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阻隔性層疊體、阻隔性薄膜基板、器件以及阻隔性層疊體的制造方法

文檔序號:2433963閱讀:329來源:國知局

專利名稱::阻隔性層疊體、阻隔性薄膜基板、器件以及阻隔性層疊體的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
:本發(fā)明涉及阻隔性層疊體、及使用該阻隔性層疊體的阻隔性薄膜基板、有機EL元件、電子紙等器件和光學(xué)部件以及阻隔性層疊體的制造方法。
背景技術(shù)
:以往,眾所周知當(dāng)在制造在基板薄膜上層疊了有機層和無機層的所謂的有機無機層疊型阻隔性薄膜基板時,有機層無缺陷對于在該層上層疊無機層等并更好地發(fā)揮阻隔性能而言是非常重要的。這里,無機層大多進行真空蒸鍍,但此時,有機層中的揮發(fā)成分在真空氣氛下逸出,進而在逸出時使膜表面產(chǎn)生缺陷,因而存在無法均勻地進行無機層的制膜的問題。在日本特開2002-256092號公報中公開了一種硬涂膜,其特征在于,其具有通過在基材的表面涂布含有光固化性物質(zhì)和低聚物型光聚合引發(fā)劑的固化性組合物并進行光照射使其固化而得到的硬涂層。另外,在日本特構(gòu)中采用經(jīng)加熱處理的基材薄膜。、、^此外,在日本特開2000-167999號公報中公開了一種具有放射線固化型樹脂組合物的固化被膜層的薄膜,該放射線固化型樹脂組合物的特征在于含有在分子中具有至少2個以上(甲基)丙烯?;姆派渚€固化型多官能(甲基)丙烯酸酯、在末端具有能共聚的不飽和雙鍵的化合物和/或不具有能共聚的不飽和雙鍵的化合物以及分子量在250以上的光聚合引發(fā)劑。但是,從未研究將這些技術(shù)應(yīng)用到有機無機層疊型阻隔性層疊體中。另外,在日本特開2002-187906號公報中記載了一種高分子量光聚合引發(fā)劑,其是由具有在分子內(nèi)具有通過活性光線的照射而產(chǎn)生自由基的官能團和加聚性官能團的乙烯基類化合物單元和能與該乙烯基類化合物共聚的單體單元的共聚物形成的。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于解決上述具有有機層和無機層的阻隔性層疊體的制造中存在的問題,以提供阻隔性能提高的阻隔性層疊體、特別是在基材薄膜上設(shè)有阻隔性層疊體的阻隔性薄膜基板。本發(fā)明者對上述課題進行了潛心研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過下述方法能解決上述課題。(1)一種阻隔性層疊體,其特征在于,其具有至少1層有機層和至少1層無機層,上述有機層是通過對含有聚合性化合物和在1分子中具有2個以上有聚合引發(fā)能力的部位的光聚合引發(fā)劑的組合物進行光照射使其固化而形成的。(2)如(1)所述的阻隔性層疊體,其中,上述光聚合引發(fā)劑是含有下式(A)所示結(jié)構(gòu)單元的化合物。(式(A)中,X是直鏈亞烷基或支鏈亞垸基,Ri和W分別是直鏈烷基或支鏈烷基,RS是取代基,m是04的整數(shù),n是250的整數(shù)。)(3)如(2)所述的阻隔性層疊體,其中,n是220的整數(shù)。(4)如(1)(3)中任一項所述的阻隔性層疊體,其中,上述光聚合引發(fā)劑的非自由基成分的分子量為低于70或在600以上。(5)如(1)(4)中任一項所述的阻隔性層疊體,其中,上述聚合性化合物是丙烯酸酯類化合物。(6)如(1)(5)中任一項所述的阻隔性層疊體,其中,上述無機式(A)層含有選自金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氧氮化物和金屬碳化物中的至少1種。(7)如(1)(6)中任一項所述的阻隔性層疊體,其中,至少2層以上上述有機層和至少2層以上上述無機層交替層疊。(8)—種阻隔性薄膜基板,其具有基材薄膜和設(shè)于該基材薄膜上的(1)(7)中任一項所述的阻隔性層疊體。(9)一種阻隔性薄膜基板,其具有基材薄膜和設(shè)于該基材薄膜上的具有至少1層有機層和至少1層無機層的阻隔性層疊體,其特征在于,上述阻隔性層疊體的表面的具有l(wèi)pm以上長度的缺陷的數(shù)目為每1平方厘米30個以下。(10)如(9)所述的阻隔性薄膜基板,其中,上述阻隔性層疊體是(1)(7)中任一項所述的阻隔性層疊體。(11)一種器件,其基板采用(8)(10)中任一項所述的阻隔性薄膜基板。(12)—種器件,其是用(8)(10)中任一項所述的阻隔性薄膜基板封固而形成的。(13)—種器件,其是用(1)(7)中任一項所述的阻隔性層疊體封固而形成的。(14)如(11)(13)中任一項所述的器件,其中,所述器件是電子器件。(15)如(11)(13)中任一項所述的器件,其中,所述器件是有機EL元件。(16)—種阻隔性層疊體的制造方法,其特征在于,其包括在支撐體上設(shè)置至少1層有機層和至少1層無機層的工序,且上述有機層通過對含有聚合性化合物和在1分子中具有多個聚合引發(fā)能力的光聚合引發(fā)劑的組合物進行光照射使其固化來設(shè)置。(17)如(16)所述的阻隔性層疊體的制造方法,其中,上述阻隔性層疊體是O)(7)中任一項所述的阻隔性層疊體。(18)如(16)或(17)所述的阻隔性層疊體的制造方法,其中,通過真空蒸鍍來設(shè)置無機層。(19)一種光學(xué)部件,其基板采用(10)所述的阻隔性薄膜基板。具體實施例方式以下詳細(xì)說明本發(fā)明的內(nèi)容。另外,本說明書中的""以包括將其前后記載的數(shù)值作為下限值和上限值的意思來使用。另外,本發(fā)明中的有機EL元件是指有機電致發(fā)光元件。而且,本說明書中的(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯這兩者。<阻隔性層疊體>本發(fā)明的阻隔性層疊體是具有有阻斷大氣中的氧、水分的功能的阻隔層的層疊體,具體而言,是在基材的至少一個面上具有至少1層有機層和至少1層無機層的阻隔性層疊體,且有機層是通過對含有聚合性化合物和在1分子中具有2個以上有聚合引發(fā)能力的部位的光聚合引發(fā)劑的組合物進行光照射使其固化而形成的。本發(fā)明的阻隔層具有至少1層有機層和至少1層無機層,優(yōu)選為至少2層有機層和至少2層無機層交替層疊的結(jié)構(gòu)。對構(gòu)成阻隔性層疊體的層數(shù)沒有特殊限制,典型地優(yōu)選為2層30層,更優(yōu)選為3層20層。另外,阻隔層可僅設(shè)在基材的單面上,也可設(shè)在兩個面上。(有機層)本發(fā)明的有機層是通過對含有聚合性化合物和在1分子中具有2個以上有聚合引發(fā)能力的部位的光聚合引發(fā)劑(以下稱為本發(fā)明的光聚合引發(fā)劑)的組合物進行光照射使其固化而形成的層。(1)光聚合引發(fā)劑本發(fā)明的光聚合引發(fā)劑的特征在于,在1分子中具有2個以上有聚合引發(fā)能力的部位。以往,當(dāng)在有機層的形成中使用光聚合引發(fā)劑時,采用僅具有1個有聚合引發(fā)能力的部位的光聚合引發(fā)劑,因此因光斷裂而產(chǎn)生多種結(jié)構(gòu)的自由基化合物,反應(yīng)不均,難以得到均勻的有機層。與此相對,在本發(fā)明中,通過使用在1分子中具有2個以上聚合引發(fā)部位的光聚合引發(fā)劑,從而形成均勻的有機層。而且,在膜厚增加或?qū)盈B數(shù)增多時也能減少霧度,有助于性能提高例如膜強度提高等。此外,如下所述,能減少來自有機層的揮發(fā)成分,使層疊于其上的無機層等均勻,提高阻隔性薄膜基板和采用該阻隔性薄膜基板的產(chǎn)品的合格率。此外,在抑制固化后的臭味等操作性上也很優(yōu)異。利用本發(fā)明的光聚合引發(fā)劑提高阻隔能力的作用機制如下所述。一般的光聚合引發(fā)劑通過紫外線或可見光的照射,特定的鍵發(fā)生斷裂,由斷裂產(chǎn)生的自由基引發(fā)聚合反應(yīng)。這里,產(chǎn)生的自由基不一定均有助于聚合引發(fā),一部分吸引體系內(nèi)存在的氫原子等而變?yōu)榉亲杂苫煞?。?dāng)該非自由基成分的分子量非常小時(例如分子量低于70),即使在常壓下也不殘留于膜中,因而不成為問題。另一方面,在上述非自由基成分的分子量為100300時,其在減壓條件下?lián)]發(fā),使有機層或無機層產(chǎn)生缺陷,從而降低阻隔性薄膜基板的合格率。若使用本發(fā)明的光聚合引發(fā)劑,則能減少分子量為100300的揮發(fā)成分的生成,因而能進一步抑制上述缺陷的產(chǎn)生。當(dāng)上述非自由基成分的分子量均低于70或在600以上時,能顯著抑制上述缺陷的產(chǎn)生,因而能得到特別理想的結(jié)果。關(guān)于上述缺陷,當(dāng)用掃描型電子顯微鏡以1000倍的放大倍數(shù)觀測無機層表面時,可檢測出lnm以上的凸部或凹部。缺陷的形狀可列舉出直線形缺陷、圓形缺陷、或其它不定形的缺陷等,這里所說的具有l(wèi)pm以上長度的缺陷在缺陷為直線形時是指長度、為圓形時是指直徑、為不定形時是指能在其中存在的最長的直線的長度在lpm以上。本發(fā)明的阻隔性層疊體中,其表面的具有l(wèi)pm以上長度的缺陷的數(shù)目可以為每1平方厘米30個以下,進而可為20個以下。作為本發(fā)明中使用的光聚合引發(fā)劑,優(yōu)選的例子可列舉出羥基苯乙酮類化合物、苯偶姻醚類、芐基縮醛類等,更優(yōu)選含有下式(A)所示結(jié)構(gòu)單元的羥基蘿乙酮類化合物。另外,關(guān)于本發(fā)明中使用的羥基苯乙酮類聚合引發(fā)劑的羥基酮低聚物型引發(fā)劑,已知有EsacureKIP系列(商品名),本發(fā)明的光聚合引發(fā)劑可按照它們的制造方法來合成。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>(式(A)中,X是直鏈亞烷基或支鏈亞烷基,R'和W分別是直鏈垸基或支鏈垸基,RS是取代基,m是04的整數(shù),n是250的整數(shù)。)X的直鏈亞烷基或支鏈亞烷基的碳原子數(shù)沒有特殊限制,優(yōu)選為l10,更優(yōu)選為16,特別優(yōu)選為13。作為X的具體例子,可列舉出>CH-CHr、>C(CH3)-CH2-、>C(C2H5)-CH2-、>C(正-(:3117)-CH2-、>C(異-(:3117)-CH2-、>C(異-C4H9)-CH2-、>C(異-CgHn)-CH2-、〉C(叔-QHn)-CH2-。這里,">"表示具有2個鍵合鍵。R1和R2的直鏈烷基或支鏈烷基的碳原子數(shù)沒有特殊限制,優(yōu)選為13,更優(yōu)選為12,特別優(yōu)選為1。其原因如上所述,是由于聚合引發(fā)劑自由基未參與聚合反應(yīng)而失活成為非自由基成分時的分子量小而不易殘留于膜中。作為RJ和^的具體例子,分別可列舉出-CH3、-C2H5、-CH(CH3)2、畫(正-C3H7)、-(異-C3H7)、-(異畫C4H9)、-(異-CsHn)、-(叔-CsHn)。作為R3的取代基,可列舉出-CH3、-C2H5、-CH(CH3)2、-(S-C3H7)、-@-C3H7)0m優(yōu)選為0。n優(yōu)選為520,更優(yōu)選為510。n為20以下時具有如下優(yōu)點有機層形成用涂布液的粘度不會過高,容易操作。另外,含有式(A)所示結(jié)構(gòu)單元的化合物的末端通常鍵合有氫原子或取代基這里,作為取代基,可列舉出烴基,例如垸基、環(huán)烷基、芳基等。作為烷基,可列舉出甲基、乙基、丙基、丁基等低級烷基等。作為環(huán)烷基,可列舉出環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基以及它們的烷基取代物等。作為芳基,可列舉出苯基及其垸基取代物等。本發(fā)明中使用的光聚合引發(fā)劑的分子量優(yōu)選為7003000,更優(yōu)選為7OO150O。作為本發(fā)明中使用的光聚合引發(fā)劑的具體例子,可列舉出聚[2-羥基-2-甲基_1-(4-(l-甲基乙烯基)苯基〕丙酮]、聚[2-羥基-2-甲基-1-〔4-乙烯基-苯基)丙酮]、聚[2-羥基-2-乙基-1-(4-(l-甲基乙烯基)苯基〕丙酮]、聚[2-羥基-2-乙基-1-〔4-乙烯基-苯基)丙酮]、聚[2-羥基-2-甲基-1-(4-(l-甲基乙烯基)苯基〕丁酮]、聚[2-羥基-2-甲基-1-(4-乙烯基-苯基〕丁酮]、聚[2-羥基-2-乙基-1-(4-(l-甲基乙烯基)苯基〕丁酮]、聚[2-羥基-2-乙基-1-〔4-乙烯基-苯基〕丁酮]等。光聚合引發(fā)劑可以單獨使用1種,也可以2種以上組合使用。(2)聚合性化合物本發(fā)明中使用的聚合性化合物可廣泛采用通過照射光而固化的物質(zhì),可以是不飽和單體、低聚物、樹脂等中的任一種。例如,作為優(yōu)選的例子,可列舉出丙烯酸酯類化合物、苯乙烯類化合物等。作為丙烯酸酯類化合物,可列舉出丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯或聚酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯等具有2官能團以上的多官能放射線固化型丙烯酸類化合物,優(yōu)選乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基乙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙垸三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸(三烯丙基)酯、雙酚A環(huán)氧乙垸改性二(甲基)丙烯酸酯等。關(guān)于苯乙烯類化合物,作為具有2官能團以上的多官能的放射線固化型苯乙烯類化合物,優(yōu)選苯乙烯、a-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯等。聚合性化合物可以單獨使用l種,也可以2種以上組合使用。以下列舉丙烯酸酯類化合物的具體例子,但本發(fā)明不限于這些。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>(3)光聚合引發(fā)劑和聚合性化合物的混合比在本發(fā)明有機層的組成中,光聚合引發(fā)前的聚合性化合物與光聚合引發(fā)劑的重量比優(yōu)選為100:130,更優(yōu)選為100:310。(4)有機層的形成方法作為有機層的形成方法,沒有特殊規(guī)定,例如可用溶液涂布法或真空成膜法來形成。作為溶液涂布法,例如可用浸漬涂布法、氣刀涂布法、簾式涂布法、輥涂法、繞線棒涂布法、凹版涂布法、坡流涂布法或美國專利第2681294號說明書中記載的使用料斗的擠出涂布法來涂布。作為真空成膜法,沒有特殊限制,但優(yōu)選蒸鍍、等離子體CVD等成膜方法。在本發(fā)明中,可以將聚合物進行溶液涂布,也可以采用如日本特開2000-323273號公報、日本特開2004-25732號公報中公開的含有無機物的混合涂布法。在本發(fā)明中,對含有聚合性化合物和光聚合引發(fā)劑的組合物進行光照射而使其固化,照射的光通常為由高壓汞燈或低壓汞燈產(chǎn)生的紫外線。照射能量優(yōu)選為0.5J/ci^以上,更優(yōu)選2J/cn^以上。當(dāng)用(甲基)丙烯酸酯類化合物作為聚合性化合物時,由于空氣中的氧阻礙聚合,因此優(yōu)選降低聚合時的氧濃度或氧分壓。當(dāng)用氮置換法來降低聚合時的氧濃度時,氧濃度優(yōu)選在2%以下,更優(yōu)選在0.5%以下。當(dāng)用減壓法來降低聚合時的氧分壓時,優(yōu)選總壓在1000Pa以下,更優(yōu)選為100Pa以下。另外,特別優(yōu)選在100Pa以下的減壓條件下照射2J/cm2以上的能量以進行紫外線聚合。本發(fā)明的有機層優(yōu)選平滑且膜硬度高的有機層。關(guān)于有機層的平滑性,優(yōu)選10拜見方的平均粗糙度(Ra值)為10nm以下,更優(yōu)選為2nm以下。單體的聚合率優(yōu)選在85%以上,更優(yōu)選在88%以上,進一步優(yōu)選在90%以上,特別優(yōu)選在92%以上。這里所述的聚合率是指單體混合物中的所有聚合性基團(丙烯?;图谆;?中參與反應(yīng)的聚合性基團的比例。聚合率可用紅外線吸收法來定量。對有機層的膜厚沒有特殊限制,但若過薄,則很難得到膜厚的均勻性,若過厚,則在外力的作用下產(chǎn)生裂縫,導(dǎo)致阻隔性下降。基于這種觀點,有機層的厚度優(yōu)選為50nm2000nm,更優(yōu)選為200nm1500nm。另外,如上所述,有機層優(yōu)選為平滑的有機層。關(guān)于有機層的平滑性,lOiim見方的平均粗糙度(Ra值)優(yōu)選為2nm以下,更優(yōu)選為lnm以下。要求有機層的表面沒有顆粒等異物、突起。為此,有機層的成膜優(yōu)選在潔凈室內(nèi)進行。潔凈度優(yōu)選在10000級以下,更優(yōu)選在1000級以下。有機層的硬度優(yōu)選越高越好。若有機層的硬度高,則無機層平滑地成膜,其結(jié)果是使阻隔能力提高。有機層的硬度可用基于納米壓痕法的微小硬度來表示。有機層的微小硬度優(yōu)選在150N/mm以上,更優(yōu)選在180N/mm以上,特別優(yōu)選在200N/mm以上。有機層優(yōu)選2層以上層疊。此時,各層可以是相同的組成,也可以是不同的組成。當(dāng)2層以上層疊時,各有機層優(yōu)選設(shè)計成在上述優(yōu)選的范圍內(nèi)。如上所述,也可以是如美國公開專利2004-46497號說明書中公開的與無機層的界面不明確、且組成在膜厚方向連續(xù)變化的層。(無機層)無機層通常是由金屬化合物形成的薄膜層。關(guān)于無機層的形成方法,只要是能形成目標(biāo)薄膜的方法,任何方法均可使用。例如有蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等物理氣相沉積法(PVD)、各種化學(xué)氣相沉積法(CVD)、鍍敷或溶膠凝膠法等液相沉積法。其中,從能避免在無機層形成時的對基材薄膜的熱的影響、生產(chǎn)速度快、易得到均勻薄膜層的觀點出發(fā),優(yōu)選使用物理氣相沉積法(PVD)或化學(xué)氣相成積法(CVD)。關(guān)于無機層中含有的成分,只要能滿足上述性能即無特殊限制,例如可使用含有選自Si、Al、In、Sn、Zn、Ti、Cu、Ce或Ta等中的1種以上的金屬的氧化物、氮化物或氧氮化物等。其中,優(yōu)選選自Si、Al、In、Sn、Zn、Ti中的金屬的氧化物、氮化物或氧氮化物,特別優(yōu)選Si或Al的金屬氧化物、氮化物或氧氮化物。它們也可以含有其它元素作為次要成分。關(guān)于利用本發(fā)明形成的無機層的平滑性,l(Him見方的平均粗糙度(Ra值)優(yōu)選低于2nm,更優(yōu)選lnm以下。因此,無機層的成膜優(yōu)選在潔凈室內(nèi)進行。潔凈度優(yōu)選在10000級以下,更優(yōu)選在1000級以下。對無機層的厚度沒有特殊限制,但每層通常在5500nm的范圍內(nèi)。本發(fā)明的層疊體和阻隔性薄膜基板即使無機層較薄也顯示高的阻隔性,因此為了提高生產(chǎn)率、降低成本,無機層優(yōu)選盡可能地薄。無機層的厚度優(yōu)選為20200nm。無機層可以2層以上層疊。此時,各層可以是相同的組成,也可以是不同的組成。當(dāng)2層以上層疊時,優(yōu)選將各無機層設(shè)計成在上述優(yōu)選的范圍內(nèi)。另外,如上所述,也可以是如美國公開專利2004-46497號說明書中公開的與有機層的界面不明確、且組成在膜厚方向連續(xù)變化的層。(有機層和無機層的層疊)關(guān)于有機層和無機層的層疊,可根據(jù)所需的層結(jié)構(gòu),通過將有機層和無機層依次反復(fù)制膜來進行。當(dāng)用濺射法、真空蒸鍍法、離子鍍法、等離子體CVD法等真空制膜法來形成無機層時,有機層也優(yōu)選用如上述閃蒸法的真空制膜法來形成。在制膜形成阻隔層期間,特別優(yōu)選在過程中不返回至大氣壓而一直在1000Pa以下的真空中層疊有機層和無機層。壓力更優(yōu)選在100Pa以下,進一步優(yōu)選在50Pa以下,特別優(yōu)選在20Pa以下。(功能層)在本發(fā)明的器件中,可在阻隔性層疊體上或其它位置具有功能層。關(guān)于功能層,在日本特開2006-289627號公報的段落號00360038中有詳細(xì)記載。作為上述之外的功能層的例子,可列舉出消光劑層、保護層、防靜電層、平滑化層、粘附改良層、遮光層、防反射層、硬涂層、應(yīng)力緩和層、防霧層、防污層、被印刷層、易粘接層等。阻隔性層疊體的用途本發(fā)明的阻隔性層疊體通常設(shè)在支撐體上,通過對該支撐體進行選擇即可用于各種用途。作為支撐體,除基材薄膜以外,還包含各種器件、光學(xué)部件等。具體而言,本發(fā)明的阻隔性層疊體可作為阻隔性薄膜基板的阻隔層使用。另外,本發(fā)明的阻隔性層疊體和阻隔性薄膜基板可用于要求氣體阻隔性的器件的封固。本發(fā)明的阻隔性層疊體和阻隔性薄膜基板還可適用于光學(xué)部件。以下,對它們進行詳細(xì)說明。<阻隔性薄膜基板>阻隔性薄膜基板具有基材薄膜和形成于該基材薄膜上的阻隔性層疊體。在阻隔性薄膜基板中,可僅在基材薄膜的單面上設(shè)置本發(fā)明的阻隔性層疊體,也可在兩面上設(shè)置。本發(fā)明的阻隔性層疊體可從基材薄膜側(cè)按照無機層、有機層的順序?qū)盈B,也可按照有機層、無機層的順序?qū)盈B。本發(fā)明的層疊體的最上層可以是無機層也可以是有機層。另外,本發(fā)明的阻隔性薄膜基板是具有有阻斷大氣中的氧、水分、氮氧化物、硫氧化物、臭氧等功能的阻隔層的薄膜基板。對構(gòu)成阻隔性薄膜基板的層數(shù)沒有特殊限制,但典型地優(yōu)選為2層30層,更優(yōu)選為3層20層。阻隔性薄膜基板可具有阻隔性層疊體、基材薄膜以外的結(jié)構(gòu)成分(例如易粘接層等功能層)。功能層可設(shè)于阻隔性層疊體上、阻隔性層疊體與基材薄膜之間、基材薄膜上未設(shè)置阻隔性層疊體的一側(cè)(背面)中的任一位置。(塑料薄膜)本發(fā)明的阻隔性薄膜基板通常用塑料薄膜作為基材薄膜。所用的塑料薄膜只要是能保持有機層、無機層等層疊體的薄膜即可,對材質(zhì)、厚度等沒有特殊限制,可根據(jù)使用目的等適當(dāng)選擇。作為上述塑料薄膜,具體可列舉出金屬支撐體(鋁、銅、不銹鋼等)、聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸-馬來酸共聚物、聚苯乙烯樹脂、透明氟樹脂、聚酰亞胺、氟化聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、纖維素?;飿渲?、聚氨酯樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚碳酸酯樹脂、脂環(huán)式聚烯烴樹脂、聚芳酯樹脂、聚醚砜樹脂、聚砜樹脂、環(huán)烯烴共聚物、芴環(huán)改性聚碳酸酯樹脂、脂環(huán)改性聚碳酸酯樹脂、芴環(huán)改性聚酯樹脂、丙烯?;衔锏葻崴苄詷渲?。將本發(fā)明的阻隔性薄膜基板用作后述的有機EL元件等器件的基板時,塑料薄膜優(yōu)選由具有耐熱性的材料形成。具體而言,優(yōu)選由玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)為100'C以上和/或線熱膨脹系數(shù)為40ppm/'C以下的耐熱性高的透明材料形成。Tg和線膨脹系數(shù)可用添加劑等來調(diào)節(jié)。作為這樣的熱塑性樹脂,可列舉出例如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN:120°C)、聚碳酸酯(PC:140°C)、脂環(huán)式聚烯烴(例如日本Zeon株式會社制ZEONOR1600:160°C)、聚芳酯(PAr:210°C)、聚醚砜(PES:220°C)、聚砜(PSF:190°C)、環(huán)烯烴共聚物(COC:日本特開2001-150584號公報的化合物162°C)、芴環(huán)改性聚碳酸酯(BCF-PC:日本特開2000-227603號公報的化合物:225°C)、脂環(huán)改性聚碳酸酯(IP-PC:日本特開2000-227603號公報的化合物:205°C)、丙烯?;衔?日本特開2002-80616號公報的化合物300。C以上)(括號內(nèi)表示Tg)。特別是當(dāng)要求透明性時,優(yōu)選使用脂環(huán)式聚烯烴等。由于本發(fā)明的阻隔性薄膜基板被用作有機EL元件等器件,因此塑料薄膜要透明,即透光率通常為80%以上,優(yōu)選為85%以上,更優(yōu)選為90%以上。透光率可用JIS-K7105中記載的方法來算出,即采用積分球式透光率測定裝置來測定總透光率和散射光量,從總透光率中減去擴散透射率來算出。即使將本發(fā)明的阻隔性薄膜基板用于顯示器用途,當(dāng)不設(shè)置在觀察側(cè)等時,也不一定要求透明性。因此,在這樣的情況下,也可用不透明的材料來作為塑料薄膜。作為不透明的材料,可列舉出例如聚酰亞胺、聚丙烯腈、公知的液晶聚合物等。用于本發(fā)明的阻隔性薄膜基板的塑料薄膜的厚度可根據(jù)用途來適當(dāng)選擇,因此沒有特殊限制,典型地為1800^im,優(yōu)選10200pm。這些塑料薄膜可具有透明導(dǎo)電層、底漆層等功能層。關(guān)于功能層,在日本特開2006-289627號公報的段落號00360038中有詳細(xì)記載。作為上述之外的功能層的例子,可列舉出消光劑層、保護層、防靜電層、平滑化層、粘附改良層、遮光層、防反射層、硬涂層、應(yīng)力緩和層、防霧層、防污層、被印刷層、易粘接層等。<器件>本發(fā)明的阻隔性層疊體和阻隔性薄膜基板可優(yōu)選用于在空氣中的化學(xué)成分(氧、水、氮氧化物、硫氧化物、臭氧等)的作用下性能劣化的器件。作為上述器件的例子,可列舉出例如有機EL元件、液晶顯示元件、薄膜晶體管、觸摸面板、電子紙、太陽電池等電子器件,優(yōu)選用于有機EL元件。本發(fā)明的阻隔性層疊體還可用于器件的膜封固。即,將器件自身作為支撐體,在其表面設(shè)置本發(fā)明的阻隔性層疊體的方法。在設(shè)置阻隔性層疊體之前,可將器件用保護層覆蓋。本發(fā)明的阻隔性薄膜基板還可用作器件的基板、利用固體封固法的封固用薄膜。固體封固法是指在器件上形成保護層后,將粘接劑層、阻隔性薄膜基板進行重疊并固化的方法。粘接劑沒有特殊限制,可列舉出熱固化性環(huán)氧樹脂、光固化性丙烯酸酯樹脂等。(有機EL元件)使用阻隔性薄膜基板的有機EL元件的例子在日本特開2007-30387號公報中有詳細(xì)記載。(液晶顯示元件)反射型液晶顯示裝置具有如下結(jié)構(gòu)從下至上依次為下基板、反射電極、下取向膜、液晶層、上取向膜、透明電極、上基板、X/4板、偏振膜。本發(fā)明的阻隔性薄膜基板可作為上述透明電極基板和上基板使用。彩色顯示時,優(yōu)選進一步在反射電極與下取向膜之間或在上取向膜與透明電極之間設(shè)置濾色器層。透射型液晶顯示裝置具有如下結(jié)構(gòu)從下至上依次為背光、偏振片、A/4板、下透明電極、下取向膜、液晶層、上取向膜、上透明電極、上基板、A/4板以及偏振膜。其中,本發(fā)明的基板可作為上述上透明電極和上基板使用。彩色顯示時,優(yōu)選進一步在下透明電極與下取向膜之間或在上取向膜與透明電極之間設(shè)置濾色器層。液晶單元的種類沒有特殊限制,但更優(yōu)選TN(扭曲向列)型、STN(超扭曲向列)型或HAN(混合取向向列)型、VA(垂直取向)型、ECB型(電控雙折射)、OCB型(光學(xué)補償彎曲)、CPA型(連續(xù)焰火狀排列)。(其它)作為其它適用例,可列舉出日本特表平10-512104號公報中記載的薄膜晶體管、日本特開平5-127822號公報、日本特開2002-48913號公報等中記載的觸摸面板、日本特開2000-98326號公報中記載的電子紙、日本特愿平7-160334號公報中記載的太陽電池等。<光學(xué)部件>作為使用本發(fā)明的阻隔性薄膜基板的光學(xué)部件的例子,可列舉出圓偏振片等。(圓偏振片)可將本發(fā)明的阻隔性薄膜基板作為基板,層疊X74板和偏振片,來制造圓偏振片。此時,按照使V4板的慢軸與偏振片的吸收軸成45。的方式層疊。這樣的偏振片優(yōu)選使用在相對于長度方向(MD)成45。的方向上拉伸的偏振片,例如可優(yōu)選使用日本特開2002-865554號公報中記載的偏振片。實施例以下列舉實施例更具體地說明本發(fā)明。只要不脫離本發(fā)明的主旨,以下實施例所示的材料、用量、比例、處理內(nèi)容、處理順序等可作適當(dāng)變更。因此,本發(fā)明的范圍并不限于下述具體例子。實施例A由基材薄膜/有機層/無機層形成的阻隔性薄膜基板的制作在基材薄膜(Toray株式會社制、LumirrorT60、厚度為100pm)上,將由下述表1所示組成構(gòu)成的涂布液用甲乙酮進行制備,按照使干燥膜厚為1000nm的方式進行涂布,在氮200ppm氣氛下以紫外線照射量為0.5J/cm2進行照射而使其固化。在得到的有機層表面上用濺射法形成氧化鋁膜,以制作實施例113以及比較例13的阻隔性薄膜基板。用鋁作為陰極的靶,用氬作為放電氣體,用氧作為反應(yīng)氣體。成膜壓力為O.lPa,極限膜厚為60nm。用下述評價方法評價得到的阻隔性薄膜基板的水蒸汽透過率(MOCON法和Ca法)以及缺陷數(shù)。它們的評價結(jié)果示于表2。[水蒸汽透過率(g/m2/day)〗(1)MOCON法用MOCON公司制"PERMATRAN-W3/31"(40°C、相對濕度為90%)進行測定。表2中"O.01"表示水蒸汽透過率低于0.01g/m2*day。(2)Ca法對在MOCON法的測定限以下的樣品,用下述參考文獻中記載的方法測定4(TC-相對濕度為90%下的水蒸汽透過率。<參考文獻>G.NISATO、P.C.P.BOUTEN、P丄SLIKKERVEERetal.SIDConferenceRecordoftheInternationalDisplayResearchConference1435-1438頁<缺陷數(shù)的計算>將上述制作的各阻隔性薄膜基板用日立S-4100型掃描型電子顯微鏡在加速電壓為5KV、放大倍數(shù)為500倍下隨機選出100個lmm見方的區(qū)域。計算所選擇的區(qū)域內(nèi)的缺陷數(shù),求出平均值。此時計算出的缺陷是具有最大長度為lnm以上的長度的缺陷。將上述平均值換算成每1咖2的數(shù)值,.作為缺陷數(shù)。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>上述表1中,式(B)表示的化合物、式(C)表示的化合物的混合物、式(D)表示的化合物的混合物分別如下所述。式(B)式(B)中,R表示乙基。n分別表示表1所示的數(shù)值。實施例16是合成的。n=25的化合物可購買EsacureKIP150(商品名,Lamberti公司先U、由Sartomer公司出售)。ESACUREKIP100F式(C)中,R表示乙基。n表示25的整數(shù)。可購買EsacureKIP100F(商品名,Lamberti公司制、由Sartomer公司出售)。式(D)ESACUREKT046式(D)中,R表示乙基。n表示25的整數(shù)。可購買EsacureKT046(商品名,Lamberti公司制、由Sartomer公司出售)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>式(C)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>ESACUREKIP15070%<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>由表2可知,使用了本發(fā)明的光聚合引發(fā)劑的阻隔性薄膜基板與比較例的阻隔性薄膜基板相比,用掃描型電子顯微鏡觀測的每單位面積上的缺陷數(shù)少,阻隔能力高(水蒸汽透過率低)。其中,實施例26的阻隔性薄膜基板的缺陷數(shù)尤其少。在這些實施例中,產(chǎn)生的自由基的一方為丙氧基自由基(加氫物的分子量為60),另一方為分子量700以上的低聚物。這是因為在有機層形成后不殘留揮發(fā)成分。另一方面,實施例l由于低聚物側(cè)為二聚體(n=2、分子量為334),因此揮發(fā)性的抑制效果略低,缺陷數(shù)較多。實施例710也因含有二聚體而使揮發(fā)性抑制效果略低。實施例ll、12由于并用低分子的聚合引發(fā)劑,因此揮發(fā)性抑制效果略低。實施例B將實施例6和比較例3中的有機層由涂布替換為用閃蒸法來制膜,結(jié)果分別得到與實施例A同樣的效果。實施例C制作具有下述表3中記載的層結(jié)構(gòu)的阻隔性薄膜基板。這里,基材薄膜采用與實施例A相同的基材薄膜,用與實施例A同樣的方法制作無機層。另外,關(guān)于有機層,實施例14、15、16采用與實施例11的有機層同樣的方法來制作,比較例4、5、6采用與比較例1的有機層同樣的方法來制作。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>用上述得到的阻隔性薄膜基板來制作有機EL元件。具體而言,首先,用2-丙醇洗滌具有ITO膜的導(dǎo)電性玻璃基板(表面電阻值為10Q/口),然后進行10分鐘UV-臭氧處理。在該基板(陽極)上用真空蒸鍍法依次蒸鍍以下的化合物層。(第1空穴輸送層)銅酞菁膜厚10nm(第2空穴輸送層)N,N'-二苯基-N,N'-二萘基聯(lián)苯胺膜厚40nm(發(fā)光層兼電子輸送層)三(8-羥基喹啉)鋁膜厚60nm(電子注入層)氟化鋰膜厚lnm然后,蒸鍍100nm金屬鋁作為陰極,在其上用平行平板CVD法賦予厚度為3pm的氮化硅膜,制作有機EL元件。接著,用熱固化型粘接劑(Epotek310、Daizo-Nichimori株式會社),將制得的有機EL元件與實施例11、1416和比較例1、46的阻隔性薄膜基板按照層疊有有機層和無機層的一側(cè)(當(dāng)在兩面上層疊時為任意側(cè))為有機EL元件一側(cè)的方式貼合,在65'C下加熱3小時,使粘接劑固化。每個各制作20個按上述方法封固得到的有機EL元件。對剛制作后的有機EL元件用源測量單元(SourceMeasureUnit)(SMU2400型、Keithley公司帝U)施加7V的電壓使其發(fā)光。用顯微鏡觀察發(fā)光面情況,結(jié)果證實任一元件均發(fā)出無暗斑的均勻的光。最后,將各元件在60。C、相對濕度為90%的暗室內(nèi)靜置24小時后,觀察發(fā)光面情況。將觀察到直徑大于300pm的暗斑的元件的比率定義為故障率,算出各元件的故障率。其結(jié)果如表4所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>由上述結(jié)果可知,本發(fā)明的阻隔性薄膜基板可減少元件的故障率。此外,本發(fā)明的阻隔性薄膜基板即使減少層疊數(shù),故障率也很低,因而能減少層疊數(shù),并提高生產(chǎn)率。另外,還可以證實實施例中使用的聚合引發(fā)劑與比較例中使用的聚合引發(fā)劑相比,在聚合反應(yīng)時的揮發(fā)成分的臭味被大幅減少。實施例D使采用了實施例16和比較例6的阻隔性薄膜基板的有機EL發(fā)光元件在TV等中以必需的500cd/m2連續(xù)點燈,測定亮度。到達(dá)300cd/口為止,實施例16需要2000小時,比較例4需要1600小時。也就是說,采用比較例6的阻隔性薄膜基板的有機EL元件的故障率低,但亮度到達(dá)300cd/口所需的時間比實施例16的阻隔性薄膜基板低80%,較早地劣化。另外,將實施例16和比較例6的阻隔性薄膜基板切成40mmx80mm,在25°C、相對濕度為60%下用霧度計(HGM-2DP、SUGA試驗機)按照J(rèn)ISK-6714進行測定,結(jié)果實施例16為0.8%、比較例6為1.1%,本發(fā)明的透明性也提高了。實施例E將實施例C中在有機EL元件側(cè)貼合實施例11、1416和比較例1、46的阻隔性薄膜基板替換為直接設(shè)置與實施例11、1416和比較例1、46具有同樣的層結(jié)構(gòu)的阻隔性層疊體,其它均與實施例C同樣操作,對有機EL元件進行封固??芍帽景l(fā)明的阻隔性層疊體封固時能減少元件的故障率。本發(fā)明的阻隔性層疊體和阻隔性薄膜基板的阻隔性優(yōu)異,且當(dāng)用于有機EL元件等器件時能顯著減少元件的劣化和故障。此外,本發(fā)明的阻隔性層疊體和阻隔性薄膜基板由于利用多官能的聚合引發(fā)劑來形成有機層,因而能減少有機層形成時的臭味。另外,在透明性方面也很優(yōu)異。因此,與現(xiàn)有的阻隔性薄膜基板相比,可期待具有更廣泛的應(yīng)用。本發(fā)明能提供阻隔能力顯著提高的阻隔性層疊體,其結(jié)果是能大幅度提高有機EL元件等器件的壽命。權(quán)利要求1、一種阻隔性層疊體,其特征在于,其具有至少1層有機層和至少1層無機層,所述有機層是通過對含有聚合性化合物和在1分子中具有2個以上有聚合引發(fā)能力的部位的光聚合引發(fā)劑的組合物進行光照射使其固化而形成的。2、如權(quán)利要求1所述的阻隔性層疊體,其中,所述光聚合引發(fā)劑是含有下式(A)所示結(jié)構(gòu)單元的化合物,<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式(A)中,X是直鏈亞烷基或支鏈亞垸基,Ri和re分別是直鏈烷基或支鏈垸基,W是取代基,m是04的整數(shù),n是250的整數(shù)。3、如權(quán)利要求2所述的阻隔性層疊體,其中,n是220的整數(shù)。4、如權(quán)利要求2所述的阻隔性層疊體,其中,所述光聚合引發(fā)劑的非自由基成分的分子量低于70或在600以上。5、如權(quán)利要求2所述的阻隔性層疊體,其中,所述聚合性化合物是丙烯酸酯類化合物。6、如權(quán)利要求2所述的阻隔性層疊體,其中,所述無機層含有選自金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氧氮化物和金屬碳化物中的至少l種。7、如權(quán)利要求2所述的阻隔性層疊體,其中,至少2層以上所述有機層與至少2層以上所述無機層交替層疊。8、一種阻隔性薄膜基板,其具有基材薄膜和設(shè)于該基材薄膜上的權(quán)利要求2所述的阻隔性層疊體。9、一種阻隔性薄膜基板,其具有基材薄膜和設(shè)于該基材薄膜上的具有至少1層有機層和至少1層無機層的阻隔性層疊體,其特征在于,所述阻隔性層疊體的表面的具有l(wèi)拜以上長度的缺陷的數(shù)目為每1平方厘米30個以下。10、如權(quán)利要求9所述的阻隔性薄膜基板,其中,所述阻隔性層疊體是權(quán)利要求2所述的阻隔性層疊體。11、一種器件,其基板采用權(quán)利要求810中任一項所述的阻隔性薄膜基板。12、一種器件,其是用權(quán)利要求810中任一項所述的阻隔性薄膜基板封固而形成的。13、一種器件,其是用權(quán)利要求17中任一項所述的阻隔性層疊體封固而形成的。14、如權(quán)利要求ll所述的器件,其中,所述器件是電子器件。15、如權(quán)利要求ll所述的器件,其中,所述器件是有機EL元件。16、一種阻隔性層疊體的制造方法,其特征在于,其包括在支撐體上設(shè)置至少1層有機層和至少1層無機層的工序,且所述有機層通過對含有聚合性化合物和在1分子中具有多個聚合引發(fā)能力的光聚合引發(fā)劑的組合物進行光照射使其固化來形成。17、如權(quán)利要求16所述的阻隔性層疊體的制造方法,其中,所述阻隔性層疊體是權(quán)利要求17中任一項所述的阻隔性層疊體。18、如權(quán)利要求16所述的阻隔性層疊體的制造方法,其中,利用真空蒸鍍來設(shè)置無機層。19、一種光學(xué)部件,其基板采用權(quán)利要求10所述的阻隔性薄膜基板。全文摘要本發(fā)明提供一種阻隔性能提高的阻隔性層疊體。阻隔性層疊體的特征在于,具有至少1層有機層和至少1層無機層,上述有機層是通過對含有聚合性化合物和在1分子中具有2個以上有聚合引發(fā)能力的部位的光聚合引發(fā)劑的組合物進行光照射使其固化而形成的。文檔編號B32B27/00GK101412300SQ2008101703公開日2009年4月22日申請日期2008年10月16日優(yōu)先權(quán)日2007年10月16日發(fā)明者立石朋美申請人:富士膠片株式會社
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