專利名稱：微晶石拼接地磚的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于建筑用地磚技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種微晶石拼接地磚。
背景技術(shù)：
在建筑中傳統(tǒng)使用的地面裝潢材料為實(shí)木地板及大理石地磚等，隨著人們對(duì)環(huán)保的意識(shí)不斷增強(qiáng)，復(fù)合地磚因其環(huán)保質(zhì)輕、冬暖夏涼且式樣多樣等而備受消費(fèi)者喜愛(ài)，但復(fù)合地磚在鋪裝時(shí)，需要使用膠粘劑來(lái)固定地磚，膠粘劑所揮發(fā)的小分子有機(jī)物不僅造成建筑中異味彌漫，更對(duì)人體健康有害，且住戶若想更換室內(nèi)裝潢重新鋪裝地磚，移除使用膠粘劑固定的舊地磚非常困難。微晶石材料是近幾年發(fā)展起來(lái)的一種新型建筑材料，使用微晶石材料制成的建筑用材具有阻燃、防火、防潮、防腐、防蛀、隔音、無(wú)毒、無(wú)味、硬度高、密度低等優(yōu)良特性，且表面自然亮麗，可涂上各式紋案，不變形、不脫色，像木材一樣能鋸、刨、釘，具有良好的握釘力和黏貼性能。目前該材料已被用于地板、天花板、壓條、角線、管道等領(lǐng)域。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種微晶石拼接地磚，可以代替瓷磚、大理石等，使建筑用材重量減輕，且安裝方便，無(wú)放射性元素和甲醛，可以回收利用。為達(dá)到所述目的，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種微晶石拼接地磚，包括表層(I)、中間層
(2)和基層(3)，其特征在于所述微晶石拼接地磚包括四個(gè)側(cè)面，在一個(gè)側(cè)面的中間層上設(shè)有凸條(4)，在相對(duì)的另一側(cè)面的中間層上設(shè)有凹槽(5)，一微晶石拼接地磚的凸條(4)與另一微晶石拼接地磚的凹槽(5)相匹配；所述微晶石拼接地磚的材料為以微晶石粉配以PVC樹(shù)脂為主要原料經(jīng)高溫?cái)D壓而成。其中，所述微晶石拼接地磚的四個(gè)側(cè)面的中間層(2)上，都分別設(shè)有相對(duì)應(yīng)的凸條
(4)和凹槽(5 )，一微晶石拼接地磚的凸條(4)與另一微晶石拼接地磚的凹槽(5 )相匹配。其中，所述基層(3 )底部設(shè)有縱向開(kāi)槽(6 )，便于通風(fēng)和放置。其中，所述表層(I)涂有紫外光固化漆或PUR貼面，以提高地板以提高地板的表面硬度和耐磨度，可以達(dá)到理想裝修效果。其中，所述表層(I)的高度大于所述基層(3)的高度。通過(guò)上述結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型的實(shí)現(xiàn)以下技術(shù)效果:(I)材質(zhì)輕便環(huán)保，安裝方便，施工快速，不會(huì)造成室內(nèi)裝修空氣污染；(2)安裝時(shí)無(wú)需用水泥砂漿、膠、釘、夾板，省工省料，工藝簡(jiǎn)單，不會(huì)產(chǎn)生沙塵等垃圾；(3)適合各種氣候環(huán)境，耐磨損、防水、防潮、防火、防輻射、防滑、抗暴力性能優(yōu)秀。本實(shí)用新型的詳細(xì)內(nèi)容可通過(guò)后述的說(shuō)明及所附圖而得到。

[0015]圖1為本實(shí)用新型的截面示意圖。圖2為本實(shí)用新型的凸條和凹槽之配合結(jié)構(gòu)示意圖
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步描述，以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而不能以此來(lái)限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
在于:該微晶石拼接地磚包括表層
1、中間層2和基層3，所述微晶石拼接地磚包括四個(gè)側(cè)面，在一個(gè)側(cè)面的中間層上設(shè)有凸條4，在相對(duì)的另一側(cè)面的中間層上設(shè)有凹槽5，一微晶石拼接地磚的凸條4與另一微晶石拼接地磚的凹槽5相匹配；所述基層3底部設(shè)有縱向開(kāi)槽6 ;所述微晶石拼接地磚的材料為以質(zhì)量百分比為80%微晶石粉配以質(zhì)量百分比為20%的PVC樹(shù)脂經(jīng)高溫?cái)D壓而成。顯而易見(jiàn)的是，以上的描述和記載僅僅是舉例而不是為了限制本實(shí)用新型的公開(kāi)內(nèi)容、應(yīng)用或使用。雖然已經(jīng)在實(shí)施例中描述過(guò)并且在附圖中描述了實(shí)施例，但本實(shí)用新型不限制由附圖示例和在實(shí)施例中描述的作為目前認(rèn)為的最佳模式以實(shí)施本實(shí)用新型的教導(dǎo)的特定例子，本實(shí)用新型的范圍將包括落入前面的說(shuō)明書(shū)和所附的權(quán)利要求的任何實(shí)施例。
權(quán)利要求1.一種微晶石拼接地磚，包括表層(I)、中間層(2)和基層(3)，其特征在于所述微晶石拼接地磚包括四個(gè)側(cè)面，在一個(gè)側(cè)面的中間層(2 )上設(shè)有凸條(4 )，在相對(duì)的另一側(cè)面的中間層上設(shè)有凹槽(5 )，一微晶石拼接地磚的凸條(4)與另一微晶石拼接地磚的凹槽(5 )相匹配。
2.按照權(quán)利要求1所述的微晶石拼接地磚，其特征在于:所述微晶石拼接地磚的四個(gè)側(cè)面的中間層(2)上，都分別設(shè)有相對(duì)應(yīng)的凸條(4)和凹槽(5)，一微晶石拼接地磚的凸條(4)與另一微晶石拼接地磚的凹槽(5)相匹配。
3.按照權(quán)利要求1所述的微晶石拼接地磚，其特征在于:所述基層(3)底部設(shè)有縱向開(kāi)槽(6)。
4.按照權(quán)利要求1所述的微晶石拼接地磚，其特征在于:所述表層(I)涂有紫外光固化漆或PUR貼面。
5.按照權(quán)利要求1所述的微晶石拼接地磚，其特征在于:所述表層(I)的高度大于所述基層(3)的高度。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種微晶石拼接地磚，包括表層、中間層和基層，所述微晶石拼接地磚包括四個(gè)側(cè)面，在一個(gè)側(cè)面的中間層上設(shè)有凸條，在相對(duì)的另一側(cè)面的中間層上設(shè)有凹槽，一微晶石拼接地磚的凸條與另一微晶石拼接地磚的凹槽相匹配；所述微晶石拼接地磚的材料為以微晶石粉配以PVC樹(shù)脂為主要原料經(jīng)高溫?cái)D壓而成。該微晶石拼接地磚材質(zhì)輕便環(huán)保，安裝方便，施工快速，不會(huì)造成室內(nèi)裝修空氣污染。
文檔編號(hào)E04F15/10GK203022298SQ201320021669
公開(kāi)日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2013年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月16日
發(fā)明者尹紀(jì)忠 申請(qǐng)人:湖北江豪微晶石材料制品有限責(zé)任公司