率為50kw 80kw，中頻電源頻率為IOkHz 50kHz。NiCrOx膜層采用平面陰極在直流電源下濺射，工藝氣體為Ar和O2的混合氣體，濺射功率為3kw 9kw。所有Ag膜層采用平面陰極在直流電源下濺射，工藝氣體為Ar，濺射功率為5kw 10kw。以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種可異地加工加強型單銀高透低輻射鍍膜玻璃，所用基片玻璃為浮法玻璃，其特征在于自基片玻璃向外依次包括第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、第一保護層、Ag層、第二保護層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層，第一電介質(zhì)層為Si3N4電介質(zhì)層,第二電介質(zhì)層為ZnAlOx，第一保護層、第二保護層均為NiCrOx，第三電介質(zhì)層為TiOx，第四電介質(zhì)層為Si3N4介質(zhì)層，第一電介質(zhì)層的膜層厚度為22nm 28nm,第二電介質(zhì)層的膜層厚度為13nm 17nm,第一保護層的膜層厚度為O. 8nm I. 2nm, Ag層的膜層厚度為IOnm 13nm,第二保護層的膜層厚度為O. 8nm I. 2nm,第三電介質(zhì)層的膜層厚度為74nm 76nm,第四電介質(zhì)層的膜層厚度為35nm 40nm。
專利摘要本實用新型涉及一種鍍膜玻璃，尤其是一種可異地加工加強型單銀高透低輻射鍍膜玻璃，其包括基片玻璃，所述基片玻璃為浮法玻璃，其不同之處為自基片玻璃向外依次設(shè)置有第一電介質(zhì)層、第二電介質(zhì)層、第一保護層、Ag層、第二保護層、第三電介質(zhì)層、第四電介質(zhì)層，第一電介質(zhì)層為Si3N4電介質(zhì)層，第二電介質(zhì)層為ZnAlOX，第一保護層、第二保護層均為NiCrOX，第三電介質(zhì)層為TiOX，第四電介質(zhì)層為Si3N4介質(zhì)層，第一電介質(zhì)層的膜層厚度為22nm～28nm，第二電介質(zhì)層的膜層厚度為13nm～17nm。本實用新型提供一種質(zhì)量可靠，具有加強型效果的可異地加工加強型高透單銀低輻射鍍膜玻璃，其透過率在79%以上。
文檔編號B32B9/04GK202608165SQ20122009229
公開日2012年12月19日 申請日期2012年3月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月13日
發(fā)明者王桂榮, 陳德成, 陳飛, 楊真理, 李蕾 申請人:武漢長利玻璃(漢南)有限公司