專利名稱：一種切割硅片的切割線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種切 割線，特別涉及切割硅片用的切割線，屬于硅片切割設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著社會的發(fā)展，太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的成熟，硅片的使用越來越多。由于硅片屬于硬性材料，其切割工藝在加工工藝中占有很重要的位置。傳統(tǒng)的硅片切割采用鋼片切割的方式，該切割方式存在切縫較寬、出材率低、面形精度差且表面損傷層深等缺陷。為了解決上述問題，近來出現(xiàn)了線切割，通過切割線供應(yīng)帶有磨料的砂漿，通過磨料、切割線及硅晶體之間的磨料磨損原理實現(xiàn)硅片的切割，該方式可實現(xiàn)多片硅片的切割，切割效率高，且硅片表面質(zhì)量好，但由于是磨料與切割絲之間有較多的摩擦，切割絲的使用壽命較短。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種使用壽命長、結(jié)構(gòu)簡單的切割硅片的切割線。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明一種切割硅片的切割線，包括線體，其中，所述線體外周面包覆耐磨層。上述一種切割硅片的切割線，其中，所述耐磨層的厚度為l-3um。上述一種切割硅片的切割線，其中，所述耐磨層為耐磨陶瓷層。本發(fā)明由于所述線體外周面包覆耐磨層，避免線體被磨損或部分被磨損，本發(fā)明可同時切割多片硅片，出品率高，硅片表面質(zhì)量較高，不容易出現(xiàn)崩片的現(xiàn)象，不僅解決的硅片材料的浪費問題，而且解決了切割線容易磨損，使用壽命短的問題，且本發(fā)明方便冷卻液的冷卻，避免砂漿對環(huán)境造成污染，提高了環(huán)保性能；延長了本發(fā)明的使用壽命。


圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明。如圖所示，為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明一種用于硅片切割的切割線，包括線體 1，所述線體1外周面包覆耐磨層2，耐磨層2不受限制，可由耐磨涂料涂敷形成，也可由耐磨陶瓷涂料加工而成。耐磨陶瓷涂料是一種非金屬膠凝材料，它是采用耐酸和耐堿的人工合成原料經(jīng)嚴(yán)格的工藝配比和先進的無機聚合技術(shù)制成的一種粉狀陶瓷材料。在施工現(xiàn)場， 將特制液體無機膠水加入這種材料，采用人工或機械方式涂抹在線體1表面，經(jīng)過一系列的化學(xué)反應(yīng)，在常溫下3d后達(dá)到陶瓷的結(jié)合強度和硬度，耐磨涂料其主要耐磨骨料、超微粉體和無機聚合物分散液組合而成，涂料固化后形成，本發(fā)明由于所述線體1外周面包覆耐磨層2，避免線體1被磨損或部分被磨損，本發(fā)明可同時切割多片硅片，出品率高，硅片表面質(zhì)量較高，不容易出現(xiàn)崩片的現(xiàn)象，不僅解決的硅片材料的浪費問題，而且解決了切割線容易磨損，使用壽命短的問題，所述耐磨層2的厚度不受限制，本實施例中優(yōu)選耐磨層2厚度為l_3um。 本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，以上的實施例僅是用來說明本發(fā)明的目的，而并非用作對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實質(zhì)范圍內(nèi)，對以上所述實施例的變化、變型都將落在本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種切割硅片的切割線，包括線體，其特征在于，所述線體外周面包覆耐磨層。
2.如權(quán)利要求1所述一種切割硅片的切割線，其特征在于，所述耐磨層的厚度為 l-3um。
3.如權(quán)利要求1所述一種切割硅片的切割線，其特征在于，所述耐磨層為耐磨陶瓷層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種切割硅片的切割線，包括線體，其中，所述線體外周面包覆耐磨層，本發(fā)明由于所述線體外周面包覆耐磨層，避免線體被磨損或部分被磨損，本發(fā)明可同時切割多片硅片，出品率高，硅片表面質(zhì)量較高，不容易出現(xiàn)崩片的現(xiàn)象，不僅解決的硅片材料的浪費問題，而且解決了切割線容易磨損，使用壽命短的問題，且本發(fā)明方便冷卻液的冷卻，避免砂漿對環(huán)境造成污染，提高了環(huán)保性能；延長了本發(fā)明的使用壽命。
文檔編號B28D5/04GK102328352SQ20111016658
公開日2012年1月25日 申請日期2011年6月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月20日
發(fā)明者聶金根 申請人:鎮(zhèn)江市港南電子有限公司