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瓷質(zhì)釉中花拋釉磚及其生產(chǎn)方法

文檔序號:1938500閱讀:364來源:國知局

專利名稱::瓷質(zhì)釉中花拋釉磚及其生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域
:本發(fā)明屬于陶瓷制品領(lǐng)域,公開了一種瓷質(zhì)釉中花拋釉磚及其生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)
:隨著國內(nèi)外建陶行業(yè)的迅速發(fā)展,能源的日趨短缺,國家也逐漸提倡和規(guī)定了節(jié)能降耗,綠色環(huán)保。這給建筑陶瓷企業(yè)無疑提高了門檻,使其面臨潛在的生存危機(jī)。近幾年來,花色品種越來越多,新產(chǎn)品,新工藝不斷涌現(xiàn),人們的欣賞水平和要求也越來越高,提高產(chǎn)品檔次己成為陶瓷生產(chǎn)者迫切追求的一個目標(biāo),開發(fā)低成本,高品位的陶瓷產(chǎn)品已日益得到各廠家的重視,目前陶瓷的滲花工藝受滲花離子的著色的原因,花色品種單調(diào);聚晶微粉工藝受布料系統(tǒng)的影響,花色品種受到很大影響;微晶石又不耐磨。瓷質(zhì)釉中花工藝吸收了三種工藝的優(yōu)點(diǎn),避免了弱點(diǎn),將成為建筑陶瓷的一種新工藝
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供了一種耐磨、不吸污、質(zhì)感好、光澤度和透明度高、裝飾效果好、裝飾品種多的瓷質(zhì)釉中花拋釉磚。本發(fā)明的另一個目的是提供一種瓷質(zhì)釉中花拋釉磚的生產(chǎn)方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的本發(fā)明采取的技術(shù)方案是一種瓷質(zhì)釉中花拋釉磚,所述的瓷質(zhì)釉中花拋釉磚是在瓷質(zhì)磚釉中進(jìn)行印花、色彩、圖案的裝飾,然后經(jīng)高溫1220-126(TC燒成后,再采用軟質(zhì)表面拋光工藝制備而成。本發(fā)明的另一個技術(shù)方案提供了一種瓷質(zhì)釉中花拋釉磚生產(chǎn)方法,包括以下步驟(1)組合坯體配方,制備600X600mm規(guī)格的磚;(2)將組合好的坯體配方放入壓制機(jī)在295-305的壓力下壓制成型;(3)將壓制成型的坯體在180-20(TC下干燥50-70分鐘;(4)在干燥后的坯體表面淋上底釉,600X600咖規(guī)格的磚底釉的用量為58-68g/30X45cm托盤;(5)在底釉上使用花釉進(jìn)行印花,花釉用量為25-40g;(6)在印花的坯體表面淋上面釉,面釉的用量為183-187g/30X45cm托盤;(7)將淋有面釉的坯體在溫度為1220-1260。C下燒制50-60分鐘;(8)最后將燒制好的坯體進(jìn)行磨邊、拋光后即得到瓷質(zhì)釉中花拋釉磚。所述的底釉的配方包括以下重量百分含量的原料鈉長石11-15%,石英30-35%,3燒滑石18-25%,燒高嶺土8-12%,氣刀土9-13%,硅酸鋯5-8%。所述的底釉的密度為1.76-1.80g/ml、細(xì)度為0.3-0.5%。所述的面釉的配方包括以下重量百分含量的原料鈣長石7-10%,鉛晶石9-12%,硼鈣石10-13%,鉀長石13-16%,石英22-25%,方解石10-13°/。,氣刀土5-7%,燒高嶺土3-5%,氧化鋅6-8%,碳酸鋇4-6%,燒滑石6-8%。所述的面釉的密度為1.81-1.85g/ml、細(xì)度為5-8%。所述的花釉的配方包括以下重量百分含量的原料印刷粉20-30%,膠輥專用印80-100%,色料8-25%。所述的印花采用輥筒印花工藝。本發(fā)明的有益效果是1.本發(fā)明所有的裝飾工藝都是在釉中完成的,釉料的使用與普通的上釉磚不同,由全生料組成,其拋光后光澤度比瓷質(zhì)拋光磚及釉面磚更高,可達(dá)105度左右。因此產(chǎn)品外觀光澤高,透明度強(qiáng)。2.燒成后成品經(jīng)軟拋光機(jī)拋光,由于該釉為全生料透明釉,其莫氏硬度超過微晶玻璃復(fù)合板及全透聚晶微粉等拋光磚的莫氏硬度,生產(chǎn)的產(chǎn)品耐磨性好。3.釉中花拋釉磚因施底釉,壓制了坯體氣孔的排出,減少了釉面氣孔率。同微晶復(fù)合板和拋光磚相比表面氣孔要少很多。所以防污性能更優(yōu)越,也不需進(jìn)行防污保養(yǎng)。4.釉中花拋釉磚由于采用輥筒印花,所以它改變了拋光磚微粉或滲花的局限,由于高光透明釉的襯托作用使得輥筒印花技術(shù)完全可以復(fù)制任何一款仿石紋、仿洞石、仿真圖案,然后通過釉中花拋釉磚百分百逼真的還原出來。5.由于瓷質(zhì)釉中花拋釉磚在1220-126(TC燒結(jié)形成,坯體和釉料結(jié)合性很好,即坯體的膨脹系數(shù)略大于釉料的膨脹系數(shù),燒結(jié)產(chǎn)品略凸0.20-0.40Mi,對產(chǎn)品拋光極為有利,要實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),通過底釉膨脹系數(shù)與坯體的&。2、A"^含量來調(diào)節(jié)磚型。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明,但不作為對本發(fā)明的限定。一種瓷質(zhì)釉中花拋釉磚生產(chǎn)方法,包括以下步驟l.組合坯體配方;1.1、坯體的大致化學(xué)成分以重量百分含量計(jì)為^A:69-72M,Al2C>3:18-20%,^0+偷々6-7.5%,"0+1^0。.9%,^03+77(92<1%,燒失量需<4%,其材料中的揮發(fā)分配方為坭料26-33%,砂類25-30%,石粉35-40%,滑石2-3%。選用的坯體配方:黑泥15%白泥12%,高溫沙10%,中溫沙11%,低溫沙16%,鉀石粉17%鈉石粉16%,生滑石3%,以600X600咖規(guī)格為例為7.6kg。1.2、槳料和粉料工藝參數(shù)控制基本同拋光磚一致。2.將組合好的坯體配方放入壓制機(jī)壓制成型;2.1、壓制機(jī)壓力300士5Mi^2.2、粉料工藝參數(shù)基本同拋光磚一致;2.3、模具收縮9-10%,吸水率《0.5%。3.將壓制成型的坯體在180-200'C下干燥60分鐘;4.在千燥后的坯體表面淋上底釉,底釉的用量為60g/30X45cm托盤;底釉配方的重量百分含量組合為鈉長石13%,石英35%,燒滑石23%,燒高嶺土11%,氣刀土12%,硅酸鋯6%;底釉的密度為1.76-1.80g/ml、細(xì)度為0.3-0.5%。5.在底釉上使用花釉進(jìn)行輥筒印花;花釉配方的重量百分含量組合為印刷粉25%、膠輥專用印油(印膏)90%,色料10%,花釉的用量為30g。花釉密度為1.35g/ml。流速18-24秒,細(xì)度325目篩全過無殘?jiān)?.在印花的坯體表面淋上面釉,面釉的用量為185g/30X45cm托盤;面釉配方的重量百分含量組合為鈣長石8%,硼鈣石9%,鉛晶石12%,鉀長石13%,石英22%,方解石10%,氣刀土6%,燒高嶺土3%,氧化鋅6%,碳酸鋇4%,燒滑石7%;所述的面釉的密度為1.81-1.85g/ml、細(xì)度為5-8%。上述的底釉配方和面釉的配方中的原料選自以下的組成釉料的化學(xué)成分^'02(59-62%),A1203(10—12%),&0+Ar"20(7.5-8.5%),(4.5-6%),M《0(0.5-1.0%),(5-7%),S"0+F60(2—4%),(1—2%),尸<0.5%,幾(3-4%)。釉用化工原料的化學(xué)成分見附表<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>在試驗(yàn)或制作生產(chǎn)前坯體干燥生坯強(qiáng)度需大于或等于1.5M/>a7.將淋有面釉的坯體在180-20(TC下干燥多長時間20分鐘,然后在溫度為1260。C下燒制60分鐘;采用氧化氣氛燒成,燒成曲線須把700-95(TC拉長一個區(qū),讓其充分排氣,使其釉面達(dá)到理想效果。8.最后將燒制好的坯體進(jìn)行磨邊、拋光后即得到瓷質(zhì)釉中花拋釉磚。拋光工藝流程(1)采用軟質(zhì)表面拋光工藝,其流程為粗拋一精拋一超精拋,通過三臺機(jī)來實(shí)現(xiàn)。(2)所有磨塊使用綠硅磨塊,粗拋需使用100目,120目,160目,200目,400目,精拋需使用600目,800目,1000目,1200目,超精拋需使用1500目,2000目,3000目,才能使其拋光產(chǎn)品光澤達(dá)到100度至105度,雖通過拋光,整個過程基本無渣,僅冷卻水有些發(fā)粘而已。本發(fā)明的瓷質(zhì)釉中花拋釉磚釉料是一種高溫、硬質(zhì)生料釉,燒后具有高透明、高光澤、高耐磨、氣孔率低、防污好的特性,瓷質(zhì)釉中花拋釉磚最大特征耐磨性高達(dá)莫氏硬度6.2以上,瓷質(zhì)釉中花拋釉磚高光澤生料釉光澤度105度以上,瓷質(zhì)釉中花拋釉磚透明度達(dá)到玻璃透明效果。以上所述的實(shí)施例,只是本發(fā)明較優(yōu)選的具體實(shí)施方式的一種,本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變化和替換都應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.瓷質(zhì)釉中花拋釉磚,其特征在于所述的瓷質(zhì)釉中花拋釉磚是在瓷質(zhì)磚釉中進(jìn)行印花、色彩、圖案的裝飾,然后經(jīng)高溫1220-1260℃燒成后,再采用軟質(zhì)表面拋光工藝制備而成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種瓷質(zhì)釉中花拋釉磚生產(chǎn)方法,包括以下步驟(1)組合坯體配方,制備600X600mm規(guī)格的磚;(2)將組合好的坯體配方放入壓制機(jī)在295-305^^"的壓力下壓制成型;(3)將壓制成型的坯體在180-20(TC下干燥50-70分鐘;(4)在干燥后的坯體表面淋上底釉,底釉的用量為58-68g/30X45cm托盤;(5)在底釉上使用花釉進(jìn)行印花;(6)在印花的坯體表面淋上面釉,面釉的用量為183-187g/30X45cm托盤;(7)將淋有面釉的坯體在溫度為1220-1260。C下燒制50-60分鐘;(8)最后將燒制好的坯體進(jìn)行磨邊、拋光后即得到瓷質(zhì)釉中花拋釉磚。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種瓷質(zhì)釉中花拋釉磚生產(chǎn)方法,其特征在于所述的底釉的配方包括以下重量百分含量的原料鈉長石11-15%,石英30-35%,燒滑石18-25%,燒高嶺土8-12%,氣刀土9-13%,硅酸鋯5-8%。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種瓷質(zhì)釉中花拋釉磚生產(chǎn)方法,其特征在于所述的底釉的密度為1.76-1.80g/ml、細(xì)度為0.3-0.5%。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種瓷質(zhì)釉中花拋釉磚生產(chǎn)方法,其特征在于所述的面釉的配方包括以下重量百分含量的原料鈣長石7-10%,鉛晶石9-12%,硼鈣石10-13%,鉀長石13-16%,石英22-25%,方解石10-13%,氣刀土5-7%,燒高嶺土3-5%,氧化鋅6-8%,碳酸鋇4-6%,燒滑石6-8%。6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種瓷質(zhì)釉中花拋釉磚生產(chǎn)方法,其特征在于所述的面釉的密度為1.81-1.85g/ml、細(xì)度為5-8%。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種瓷質(zhì)釉中花拋釉磚生產(chǎn)方法,其特征在于所述的花釉的配方包括以下重量百分含量的原料印刷粉20-30%,膠輥專用印80-100%,色料8-25%。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種瓷質(zhì)釉中花拋釉磚生產(chǎn)方法,其特征在于所述的印花采用輥筒印花工藝。全文摘要本發(fā)明公開了瓷質(zhì)釉中花拋釉磚及其生產(chǎn)方法,所述的瓷質(zhì)釉中花拋釉磚是在瓷質(zhì)磚釉中進(jìn)行印花、色彩、圖案的裝飾,然后經(jīng)高溫1220-1260℃燒成后,再采用軟質(zhì)表面拋光工藝制備而成。具體的生產(chǎn)方法為組合坯體配方、壓制成型、干燥、在干燥后的坯體表面淋上底釉、在底釉上使用花釉進(jìn)行印花、在印花的坯體表面淋上面釉、將淋有面釉的坯體在溫度為1220-1260℃下燒制50-60分鐘、最后將燒制好的坯體進(jìn)行磨邊、拋光后即得到瓷質(zhì)釉中花拋釉磚。本發(fā)明的瓷質(zhì)釉中花拋釉磚,具有耐磨、不吸污、質(zhì)感好、光澤度和透明度高、裝飾效果好、裝飾品種多的優(yōu)點(diǎn)。文檔編號C04B41/80GK101654378SQ200810117980公開日2010年2月24日申請日期2008年8月19日優(yōu)先權(quán)日2008年8月19日發(fā)明者鄭水泉申請人:鄭水泉
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