專利名稱：無鉛低熔點(diǎn)玻璃的制作方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及一種用于涂覆基片的無鉛低熔點(diǎn)玻璃，具體用于涂覆一種沉積在等離子體顯示板(PDP)基片上的透明電極圖案或總線電極圖案。這種玻璃用作PDP基片的電絕緣膜。
通常應(yīng)用透明玻璃基片作電子元件的基片。這種玻璃基片的例子有鈉-鈣-硅玻璃和類似的玻璃(高應(yīng)變點(diǎn)玻璃)以及低堿含量或幾乎無堿存在的鋁-鈣-硼硅酸鹽玻璃。在30-300℃的范圍內(nèi)它們的熱膨脹系數(shù)均為約65×10-7/℃至約100×10-7/℃。如果透明玻璃基片上有一個(gè)熱膨脹系數(shù)與玻璃基片的熱膨脹系數(shù)明顯不同的膜，則其有可能會(huì)產(chǎn)生缺陷例如膜的剝離和玻璃基片的翹曲。另外，上述玻璃基片具有約720℃至約840℃的高的軟化點(diǎn)。因此其焙燒溫度通常高于630℃，并因而有可能產(chǎn)生基片變形和熱收縮問題。
迄今為止，含鉛玻璃還在用作用于涂覆基片的低熔點(diǎn)玻璃。鉛是制造低熔點(diǎn)玻璃的重要組分。然而，由于鉛對(duì)人類和環(huán)境具有負(fù)作用，所以最近有避免使用鉛的傾向。
日本專利特許公報(bào)公開JP-A-8-26770公開了一種熱膨脹系數(shù)(從室溫到300℃)為65×10-7/℃到85×10-7/℃的、用于等離子體顯示板的密封組合物。
JP-A-9-278483中公開了一種含20-80wt％Bi2O3、5-35wt％B2O3、0-35wt％BaO和0-30wt％SrO的鉍基玻璃組合物，其中BaO和SrO的總量為5wt％到40wt％。
JP-A-2000-128574中公開了一種含30-50mol％ Bi2O3、10-40wt％B2O3和總量為1-10wt％的BaO和SrO的鉍基玻璃組合物。這種玻璃組合物的熱膨脹系數(shù)高于100×10-7/℃。
對(duì)應(yīng)于美國(guó)專利US6,475,605的JP-A-2002-12445公開了一種SiO2-B2O3-BaO-ZnO基低熔點(diǎn)玻璃。
發(fā)明概述因此本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能很容易形成涂覆膜的、其熱膨脹系數(shù)接近于基片熱膨脹系數(shù)并且具有低軟化點(diǎn)的低熔點(diǎn)玻璃。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種低熔點(diǎn)玻璃，當(dāng)焙燒在透明電極和總線電極上所形成的低熔點(diǎn)玻璃后，這種玻璃不會(huì)使在PDP基片上形成的這些電極的電阻增加。
按照本發(fā)明的第一個(gè)方面，提供一種用于涂覆基片的無鉛低熔點(diǎn)玻璃。這種玻璃(第一種玻璃)含有0.1-25wt％SiO2、1-50wt％B2O3、1-45wt％ZnO、20-90wt％Bi2O3、0.1-40wt％V2O5、0-5wt％Nb2O5、0-20wt％R2O，其中R為L(zhǎng)i、Na或K，以及0-20wt％RO，其中R為Mg、Ca、Sr或Ba。該第一種玻璃在30-300℃的范圍內(nèi)的熱膨脹系數(shù)為65×10-7/℃至100×10-7/℃；并且其軟化點(diǎn)不高于630℃。
按照本發(fā)明的第二個(gè)方面，提供一種用于涂覆基片的無鉛低熔點(diǎn)玻璃。這種玻璃(第二種玻璃)含有0.1-10wt％SiO2、5-25wt％B2O3、1-35wt％ZnO、40-90wt％Bi2O3、0.1-5wt％V2O5、0-5wt％Al2O3、0-5wt％Nb2O5、0-20wt％R2O，其中R為L(zhǎng)i、Na或K，以及0-20wt％RO，其中R為Mg、Ca、Sr或Ba。該第二種玻璃在30-300℃的范圍內(nèi)的熱膨脹系數(shù)為65×10-7/℃至100×10-7/℃；并且其軟化點(diǎn)不高于550℃。
按照本發(fā)明的第三個(gè)方面，提供一種用于涂覆基片的無鉛低熔點(diǎn)玻璃。這種玻璃(第三種玻璃)含有0.1-15wt％SiO2、10-50wt％B2O3、5-50wt％ZnO、0-20wt％R2O，其中R為L(zhǎng)i、Na或K，0-5wt％Nb2O5以及0.1-60wt％V2O5。該第三種玻璃在30-300℃的范圍內(nèi)的熱膨脹系數(shù)為65×10-7/℃至100×10-7/℃；并且其軟化點(diǎn)不高于630℃。
優(yōu)選實(shí)施方案的描述上述的第一、第二和第三種玻璃的每一種均針對(duì)術(shù)語(yǔ)“無鉛”被定義為基本上不含PbO。換句語(yǔ)說，這些玻璃可以包含不超過0.3wt％PbO，這些PbO作為雜質(zhì)包含在玻璃原料和/或碎玻璃中。根據(jù)這一點(diǎn)，就可以忽略PbO對(duì)人體、環(huán)境、絕緣特性等的負(fù)作用。在下文中，第一、第二和第三種玻璃的每一種均可以簡(jiǎn)稱為“低熔點(diǎn)玻璃”。
本發(fā)明的低熔點(diǎn)玻璃是無色的和無鉛的，并且具有合適的熱膨脹系數(shù)、低的軟化點(diǎn)，并且不與電極反應(yīng)。因此所述低熔點(diǎn)玻璃對(duì)密封、涂覆和在PDP、熒光顯示管等中形成加強(qiáng)肋都是非常有用的。
當(dāng)?shù)腿埸c(diǎn)玻璃用于密封、涂覆和形成加強(qiáng)肋時(shí)，它以粉末形式應(yīng)用。按照需要，為粉末形式的玻璃可以與低膨脹的陶瓷填料、耐熱顏料等混合，并隨后用有機(jī)油揉制，從而制備漿糊。
將被低熔點(diǎn)玻璃涂覆的基片可以是透明玻璃基片，例如鈉-鈣-硅玻璃或類似的玻璃(高應(yīng)變點(diǎn)玻璃)或鋁-鈣-硼硅酸鹽玻璃。該基片在30-300℃的范圍內(nèi)的熱膨脹系數(shù)為約65×10-7/℃至約100×10-7/℃。所述低熔點(diǎn)玻璃可以具有與基片相近的熱膨脹系數(shù)。由于這一點(diǎn)，就可能防止膜從基片上剝離和/或基片翹曲。所述基片的軟化點(diǎn)可以為約720℃至約840℃。與此相對(duì)照，低熔點(diǎn)玻璃的軟化點(diǎn)不超過630℃(當(dāng)為第一和第三種玻璃時(shí))或不超過550℃(當(dāng)為第二種玻璃時(shí))。因此當(dāng)焙燒膜時(shí)，就有可能防止基片的軟化、變形和熱收縮。
正如上面提到的，為了改變基片的光學(xué)特性，有可能用低熔點(diǎn)玻璃膜直接涂覆基片。另外，有可能在低熔點(diǎn)玻璃膜上形成各種功能的膜中的至少一種。也可能通過將低熔點(diǎn)玻璃粉末與二氧化硅細(xì)粉、氧化鋁細(xì)粉和/或類似物混合，并通過在玻璃基片上由所形成的混合物形成膜來制備一種磨砂玻璃，用以減少大陽(yáng)輻射和人工照明的強(qiáng)光。
用于涂覆基片的低熔點(diǎn)玻璃是一種具有低軟化點(diǎn)的玻璃，該玻璃在比玻璃基片的軟化點(diǎn)低很多的溫度下軟化。
第一種玻璃可以被改性為一種無鉛的低熔點(diǎn)玻璃(第四種玻璃)，其中含有0.1-25wt％SiO2、1-40wt％B2O3、1-45wt％ZnO、20-90wt％Bi2O3、0.1-5wt％V2O5、0-5wt％Nb2O5、0-20wt％R2O，其中R為L(zhǎng)i、Na或K，以及0-20wt％RO，其中R為Mg、Ca、Sr或Ba。該第四種玻璃在30-300℃的范圍內(nèi)的熱膨脹系數(shù)亦為65×10-7/℃至100×10-7/℃；并且其軟化點(diǎn)不高于630℃。
對(duì)低熔點(diǎn)玻璃的化學(xué)組分描述如下。SiO2是一種形成玻璃的組分，它對(duì)形成穩(wěn)定的玻璃來說是關(guān)健的。玻璃的SiO2含量?jī)?yōu)選為0.1-25wt％。如果該含量少于0.1wt％，玻璃會(huì)變得不穩(wěn)定從而產(chǎn)生反玻璃化現(xiàn)象。如果該含量大于25wt％，玻璃的軟化點(diǎn)會(huì)變得太高，使成形和加工變得困難。
可以通過形成絕緣膜以涂覆電極圖案，然后用酸除去部分絕緣膜以暴露電極圖案部分來制備PDP。如果SiO2含量過多，玻璃會(huì)變得耐酸性太強(qiáng)。因此為了順利地用酸分解膜其優(yōu)選不超過25wt％。任選用Al2O3替換一半重量或更少的SiO2，并使玻璃的Al2O3含量不超過5wt％。Al2O3含量超過5wt％會(huì)造成反玻璃化現(xiàn)象。Al2O3含量超過SiO2含量的一半會(huì)使玻璃具有太強(qiáng)的耐酸性。因此，很難除去部分絕緣膜。
在玻璃的化學(xué)組分中，B2O3是類似于SiO2的形成玻璃的組分。B2O3使得很容易熔化玻璃，并抑制玻璃熱膨脹系數(shù)的過分增大，并且使玻璃在焙燒時(shí)具有適當(dāng)?shù)牧鲃?dòng)性。玻璃的B2O3含量為1-50wt％，優(yōu)選為1-40wt％。如果該含量少于1wt％，玻璃會(huì)變得不穩(wěn)定。因此會(huì)發(fā)生反玻璃化現(xiàn)象。如果該含量高于50wt％，玻璃的軟化點(diǎn)會(huì)變得太高。
ZnO具有降低玻璃軟化點(diǎn)、使玻璃在熔化時(shí)具有適當(dāng)?shù)牧鲃?dòng)性以及調(diào)節(jié)玻璃使之具有合適熱膨脹系數(shù)的作用。玻璃的ZnO含量為1-45wt％。如果該含量少于1wt％，這些作用會(huì)變得不夠。如果該含量高于45wt％，玻璃會(huì)變得不穩(wěn)定。從而傾向于發(fā)生反玻璃化現(xiàn)象。
類似于ZnO，Bi2O3也具有降低玻璃軟化點(diǎn)、使玻璃在熔化時(shí)具有適當(dāng)?shù)牧鲃?dòng)性以及調(diào)節(jié)玻璃使之具有合適熱膨脹系數(shù)的作用。玻璃的Bi2O3含量為20-90％。如果該含量少于20wt％，這些作用會(huì)變得不夠。如果該含量高于90wt％，熱膨脹系數(shù)可能會(huì)變得太高。
V2O5是一種抑制玻璃著色的組分。玻璃的V2O5含量為0.1-40wt％，優(yōu)選為0.1-5wt％。如果該含量少于0.1wt％，著色抑制作用會(huì)變得不夠。如果該含量大于40wt％，玻璃可能會(huì)具有黑色。
第二種玻璃通過它的化學(xué)組成有可能使其在30-300℃的范圍內(nèi)的熱膨脹系數(shù)為65×10-7/℃至100×10-7/℃，并且其軟化點(diǎn)不高于550℃。從而第二種玻璃可以在顯示板基片如PDP的透明電極圖案上用作形成膜、形成加強(qiáng)肋和密封的低熔點(diǎn)玻璃(具有極低軟化點(diǎn))。
在低熔點(diǎn)玻璃膜涂覆由第一種氧化物(如In2O3、SnO2和摻雜有Sn的In2O3(ITO)中的至少一種)制成并且沉積顯示板(如PDP)的基片上的透明電極圖案的情況下，優(yōu)選的是所述低熔點(diǎn)玻璃還含有0.1-5wt％該第一種氧化物，只要該第一種氧化物不干擾玻璃具有上述熱膨脹系數(shù)及軟化點(diǎn)即可。類似地，在膜涂覆由金屬(如Cu和Ag中的至少一種)制成并且沉積顯示板(如PDP)的基片上的總線電極圖案的情況下，優(yōu)選的是所述低熔點(diǎn)玻璃還含有0.1-1.5wt％這種金屬的氧化物(如CuO和Ag2O中的至少一種)。這一氧化物被稱為“第二種氧化物”。
由于含有至少一種上述第一和第二種氧化物，在具有這類電極的PDP板玻璃上形成低熔點(diǎn)玻璃層后，可能抑制透明電極及總線電極的電阻增大。如果所述第一種氧化物含量低于0.1wt％，則不能充分抑制電阻增大。相反，如果該含量大于5wt％，則所述低熔點(diǎn)玻璃可能具有反玻璃化現(xiàn)象。如果所述第二種氧化物含量低于0.1wt％，則加入該第二種氧化物的有利效果可能不夠。相反，如果該含量大于1.5wt％，則所述低熔點(diǎn)玻璃可能具有顏色。
另外，由于含有至少一種上述第一和第二種氧化物，則可能有效抑制(1)由透明電極圖案和/或總線電極圖案所引起的低熔點(diǎn)玻璃的一次腐蝕，以及(2)由低熔點(diǎn)玻璃所引起的透明電極圖案和/或總線電極圖案的二次腐蝕。具體地，如果低熔點(diǎn)玻璃含有0.1-1.5wt％CuO，則對(duì)所述低熔點(diǎn)玻璃提供了有利的過濾器功能，從而PDP的蘭色更清晰。事實(shí)上，PDP所發(fā)出的蘭色通常是較弱的。因此，含有適量的CuO是特別優(yōu)選的。如果至少一種上述第一和第二種氧化物的含量太多，則所述低熔點(diǎn)玻璃可能具有差的熱特性及不希望的顏色。
在直接用所述低熔點(diǎn)玻璃的膜涂覆基片的情況下，所述玻璃可以含有Fe2O3、Cr2O3、CoO、CeO2、Sb2O3等添加劑，以使所述玻璃具有一定的顏色、紫外吸收性能、紅外屏蔽性能等，只要這些添加劑不干擾玻璃具有上述熱膨脹系數(shù)、軟化點(diǎn)及介電常數(shù)即可。上述添加劑的總量?jī)?yōu)選不超過1wt％。
下面將描述制備PDP前面基片的一種舉例性的方法。該前面基片是由透明的鈉鈣玻璃或另一種化學(xué)組成、熱膨脹系數(shù)等均與透明鈉鈣玻璃相似的玻璃。通過噴射或化學(xué)氣相沉積(CVD)過程在前面基片的表面上形成例如由ITO基或SnO2基材料制成的透明電極圖案。
另外，部分透明電極圖案被Cr-Cu-Cr(Cu可以被Ag或Al代替)總線電極覆蓋。然后，在前面基片的表面上按照一定方式形成由本發(fā)明的低熔點(diǎn)玻璃制成的透明絕緣膜以涂覆前面基片、透明電極圖案及總線電極圖案。事實(shí)上，這種絕緣膜是通過將調(diào)整至具有一定的所需粒度的低熔點(diǎn)玻璃粉末與糊狀油混合，然后將所形成的混合物通過絲網(wǎng)印刷術(shù)或類似方法涂覆到前面基片及透明電極圖案上，以及然后在大約630℃下通過焙燒所形成的前體膜形成厚度為大約30μm的絕緣膜而制備的。大約30μm的厚度被認(rèn)為是通過氣體放電達(dá)到顯示能力及長(zhǎng)期顯示穩(wěn)定性的足夠厚度。另外，通過噴射或類似方法在絕緣膜上形成保護(hù)性氧化鎂層，從而完成PDP前面基片的制備。
在某些情況下，必須通過應(yīng)用酸除去部分絕緣膜，從而使部分電極暴露出來并與外部鉛絲相連。在這些情況下，所述絕緣膜優(yōu)選具有適當(dāng)?shù)乃崛芙庑浴?br> 實(shí)施例1-10及比較例1-10在每個(gè)實(shí)施例中，按如下過程制備糊狀低熔點(diǎn)玻璃粉末。首先，將低熔點(diǎn)玻璃粉末的原料混合在一起。將所形成的混合物放入到鉑坩鍋中，然后在1000-1100℃的溫度下在電爐中加熱1-2小時(shí)，從而得到表1-4所示的玻璃組合物。事實(shí)上，細(xì)石英沙粉末、硼酸、氧化鋁、鋅白、碳酸鋇、碳酸鎂、碳酸鈣、碳酸鍶、氧化鉍、碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、鉛丹、原磷酸鹽、氧化銦、氧化錫、氧化銅及硝酸銀分別被用作玻璃組合物的SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO、BaO、MgO、CaO、SrO、Bi2O3、Li2O、Na2O、K2O、PbO、P2O5、In2O3、SnO、CuO和Ag2O的原料。將所得到的玻璃組合物的一部分倒入模具中，然后將所形成的玻璃塊用于測(cè)量其熱特性(熱膨脹系數(shù)和軟化點(diǎn))。通過快速冷卻、雙輥成型機(jī)使所得到的玻璃組合物的余下部分形成薄片，然后通過粉碎機(jī)使之形成平均粒度為2-4μm并且最大粒度低于15μm的玻璃粉末。將所得到的玻璃粉末及粘結(jié)劑(乙基纖維素)與糊狀油混合，所述糊狀油是由α-松油醇和丁基卡必醇乙酸酯組成的粘度約為300±50泊的漿糊，這種漿糊適合于絲網(wǎng)印刷術(shù)。
另外，在厚度為2-3mm及寬度為150mm的鈉鈣玻璃基片上通過噴射形成ITO圖案膜。然后利用篩孔為#250的絲網(wǎng)按照一定方式通過絲網(wǎng)印刷術(shù)將上面所得到的漿糊涂到玻璃基片和ITO圖案膜上，從而調(diào)節(jié)通過接下來的焙燒所得到的絕緣膜具有大約30μm的厚度。然后在不高于630℃的溫度下將所形成的糊狀前體膜焙燒60分鐘，從而形成厚度約為30μm的絕緣膜。
按如下過程對(duì)低熔點(diǎn)玻璃塊進(jìn)行熱膨脹系數(shù)測(cè)量。首先，將玻璃塊切碎并研磨成測(cè)試樣品。將該測(cè)試樣品放在熱膨脹測(cè)量?jī)x上。然后，以每分鐘5℃的速度升高所述測(cè)試樣品的溫度，從而測(cè)量所述測(cè)試樣品的延伸率。以此為基礎(chǔ)，確定測(cè)試樣品在30-300℃的范圍內(nèi)的平均熱膨脹系數(shù)為α×10-7/℃。結(jié)果示于表1-4中。例如，如表1所示，實(shí)施例1的結(jié)果為65×10-7/℃。優(yōu)選的是低熔點(diǎn)玻璃的熱膨脹系數(shù)同與之接觸的其基片的熱膨脹系數(shù)接近。因此，所述低熔點(diǎn)玻璃的熱膨脹系數(shù)優(yōu)選為65×10-7/℃至100×10-7/℃。
通過加熱使低熔點(diǎn)玻璃的玻璃塊形成具有預(yù)定尺寸的玻璃條。將該玻璃條放置在Lyttelton粘度計(jì)上。然后升高玻璃條的溫度，測(cè)量其軟化點(diǎn)，也就是粘度系數(shù)(η)達(dá)到107.6的溫度。結(jié)果示于表1-4中。
含有用ITO膜和絕緣膜涂覆的玻璃基片(厚度3mm；可見光透射率86％)的涂覆玻璃基片用分光光度計(jì)測(cè)量其透射率，從而確定其可見光區(qū)域內(nèi)的平均透射率。結(jié)果示于表1-4中。優(yōu)選的是涂覆玻璃基片的可見光透射率為70％或更大。
從涂覆玻璃基片上脫除絕緣膜之后，用四探針法測(cè)量ITO膜的電阻。將該ITO膜電阻除以在其上形成絕緣膜之前測(cè)量的ITO膜電阻以確定“ITO電阻增加率”。結(jié)果示于表1-4中。應(yīng)該注意的是如果在ITO膜上形成絕緣膜，則由于ITO膜和絕緣膜之間的相互腐蝕，ITO膜的電阻增加。ITO的電阻增加率優(yōu)選不超過250％。
另外，在寬度為30mm的玻璃基片上形成ITO圖案膜。然后在玻璃基片上形成總線電極以涂覆部分ITO圖案膜。然后涂覆上面得到的漿糊然后焙燒，從而形成一個(gè)絕緣膜。用顯微鏡觀察所得到的樣品。在該觀察過程中，當(dāng)總線電極周圍沒有發(fā)現(xiàn)汽泡(尺寸30μm或更大)時(shí)，則認(rèn)為是“好”，當(dāng)其附近發(fā)現(xiàn)這樣的汽泡時(shí)則認(rèn)為是“失敗”。
在比較例4和10中，沒有發(fā)生玻璃化現(xiàn)象。
表1
表2
表3
表4
于2002年4月24日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)No.2002-122770以及于2003年1月28日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)No.2003-18830的全部公開內(nèi)容，包括說明書、權(quán)利要求書和摘要，全部作為參考引入本申請(qǐng)中。
權(quán)利要求
1.一種用于涂覆基片的無鉛低熔點(diǎn)玻璃，所述玻璃含有0.1-25wt％SiO2、1-50wt％B2O3、1-45wt％ZnO、20-90wt％Bi2O3、0.1-40wt％V2O5、0-5wt％Nb2O5、0-20wt％R2O，其中R為L(zhǎng)i、Na或K，以及0-20wt％RO，其中R為Mg、Ca、Sr或Ba；并且這種玻璃在30-300℃的范圍內(nèi)的熱膨脹系數(shù)為65×10-7/℃至100×10-7/℃；并且這種玻璃的軟化點(diǎn)不高于630℃。
2.權(quán)利要求1的玻璃，其中所述玻璃含有1-40wt％所述B2O3和0.1-5wt％所述V2O5。
3.一種用于涂覆基片的無鉛低熔點(diǎn)玻璃，所述玻璃含有0.1-10wt％SiO2、5-25wt％B2O3、1-35wt％ZnO、40-90wt％Bi2O3、0.1-5wt％V2O5、0-5wt％Al2O3、0-5wt％Nb2O5、0-20wt％R2O，其中R為L(zhǎng)i、Na或K，以及0-20wt％RO，其中R為Mg、Ca、Sr或Ba；并且這種玻璃在30-300℃的范圍內(nèi)的熱膨脹系數(shù)為65×10-7/℃至100×10-7/℃；并且這種玻璃的軟化點(diǎn)不高于550℃。
4.一種用于涂覆基片的無鉛低熔點(diǎn)玻璃，所述玻璃含有0.1-15wt％SiO2、10-50wt％B2O3、5-50wt％ZnO、0-20wt％R2O，其中R為L(zhǎng)i、Na或K，0-5wt％Nb2O5，以及0.1-60wt％V2O5。；并且這種玻璃在30-300℃的范圍內(nèi)的熱膨脹系數(shù)為65×10-7/℃至100×10-7/℃；并且這種玻璃的軟化點(diǎn)不高于630℃。
5.權(quán)利要求1-4中一項(xiàng)的玻璃，其中所述玻璃直接涂覆基片或涂覆設(shè)置在基片上的元件，所述元件包括至少一種導(dǎo)體材料和一種半導(dǎo)體圖案。
6.權(quán)利要求1-4中一項(xiàng)的玻璃，其中所述玻璃涂覆設(shè)置在用作顯示板的基片上的元件，所述元件包括至少一種透明電極圖案和總線電極圖案。
7.權(quán)利要求6的玻璃，其中所述元件包括所述的由氧化物制成的透明電極圖案，所述玻璃還含有0.1-5wt％所述氧化物。
8.權(quán)利要求7的玻璃，其中所述氧化物為選自In2O3、SnO2和摻雜有Sn的In2O3(ITO)中的至少一種。
9.權(quán)利要求6的玻璃，其中所述元件包括由金屬制成的所述總線電極圖案，所述玻璃還含有0.1-1.5wt％所述金屬的氧化物。
10.權(quán)利要求9的玻璃，其中所述氧化物為選自CuO和Ag2O中的至少一種。
11.權(quán)利要求6的玻璃，其中當(dāng)所述元件包括由氧化物制成的所述透明電極圖案以及由金屬制成的所述總線電極圖案時(shí)，所述玻璃還含有0.1-5wt％所述氧化物和0.1-1.5wt％所述金屬的氧化物。
12.一種層壓件，包括(a)基片，和涂覆所述基片的膜，所述膜包括權(quán)利要求1-4中一項(xiàng)的無鉛低熔點(diǎn)玻璃。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于涂覆基片的無鉛低熔點(diǎn)玻璃。這種玻璃含有0.1－25wt％SiO
文檔編號(hào)C03C3/062GK1453232SQ0312209
公開日2003年11月5日 申請(qǐng)日期2003年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月24日
發(fā)明者早川直也, 下岡泰真 申請(qǐng)人:森陶硝子株式會(huì)社