專利名稱：具有碳化硅保護(hù)層的加熱器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及加熱器技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種具有碳化硅保護(hù)層的加熱器。
背景技術(shù)：
隨著科技的發(fā)展，對材料質(zhì)量，特別是純度的要求也進(jìn)一步提高。因此在一些對純凈度要求較高的高溫反應(yīng)或處理過程中都是在一定的密閉空間內(nèi)完成。但用于加熱的加熱器一般都在同一密閉空間內(nèi)，所以就要求加熱器在加熱過程中不能有任何物質(zhì)揮發(fā)出來，以免揮發(fā)出的物質(zhì)混入反應(yīng)物或被處理的物質(zhì)中形成雜質(zhì)，影響材料的純度及質(zhì)量。為此，人們選用性質(zhì)穩(wěn)定的材料來制造加熱器，使其在高溫條件下也不易揮發(fā)。但，現(xiàn)有的加熱器仍存在諸多問題。如制造成本高，或在高溫下難免有物質(zhì)揮發(fā)出來從而產(chǎn)生壞的影響。有鑒于上述現(xiàn)有的加熱器存在的諸多問題，本實用新型的設(shè)計人依靠多年的工作 經(jīng)驗和豐富的專業(yè)知識積極加以研究和創(chuàng)新，最終研發(fā)出一種具有碳化硅保護(hù)層的加熱器，不但有效控制物質(zhì)揮發(fā)，而且成本低。

實用新型內(nèi)容為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本實用新型提供了一種具有碳化硅保護(hù)層的加熱器，有效控制物質(zhì)揮發(fā)。為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用了如下技術(shù)方案具有碳化硅保護(hù)層的加熱器，包括加熱器本體，所述加熱器本體的表面覆有碳化硅保護(hù)層。進(jìn)一步，所述加熱器本體呈迂回的折線形。進(jìn)一步,所述碳化娃保護(hù)層的厚度為0. 01_3mm。進(jìn)一步，所述碳化硅保護(hù)層通過化學(xué)氣相沉積法覆于加熱器本體的表面。進(jìn)一步，所述加熱器本體為石墨加熱器或陶瓷加熱器。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果在于本實用新型的具有碳化硅保護(hù)層的加熱器在表面覆有碳化硅保護(hù)層，由于碳化硅的性質(zhì)在高溫條件也極其穩(wěn)定，所以在蒸發(fā)過程中不會揮發(fā)而影響蒸發(fā)所得材料的純度。另外，碳化硅結(jié)構(gòu)致密，有效地阻止了加熱器本體所含的物質(zhì)的揮發(fā)，提高了高溫條件下高溫空間環(huán)境的純凈度，提高了高溫蒸發(fā)生成材料的純度。

圖I為本實用新型的具有碳化硅保護(hù)層的加熱器的實施例的結(jié)構(gòu)剖圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述，但不作為對本實用新型的限定。[0015]圖I為本實用新型的具有碳化硅保護(hù)層的加熱器的實施例的結(jié)構(gòu)剖圖。如圖I所示，具有碳化硅保護(hù)層的加熱器，包括加熱器本體1，加熱器本體I的表面覆有碳化硅保護(hù)層2。作為上述實施例的優(yōu)選，碳化硅保護(hù)層的厚度為0. 01_3mm。碳化硅保護(hù)層的厚度越薄，成本就越低。厚度達(dá) 到0.01mm即可有效阻止加熱器本體中的物質(zhì)揮發(fā)。碳化硅保護(hù)層通過化學(xué)氣相沉積法覆于加熱器本體的表面。加熱器本體為石墨或粘土制成。由于石墨的性質(zhì)比較穩(wěn)定，耐高溫，所以在一定程度上也限制了加熱器本體中物質(zhì)的揮發(fā)。粘土成本較低，加上碳化硅保護(hù)層后具有良好的防揮發(fā)性，同時保證了低成本。加熱器本體呈迂回的折線形增加了加熱體的總長度，能夠適應(yīng)不同的加熱空間?；瘜W(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition,簡稱CVD)是把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其他氣體引入反應(yīng)室，在襯底材料表面生成薄膜的過程。本實用新型利用化學(xué)氣相沉積法在加熱器表面覆上碳化硅保護(hù)層，易于實施。碳化硅具有熔點高、導(dǎo)熱、絕緣性能良好，抗彎強度高、抗熱沖擊性能好、耐化學(xué)腐蝕等特性，且碳化硅結(jié)構(gòu)致密，在高溫條件下性質(zhì)穩(wěn)定，是非常優(yōu)異的加熱器的表面涂層材料。有效阻止加熱器物質(zhì)揮發(fā)，提高了高溫條件下高溫空間環(huán)境的純凈度，提高了高溫蒸發(fā)生成材料的純度。以上實施例僅為本實用新型的示例性實施例，不用于限制本實用新型，本實用新型的保護(hù)范圍由權(quán)利要求書限定。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在本實用新型的實質(zhì)和保護(hù)范圍內(nèi)，對本實用新型做出各種修改或等同替換，這種修改或等同替換也應(yīng)視為落在本實用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.具有碳化硅保護(hù)層的加熱器，包括加熱器本體，其特征在于，所述加熱器本體的表面覆有碳化硅保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有碳化硅保護(hù)層的加熱器，其特征在于，所述加熱器本體呈迂回的折線形。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有碳化硅保護(hù)層的加熱器，其特征在于，所述碳化硅保護(hù)層的厚度為0. 01-3mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有碳化硅保護(hù)層的加熱器，其特征在于，所述碳化硅保護(hù)層通過化學(xué)氣相沉積法覆于加熱器本體的表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有碳化硅保護(hù)層的加熱器，其特征在于，所述加熱器本體為石墨加熱器或陶瓷加熱器。
專利摘要本實用新型公開了一種具有碳化硅保護(hù)層的加熱器，所述加熱器本體的表面覆有碳化硅保護(hù)層。所述加熱器本體呈迂回的折線形。所述碳化硅保護(hù)層的厚度為0.01-3mm。所述碳化硅保護(hù)層通過化學(xué)氣相沉積法覆于加熱器本體的表面。所述加熱器本體為石墨加熱器或陶瓷加熱器。本實用新型的具有碳化硅保護(hù)層的加熱器能有效控制物質(zhì)揮發(fā)。
文檔編號C04B41/85GK202786036SQ20122042901
公開日2013年3月13日 申請日期2012年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月27日
發(fā)明者何軍舫, 王軍勇 申請人:北京博宇半導(dǎo)體工藝器皿技術(shù)有限公司