專利名稱：電磁屏蔽膜及具有該電磁屏蔽膜的鏡頭模組的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電磁屏蔽膜，特別涉及一種附著性好的電磁屏蔽膜及具有該電磁 屏蔽膜的鏡頭模組。
背景技術：
科技迅速發(fā)展，市場上出現(xiàn)一種晶圓級鏡頭模組，其包括影像感測器、鏡片組及調(diào) 整二者距離的間隔體，鏡片組、間隔體和影像感測器呈堆棧方式相互貼合，使得光線經(jīng)鏡片 組成像在影像感測器上。該鏡片組和影像感測器均采用集成電路工藝制造，因此，鏡頭模組 具有較小的體積，使得其可應用在手機等小型電子設備上。
由于這種晶圓級鏡頭模組周圍沒有了傳統(tǒng)鏡頭模組中鏡筒的遮擋，所以除了接收 到用于成像的光線外，還會受到周圍光線的影響，而且這種晶圓級鏡頭模組還沒有用于控 制進光量的光圈。為了不增大體積，往往在透明的鏡片組的非光學部鍍一層用于吸光及遮 光的遮光膜用于形成控制進光量的光圈，在周緣也鍍一層遮光膜用于防止光線從鏡片周緣 射進來干擾成像。這種遮光膜一般是由鉻元素制成的黑色膜，例如氮化鉻。另外，這種小體 積的晶圓級鏡頭模組還會遇到電磁波干擾(Electromagnetic Interference，簡稱EMI)的 問題，為了防止外部EMI的干擾，往往還要在遮光膜的外層再鍍一層電磁屏蔽膜?，F(xiàn)有的鍍 電磁屏蔽膜的工藝一般是在遮光膜表面先鍍銅薄膜，再鍍一層不銹鋼膜，從而形成一個電 磁屏蔽膜。
由于現(xiàn)有的鏡片組為了獲得更好的光學性能，均會在鏡片組上鍍抗反射膜或紅外 截止濾光膜，除了在需要成像的部分鍍膜外，也會在非光學部及周緣鍍上抗反射膜或紅外 截止濾光膜。當在這些光學薄膜上再直接形成遮光膜及電磁屏蔽膜時，現(xiàn)有技術中一般是 采用銅直接在遮光膜上鍍膜，一般地，電磁屏蔽膜必須達到一定的厚度才能夠達到電磁屏 蔽的效果。但是采用的銅膜容易與遮光膜一起相對抗反射膜或紅外截止濾光膜產(chǎn)生較大的 應力，導致附著性差。當電磁屏蔽膜的厚度超過Iym以后，鍍的膜越厚，遮光膜和電磁屏蔽 膜相對抗反射膜或紅外截止濾光膜的應力就越大，附著性就越差，所以較厚的電磁屏蔽膜 容易與遮光膜一起從抗反射膜或紅外截止濾光膜上脫落下來，造成產(chǎn)品的報廢。發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種附著性好的電磁屏蔽膜及具有該電磁屏蔽膜的鏡頭模組。
一種電磁屏蔽膜，該電磁屏蔽膜形成于光學元件上，所述光學元件有用于改善光 學性能的濾光膜，所述濾光膜上覆蓋有用于限制光線進入的遮光膜，所述遮光膜上覆蓋有 所述電磁屏蔽膜。該電磁屏蔽膜包括第一金屬層及第二金屬層，所述第一金屬層為不銹鋼 材料，所述第一金屬層直接形成于所述遮光膜表面，所述第二金屬層是銅，所述第二金屬層 形成于所述第一金屬層表面。
—種電磁屏蔽膜，該電磁屏蔽膜形成于光學元件上，所述光學元件有用于改善光學性能的濾光膜，所述濾光膜上覆蓋有用于限制光線進入的遮光膜，所述遮光膜上覆蓋有 所述電磁屏蔽膜。該電磁屏蔽膜包括第一金屬層，所述第一金屬層是不銹鋼摻雜銅元素，所 述第一金屬層直接形成于所述遮光膜表面。
一種鏡頭模組，其包括影像感測器、鏡片組及間隔體，所述間隔體設置于所述影像 感測器上，所述鏡片組設置于所述間隔體上，所述鏡片組包括光學部、非光學部及周緣，所 述光學部位于所述鏡片組中心，所述非光學部環(huán)繞光學部設置，所述周緣環(huán)繞所述非光學 部設置，所述非光學部及周緣上覆蓋有濾光膜，所述濾光膜上覆蓋有遮光膜，所述遮光膜上 覆蓋有電磁屏蔽膜。該電磁屏蔽膜包括第一金屬層及第二金屬層，所述第一金屬層為不銹 鋼材料，所述第一金屬層直接形成于所述遮光膜表面，所述第二金屬層是銅，所述第二金屬 層形成于所述第一金屬層表面。
一種鏡頭模組，其包括影像感測器、鏡片組及間隔體，所述間隔體設置于所述影像 感測器上，所述鏡片組設置于所述間隔體上，所述鏡片組包括光學部、非光學部及周緣，所 述光學部位于所述鏡片組中心，所述非光學部環(huán)繞光學部設置，所述周緣環(huán)繞所述非光學 部設置，所述非光學部及周緣上覆蓋有濾光膜，所述濾光膜上覆蓋有遮光膜，所述遮光膜上 覆蓋有電磁屏蔽膜。該電磁屏蔽膜包括第一金屬層，所述第一金屬層是不銹鋼摻雜銅元素， 所述第一金屬層直接形成于所述遮光膜表面。
本發(fā)明提供的電磁屏蔽膜沒有采用完全是銅的膜層直接附著在遮光膜表面上，從 而避免因銅直接附著在遮光膜上產(chǎn)生的應力大、附著性差問題，并可以獲得更厚的膜，達到 更好的電磁屏蔽效果。


圖1為本發(fā)明提供的鏡頭模組的示意圖。
圖2及圖3為圖1的鏡頭模組采用的電磁屏蔽膜的結(jié)構示意圖。具體實施方式

請參閱圖1，為本發(fā)明提供的鏡頭模組100。所述鏡頭模組100是晶圓級鏡頭模 組，所述鏡頭模組100包括晶圓層1、影像感測器10、鏡片組20、間隔體30、遮光膜40、電磁 屏蔽膜50及濾光膜60。
所述影像感測器10采用晶圓級制程在晶圓層1上制造而成，其為電荷耦合元件 (Charge Coupled Device, CCD)或者互補金屬氧化物半導體元件(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)。所述間隔體30設置于所述影像感測器10上，用于調(diào)整所述 影像感測器10與所述鏡片組20之間的距離。所述鏡片組20由多片鏡片以堆棧的方式相 互貼合。所述鏡片組20包括光學部21、非光學部22及周緣23，所述光學部21位于所述鏡 片組20的中心，所述非光學部22環(huán)繞所述光學部21設置。本實施方式中，所述光學部21、 非光學部22及周緣23上鍍有濾光膜60，所述濾光膜60可以是抗反射膜或紅外濾光膜。本 實施方式中，所述濾光膜60是抗反射膜。為了控制進光量，所述非光學部22上鍍有遮光膜 40。為了防止鏡片組20周圍的光照到影像感測器10上影響成像，所述周緣23上鍍有遮光 膜40。本實施方式中，所述遮光膜40由黑色的氮化鉻組成。當然，所述遮光膜40也可以是 氮化鈦或碳氮化鈦等材料。為了防電磁干擾，所述電磁屏蔽膜50覆蓋在所述遮光膜40上。5
請參閱圖2，本發(fā)明第一實施方式中，所述電磁屏蔽膜50的膜層結(jié)構包括第一金 屬層51，所述第一金屬層51直接形成于所述遮光膜40表面。本實施方式中，所述電磁屏 蔽膜50僅包括第一金屬層51，所述第一金屬層51的成分是Cr18Ni9 (鉻18鎳9)摻雜銅元 素。當然，所述第一金屬層51的成分也可以是其他不銹鋼材料。本實施方式中，所述第一 金屬層51采用不銹鋼和銅一起濺鍍的方式形成。所述第一金屬層51中摻雜的銅越多，電 磁屏蔽的效果越好，但附著性會降低，表面越容易被氧化。所以可以根據(jù)使用的需要，適當 調(diào)整摻雜銅的比例。
所述電磁屏蔽膜50的第二實施方式的膜層結(jié)構包括第一金屬層61、第二金屬層 62及第三金屬層63。所述第一金屬層61直接形成于所述遮光膜40表面。本實施方式中， 所述第一金屬層61的成分是不銹鋼，本實施方式中，所述第一金屬層61是Cr18Ni9。所述第 二金屬層62的材料是銅。所述第二金屬層62形成于所述第一金屬層表面61。本實施方式 中，采用濺鍍工藝形成所述第二金屬層62。所述第三金屬層63的材料是不銹鋼。所述第三 金屬層63形成于所述第二金屬層62上。
所述電磁屏蔽膜50的第三實施方式的膜層結(jié)構包括第一金屬層71、第二金屬層 72及第三金屬層73。本實施方式的中的第一金屬層71及第二金屬層72的結(jié)構與第二實 施方式中對應的膜層結(jié)構基本相同，不同之處在于，所述第三金屬層73摻雜了銅。所以本 實施方式中的電磁屏蔽效果比第二實施方式效果更好。
請參閱圖3，所述電磁屏蔽膜50的第四實施方式的膜層結(jié)構包括第一金屬層81、 第二金屬層82及第三金屬層83。本實施方式的中的第二金屬層82及第三金屬層83的結(jié) 構與第三實施方式中對應的膜層結(jié)構基本相同，不同之處在于，所述第一金屬層81摻雜了 銅。所以本實施方式中的電磁屏蔽效果比第三實施方式效果更好。而且由于本實施方式中 的第一金屬層81摻雜了銅，所以與第二金屬層82之間有銅的濃度的漸變，從而與第二金屬 層82之間的結(jié)合性及相容性更好，從而使得整個電磁屏蔽膜50的附著性相比前三種實施 方式的附著性也是最好的。
所述電磁屏蔽膜50的第五實施方式的膜層結(jié)構包括第一金屬層91、兩個第二金 屬層92及兩個第三金屬層93。本實施方式中，各膜層均是濺鍍形成的厚度不超過100納米 的納米膜層。所述第一金屬層91是不銹鋼。本實施方式中，所述第一金屬層91是Cr18Ni915 所述第二金屬層92是銅。第三金屬層93是不銹鋼。所述兩個第二金屬層92及兩個第三 金屬層93交替堆疊在所述第一金屬層91上。用于采用多層納米級的膜層進行鍍膜，所以 本實施方式中的電磁屏蔽膜50產(chǎn)生的應力也很小，附著性也很好。當然，所述電磁屏蔽膜 50也可以包括多于兩個的第二金屬層92及相同數(shù)量的第三金屬層93。
采用國際標準IS02409-2007色漆和清漆漆膜的劃格試驗對五種實施方式中的膜 層結(jié)構進行測試。采用的粘膠帶是&0切1! 610?，F(xiàn)有的直接鍍銅的電磁屏蔽膜在此測試條 件下，膜層厚度超過Iym就開始產(chǎn)生脫膜現(xiàn)象。而本發(fā)明第一實施方式中，膜層厚度超過 5 μ m才開始出現(xiàn)脫膜現(xiàn)象。第二實施方式中，膜層厚度超過2. 5 μ m才開始出現(xiàn)脫膜現(xiàn)象。 第三實施方式中，膜層厚度超過3μπ 才開始出現(xiàn)脫膜現(xiàn)象。第四實施方式中，膜層厚度超 過9 μ m才開始出現(xiàn)脫膜現(xiàn)象。第五實施方式中，膜層厚度超過5 μ m才開始出現(xiàn)脫膜現(xiàn)象。
本發(fā)明提供的電磁屏蔽膜沒有采用完全是銅的膜層直接附著在遮光膜表面上，從 而避免因銅直接附著在遮光膜上產(chǎn)生的應力大、附著性差問題，并可以獲得更厚的膜，達到更好的電磁屏蔽效果。
可以理解的是，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術構思做 出其它各種相應的改變與變形，而所有這些改變與變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范 圍。
權利要求
1.一種電磁屏蔽膜，該電磁屏蔽膜形成于光學元件上，所述光學元件有用于改善光學 性能的濾光膜，所述濾光膜上覆蓋有用于限制光線進入的遮光膜，所述遮光膜上覆蓋有所 述電磁屏蔽膜，其特征在于，該電磁屏蔽膜包括第一金屬層及第二金屬層，所述第一金屬層 為不銹鋼材料，所述第一金屬層直接形成于所述遮光膜表面，所述第二金屬層是銅，所述第 二金屬層形成于所述第一金屬層表面。
2.如權利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜還包括第三金屬層， 所述第三金屬層是不銹鋼，所述第三金屬層形成于所述第二金屬層上。
3.如權利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜還包括第三金屬層， 所述第三金屬層是不銹鋼摻雜銅元素，所述第三金屬層形成于所述第二金屬層上。
4.如權利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述第二金屬層為多層，所述電磁屏 蔽膜還包括跟第二金屬層相同數(shù)量的第三金屬層，所述第三金屬層是不銹鋼，多層所述第 二金屬層及多層所述第三金屬層沿所述第一金屬層交替覆蓋。
5.一種電磁屏蔽膜，該電磁屏蔽膜形成于光學元件上，所述光學元件有用于改善光學 性能的濾光膜，所述濾光膜上覆蓋有用于限制光線進入的遮光膜，所述遮光膜上覆蓋有所 述電磁屏蔽膜，其特征在于，該電磁屏蔽膜包括第一金屬層，所述第一金屬層是不銹鋼摻雜 銅元素，所述第一金屬層直接形成于所述遮光膜表面。
6.如權利要4所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜還包括第二金屬層及 第三金屬層，所述第二金屬層是銅，所述第二金屬層形成于所述第一金屬層表面上，所述第 三金屬層是不銹鋼摻雜銅元素，所述第三金屬層形成于所述第二金屬層上。
7.一種鏡頭模組，其包括影像感測器、鏡片組及間隔體，所述間隔體設置于所述影像感 測器上，所述鏡片組設置于所述間隔體上，所述鏡片組包括光學部、非光學部及周緣，所述 光學部位于所述鏡片組中心，所述非光學部環(huán)繞光學部設置，所述周緣環(huán)繞所述非光學部 設置，所述非光學部及周緣上覆蓋有濾光膜，所述濾光膜上覆蓋有遮光膜，所述遮光膜上覆 蓋有電磁屏蔽膜，其特征在于，該電磁屏蔽膜包括第一金屬層及第二金屬層，所述第一金屬 層為不銹鋼材料，所述第一金屬層直接形成于所述遮光膜表面，所述第二金屬層是銅，所述 第二金屬層形成于所述第一金屬層表面。
8.如權利要求7所述的鏡頭模組，其特征在于，所述電磁屏蔽膜還包括第三金屬層，所 述第三金屬層是不銹鋼，所述第三金屬層形成于所述第二金屬層上。
9.如權利要求7所述的鏡頭模組，其特征在于，所述電磁屏蔽膜還包括第三金屬層，所 述第三金屬層是不銹鋼摻雜銅元素，所述第三金屬層形成于所述第二金屬層上。
10.如權利要求7所述的鏡頭模組，其特征在于，所述第二金屬層為多層，所述電磁屏 蔽膜還包括跟第二金屬層相同數(shù)量的第三金屬層，所述第三金屬層是不銹鋼，多層所述第 二金屬層及多層所述第三金屬層沿所述第一金屬層交替覆蓋。
11.一種鏡頭模組，其包括影像感測器、鏡片組及間隔體，所述間隔體設置于所述影像 感測器上，所述鏡片組設置于所述間隔體上，所述鏡片組包括光學部、非光學部及周緣，所 述光學部位于所述鏡片組中心，所述非光學部環(huán)繞光學部設置，所述周緣環(huán)繞所述非光學 部設置，所述非光學部及周緣上覆蓋有濾光膜，所述濾光膜上覆蓋有遮光膜，所述遮光膜上 覆蓋有電磁屏蔽膜，其特征在于，該電磁屏蔽膜包括第一金屬層，所述第一金屬層是不銹鋼 摻雜銅元素，所述第一金屬層直接形成于所述遮光膜表面。
12.如權利要10所述的鏡頭模組，其特征在于，所述電磁屏蔽膜還包括第二金屬層及 第三金屬層，所述第二金屬層是銅，所述第二金屬層形成于所述第一金屬層表面上，所述第 三金屬層是不銹鋼摻雜銅元素，所述第三金屬層形成于所述第二金屬層上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電磁屏蔽膜，該電磁屏蔽膜形成于光學元件上，光學元件有用于改善光學性能的濾光膜，濾光膜上覆蓋有用于限制光線進入的遮光膜，遮光膜上覆蓋有電磁屏蔽膜。該電磁屏蔽膜包括第一金屬層及第二金屬層，第一金屬層為不銹鋼材料，第一金屬層直接形成于第一金屬層遮光膜表面，第二金屬層是銅，第二金屬層形成于第一金屬層表面。本發(fā)明提供的電磁屏蔽膜沒有采用完全是銅的膜層直接附著在遮光膜表面上，從而避免因銅直接附著在遮光膜上產(chǎn)生的應力大、附著性差問題，并可以獲得更厚的膜，達到更好的電磁屏蔽效果。另，本發(fā)明還提供一種具有所述電磁屏蔽膜的鏡頭模組。
文檔編號B32B15/01GK102036541SQ20091030768
公開日2011年4月27日 申請日期2009年9月25日 優(yōu)先權日2009年9月25日
發(fā)明者洪新欽 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司