調整單晶棒晶向的方法及測量方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種單晶生產(chǎn)領域，尤其是一種調整單晶棒晶向的方法及測量方法。
【背景技術】
[0002]通常情況下，單晶棒切割后客戶要求硅片的晶向滿足一定要求，而單晶棒在拉制和滾圓過程中會導致單晶原始晶向的偏離，需要在后道加工中進行修正。目前通用的多線線切割技術機臺無法在水平和垂直方向上同時調整，只能在水平方向上調整，因此就需要在切割前首先保證垂直方向上的晶向，然后在調整水平方向上的晶向來保證切割后的硅片的晶向滿足客戶要求。而之前使用的通過矢量計算來確認晶向，需要實際切割后才知道硅片的晶向，往往會由于確認方向偏反導致切割后整段單晶晶向超標。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種簡單的調整單晶棒晶向的方法及測量方法。
[0004]為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種調整單晶棒晶向的方法；包括如下的步驟:1)通過晶體的種類確定標準晶向；2)確定單晶Y軸方向和單晶X軸方向的晶向；3)將單晶X軸方向與墊條X軸方向平行，并進行單晶棒與墊條粘結；4)根據(jù)單晶X軸方向與標準晶向的偏差值進行調整。
[0005]作為對本發(fā)明所述的調整單晶棒晶向的方法的改進:所述晶向測量均通過定向儀實現(xiàn)。
[0006]作為對本發(fā)明所述的調整單晶棒晶向的方法的進一步改進:測量單晶端面符合標準要求的晶向方向作為的單晶Y軸方向晶向；再測量單晶X軸方向晶向。
[0007]作為對本發(fā)明所述的調整單晶棒晶向的方法的進一步改進:X軸方向晶向大于標準晶向，則將墊條和單晶棒沿著逆時針方向旋轉，旋轉的角度為X軸方向的晶向與標準晶向的差值，并粘結在需要粘結的鐵塊上。
[0008]作為對本發(fā)明所述的調整單晶棒晶向的方法的進一步改進:X軸方向晶向小于標準晶向，則將墊條和單晶棒沿著順時針方向旋轉，旋轉的角度為X軸方向的晶向與標準晶向的差值，并粘結在需要粘結的鐵塊上。
[0009]一種調整單晶棒晶向后單晶棒晶向的測量方法；包括如下的步驟:1)通過晶體的種類確定標準晶向；2)確定單晶Y軸方向和單晶X軸方向的晶向；3)將單晶X軸方向與墊條X軸方向平行，并進行單晶棒與墊條粘結；4)根據(jù)單晶X軸方向與標準晶向的偏差值進行調整；5)將粘結在鐵塊上的墊條和單晶棒再次進行X方向晶向的測量，最后得出切割后硅片的晶向。
[0010]作為對本發(fā)明所述的調整單晶棒晶向后單晶棒晶向的測量方法的改進:所述晶向測量均通過定向儀實現(xiàn)。
[0011]作為對本發(fā)明所述的調整單晶棒晶向后單晶棒晶向的測量方法的進一步改進:測量單晶端面符合標準要求的晶向方向作為的單晶Y軸方向晶向；再測量單晶X軸方向晶向。
[0012]作為對本發(fā)明所述的調整單晶棒晶向后單晶棒晶向的測量方法的進一步改進:X軸方向晶向大于標準晶向，則將墊條和單晶棒沿著逆時針方向旋轉，旋轉的角度為X軸方向的晶向與標準晶向的差值，并粘結在需要粘結的鐵塊上。
[0013]作為對本發(fā)明所述的調整單晶棒晶向后單晶棒晶向的測量方法的進一步改進:X軸方向晶向小于標準晶向，則將墊條和單晶棒沿著順時針方向旋轉，旋轉的角度為X軸方向的晶向與標準晶向的差值，并粘結在需要粘結的鐵塊上。
[0014]將鐵與線切割機頭安裝結合。墊條為樹脂材料制成，通過粘結膠把墊條和單晶硅棒結合在一起，單晶棒放置于有與晶棒直徑一致圓弧的墊條上，再將墊條連同單晶棒粘結在鐵塊上，把平行于鐵塊的方向定義為單晶硅棒晶向的X軸方向，垂直方向定義為Y軸方向。
【附圖說明】
[0015]下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細說明。
[0016]圖1是本發(fā)明的結構示意俯視圖(附圖標注:單晶棒3、晶棒X軸方向晶向4、標準晶向6、墊條1、鐵塊2、單晶棒方向5)；
[0017]圖2是本發(fā)明的結構示意側視圖(附圖標注:單晶棒3、晶棒X軸方向晶向4、標準晶向6、墊條1、鐵塊2、單晶棒方向5、晶棒Y軸方向晶向7、墊條X軸方向8、鐵塊X軸方向9)。
【具體實施方式】
[0018]實施例1、圖1?圖2給出了一種調整單晶棒3晶向的測量方法；主要通過如下的步驟實:
[0019]1、通過晶體的種類確定單晶棒3的標準晶向6，如〈111〉單晶標準晶向6為14° 12'，〈100〉單晶晶向為34° 36';即〈111〉單晶硅標準晶向6在由X軸、Y軸構成的平面內應都為14° 12'，即〈100〉單晶硅標準晶向6在由X軸、Y軸構成的平面內應都為34。36'；
[0020]2、使用定向儀測量單晶棒3的單晶端面符合標準要求的晶向方向作為的晶棒Y軸方向晶向7 ;再測量晶棒X軸方向晶向4 ；
[0021]3、將晶棒X軸方向晶向4與墊條X軸方向8 (墊條I上設置X軸與Y軸，如圖2)方向平行，并將單晶棒3與墊條I粘結；
[0022]4、根據(jù)晶棒X軸方向晶向4與標準晶向6的偏差值進行調整，將粘結有單晶的墊條I與鐵塊2粘；
[0023]此時，有兩種狀況:
[0024]4.1晶棒X軸方向晶向4大于標準晶向6，則將墊條I和單晶棒3沿著逆時針方向旋轉，旋轉的角度為晶棒X軸方向晶向4與標準晶向6的差值，并粘結在需要粘結的鐵塊2上;
[0025]4.2晶棒X軸方向晶向4小于標準晶向6，則將墊條I和單晶棒3沿著順時針方向旋轉，旋轉的角為晶棒X軸方向晶向4與標準晶向6的差值，并粘結在需要粘結的鐵塊2上；
[0026]5、將粘結在鐵塊2上的墊條I和單晶棒3再次使用定向儀器進行晶棒X軸方向晶向4的測量，最后得出切割后硅片的晶向。
[0027]在實際使用的過程中，以要求單晶棒3切割后〈111〉硅片的晶向滿足14° 12' ±30'的單晶棒3為例，其單晶棒3原始晶向偏2°，需要在線切割進行調整晶向并符合要求的步驟如下。
[0028]1、客戶要求14° 12' ±30'，將14° 12'作為標準晶向6 ;
[0029]2、使用定向儀，測量單晶端面晶向，滿足14° 12' ±30'要求的方向作為晶棒Y軸方向晶向7 ;再測量晶棒X軸方向晶向4，實測為16° 12'；
[0030]3、將晶棒X軸方向晶向4平行于墊條IX軸方向進行單晶棒3與墊條I粘結；
[0031]4、晶棒X軸方向晶向4實測為16° 12'，根據(jù)測量的晶向大于標準晶向6 (標準晶向6為14° 12')時，將單晶棒3連同墊條I放置在需要粘結的鐵塊2上，做逆時針方向旋，旋轉角度為2° ；
[0032]5、將粘結好鐵塊2的單晶棒3再次放到定向儀器上測量單晶棒3的水平方向的晶向，此時測量的晶向即切割后硅片的晶向。
[0033]對比例:
[0034]一般是現(xiàn)有技術與本技術進行對比，然后從數(shù)據(jù)上做出優(yōu)勢。
[0035]比如，現(xiàn)有技術中，采用X測量的方法，其測量只能進行水平方向上調整，因此就需要在切割前首先保證垂直方向上的晶向，然后在調整水平方向上的晶向來保證切割后的硅片的晶向滿足客戶要求。過程繁瑣，且容易出現(xiàn)偏差，而本發(fā)明通過修改看了這些技術問題，使得過程簡單，且精確度大幅度提高。具體的，現(xiàn)有技術的合格率只有50%，而本發(fā)明達到了 90%。
[0036]而之前使用的通過矢量計算來確認晶向，需要實際切割后才知道硅片的晶向，往往會由于確認方向偏反導致切割后整段單晶晶向超標，而本發(fā)明通過修改看了這些技術問題。
[0037]如圖1和圖2所示，圖中底部為粘結的鐵塊2，將與線切割機頭安裝結合。墊條I為樹脂材料制成，通過粘結膠把墊條I和單晶硅棒結合在一起，單晶棒3放置于有與晶棒直徑一致圓弧的墊條I上，再將墊條I連同單晶棒3粘結在鐵塊2上，把平行于鐵塊2的方向定義為單晶硅棒晶向的X軸方向，垂直方向定義為Y軸方向。
[0038]最后，還需要注意的是，以上列舉的僅是本發(fā)明的一個具體實施例。顯然，本發(fā)明不限于以上實施例，還可以有許多變形。本領域的普通技術人員能從本發(fā)明公開的內容直接導出或聯(lián)想到的所有變形，均應認為是本發(fā)明的保護范圍。
【主權項】
1.一種調整單晶棒晶向的方法；其特征是:包括如下的步驟: 1)通過晶體的種類確定標準晶向； 2)確定單晶Y軸方向和單晶X軸方向的晶向； 3)將單晶X軸方向與墊條X軸方向平行，并進行單晶棒與墊條粘結； 4)根據(jù)單晶X軸方向與標準晶向的偏差值進行調整。2.根據(jù)權利要求1所述的調整單晶棒晶向的方法，其特征是:所述晶向測量均通過定向儀實現(xiàn)。3.根據(jù)權利要求2所述的調整單晶棒晶向的方法，其特征是:測量單晶端面符合標準要求的晶向方向作為的單晶Y軸方向晶向； 再測量單晶X軸方向晶向。4.根據(jù)權利要求3所述的調整單晶棒晶向的方法，其特征是:X軸方向晶向大于標準晶向，則將墊條和單晶棒沿著逆時針方向旋轉，旋轉的角度為X軸方向的晶向與標準晶向的差值，并粘結在需要粘結的鐵塊上。5.根據(jù)權利要求3所述的調整單晶棒晶向的方法，其特征是:X軸方向晶向小于標準晶向，則將墊條和單晶棒沿著順時針方向旋轉，旋轉的角度為X軸方向的晶向與標準晶向的差值，并粘結在需要粘結的鐵塊上。6.一種調整單晶棒晶向后單晶棒晶向的測量方法；其特征是:包括如下的步驟: 1)通過晶體的種類確定標準晶向； 2)確定單晶Y軸方向和單晶X軸方向的晶向； 3)將單晶X軸方向與墊條X軸方向平行，并進行單晶棒與墊條粘結； 4)根據(jù)單晶X軸方向與標準晶向的偏差值進行調整； 5)將粘結在鐵塊上的墊條和單晶棒再次進行X方向晶向的測量，最后得出切割后硅片的晶向。7.根據(jù)權利要求6所述的調整單晶棒晶向的測量方法，其特征是:所述晶向測量均通過定向儀實現(xiàn)。8.根據(jù)權利要求7所述的調整單晶棒晶向的測量方法，其特征是:測量單晶端面符合標準要求的晶向方向作為的單晶Y軸方向晶向； 再測量單晶X軸方向晶向。9.根據(jù)權利要求8所述的調整單晶棒晶向的測量方法，其特征是:X軸方向晶向大于標準晶向，則將墊條和單晶棒沿著逆時針方向旋轉，旋轉的角度為X軸方向的晶向與標準晶向的差值，并粘結在需要粘結的鐵塊上。10.根據(jù)權利要求8所述的調整單晶棒晶向的測量方法，其特征是:X軸方向晶向小于標準晶向，則將墊條和單晶棒沿著順時針方向旋轉，旋轉的角度為X軸方向的晶向與標準晶向的差值，并粘結在需要粘結的鐵塊上。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種調整單晶棒晶向的方法；包括如下的步驟：1)通過晶體的種類確定標準晶向；2)確定單晶Y軸方向和單晶X軸方向的晶向；3)將單晶X軸方向與墊條X軸方向平行，并進行單晶棒與墊條粘結；4)根據(jù)單晶X軸方向與標準晶向的偏差值進行調整。
【IPC分類】B28D5/04, B28D7/00
【公開號】CN104985709
【申請?zhí)枴緾N201510330222
【發(fā)明人】陳建峰, 饒偉星, 高海軍, 吳雄杰
【申請人】杭州海納半導體有限公司
【公開日】2015年10月21日
【申請日】2015年6月16日