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鎳磷合金衍射光學模芯的制作方法

文檔序號:1843358閱讀:217來源:國知局
專利名稱:鎳磷合金衍射光學模芯的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種制造衍射光學元件的模芯,特別是可以注射成型方式重復加 工制造衍射光學元件的模芯。
背景技術
許多光學元件,如各種光學鏡片,特別是各種衍射光學元件等,其制做都是通過 相互配合使用的模芯制造得到的。目前常用的由鈹銅、高純鋁、不銹鋼等直接制做的模 芯,其模芯的光學端面表面實際上都有較多的微細孔隙,導致模芯表面的光潔度差,限制 了光學元件質量的提高,而且模芯表面光學級面形在高溫高壓條件下易變形、磨損。在 20102(^88305. 4號中國專利申請中,本發(fā)明人提出了一種帶鎳磷合金鍍層結構的光學級模 芯,該鎳磷合金鍍層結構的表面面形無孔隙缺陷,表面光潔度能達到美軍標60/40標準,硬 度可高300kg/mm2-600kg/mm2,且在高溫/高壓條件下不變形,且使用壽命長,有利于提高所 制做光學元件的質量,還可保證進一步切削加工的補償。

實用新型內容針對現(xiàn)有技術中的問題,本申請將提供一種鎳磷合金衍射光學模芯,可用于以注 射成型方式大批量加工制造出一致性好和高精度的衍射光學部件。本實用新型鎳磷合金衍射光學模芯,其結構是在模芯體上被覆有鎳磷合金鍍層結 構的有效通光口徑表面上,設有衍射溝槽結構。該衍射溝槽結構可以通過天然金剛石車削 技術在鎳磷合金鍍層結構的光學端面表面超精密加工而成。上述模芯鎳磷合金鍍層結構表面上的衍射溝槽深度d,一般情況下可為< 1微米; 衍射周期范圍一般可為c =0. 0207274117 2. 777262863毫米。本實用新型上述結構形式光學模芯中,所說該被覆有鎳磷合金鍍層結構的有效通 光口徑表面形態(tài),可以為平面面形、凸面面形、凹面面形中的任一種,以適用于制造多種形 式的光學部件。其中,當其有效通光口徑表面形態(tài)為凸面面形或凹面面形時,優(yōu)選的是其外 周緣所在水平面與曲面頂點間距離的氏高值< 20mm。由于單晶天然金剛石具有非常堅硬而尖銳光滑的尖端,因此采用金剛石刀具的金 剛石車削工藝,可以在上述被覆有堅硬致密的鎳磷合金鍍層結構表面,超精密加工出各種 光學級用于成像作用的衍射光學微結構。并且能夠快速重復地加工高精度的復雜面形的光 學零件,在加工光學表面的同時,還可以加工出高精確的定位面。因此,本實用新型上述形 式的模芯能夠實現(xiàn)以注射成型方式大批量地制造出一致性好且高精度的衍射光學部件。以下結合由附圖所示實施例的具體實施方式
,對本實用新型的上述內容再作進一 步的詳細說明。但不應將此理解為本實用新型上述主題的范圍僅限于以下的實例。在不脫 離本實用新型上述技術思想情況下,根據(jù)本領域普通技術知識和慣用手段做出的各種替換 或變更,均應包括在本實用新型的范圍內。
圖1是本實用新型鎳磷合金衍射光學模芯的一種結構示意圖。圖2是圖1中局部A的放大結構示意圖。
具體實施方式
如圖所示的本實用新型鎳磷合金衍射光學模芯,是一種有效通光口徑為凹面面形 模芯,在模芯體1上被覆有鎳磷合金鍍層結構2的有效通光口徑表面上,設有衍射溝槽結構 3。衍射溝槽結構3的深度d ( 1微米,其衍射周期c =0. 02072741117 2. 777262863毫米。 其有效通光口徑外周緣所在水平面與凹面頂點間距離的氏高值< 20mm。
權利要求1.鎳磷合金衍射光學模芯,其特征是在模芯體(1)上被覆有鎳磷合金鍍層結構(2)的 有效通光口徑表面上,設有衍射溝槽結構(3 )。
2.如權利要求1所述的鎳磷合金衍射光學模芯,其特征是所說的衍射溝槽結構(3)的 深度d < 1微米。
3.如權利要求1所述的鎳磷合金衍射光學模芯,其特征是所說的衍射溝槽結構(3)的 衍射周期 c =0. 02072741117 2. 777262863 毫米。
4.如權利要求1至3之一所述的鎳磷合金衍射光學模芯,其特征是所說的被覆有鎳磷 合金鍍層結構(2)的有效通光口徑表面形態(tài)為平面面形、凸面面形、凹面面形中的任一種。
5.如權利要求4所述的鎳磷合金衍射光學模芯,其特征是所說的被覆有鎳磷合金鍍層 結構(2)的有效通光口徑表面形態(tài)為凸面面形或凹面面形時,其外周緣所在水平面與曲面 頂點間距離的氏高值彡20mm。
專利摘要鎳磷合金衍射光學模芯,在模芯體上被覆有鎳磷合金鍍層結構的有效通光口徑表面上,設有衍射溝槽結構。該衍射溝槽結構可以通過天然金剛石車削技術在鎳磷合金鍍層結構的光學端面表面超精密加工而成,可用于以注射成型方式大批量加工制造出一致性好和高精度的衍射光學部件。
文檔編號C03B11/06GK201864654SQ20102061274
公開日2011年6月15日 申請日期2010年11月18日 優(yōu)先權日2010年11月18日
發(fā)明者吳樂利, 常偉, 石本文, 袁國華, 趙銳, 高鳳, 鮮振林 申請人:成都奧晶科技有限責任公司
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