專利名稱：一種增透薄膜及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于玻璃材料技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種增透薄膜及其制備方法。
背景技術(shù)：
增透膜作為現(xiàn)代光學(xué)薄膜的一個重要分支，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、農(nóng)業(yè)、建筑、交通和軍事等領(lǐng)域。日常生活中的鏡片、平板顯示器、太陽能電池及激光器等領(lǐng)域，增透膜都發(fā)揮著日益重要的作用。特別是應(yīng)用在玻璃表面的增透膜。在玻璃上制備增透薄膜時，根據(jù)現(xiàn)有的采用溶膠凝膠法制備二氧化硅增透薄膜的技術(shù)中，通常采用兩種基本方案，一是在基板上制備微孔薄膜，通過孔的大小來調(diào)節(jié)折射率；另一種是由球形的納米二氧化硅顆粒形成的薄膜，通過球形顆粒大小來調(diào)節(jié)折射率。前一種方法制備的二氧化硅薄膜的耐摩擦和耐鹽霧性能較佳，但薄膜的孔隙率較小，難以制備出低折射率的薄膜，單面鍍膜的平均增透一般只有2. 5%左右，且通常由于毛細凝結(jié)效應(yīng)使薄膜的透光率進一步降低，增透膜折射率的一致性和穩(wěn)定性差；后一種方法雖然容易制備出大孔隙率的薄膜，但薄膜的耐摩擦及耐鹽霧性能不佳且薄膜的厚度精度較差，從而影響到產(chǎn)品的使用壽命。針對上述缺陷，報道了一些改進的方法，如首先采用酸/堿兩步法或酸/堿混合法制備顆粒狀SiO2和線性狀SiO2相混合的SiO2溶膠，然后采用該溶膠制備出的SiO2增透薄膜，該方法制備的SiO2薄膜耐摩擦性能有所提高，但是其透光性能比較差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決現(xiàn)有的增透膜透光性能差的技術(shù)問題，提供一種透光性能好的增透膜及其制備方法。本發(fā)明提供了一種增透膜，該增透膜依次包括第一二氧化硅層、第二線性二氧化硅層和第三二氧化硅層；所述第一二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑為50-150nm，所述第三二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑為10-70nm ;所述第一二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑與第三二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑比為1-5 :1。本發(fā)明還提供了一種增透膜的制備方法，包括以下步驟
51、制備第一二氧化硅層，用堿催化法制備SiO2顆粒溶膠，并采用溶膠凝膠法在潔凈的玻璃表面上制備第一二氧化硅層；所述SiO2顆粒溶膠中Si02的濃度為10-30g/L，二氧化硅顆粒的平均粒徑為50-150nm ；
52、制備第二線性二氧化硅層
S21將第一二氧化硅層進行漂洗后置于濃度為l-10mg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化銨水溶液中，然后在PH為2-6的酸性SiO2溶膠中浸潰后取出；
S22重復(fù)步驟S21n次，構(gòu)成第二 TODA/線形SiO2雙層，其中n為1_30，酸性SiO2溶膠中SiO2的濃度為l-100mg/mL ；
53、制備第三二氧化硅層，將覆蓋了第二(PDDA/線形SiO2)n雙層的復(fù)合薄膜經(jīng)去離子水清洗后，置于濃度為l-10mg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化銨水溶液后于另一種SiO2顆粒溶膠中浸潰后取出，即形成第三SiO2顆粒層；Si02顆粒溶膠中Si02的濃度為1-1OOmg/mL，二氧化硅顆粒的平均粒徑為10-70nm;
S4、熱處理形成增透膜；
其中，步驟SI和S3中的兩種二氧化硅的平均粒徑比為步驟SI中的二氧化硅顆粒的平均粒徑與步驟S3中的二氧化硅顆粒的平均粒徑比為1-5 :1。本發(fā)明的增透膜引入不同粒徑范圍的SiO2顆粒層，使薄膜的孔隙率提高，從而提高薄膜的透光率，玻璃單面鍍膜時增透達3%以上；并且該增透膜還含有線性二氧化硅層，使SiO2顆粒薄膜的耐摩擦和耐鹽霧性能提高。并且具有好的一致性和穩(wěn)定性。
具體實施例方式為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。本發(fā)明提供了一種增透膜，該增透膜依次包括第一二氧化硅層、第二線性二氧化硅層和第三二氧化硅層；所述第一二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑為50-150nm，所述第三二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑為10-70nm ;所述第一二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑與第三二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑比為1-5 :1。本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過大量的實驗發(fā)現(xiàn)，在增透膜中引入50-150nm和10-70nm的不同粒徑范圍的SiO2顆粒層并且該兩種粒徑范圍的二氧化硅顆粒的平均粒徑比為1-5 :1，能使薄膜的孔隙率提高，從而提高薄膜的透光率，玻璃單面鍍膜時增透達3%以上；并且本發(fā)明的增透膜還含有線性二氧化硅層，使Si02顆粒薄膜的耐摩擦和耐鹽霧性能提高。并且具有好的一致性和穩(wěn)定性。優(yōu)選地，所述第一二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑與第三二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑比為1. 5-3 :1。優(yōu)選地，所述增透膜還包括第四線性二氧化硅層。第二線性二氧化硅層即可以提高該增透膜的耐摩擦性、耐鹽霧性能一致性和穩(wěn)定性，但是第四線性二氧化硅層使這些性能更好，
所述聚二烯丙基二甲基氯化銨對本發(fā)明的增透膜的性能沒有什么影響，其主要作用是在制備的過程中加入該物質(zhì)可以使各層二氧化硅帶上正電荷，然后通過靜電力的作用吸附上溶膠中帶有負電荷的線性二氧化硅或顆粒二氧化硅，最終使各層二氧化硅之間的結(jié)合力增大。并且在后期的熱處理過程中，各層之間通過形成化學(xué)鍵而使結(jié)合力更加牢固。同時，如果熱處理的溫度高一些就可以把聚二烯丙基二甲基氯化銨除去，如果熱處理溫度控制的低一些，則保留聚二烯丙基二甲基氯化銨。優(yōu)選地，所述第一二氧化硅層的厚度為50-150nm，更優(yōu)選為70_130nm ;所述第二線性二氧化硅層的厚度Ι-lOnm，更優(yōu)選為2-8 nm ;所述第三二氧化硅層的厚度為10_70nm，更優(yōu)選為10-60nm ;所述第四線性二氧化娃層的厚度l_10nm,更優(yōu)選為2_8nm。并且使增透膜的厚度為80-180nm，更優(yōu)選為90_140nm。在該范圍內(nèi)的增透膜的光學(xué)厚度與玻璃基片相匹配，從而獲得最好的光學(xué)增透效果。優(yōu)選地，所述第一二氧化硅層與第三二氧化硅層的二氧化硅的摩爾含量比為O.5-3:1，更優(yōu)選為1.5-1 :1，在該范圍內(nèi)，使第三層的小顆粒二氧化硅主要填充到第一層的大顆粒二氧化硅間隙中，而不是堆疊在大顆粒二氧化硅上時，可以使最終的薄膜折射率為1. 1-1. 3之間，從而獲得最佳的光學(xué)增透效果。本發(fā)明還提供了一種增透膜的制備方法，包括以下步驟
51、制備第一二氧化硅層，用堿催化法制備SiO2顆粒溶膠，并采用溶膠凝膠法在潔凈的玻璃表面上制備第一二氧化硅層；所述SiO2顆粒溶膠中SiO2的濃度為10-30g/L，二氧化硅顆粒的平均粒徑為50-150nm ;具體做法為以SiO2顆粒溶膠為原料，采用浸潰提拉法在潔凈的玻璃基片上制備第一 SiO2層，提拉速度為2mm/s，將涂覆有第一 SiO2層的玻璃在200°C下烘干lOmin，最后在玻璃基片上得到SiO2顆粒構(gòu)成的單層SiO2薄膜，顆粒之間存在10-50nm的間隙；
52、制備第二線性二氧化硅層
S21將第一二氧化硅層進行漂洗后置于濃度為1-lOmg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化銨水溶液中，然后在PH為2-6的酸性SiO2溶膠中浸潰后取出；
S22重復(fù)步驟S21n次，構(gòu)成第二 TODA/線形SiO2雙層，其中η為1_30，酸性SiO2溶膠中SiO2的濃度為1-lOOmg/mL ；
53、將覆蓋了第二(PDDA/線形SiO2)n雙層的復(fù)合薄膜經(jīng)去離子水清洗后，置于濃度為
1-lOmg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化銨水溶液后于另一種SiO2顆粒溶膠中浸潰后取出，即形成第三SiO2顆粒層；Si02顆粒溶膠中SiO2的濃度為1-100 mg/mL, 二氧化娃顆粒的平均粒徑為10-70nm ；
54、熱處理形成增透膜； 其中，步驟SI和S3中的兩種二氧化硅的平均粒徑比為步驟SI中的二氧化硅顆粒的平均粒徑與步驟S3中的二氧化硅顆粒的平均粒徑比為1-5 :1。第一二氧化硅層由于SiO2顆粒溶膠中的顆粒較大，且濃度較低，因此玻璃基片上的SiO2顆粒之間存在一定的間隙。第二線性二氧化硅層可以覆蓋在第一 SiO2顆粒層的顆粒上及裸露的玻璃基片上，起到固定SiO2顆粒的作用。第三SiO2顆粒層的顆粒基本填充在第一 SiO2顆粒層的間隙中。與本發(fā)明相比，現(xiàn)有的方法中存在如下的缺點采用溶膠凝膠法制備單一尺寸的二氧化硅顆粒薄膜，顆粒較大時，可通過調(diào)節(jié)溶膠的濃度來制得高孔隙率的薄膜，但薄膜的耐摩擦性和耐鹽霧性能均差；顆粒較小時，則需添加致孔劑形成大的孔隙，致孔劑在后期去除過程中往往造成孔隙塌陷，使薄膜結(jié)構(gòu)破壞，且耐鹽霧性能也不好。對于孔隙率的調(diào)節(jié)，一種改進的思路是直接將兩種尺寸的顆粒二氧化硅溶膠混合后制備薄膜，但這種方法可能也需要引入致孔劑。對于耐摩擦的改善，主要是在顆粒二氧化硅溶膠中添加線性二氧化硅以改善耐摩擦性能，但這種方法的缺點是降低了薄膜的孔隙率，使薄膜的增透效果不理想，且耐摩擦性能仍然受限。在本發(fā)明的制備方法中含有兩種不同粒徑范圍的二氧化硅層，在顆粒大的二氧化硅層的空隙中用靜電沉積法填充顆粒小的二氧化硅，這種分步涂覆兩種顆粒尺寸二氧化硅并引入線性二氧化硅作為連接中間層的目的是在獲得較大薄膜孔隙率的同時，還增強了薄膜與基片以及薄膜顆粒之間的結(jié)合力。克服了溶膠凝膠法制備單層二氧化硅顆粒薄膜的孔隙率、耐摩擦、耐鹽霧性能不能兼顧的缺點。在步驟S3和S4之間還包括步驟S3-4，所述步驟S3_4為將覆蓋了第三SiO2顆粒層的復(fù)合薄膜先后于TODA水溶液中和酸性SiO2溶膠中浸潰適當(dāng)時間后取出，重復(fù)上述步驟m次，即構(gòu)成第四(H)DA/線形SiO2) m雙層，其中m為1-30。所述步驟S2好SS3-4中交替浸入I3DDA水溶液和線形SiO2溶膠前用去離子水進行漂洗。所述在步驟SI中加入表面活性劑，以步驟SI的反應(yīng)物的總重量為基準，所述表面活性劑的含量為l_15wt%。表面活性劑的加入可以使SiO2薄膜中的SiO2顆粒均勻分散。得到膜層均勻的第一二氧化硅層。所述表面活性劑沒有特別限制，可以是本領(lǐng)域常用的各種表面活性劑，如聚乙烯醇、聚乙二醇、全氟烷基羧酸及其鹽、全氟烷基磺酸鹽以及其它非離子表面活性劑中的至少一種。所述步驟SI中的SiO2顆粒溶膠的制備方法已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，例如可以通過如下方法制備以氨水為催化劑，乙醇為溶劑，正硅酸乙酯與去離子水的摩爾比為1:4，正硅酸乙酯與氨水的摩爾比為I 0. 5-2，pH可以為7-11，優(yōu)選為7. 5_10。所述步驟S2和S4中的線形SiO2溶膠的制備方法已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，例如可通過如下方法制備以HNO3為催化劑，以乙醇為溶劑，正硅酸乙酯與去離子水的摩爾比為1:4，且SiO2溶膠的濃度為1-100 mg/mL，pH值可以為2-6，優(yōu)選為3-5。所述步驟S3中的SiO2顆粒層所用堿溶膠制備方法已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，例如可以通過如下方法制備以氨水為催化劑，乙醇為溶劑，正硅酸乙酯與去離子水的摩爾比為1:4，正硅酸乙酯與氨水的摩爾比為I 0. 1-0. 7，且SiO2的濃度為1-100 mg/mL, pH可以為7-11，優(yōu)選為7. 5-10。下面結(jié)合具體實施例，對本發(fā)明作進一步的詳細說明。實施例11、制備第一二氧化硅層，用堿催化法制備SiO2顆粒溶膠，并采用溶膠凝膠法在潔凈的玻璃表面上制備第一二氧化硅層；所用堿溶膠的制備方法如下以氨水為催化劑，乙醇為溶劑，正硅酸乙酯與去離子水的摩爾比為1:4，正硅酸乙酯與氨水的摩爾比為1:1，通過調(diào)節(jié)乙醇溶劑的加入量使SiO2的濃度為20 g/L，調(diào)節(jié)pH為9，最終制得的SiO2溶膠顆粒尺寸為lOOnm，稱為溶膠A。具體做法為以溶膠A為原料，采用浸潰提拉法在潔凈的玻璃基片上制備第一SiO2層，提拉速度為2mm/s，將涂覆有第一 SiO2層的玻璃在200°C下烘干lOmin，最后在玻璃基片上得到由IOOnm大小的SiO2顆粒構(gòu)成的單層SiO2薄膜,顆粒之間存在10_50nm的間隙，第一二氧化硅層的厚度為lOOnm。2、制備第二線性二氧化硅層
(1)將第一二氧化硅層進行漂洗后置于濃度為2mg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化銨水溶液中l(wèi)Omin，然后在pH為4的酸性SiO2溶膠中浸潰IOmin后取出；
(2)重復(fù)步驟(I)5次，構(gòu)成第二 TODA/線形SiO2雙層，第二線性二氧化硅層的厚度為5nm ;所述線形Si02溶膠的制備方法如下以HNO3為催化劑，以乙醇為溶劑，正硅酸乙酯與去離子水的摩爾比為4 :1，通過調(diào)節(jié)乙醇溶劑的加入量使SiO2溶膠的濃度為10mg/mL，調(diào)節(jié)PH值為4，稱為溶膠B。3、制備第三二氧化硅層，將覆蓋了第二(PDDA/線形Si02)5雙層的復(fù)合薄膜經(jīng)去離子水清洗并干燥后，置于濃度為2mg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化銨水溶液后于另一更稀濃度的SiO2顆粒溶膠中浸潰IOmin后取出，即形成第三SiO2顆粒層，該第三SiO2顆粒層的厚度為30nm ；Si02顆粒的平均粒徑為20nm。所述第三SiO2顆粒層所用堿溶膠制備方法如下以氨水為催化劑，乙醇為溶劑，正硅酸乙酯與去離子水的摩爾比為1:4，正硅酸乙酯與氨水的摩爾比為1:0. 6，通過調(diào)節(jié)乙醇溶劑的加入量使SiO2的濃度為10mg/mL，調(diào)節(jié)pH值為7. 5，稱為溶膠C。4、將薄膜在500 1下熱處理I小時即得到增透膜SI。實施例2
按照實施例1的方法制備增透膜S2，區(qū)別在于增加第四二氧化硅層。該層的制備方法同實施例1中的步驟2，第四二氧化硅層的厚度為5nm。實施例3
按照實施例2的方法制備增透膜S3，區(qū)別在于步驟I中的二氧化硅的平均粒徑為50nm，二氧化硅的濃度為10g/L ;步驟2中的聚二烯丙基二甲基氯化銨水溶液的濃度為Img/mL, SiO2溶膠的pH為2，SiO2溶膠的濃度為20mg/mL ;步驟3中的SiO2顆粒的平均粒徑為IOnm, 二氧化娃的濃度為lmg/mL。得到的增透膜各層的厚度分別為50nm、4nm、16nm、和4nm。實施例4
按照實施例2的方法制備增透膜S4,區(qū)別在于步驟I中的二氧化硅的平均粒徑為150nm，二氧化硅的濃度為15g/L;步驟2中的聚二烯丙基二甲基氯化銨水溶液的濃度為5mg/mL, SiO2溶膠的pH為3，SiO2溶膠的濃度為50mg/mL ;步驟3中的SiO2顆粒的平均粒徑為50nm, 二氧化娃的濃度為50mg/mL。得到的增透膜各層的厚度分別為150nm、8nm、50nm和8nm。實施例5
按照實施例2的方法制備增透膜S5，區(qū)別在于步驟I中的二氧化硅的平均粒徑為120nm，二氧化硅的濃度為20g/L;步驟2中的聚二烯丙基二甲基氯化銨水溶液的濃度為3mg/mL, SiO2溶膠的pH為4，SiO2溶膠的濃度為40mg/mL ;步驟3中的SiO2顆粒的平均粒徑為40nm，二氧化硅的濃度為80mg/mL。得到的增透膜各層的厚度分別為120nm、6nm、40nm和6nm。實施例6
按照實施例2的方法制備增透膜S6，區(qū)別在于步驟I中的二氧化硅的平均粒徑為72nm，二氧化硅的濃度為30g/L;步驟2中的聚二烯丙基二甲基氯化銨水溶液的濃度為10mg/mL, SiO2溶膠的pH為6，SiO2溶膠的濃度為100mg/mL ;步驟3中的SiO2顆粒的平均粒徑為60nm，二氧化硅的濃度為100mg/mL。得到的增透膜各層的厚度分別為72nm、10nm、60nm 和 10nm。實施例7
按照實施例2的方法制備增透膜S7，區(qū)別在于步驟I中的二氧化硅的平均粒徑為70nm，二氧化硅的濃度為18g/L ;步驟2中的聚二烯丙基二甲基氯化銨水溶液的濃度為8mg/mL, SiO2溶膠的pH為5，SiO2溶膠的濃度為80mg/mL ;步驟3中的SiO2顆粒的平均粒徑為40nm, 二氧化娃的濃度為80mg/mL。得到的增透膜各層的厚度分別為70nm、9nm、40nm和9nm。對比例I
按照實施例1中的步驟I的方法在玻璃基片上采用溶膠凝膠法制備一層Si02顆粒層增透膜DS1。增透膜的厚度為lOOnm。
對比例2
按照實施例1的制溶膠A和溶膠B的方法制備溶膠Al和BI，通過調(diào)節(jié)乙醇溶劑的添加量使SiO2的濃度均為20g /L,然后將溶膠Al和溶膠BI進行混合，采用浸潰提拉技術(shù)制備玻璃增透膜DS2。增透膜的厚度為lOOnm。對比例3
按照實施例1的制溶膠A和溶膠C的方法制備溶膠A2和C2，，通過調(diào)節(jié)乙醇溶劑的加入量使SiO2的濃度均為20g/L，然后將溶膠C2和溶膠A2進行混合，采用浸潰提拉技術(shù)制備玻璃增透膜DS3。增透膜的厚度為llOnm。測試方法及結(jié)果
將實施例1-7以及對比例1-3的增透膜S1-S7以及DS1-DS3進行如下測試，結(jié)果見表
Io1、透光率測試
采用LCD-5200光電特性測試儀，掃描380-780nm波段，按照GBT 2680-1994公開的太陽光各波段分布特性，測試實施例1-7以及對比例1-3的增透膜S1-S7以及DS1-DS3表面對可見光的透光率，并計算其增透幅度。增透幅度=增透膜的透光率-玻璃基底的透光率。2、耐鹽霧測試
采用GB/T 18912-2002/IEC 61701:1995 (光伏組件鹽霧腐蝕試驗)。中性鹽霧96小時，鹽霧成分為5%的NaCl溶液。若經(jīng)鹽霧實驗后樣品的透光率減少值在O. 5%以內(nèi)，則判定合格。3、耐摩擦測試
具體用濕棉布(5. wt%的洗潔精水溶液)摩擦10000次。壓力為200 g/cm2，摩擦角度為90度。若經(jīng)10000次摩擦后樣品透光率減少值在O. 5%以內(nèi)，則判定合格。表I
權(quán)利要求
1.一種增透膜，其特征在于，該增透膜依次包括第一二氧化硅層、第二線性二氧化硅層和第三二氧化硅層；所述第一二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑為50-150nm，所述第三二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑為10-70nm ;所述第一二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑與第三二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑比為1-5 :1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增透膜，其特征在于，所述第一二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑與第三二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑比為1. 5-3:1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增透膜，其特征在于，所述增透膜還包括第四線性二氧化硅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的增透膜，其特征在于，所述第一二氧化硅層的厚度為50-150nm,所述第二線性二氧化娃層的厚度為1-1Onm,所述第三二氧化娃層的厚度為10-70nm，所述第四線性二氧化硅層的厚度為l-10nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增透膜，其特征在于，所述增透膜的厚度為80-180nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增透膜，其特征在于，所述第一二氧化硅層與第三二氧化硅層的二氧化硅的摩爾含量比為0. 5-3 :1。
7.—種增透膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟 51、制備第一二氧化硅層，用堿催化法制備SiO2顆粒溶膠，并采用溶膠凝膠法在潔凈的玻璃表面上制備第一二氧化硅層；所述SiO2顆粒溶膠中Si02的濃度為10-30g/L，二氧化硅顆粒的平均粒徑為50-150nm ； 52、制備第二線性二氧化硅層 S21將第一二氧化硅層進行漂洗后置于濃度為l-10mg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化銨水溶液中，然后在PH為2-6的酸性SiO2溶膠中浸潰后取出； S22重復(fù)步驟S21n次，構(gòu)成第二 TODA/線形SiO2雙層，其中n為1_30，酸性SiO2溶膠中SiO2的濃度為l-100mg/mL ； 53、制備第三二氧化硅層，將覆蓋了第二(PDDA/線形SiO2)n雙層的復(fù)合薄膜經(jīng)去離子水清洗后，置于濃度為l-10mg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化銨水溶液后于另一種SiO2顆粒溶膠中浸潰后取出，即形成第三SiO2顆粒層；Si02顆粒溶膠中Si02的濃度為1-1OOmg/mL，二氧化硅顆粒的平均粒徑為10-70nm; 54、熱處理形成增透膜； 其中，步驟SI和S3中的兩種二氧化硅的平均粒徑比為步驟SI中的二氧化硅顆粒的平均粒徑與步驟S3中的二氧化硅顆粒的平均粒徑比為1-5 :1。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，在步驟S3和S4之間還包括步驟S3-4，所述步驟S3-4為將覆蓋了第三SiO2顆粒層的復(fù)合薄膜先后于TODA水溶液中和酸性SiO2溶膠中浸潰適當(dāng)時間后取出，重復(fù)上述步驟m次，即構(gòu)成第四(PDDA/線形SiO2)m雙層，其中m為1-30。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S2中交替浸入TODA水溶液和線形SiO2溶膠前用去離子水進行漂洗。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述在步驟SI中加入表面活性劑；以步驟SI的反應(yīng)物的總重量為基準，所述表面活性劑的含量為l_15wt%。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種增透膜，該增透膜依次包括第一二氧化硅層、第二線性二氧化硅層和第三二氧化硅層；所述第一二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑為50-150nm，所述第三二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑為10-70nm；所述第一二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑與第三二氧化硅層的二氧化硅顆粒的平均粒徑比為1-5∶1。本發(fā)明還提供了該增透薄膜的制備方法。本發(fā)明的增透膜在可見光范圍內(nèi)的單面增透達3%以上，耐摩擦和耐鹽霧性能大幅度提高，且產(chǎn)品的穩(wěn)定性和一致性優(yōu)異。
文檔編號C03C17/34GK103057194SQ20111032554
公開日2013年4月24日 申請日期2011年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月24日
發(fā)明者黎憲寬, 周維, 羅迪恬, 孫永亮 申請人:比亞迪股份有限公司