專利名稱：一種觸摸屏用防指紋膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種觸摸屏用防指紋膜的結(jié)構(gòu)，具體應(yīng)用在手機(jī)、平板電腦。
背景技術(shù)：
在電容式觸控產(chǎn)品中(手機(jī)、平板電腦)，強(qiáng)化玻璃面板表面極易被外界的污物和用戶的指紋所污染。因此，長期保持強(qiáng)化玻璃表面的清潔度，并且較容易的清除其表面所粘附的指紋和污物這一技術(shù)越來越受到人們的關(guān)注。AF防指紋膜是一種同時具有疏水性和疏油性兩種特性的薄膜，基于良好的疏水性和疏油性，AF膜不易粘附外界的灰塵及污物，并且在粘附污物和指紋的情況下，也具有較易除去表面異物的特性。因此，在電容式觸控強(qiáng)化玻璃基材中AF膜一直扮演著重要角色。一般情況下，AF膜與強(qiáng)化玻璃之間的附著力普遍較差，容易從強(qiáng)化玻璃表面剝離， 且膜層表面平坦度和膜層均勻性都難以把握。因此，得到與強(qiáng)化玻璃表面具有較好附著力和厚度均勻的AF膜層已經(jīng)提上日程。在AF膜與強(qiáng)化玻璃之間添加一層緩沖層，可以在一定程度上增加AF膜與強(qiáng)化玻璃面板之間的附著力，減緩AF膜層從強(qiáng)化玻璃表面剝離，有利于延長AF膜的使用壽命。目前，制備緩沖層的主要方法是物理氣相沉積法，但該類方法存在沉積溫度高、沉積速率慢、膜層表面粗度比較大、表面靜摩擦系數(shù)較大，且各個部分的厚度難以調(diào)控等缺點ο
發(fā)明內(nèi)容為了解決上述缺陷，本實用新型的目的在于提供一種觸摸屏用防指紋膜的結(jié)構(gòu)， 可以解決AF膜層與強(qiáng)化玻璃表面附著力差和膜層表面粗糙度較大等問題。全了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案一種觸摸屏用防指紋膜，強(qiáng)化玻璃上表面為緩沖層，緩沖層的上表面為AF膜；所述緩沖層為SiO2薄膜，所述AF膜為疏水性和疏油性的高分子聚合物。所述強(qiáng)化玻璃厚度為0. 2-3mm。所述緩沖層厚度為10-20nm。所述AF膜厚度為 10-30nm。具體制作方案如下首先，通過&輝光放電轟擊強(qiáng)化玻璃基材，對基材進(jìn)行刻蝕，起到活化強(qiáng)化玻璃基材表面的作用。其次，六甲基二硅氧烷在高溫條件下蒸發(fā)進(jìn)入反應(yīng)室，通過高溫裂解形成活性粒子，其中SiO2分子將直接沉積在玻璃基材表面，而其他活性粒子則再與注入反應(yīng)室內(nèi)的O2 分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成Si02。該技術(shù)依據(jù)是下列反應(yīng)
3[0013]通過上述反應(yīng)，在固相-氣相的界面處沉積一層厚度為10-20nm的SiO2緩沖層。 由于A的輝光放電作用，為S^2緩沖層提供了清潔而高活性的表面，并且強(qiáng)化玻璃基材整個都被輝光層均勻覆蓋，使得基材能得到均勻的加熱。同時，由于輝光放電的存在，使得反應(yīng)氣氛也得到了活化。因此，在很大程度上提高了 SiO2緩沖層的表面平坦度以及SiO2緩沖層和強(qiáng)化玻璃基材之間的附著力。第三，通過A輝光放電轟擊強(qiáng)化玻璃基材，對基材進(jìn)行活化。最后，通過熱蒸發(fā)法在SiO2緩沖層表面沉積一層厚度為10-30nm的AF膜。本實用新型優(yōu)點1、利用PECVD沉積SW2緩沖層具有成核率高，成核密度大，在整個平面上分布均勻，從而產(chǎn)生宏觀平面的平滑。同時，與沉積相關(guān)的氣體粒子的平均自由程較大，粒子分布較均勻，有利于形成平滑的沉積面。2、反應(yīng)氣體、反應(yīng)產(chǎn)物和強(qiáng)化玻璃基材的相互擴(kuò)散作用，使得S^2緩沖層與強(qiáng)化玻璃基材之間具有良好的附著力，從而在一定程度上增大AF膜與強(qiáng)化玻璃基材的附著力。

圖1為本實用新型所描述的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實用新型S^2緩沖層氣相沉積過程示意圖。圖3為本實用新型在觸摸屏上的應(yīng)用示意圖。圖4為本實用新型工作原理示意圖。
具體實施方案為了詳細(xì)敘述本實用新型專利的上述特點，優(yōu)勢和工作原理，下面結(jié)合說明書附圖和具體實施方式
對本實用新型做進(jìn)一步的說明，但本實用新型所保護(hù)的范圍并不局限于此。如圖1 一種觸摸屏用防指紋膜，強(qiáng)化玻璃1上表面為緩沖層2，緩沖層2的上表面為AF膜3 ；所述緩沖層2為SW2薄膜，所述AF膜3為疏水性和疏油性的高分子聚合物。所述強(qiáng)化玻璃1厚度為0. 2-3mm。所述緩沖層2厚度為10-20nm。所述AF膜3厚度為 10-30nm。SiO2緩沖層與強(qiáng)化玻璃基材具有很強(qiáng)的附著力，且該膜層表面平坦度高，促使AF 膜層與強(qiáng)化玻璃基材的附著力明顯上升，延長了 AF膜的使用壽命，起到保護(hù)強(qiáng)化玻璃外觀的作用。其中SW2緩沖層是通過PECVD所制備的。六甲基二硅氧烷在高溫條件下蒸發(fā)進(jìn)入反應(yīng)室，然后通過A輝光放電使強(qiáng)化玻璃表面活化和六甲基二硅氧烷裂解。其中裂解后的粒子與注入到真空室內(nèi)的A反應(yīng)生成SiO2,由于強(qiáng)化玻璃基材在輝光層中受熱均勻，且反應(yīng)氣氛也得到了活化，因此，在強(qiáng)化玻璃基材表面形成了一層具有較強(qiáng)膜層附著力和較好平坦度的SiOjl沖層。[0027]如圖2 在強(qiáng)化玻璃1中的固相-氣相5的界面4處沉積一層厚度為10-20nm的 SiOjl沖層。由于A的輝光放電作用，為SiOjl沖層提供了清潔而高活性的表面，并且強(qiáng)化玻璃基材整個都被輝光層均勻覆蓋，使得基材能得到均勻的加熱。同時，由于輝光放電的存在，使得反應(yīng)氣氛也得到了活化。因此，在很大程度上提高了 SiO2緩沖層的表面平坦度以及S^2緩沖層和強(qiáng)化玻璃基材之間的附著力。通過A輝光放電轟擊強(qiáng)化玻璃基材，對基材進(jìn)行活化。最后，通過熱蒸發(fā)法在SiO2緩沖層表面沉積一層厚度為10-30nm的AF膜。如圖3所示，強(qiáng)化玻璃1表面具有大量的羥基，緩沖層2與強(qiáng)化玻璃表面的羥基結(jié)合，部分形成Si-O鍵，在共價鍵和物理吸附的同時作用下，SiO2緩沖層與強(qiáng)化玻璃的附著力得到了顯著提高。然后，Si-OH封端的AF膜3又與SiO2緩沖層上的羥基發(fā)生縮合反應(yīng)，形成部分Si-O鍵，從而增大AF膜與強(qiáng)化玻璃基材的附著力。帶有柔性長鏈的疏水、疏油性AF 聚合物在S^2緩沖層上形成一層致密的保護(hù)膜，防止外界污物及指紋侵蝕強(qiáng)化玻璃表面， 起到保護(hù)觸摸屏外觀的作用。如圖4所示，鍍有SW2緩沖層和AF膜的強(qiáng)化玻璃面板7、ITO上線8與ITO下線 9的透光處均用OCA光學(xué)膠10粘接，避光處均用DST膠11粘接，柔性印刷電路FPC12嵌于 ITO上、下線銀膠之間。AF膜附著在具有較強(qiáng)附著力和較好平坦度的SiOdl沖層上，起到防止外界污物與指紋侵入強(qiáng)化玻璃的作用，從而起到保持觸摸屏外觀和保護(hù)ITO上、下線及FPCB的效果。
權(quán)利要求1.一種觸摸屏用防指紋膜，其特征在于強(qiáng)化玻璃(1)上表面為緩沖層(2)，緩沖層(2) 的上表面為AF膜(3)；所述緩沖層(2)為SW2薄膜，所述AF膜(3)為疏水性和疏油性的高分子聚合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏用防指紋膜，其特征在于所述強(qiáng)化玻璃(1)厚度為 0. 2-3mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏用防指紋膜，其特征在于所述緩沖層(2)厚度為 10-20nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸摸屏用防指紋膜，其特征在于所述AF膜(3)厚度為 10-30nm。
專利摘要本實用新型涉及一種觸摸屏用防指紋膜的結(jié)構(gòu)，具體應(yīng)用在手機(jī)、平板電腦。強(qiáng)化玻璃上表面為緩沖層，緩沖層的上表面為AF膜；所述緩沖層為SiO2薄膜，所述AF膜為疏水性和疏油性的高分子聚合物。利用PECVD沉積SiO2緩沖層具有成核率高，成核密度大，在整個平面上分布均勻，從而產(chǎn)生宏觀平面的平滑。同時，與沉積相關(guān)的氣體粒子的平均自由程較大，粒子分布較均勻，有利于形成平滑的沉積面。反應(yīng)氣體、反應(yīng)產(chǎn)物和強(qiáng)化玻璃基材的相互擴(kuò)散作用，使得SiO2緩沖層與強(qiáng)化玻璃基材之間具有良好的附著力，從而在一定程度上增大AF膜與強(qiáng)化玻璃基材的附著力。
文檔編號B32B17/00GK202208152SQ20112033091
公開日2012年5月2日 申請日期2011年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月6日
發(fā)明者熊磊 申請人:南昌歐菲光科技有限公司