用于透明導(dǎo)電氧化層的蝕刻介質(zhì)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及用于透明導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)化的新型蝕刻介質(zhì)，該透明導(dǎo)電層例如用在使用平板屏幕的液晶顯示器(LCD)或有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)的制造中或用在薄膜太陽能電池中。具體而言，它涉及無粒子的組合物，借助該組合物可以在透明導(dǎo)電氧化層中選擇性蝕刻精細(xì)結(jié)構(gòu)而不會(huì)損壞或侵蝕相鄰區(qū)域。該新型液體蝕刻介質(zhì)可以有利地通過印刷法施加到要被結(jié)構(gòu)化的透明導(dǎo)電氧化層上。隨后的熱處理加速或引發(fā)該蝕刻過程。
【專利說明】用于透明導(dǎo)電氧化層的蝕刻介質(zhì)
[0001] 本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2006年7月3日、申請(qǐng)?zhí)枮?00680026998. 6、發(fā)明名稱為"用 于透明導(dǎo)電氧化層的蝕刻介質(zhì)"的中國專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
[0002] 本發(fā)明涉及用于透明導(dǎo)電層的結(jié)構(gòu)化的新型蝕刻介質(zhì)，該透明導(dǎo)電層例如用在使 用平板屏幕的液晶顯示器（LCD)或有機(jī)發(fā)光顯示器（OLED)的制造中或用在薄膜太陽能電 池中。具體而言，本發(fā)明涉及無粒子的組合物，借助該組合物可以在透明導(dǎo)電氧化（oxidic) 層中選擇性蝕刻精細(xì)結(jié)構(gòu)而不會(huì)損壞或侵蝕相鄰區(qū)域。該新型液體蝕刻介質(zhì)可以有利地通 過印刷法施加到要被結(jié)構(gòu)化的透明導(dǎo)電氧化層上。隨后的熱處理加速或引發(fā)該蝕刻過程。 現(xiàn)有技術(shù)
[0003] 對(duì)于液晶顯示器的制造，必須在載體材料，例如在薄玻璃上將透明導(dǎo)電氧化層結(jié) 構(gòu)化。LC顯示器基本由兩個(gè)帶有透明導(dǎo)電氧化層，通常是氧化銦錫（ITO)的玻璃板構(gòu)成，通 過施加電壓所述層改變它們的透光性。在它們之間設(shè)置液晶層。使用隔片（spacers)防止 前后的ITO接觸。對(duì)于字符、符號(hào)或其它圖案的顯示，必須將玻璃板上的ITO層結(jié)構(gòu)化。這 能夠?qū)︼@示器內(nèi)的區(qū)域選擇性尋址。
[0004] 透明導(dǎo)電氧化層因此在平板屏幕和薄膜太陽能電池的制造方法中發(fā)揮突出作用。 在基于液晶顯示器或有機(jī)發(fā)光二極管的平板屏幕中，至少面向觀看者的電極必須具有可能 的最高透明度以使光學(xué)效果能為觀看者所見。光學(xué)效果在液晶顯示器的情況下可以是透射 或反射的改變，在OLED的情況下是指光的發(fā)射。
[0005] 在基于無定形硅（a-Si)、硒化銅-銦（CIS)或碲化鎘的薄膜太陽能電池中，太陽能 電池面向太陽的一面同樣由透明導(dǎo)電氧化材料構(gòu)成。這是必須的，因?yàn)榘雽?dǎo)體層的電導(dǎo)率 不足以經(jīng)濟(jì)地傳輸電荷載流子。
[0006] 本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的透明導(dǎo)電氧化層是：
[0007] □氧化銦錫 In2O3 = Sn(ITO)
[0008] □氟摻雜的氧化錫SnO2: F (FTO)
[0009] □銻摻雜的氧化錫SnO2: Sb (ATO)
[0010] □鋁摻雜的氧化鋅ZnO: Al (AZO)
[0011] 此外，文獻(xiàn)描述了例如下列體系
[0012] □錫酸鎘 CdSnO3 (CTO)
[0013] □銦摻雜的氧化鋅ZnO: In (IZO)
[0014] □未摻雜的氧化錫（IV) (TO)
[0015] □未摻雜的氧化銦（III) (IO)
[0016] □未摻雜的氧化鋅（ZO)
[0017] 在顯示器和薄膜太陽能電池技術(shù)中，基本是氧化銦錫（ITO)本身構(gòu)成透明導(dǎo)電材 料。這尤其是由于在層厚為200納米且透射值>80%的情況下用其可以實(shí)現(xiàn)〈6Ω的非常低 的層電阻。但是，這也是由于借助陰極濺射的成熟和相對(duì)簡單的涂布工藝。
[0018] K. L. Chopra, S. Major 和 D. K. Pandya 在 "Transparent Conductors - A Status Review"，Thin Solid Films，102(1983)l-46，Electronics and Optics 中較好地綜述了透 明導(dǎo)電氧化層及其沉積技術(shù)。
[0019] 透明導(dǎo)電氧化層通常沉積在載體材料的整個(gè)區(qū)域上。多數(shù)情況下所用的載體材 料是平板玻璃（鈉鈣玻璃、硼硅酸鹽玻璃或通過機(jī)器拉制或通過浮法玻璃法制成的類似玻 璃）。
[0020] 其它合適的載體材料是聚碳酸酯（PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯（PET)和類似的透明 聚合物。
[0021] 在此基本使用下列沉積方法：
[0022] □氧化物的直接氣相沉積
[0023] □金屬在氧存在下的反應(yīng)性氣相沉積
[0024] □氧化物的直接陰極濺射（DC、磁控、RF或離子束濺射）
[0025] □金屬在氧存在下的反應(yīng)性濺射
[0026] □前體，例如SnCl4的化學(xué)氣相沉積（CVD)
[0027] □噴霧熱解
[0028] □用合適的溶膠浸涂
[0029] 在透明導(dǎo)電層的兩種最重要的應(yīng)用（平板屏幕和薄膜太陽能電池）中，將透明導(dǎo) 電層結(jié)構(gòu)化。在平板屏幕的情況下，可以對(duì)獨(dú)立的像素或區(qū)段尋址。在薄膜太陽能電池的 情況下，實(shí)現(xiàn)襯底內(nèi)多個(gè)單獨(dú)的太陽能電池的連續(xù)切換。這產(chǎn)生較高的初始電壓，而這又由 于更好地克服歐姆電阻而有利。
[0030] 通常使用許多不同的結(jié)構(gòu)化方法用于其制造。
[0031] 尤其可以提到下列方法：
[0032] 掩樽氣相沉積或掩樽M射:
[0033] 對(duì)于相對(duì)簡單結(jié)構(gòu)的制造，通過外加的掩模涂布透明導(dǎo)電層就足夠了。借助外加 的掩模濺射是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方法。US 4, 587, 041 Al描述了這種方法。
[0034] 掩模氣相沉積或掩模濺射是相當(dāng)簡單的方法。但是，該方法不適合大規(guī)模生產(chǎn)，尤 其不適合相對(duì)大襯底的生產(chǎn)。由于襯底和掩模的不同膨脹系數(shù)，掩模在該方法中翹曲。此 夕卜，掩模僅可用于幾個(gè)涂布步驟，因?yàn)樗鼈兩鲜冀K沉積著材料。此外，使用外加的掩模不能 制造相對(duì)復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，例如空穴結(jié)構(gòu)。此外，關(guān)于極細(xì)線和結(jié)構(gòu)的形成的分辨率在該方法中 受到極大限制。掩模濺射因此本身只能用于運(yùn)行時(shí)間短的小批量生產(chǎn)。
[0035] 激光消融
[0036] 借助如NchYAG激光發(fā)出的近紅外區(qū)域（NIR)的激光，可以將透明導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)化。 例如，該方法描述在 Laserod. Com, Inc.網(wǎng)頁(http://www. laserod. com/laser direct write, htm)中。該方法中的缺點(diǎn)是相對(duì)高的設(shè)備復(fù)雜性、在相對(duì)復(fù)雜結(jié)構(gòu)的情況下低的生 產(chǎn)量和蒸發(fā)的材料再沉積到相鄰區(qū)域上。激光消融基本只用在薄膜太陽能電池領(lǐng)域中，例 如用于鎘-碲太陽能電池。
[0037] 透明導(dǎo)電層上的激光消融的實(shí)例已有描述（C. Molpeceres等2005 J. Micromech. Microeng. 151271-1278) 〇
[0038] 光刻法
[0039] 蝕刻劑，即化學(xué)侵蝕性化合物的使用造成暴露在蝕刻劑侵蝕下的材料溶解。在多 數(shù)情況下，目的是完全除去要蝕刻的層。通過遇到基本耐受該蝕刻劑的層來結(jié)束蝕刻。
[0040] 通常在下列步驟中制造蝕刻結(jié)構(gòu)的陰模或陽模（取決于光致抗蝕劑）：
[0041] □涂布襯底表面（例如通過用液體光致抗蝕劑旋涂），
[0042] □干燥光致抗蝕劑，
[0043] □將涂布的襯底表面曝光，
[0044] □顯影，
[0045] □漂洗，
[0046] □如果必要，干燥
[0047] □蝕刻結(jié)構(gòu)，例如通過
[0048] 〇浸漬法（例如在濕化學(xué)試驗(yàn)臺(tái)中的濕蝕刻）
[0049] 將襯底浸入蝕刻浴，蝕刻操作
[0050] 〇旋涂或噴涂法：將蝕刻溶液施加到旋轉(zhuǎn)襯底上，蝕刻操作可以在不輸入/輸入 能量（例如IR或UV福射）的情況下進(jìn)行
[0051] 〇干蝕刻法，例如在復(fù)雜的真空裝置中的等離子體蝕刻，或在流動(dòng)反應(yīng)器中用反 應(yīng)性氣體蝕刻，
[0052] □光致抗蝕劑的除去，例如借助溶劑
[0053] □漂洗
[0054] □干燥。
[0055] 由于蝕刻區(qū)域的高結(jié)構(gòu)精確度-蝕刻的結(jié)構(gòu)可以精確地被蝕刻到數(shù)微米-以及 相當(dāng)高的生產(chǎn)量，所以即使在要蝕刻高度復(fù)雜的結(jié)構(gòu)的情況下，光刻法也是選擇用來結(jié)構(gòu) 化平板屏幕領(lǐng)域中透明導(dǎo)電氧化層的方法。但是，特別不利的是必須使用非常昂貴的設(shè)備 進(jìn)行大量工藝步驟。此外，消耗相當(dāng)量的輔助化學(xué)品（光致抗蝕劑、顯影劑、蝕刻介質(zhì)、抗蝕 劑清除劑）和漂洗水。
[0056] 文獻(xiàn)中所述的液體蝕刻介質(zhì)，尤其是用于平板屏幕領(lǐng)域中廣泛使用的充分氧化的 氧化銦錫（ITO)的液體蝕刻介質(zhì)是：
[0057] □氯化鐵（III)+鹽酸
[0058] □熱的，大約30重量％鹽酸
[0059] □熱的，48重量％氫溴酸
[0060] □王水（在一些情況下是稀王水）
[0061] 在氣相，任選在等離子體中蝕刻ITO也是已知的，但是目前僅起到次要作用。在此 例如使用溴化氫氣體或碘化氫氣體。Mitsui Chemical在網(wǎng)頁http://www. mitsui-chem. co. jp/ir/010910. pdfp. 23中描述了相應(yīng)的方法。
[0062] 所有所述流體蝕刻介質(zhì)的共同特征在于它們是極其腐蝕性的體系。蝕刻介質(zhì)可以 被歸類為對(duì)周圍設(shè)備、操作人員和環(huán)境相當(dāng)構(gòu)成問題。
[0063] 因此，透明導(dǎo)電氧化材料的結(jié)構(gòu)化，特別是平板屏幕的制造通常利用作為已知方 法的復(fù)雜和材料密集型光刻法進(jìn)行，因?yàn)楝F(xiàn)有替代方案（激光消融和掩模濺射）不足以勝 任。
[0064] 目的
[0065] 因此，本發(fā)明的目的是提供用于在LC顯示器制造中所用的摻雜氧化錫層上蝕刻 寬度小于500微米，特別是小于100微米的極均勻細(xì)線和極精細(xì)結(jié)構(gòu)的新型廉價(jià)蝕刻糊。摻 雜氧化錫層是如在例如使用平板屏幕的液晶顯示器（LCD)或有機(jī)發(fā)光顯示器（OLED)的制 造中或在薄膜太陽能電池中所用的透明導(dǎo)電層。本發(fā)明的另一目的是提供可以在蝕刻后在 熱作用下以簡單方式從處理過的表面上除去而不留殘留物的新型蝕刻介質(zhì)。
[0066] 發(fā)明描述
[0067] 本發(fā)明提供了用于蝕刻透明導(dǎo)電氧化層的蝕刻介質(zhì)，包含至少一種蝕刻劑，該蝕 刻劑選自
[0068] 磷酸或其鹽或
[0069] 磷酸加合物或
[0070] 磷酸與磷酸鹽和/或磷酸加合物的混合物。
[0071] 實(shí)驗(yàn)已經(jīng)表明，本發(fā)明的蝕刻介質(zhì)特別適用于摻雜的氧化錫層的蝕刻。
[0072] 本發(fā)明的蝕刻介質(zhì)包含至少一種選自正磷酸、偏磷酸、焦磷酸、低聚磷酸和聚磷酸 和/或偏五氧化二磷或其混合物的酸作為活性蝕刻組分。但是，也可以存在一種或多種通 過輸入熱能而釋放出蝕刻性磷酸的不同磷酸銨鹽和/或磷酸單酯或磷酸二酯或磷酸三酯。
[0073] 本發(fā)明還涉及相應(yīng)的糊狀蝕刻介質(zhì)，其除了至少一種蝕刻劑外還包含溶劑、微粒 和/或可溶無機(jī)和/或有機(jī)增稠劑和任選添加劑，例如防沫劑、觸變劑、流動(dòng)控制劑、除氣劑 和增粘劑。
[0074] 本發(fā)明同樣涉及透明導(dǎo)電氧化層，特別是相應(yīng)的摻雜氧化錫層的蝕刻方法。根據(jù) 所用的本發(fā)明蝕刻介質(zhì)的稠度和根據(jù)用途，通過噴涂、旋涂、浸漬或通過絲網(wǎng)印刷、模板印 刷、壓?。╯tamp printing)、移?。╬ad printing)或噴墨印刷施加蝕刻介質(zhì)。
[0075] 為了實(shí)施該方法，相應(yīng)的蝕刻介質(zhì)優(yōu)選通過印刷法施加到要蝕刻的襯底上。所施 加的蝕刻介質(zhì)通?？梢酝ㄟ^升溫來活化。根據(jù)所用蝕刻介質(zhì)的組成和蝕刻劑，必須為此目 的而加熱至不同溫度。加熱可以相應(yīng)地以不同方式進(jìn)行，例如在加熱板上、在對(duì)流爐中，通 過IR輻射、可見光、UV輻射或借助微波進(jìn)行。
[0076] 本發(fā)明的方法可用于太陽能電池制造中所用的透明導(dǎo)電氧化層的結(jié)構(gòu)化。但是， 也可以以用于制造平板屏幕的相應(yīng)方式結(jié)構(gòu)化透明導(dǎo)電氧化層。
[0077] 發(fā)明詳述
[0078] WO 03/040345描述了用于蝕刻氮化硅的組合蝕刻和摻雜介質(zhì)。所存在的蝕刻劑基 于磷酸或其鹽和/或相應(yīng)的前體。如實(shí)驗(yàn)已經(jīng)表明，在該專利申請(qǐng)所述的條件下只能以足 夠的蝕刻速率處理氮化硅層。
[0079] 令人驚訝地，如今實(shí)驗(yàn)已經(jīng)表明，使用其中蝕刻劑基于磷酸或其鹽和/或相應(yīng)前 體的相應(yīng)蝕刻介質(zhì)在合適的條件和適中的溫度下也可以以高蝕刻速率蝕刻透明導(dǎo)電氧化 層，特別是氧化銦錫。
[0080] 本發(fā)明的蝕刻介質(zhì)中所用的蝕刻劑是磷酸或其鹽或在合適應(yīng)用條件下由其釋放 出磷酸的合適前體。
[0081] 對(duì)于本發(fā)明，術(shù)語"磷酸"具體用于表示下列磷酸：
[0082] 正磷酸（H3PO4)，
[0083] 焦磷酸（H4PO7)，
[0084] 偏磷酸[(HPO3)J,
[0085] 低聚和聚磷酸，
[0086] 膦酸（亞磷酸），
[0087] 次膦酸（次磷酸），
[0088] 苯基次膦酸和其它有機(jī)次膦酸，
[0089] 苯基膦酸和其它有機(jī)膦酸，
[0090] 可用的磷酸鹽是在磷酸定義下所述的酸的單鹽、二鹽和三鹽。特別地，這些用于表 示相應(yīng)的銨鹽。在蝕刻介質(zhì)的配制中，如果必要通過加熱，從這些鹽中釋放出相應(yīng)的磷酸。
[0091] 術(shù)語"磷酸前體"用于表示通過化學(xué)反應(yīng)和/或熱分解形成磷酸和/或其鹽的化 合物。為了用在本發(fā)明的蝕刻介質(zhì)中，所述磷酸的相應(yīng)單酯、二酯或三酯，例如磷酸單甲酯、 磷酸二正丁酯（DBP)和磷酸三正丁酯（TBP)特別合適。
[0092] 磷酸本身是能夠與路易斯堿形成加合物的路易斯酸。這些磷酸加合物在升高的溫 度下可以分解回原料。揮發(fā)性或分解性更高的路易斯堿適用在該方法中的釋放磷酸。
[0093] 合適的路易斯喊的實(shí)例是1_甲基_2_ R比略燒酬（NMP)，其也用在例如制得的本發(fā) 明組合物中。
[0094] 對(duì)于ITO的蝕刻，磷酸基蝕刻介質(zhì)具有優(yōu)于上述已知蝕刻介質(zhì)的顯著優(yōu)點(diǎn)：
[0095] □稠化糊狀蝕刻介質(zhì)可以通過印刷法選擇性施加到要蝕刻的襯底上?？梢允÷詮?fù) 雜的光刻技術(shù)。
[0096] □由于在蝕刻過程中呈現(xiàn)玻璃狀（"磷鹽珠"）的蝕刻介質(zhì)非常低的揮發(fā)性，所以 印上的蝕刻介質(zhì)即使量極少，其蝕刻速率也在長時(shí)間內(nèi)始終較高。水性蝕刻介質(zhì)或基于其 它溶劑的蝕刻介質(zhì)由于溶劑或蝕刻介質(zhì)的蒸發(fā)而在數(shù)分鐘內(nèi)幾乎完全失去其蝕刻能力。
[0097] □可以通過熱輸入來引發(fā)蝕刻。在室溫下，蝕刻速率非常低（〈1納米/分鐘）。
[0098] □在180°C下，在完全氧化的氧化銦錫中的蝕刻速率為大約100納米/分鐘。作為 比較，在18重量％鹽酸中氧化銦錫的蝕刻速率僅為8A7s ( = 48納米/分鐘），如betelco 網(wǎng)頁
[0099] (http: //ww. betelco. com/sb/phd/pdf/chapter5. pdf p. 128)上所述。
[0100] □蝕刻介質(zhì)具有非常低的蒸氣壓。它因此不會(huì)腐蝕四周環(huán)境。因此，例如可以沒 有問題地使用與蝕刻介質(zhì)直接接觸的金屬部件，例如印刷頭、印刷網(wǎng)等等。
[0101] 在高分辨率絲網(wǎng)印刷織物的印刷試驗(yàn)中，實(shí)現(xiàn)了 50微米的蝕刻線寬。明顯更小的 線寬幾乎不可能通過絲網(wǎng)印刷制造，這實(shí)際是由于可用的絲網(wǎng)印刷織物。但是對(duì)于許多應(yīng) 用，例如標(biāo)準(zhǔn)TN-IXD (7-段式顯示器和類似物），這種分辨率完全足夠。對(duì)于更高質(zhì)量的顯 示器，例如STN矩陣顯示器或TFT矩陣顯示器，必須具有更高的分辨率。為了能夠獲得更高 分辨率或更細(xì)印刷結(jié)構(gòu)，必須使用其它印刷法。典型印刷法，例如膠印、移印和類似方法不 能用在所用襯底，例如薄玻璃板上，或不能借助它們實(shí)現(xiàn)所需分辨率。
[0102] 適用的印刷法是噴墨印刷。例如，Litrex(Peasanton, CA, USA)制造了高分辨率工 業(yè)噴墨印刷機(jī)。Litrex 120噴墨印刷機(jī)能夠以±10微米的定位精確度施加單個(gè)體積為10 皮升的蝕刻介質(zhì)滴而不與ITO涂布的玻璃襯底接觸。該設(shè)備因此能夠使用本發(fā)明的蝕刻介 質(zhì)在ITO中蝕刻低至30微米的線寬。
[0103] 即使沒有進(jìn)一步論述，估計(jì)本領(lǐng)域技術(shù)人員也能夠最寬范圍地利用上述說明。優(yōu) 選實(shí)施方案和實(shí)施例因此僅被視為描述性的公開，其無論如何絕不是限制性的。
[0104] 上文和下文提到的所有申請(qǐng)、專利和出版物和2005年7月25日提交的相應(yīng)申請(qǐng) DE 10 2005 035 255. 3的整個(gè)公開內(nèi)容經(jīng)此引用并入本申請(qǐng)中。
[0105] 為了更好理解和說明本發(fā)明，下面給出在本發(fā)明保護(hù)范圍內(nèi)的實(shí)施例。這些實(shí)施 例也用于例示可能的變化方案。但是，由于所述本發(fā)明原理的普遍有效性，這些實(shí)施例不是 將本申請(qǐng)的保護(hù)范圍縮小至這些實(shí)施例本身。實(shí)施例：
[0106] 實(shí)施例1
[0107] 用于氧化銦錫的蝕刻糊的制備
[0108] 將446克磷酸（85% )在攪拌下添加到由176克去離子水和271克1-甲基-2-吡 咯烷酮構(gòu)成的溶劑混合物中。隨后在劇烈攪拌下加入15克羥乙基纖維素。然后在該清澈 均勻的混合物中添加293克Vestosint聚酰胺粉末，將其再攪拌2小時(shí)。
[0109] 可以使用260目不銹鋼織網(wǎng)印刷這種已備使用的糊料。原則上，也可以使用聚酯 或類似的絲網(wǎng)材料。
[0110] 實(shí)施例2
[0111] 將460克磷酸（85% )在攪拌下添加到由181克去離子水、181克乙二醇和98克 1-甲基-2-吡咯烷酮構(gòu)成的溶劑混合物中。隨后在劇烈攪拌下加入17克羥乙基纖維素。 然后在該清澈均勻的混合物中添加293克Coathylene聚乙烯粉末，將其再攪拌2小時(shí)。
[0112] 可以使用260目不銹鋼織網(wǎng)印刷這種已備使用的糊料。原則上，也可以使用聚酯 或類似的絲網(wǎng)材料。
[0113] 實(shí)施例3
[0114] 將446克磷酸（85% )在攪拌下添加到由176克去離子水和271克1-甲基-2-吡 咯烷酮構(gòu)成的溶劑混合物中。隨后在劇烈攪拌下加入32克聚乙二醇1500和15克羥乙基 纖維素。然后在該清澈的均勻混合物中添加271克硫酸鎂粉末，將其再攪拌2小時(shí)。
[0115] 可以使用260目不銹鋼織網(wǎng)印刷這種已備使用的糊料。原則上，也可以使用聚酯 或類似的絲網(wǎng)材料。
[0116] 在ITO涂布的襯底上的高分辨率絲網(wǎng)印刷
[0117] 對(duì)于印刷和蝕刻試驗(yàn)，使用下列參數(shù)：
【權(quán)利要求】
1. 在太陽能電池，平板屏幕，液晶顯示器或有機(jī)發(fā)光顯示器中選擇性蝕刻透明導(dǎo)電氧 化層的方法，其中蝕刻線寬小于100微米，該方法包括將包含如下組分的蝕刻糊通過噴涂、 旋涂、浸漬、絲網(wǎng)印刷、模板印刷、壓印、移印或噴墨印刷施加到所述透明導(dǎo)電氧化層： a) 水， b) 微粒和/或可溶無機(jī)和/或有機(jī)增稠劑，和 c) 磷酸或其鹽，磷酸加合物或，磷酸與磷酸鹽和/或磷酸加合物的混合物， 然后，加熱所述透明導(dǎo)電氧化層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述蝕刻糊進(jìn)一步包含溶劑和任選添加劑，例如防沫 劑、觸變劑、流動(dòng)控制劑、除氣劑和增粘劑。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中蝕刻介質(zhì)包含正磷酸、偏磷酸、焦磷酸、低聚磷酸和/或 聚磷酸和/或偏五氧化二磷或其混合物作為活性組分。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述蝕刻介質(zhì)包含一種或多種通過輸入熱能而釋放出 蝕刻性磷酸的不同磷酸銨鹽和/或磷酸單酯或磷酸二酯或磷酸三酯。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述蝕刻線寬小于50微米。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中所述蝕刻線寬小于35微米。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，用于蝕刻透明導(dǎo)電氧化層，其中將所述蝕刻糊通過印刷方 法施加到待蝕刻的基質(zhì)上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中將所述蝕刻糊通過絲網(wǎng)印刷、模板印刷、壓印、移印或 噴墨印刷施加。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中加熱通過在加熱板上、在對(duì)流爐中，通過IR輻射、可見 光、UV輻射或借助微波進(jìn)行。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7的方法，用于制造太陽能電池用的透明導(dǎo)電氧化層的結(jié)構(gòu)化。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7的方法，用于制造平板屏幕用的透明導(dǎo)電氧化層的結(jié)構(gòu)化。
12. 在太陽能電池，平板屏幕，液晶顯示器或有機(jī)發(fā)光顯示器中選擇性蝕刻透明導(dǎo)電氧 化層的方法，其中蝕刻線寬小于50微米，該方法包括將包含如下組分的蝕刻糊通過噴涂、 旋涂、浸漬、絲網(wǎng)印刷、模板印刷、壓印、移印或噴墨印刷施加到所述透明導(dǎo)電氧化層： 磷酸或其鹽， 磷酸加合物或 磷酸與磷酸鹽和/或磷酸加合物的混合物， 然后，將所述透明導(dǎo)電氧化層加熱到約180°C。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述蝕刻線寬小于35微米。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述蝕刻糊進(jìn)一步包含水，甲基-吡咯烷酮和羥乙基 纖維素。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述蝕刻糊通過噴墨印刷施加。
【文檔編號(hào)】C03C15/00GK104496192SQ201410640078
【公開日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2006年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2005年7月25日
【發(fā)明者】A·庫貝爾貝克, W·斯托庫姆 申請(qǐng)人:默克專利有限公司