專利名稱：光纖的拉絲方法及拉絲裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種通過降低瑞利散射強度來降低傳輸損失的光纖的拉絲方法及拉絲裝置。
現(xiàn)有技術作為一種通過降低瑞利散射強度來降低傳輸損失的光纖的拉絲方法，眾所周知，有日本專利公報特開平4-59631號所記載的方案。該拉絲方法是在拉絲爐的正下方設置加熱爐，用該加熱爐對加熱拉成的光纖進行再加熱。通過對加熱拉成的光纖進行再加熱，避免了使光纖從高溫狀態(tài)下驟冷，使假想溫度(與玻璃內原子的排列狀態(tài)的混亂程度對應的溫度)下降，以便降低瑞利散射強度。
發(fā)明提示但是，由于日本專利公報特開平4-59631號所記載的光纖的拉絲方法，為一種在拉絲爐的正下方重新設置加熱爐的設備結構，所以，設備費用高漲。另外，由于追加了對光纖再加熱的過程，所以，對光纖母材進行加熱拉絲，用樹脂覆蓋拉成的光纖的一連串的拉絲工序也變得復雜了。
本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其第1目的在于提供一種不增加設備費用、且能簡單地拉制出降低了瑞利散射強度、能降低傳輸損失的光纖的光纖拉絲方法。
其第2目的在于提供一種不增加設備費用、且能簡單地拉制出降低了瑞利散射強度、能降低傳輸損失的光纖的光纖拉絲裝置。
但是，本發(fā)明人對于不增加設備費用、且能簡單地降低傳輸損失的光纖的拉絲裝置和拉絲方法進行銳意研究的結果，對于拉絲時的光纖母材的溫度和瑞利散射強度的關系，重新發(fā)現(xiàn)以下那樣的事實在高溫的玻璃內，由于熱能，原子激烈振動，與低溫的玻璃相比較，為一種原子排列混亂的狀態(tài)。因此，拉絲時的光纖母材的溫度越高，玻璃的原子排列混亂程度就越大。再有，由于以反映該原子排列混亂狀態(tài)的形式拉絲，制成光纖，所以，拉出的光纖的原子排列混亂，瑞利散射損失變大了。而且，瑞利散射損失(I)如下式(1)所示，具有與波長(λ)的4次冪成反比的性質，設此時的系數(shù)A為瑞利散射系數(shù)I＝A/λ4…………(1)這些結果表明，通過降低拉絲時的光纖母材的溫度，能使光纖母材內的原子排列比較整齊，成為一種降低了混亂程度的狀態(tài)，由于以反映降低了該原子排列混亂程度的狀態(tài)的形式拉絲，制成光纖，所以，拉出的光纖降低了瑞利散射強度，能降低傳輸損失。
依據(jù)這樣的研究結果，為了達到上述第1目的，本發(fā)明的光纖的拉絲方法，使用具備能供給光纖母材的爐心管的拉絲爐，對光纖母材進行加熱拉絲，其特征是在將爐心管的溫度保持在不到1800℃的狀態(tài)下，對光纖母材進行拉絲。
由于在將爐心管的溫度保持在不到1800℃的狀態(tài)下，對光纖母材進行拉絲，所以，拉絲時的光纖母材的表面上的最高溫度下降到比現(xiàn)有技術低的不到1800℃，光纖母材內的原子排列比較整齊，為一種降低了原子排列的混亂程度的狀態(tài)。因此，以反映降低了該原子排列的混亂程度的狀態(tài)的形式拉制光纖，能獲得降低了瑞利散射強度、能降低傳輸損失的光纖。其結果是，由于通過控制拉絲時的光纖母材的溫度，便于降低瑞利散射強度，所以，不需要象上述現(xiàn)有技術那樣，設置加熱爐進行再加熱這一工序，設備費用不會高漲，且能簡單地獲得能降低傳輸損失的光纖。
另外，本發(fā)明的光纖的拉絲方法，最好是其特征為拉絲爐，使用具備使拉絲方向上的發(fā)熱部的長度在光纖母材直徑的8倍以上的加熱器的拉絲爐，對光纖母材進行拉絲。
由于在使爐心管的溫度保持在不到1800℃的狀態(tài)下，對光纖母材進行拉絲，所以，使拉絲時的光纖母材表面上的最高溫度下降到比現(xiàn)有技術低的不到1800℃，而且，熔融狀態(tài)下的光纖母材的粘度變高了，能將光纖母材拉到光纖的所希望的直徑。但是，由于使用具備使拉絲方向上的發(fā)熱部的長度在光纖母材直徑的8倍以上的加熱器的拉絲爐，通過對光纖母材進行拉絲，即使在熔融狀態(tài)的光纖母材的粘度高的狀態(tài)下，也能很容易地將光纖母材延伸到光纖的所希望的直徑。
另外，本發(fā)明的光纖的拉絲方法，使用拉絲爐，對光纖母材進行加熱、拉絲，其特征是在拉絲爐內，對光纖母材進行拉絲，使光纖母材的彎月形部的錐角在19°以下。
由于對光纖母材進行加熱、拉絲，使光纖母材的彎月形部的錐角在19°以下，所以，延伸的光纖母材的彎月形部的原子排列比較整齊，為一種降低了該原子排列的混亂程度的狀態(tài)。因此，光纖反映一種降低了該原子排列的混亂程度的狀態(tài)，能獲得降低了瑞利散射強度、能降低傳輸損失的光纖。其結果是，不需要象上述現(xiàn)有技術那樣，設置加熱爐進行再加熱這一工序，設備費用不會高漲，且能簡單地獲得能降低傳輸損失的光纖。
為了達到上述第2目的，本發(fā)明的光纖的拉絲裝置，具備對光纖母材進行加熱拉絲的拉絲爐，其特征是拉絲爐具備能供給光纖母材的爐心管和配設在爐心管的外周、加熱光纖母材的長度方向的規(guī)定范圍的加熱器，加熱器發(fā)熱部的拉絲方向上的長度在爐心管的內周直徑的6倍以上。
為了獲得降低了瑞利散射強度、能降低傳輸損失的光纖，在與現(xiàn)有技術相比，降低了拉絲時的光纖母材的溫度的場合，熔融狀態(tài)下的光纖母材的粘度高，不能將光纖母材拉制到光纖的所希望的直徑。但是，由于加熱器發(fā)熱部的拉絲方向上的長度在爐心管的內周直徑的6倍以上，所以，即使在熔融狀態(tài)的光纖母材的粘度高的狀態(tài)下，也能很容易地將光纖母材延伸到光纖的所希望的直徑。
另外，本發(fā)明的光纖的拉絲裝置，最好是其特征是加熱器包含沿拉絲方向并排配設的若干加熱器，若干加熱器發(fā)熱部的在拉絲方向上的長度的和在爐心管的內周直徑的6倍以上。
由于加熱器包含沿拉絲方向并排配設的若干加熱器，能很容易地擴大光纖母材的加熱范圍。當然，由于若干加熱器發(fā)熱部的拉絲方向上的長度的和在爐心管的內周直徑的6倍以上，所以，即使在熔融狀態(tài)的光纖母材的粘度高的狀態(tài)下，也能很容易地將光纖母材延伸到光纖的所希望的直徑。
另外，本發(fā)明的光纖的拉絲裝置，最好是其特征是加熱器是碳電極加熱器。由于加熱器是碳電極加熱器，所以能進一步降低設備費用。


圖1是表示本發(fā)明的第1實施形式的光纖的拉絲方法及拉絲裝置的簡略結構圖。
圖2是表示本發(fā)明的第2實施形式的光纖的拉絲方法及拉絲裝置的筒略結構圖。
圖3是表示光纖母材的表面溫度和瑞利散射系數(shù)的關系的圖表。
實施發(fā)明的最佳形式參照附圖對本發(fā)明的實施形式的光纖的拉絲方法和拉絲裝置進行說明。而且，在附圖的說明中，同一部件標相同的符號，且省略重復的說明。
(第1實施形式)首先，參照圖1，對本發(fā)明的光纖的拉絲方法和拉絲裝置的第1實施形式進行說明。
拉絲裝置1是石英系光纖的拉絲裝置，具有拉絲爐11、1次覆蓋用樹脂硬化部21和2次覆蓋用樹脂硬化部22。拉絲爐1、1次覆蓋用樹脂硬化部21和2次覆蓋用樹脂硬化部22，在拉光纖母材2的方向上、即在光纖母材2的長度方向上，按拉絲爐11、1次覆蓋用樹脂硬化部21、2次覆蓋用樹脂硬化部22的順序配設。拉絲爐11具有能供給光纖母材2的爐心管12。在爐心管12的外周配設有碳電極加熱器13，使其包圍爐心管12。在此，光纖母材2的直徑是35mm。另外，爐心管12的內周直徑是46mm。
光纖母材2保持在母材供給裝置(圖未示)上，能供給到拉絲爐11的爐心管12內。用碳電極加熱器13對光纖母材2的下端進行加熱，能拉成光纖3。來自惰性氣體(例如N2氣)供給部(圖未示)的惰性氣體供給通道14連接在拉絲爐11上，拉絲爐11內為惰性氣體氛圍氣。
碳電極加熱器13，在其發(fā)熱部的拉絲方向上的長度設定為在光纖母材2的直徑的8倍以上。而且，由于爐心管12的內周直徑比光纖母材2的直徑小，所以，碳電極加熱器13發(fā)熱部的拉絲方向上的長度為爐心管12的內周直徑的6倍以上。在本第1實施例形式，碳電極加熱器13發(fā)熱部的拉絲方向上的長度設定為500mm?？刂葡蛟撎茧姌O加熱器13的供給電，使其發(fā)熱，使拉絲爐11的爐心管12的溫度不到1800℃。
象以下那樣對向碳電極加熱器13的供電進行控制首先，實際上，在對光纖母材2進行拉絲之前，向碳電極加熱器13通電，由輻射溫度計測定拉絲爐11的爐心管12的溫度，預先求出拉絲爐11的爐心管12的溫度為不到1800℃的電流值。然后，在對光纖母材2進行拉絲時，控制向碳電極加熱器13的供電，使其為預先求出電流值。而且，在本第1實施形式，爐心管11的溫度，表示爐心管的內周面(與光纖母材2或光纖3的表面對置的面)的表面溫度。
這樣一來，由于控制向碳電極加熱器13的供電，使拉絲爐11的爐心管12的溫度不到1800℃(例如為1600℃)，所以，拉絲爐11內的光纖母材2的表面上的最高溫度不到1800℃。
拉絲爐11內的光纖母材2被碳電極加熱器13加熱，變成熔融狀，且延伸，形成彎月形部2a。在光纖母材2的拉絲方向上，彎月形部2a的長度α1為76mm以上(在本第1實施形式是150mm左右)，錐角β1在19°以下(在本第1實施形式是9.6°左右)。在此，α1和β1用下式定義α1＝X1-X2 ……(2)β1＝2tan-1{Y(0.45-0.1)/(X1-X2)}……(3)Y光纖母材的外徑(mm)X1外徑為Y×0.9的長度方向位置(mm)X2外徑為Y×0.2的長度方向位置(mm)而且，設X的原點(0mm的位置)為碳電極加熱器最下端的長度方向位置，設原點的上方(與重力方向相反的方向)為正。
從拉絲爐11的擋板部15出來的光纖3，由作為外徑測定裝置的外徑測定儀31，對外徑進行在線測定，其測定值反饋到驅動卷筒32旋轉的驅動馬達33，進行控制，使外徑為一定值(例如，玻璃外徑為125μm)。來自外徑測定儀31的輸出信號送入到作為控制裝置的控制單元34，通過計算求出卷筒32(驅動馬達33)的旋轉速度，以使光纖3的外徑為預先設定的規(guī)定值。通過計算求出的表示卷筒32(驅動馬達33)的旋轉速度的輸出信號，從控制單元34輸出到驅動馬達用控制器(圖未示)，該驅動馬達用控制器依據(jù)來自控制單元34的輸出信號對驅動馬達33的旋轉速度進行控制。
然后，由涂染模裝置(コ-テイングダイス)41在光纖3上涂布1次覆蓋用UV樹脂，由1次覆蓋用樹脂硬化部21的UV燈硬化1次覆蓋用UV樹脂，成為1次覆蓋光纖4。然后，由涂染模裝置42在1次覆蓋光纖4上涂布2次覆蓋用UV樹脂，由2次覆蓋用樹脂硬化部22的UV燈硬化2次覆蓋用UV樹脂，成為2次覆蓋光纖(光纖單絲)5。然后2次覆蓋光纖5經(jīng)過導向輥51，纏繞在卷筒32上。卷筒32，支承在旋轉驅動軸35上，該旋轉驅動軸35的端部連接在驅動馬達33上。
以下，對使用作為第1實施形式所記載的拉絲裝置1所做的實驗結果進行說明。在這些實驗中，共同的條件如下作為光纖母材2，直徑是36mm，且芯部由添加Ge石英玻璃構成，包覆部使用由純石英玻璃構成的單一型纖維用玻璃母材。用拉絲裝置1由該光纖母材2拉成玻璃外徑125μm的光纖3。實施例1、實施例2以及比較例1，惰性氣體都使用N2氣。
實施例1和實施例2是根據(jù)第1實施形式的光纖的拉絲方法和拉絲裝置而設計的實驗例，比較例1是用于與根據(jù)上述第1實施形式的光纖的拉絲方法和拉絲裝置而設計的實施例進行對比的比較實驗例。
(實施例1)將拉絲速度設定為100m/min，將拉絲張力設定為100gf，將N2氣的供給量設定為3升/min。使碳電極加熱器13發(fā)熱，以使拉絲爐11的爐心管的溫度為1600℃，在使拉絲爐11的爐心管的溫度保持在1600℃的狀態(tài)下，對光纖母材2進行拉絲。而且，碳電極加熱器13發(fā)熱部的拉絲方向上的長度為500mm。另外，爐心管12的拉絲方向上的長度為600mm。此時，彎月形部2a的光纖母材2的拉絲方向上的長度α1為150mm左右，錐角β1為9.6°左右。
根據(jù)拉出的光纖3的波長損失特性求出的瑞利散射系數(shù)，如圖3所示，是0.90dBμm4/km。
(實施例2)將拉絲速度設定為100m/min，將拉絲張力設定為100gf，將N2氣的供給量設定為3升/min。使碳電極加熱器13發(fā)熱，以使拉絲爐11的爐心管的溫度為1750℃，在使拉絲爐11的爐心管的溫度保持在1750℃的狀態(tài)下，對光纖母材2進行拉絲。而且，碳電極加熱器13發(fā)熱部的拉絲方向上的長度為350mm。另外，爐心管12的拉絲方向上的長度設定為420mm。此時，彎月形部2a的光纖母材2的拉絲方向上的長度α1為106mm左右，錐角β1為13°左右。
根據(jù)拉出的光纖3的波長損失特性求出的瑞利散射系數(shù)，如圖3所示，是0 935dBμm4/km。
(比較例1)將拉絲速度設定為100m/min，將拉絲張力設定為100gf，將N2氣的供給量設定為3升/min。使碳電極加熱器發(fā)熱，以使拉絲爐11的爐心管的溫度為1900℃，在使拉絲爐11的爐心管的溫度保持在1900℃的狀態(tài)下，對光纖母材2進行拉絲。而且，將碳電極加熱器的拉絲方向上的長度設定為100mm。另外，爐心管12的拉絲方向上的長度為120mm。此時，彎月形部2a的光纖母材2的拉絲方向上的長度α1為50mm左右，錐角β1為29°左右。
根據(jù)拉出的光纖3的波長損失特性求出的瑞利散射系數(shù)，如圖3所示，是0.97dBμm4/km。
如以上所述，在實施例1和實施例2，瑞利散射系數(shù)為0.90dBμm4/km、0.935dBμm4/km，與比較例1的0.97dBμm4/km相比，能降低瑞利散射系數(shù)。
這樣一來，如上述實驗結果所表明的那樣，在第1實施形式的光纖的拉絲裝置和拉絲方法中，拉絲爐11具有碳電極加熱器13，該碳電極加熱器13其發(fā)熱部的拉絲方向上的長度為光纖母材2的直徑的8倍以上(爐心管12的內周直徑的6倍以上)，使該碳電極加熱器13發(fā)熱，使拉絲爐11的爐心管12的溫度不到1800℃。此時，光纖母材2被來自碳電極加熱器13的熱加熱且延伸，使光纖母材2的彎月形部2a的錐角在19°以下。
這樣一來，在使拉絲爐11的爐心管12的溫度保持在不到1800℃的狀態(tài)下，通過對光纖母材2進行拉絲，拉絲時的光纖母材2的表面上的最高溫度下降到比現(xiàn)有技術低的不到1800℃，光纖母材2內的原子排列比較整齊，為一種降低了原子排列混亂程度的狀態(tài)。因此，延伸光纖母材2拉成的光纖3反映一種降低了原子排列的混亂程度的狀態(tài)，能獲得降低了瑞利散射強度、能降低傳輸損失的光纖3。該結果，由于能通過控制拉絲時的光纖母材2的溫度來降低瑞利散射強度，所以，不需要象上述現(xiàn)有技術那樣，設置加熱爐，進行再加熱這一工序，拉絲裝置1的設備費用不會上漲，且能簡單地獲得能降低傳輸損失的光纖3。
另外，由于碳電極加熱器13的發(fā)熱部的拉絲方向上的長度，是光纖母材2的直徑的8倍以上(爐心管12的內周直徑的6倍以上)，所以，拉絲時的光纖母材2的溫度下降到不到1800℃，即使在光纖母材2的粘度高的狀態(tài)下，也能很容易地將光纖母材2拉到光纖3的所希望的直徑(例如，玻璃外徑125μm)。
另外，由于拉絲爐11的加熱器，使用碳電極加熱器13，所以，能進一步降低拉絲裝置1的設備費用。
(第2實施例)以下參照圖2，對本發(fā)明的光纖的拉絲裝置和拉絲方法的第2實施形式進行說明。第1實施形式和第2實施形式，在拉絲爐內配設的碳電極加熱器的結構有所不同。
拉絲裝置101是石英系光纖的拉絲裝置，具有拉絲爐111、1次覆蓋用樹脂硬化部21和2次覆蓋用樹脂硬化部22。拉絲爐111、1次覆蓋用樹脂硬化部21和2次覆蓋用樹脂硬化部22，在拉光纖母材2的方向上、即在光纖母材2的長度方向上，按拉絲爐111、1次覆蓋用樹脂硬化部21、2次覆蓋用樹脂硬化部22的順序配設。拉絲爐111具有供給光纖母材2的爐心管12。在爐心管12的外周配設有碳電極加熱器113，使其包圍爐心管12。
光纖母材2保持在母材供給裝置(圖未示)上，能供給到拉絲爐11的爐心管12內。用碳電極加熱器13對光纖母材2的下端進行加熱，能拉出光纖3。
碳電極加熱器113包含第1碳電極加熱器113a、第2碳電極加熱器113b和第3碳電極加熱器113c。第1碳電極加熱器113a、第2碳電極加熱器113b和第3碳電極加熱器113c，沿光纖母材2的拉絲方向(在圖2中為從上向下)，按第1碳電極加熱器113a、第2碳電極加熱器113b、第3碳電極加熱器113c的順序，并列配設3節(jié)。第1碳電極加熱器113a、第2碳電極加熱器113b和第3碳電極加熱器113c，各發(fā)熱部在拉絲方向上的長度設定成250mm，該碳電極加熱器113的拉絲方向上的發(fā)熱部的全長為750mm左右。
碳電極加熱器113(第1碳電極加熱器113a、第2碳電極加熱器113b和第3碳電極加熱器113c)，與第1實施形式一樣，控制供電，使其發(fā)熱，使拉絲爐11的爐心管12的溫度不到1800℃(例如1500℃)。碳電極加熱器113中的在拉絲方向上位于兩側的第1碳電極加熱器113a和第3碳電極加熱器113c的溫度，考慮到散熱，設定的比第2碳電極加熱器113b的溫度高，以使在爐心管12的拉絲方向上的溫度分布均勻。而且，本第2實施形式，爐心管11的溫度，表示爐心管的內周面(與光纖母材2或光纖3的表面對置的面)的表面溫度。
拉絲爐111內的光纖母材2被碳電極加熱器13加熱，變成熔融狀，形成彎月形部2a。在彎月形部2a的光纖母材2的長度方向上的長度α2為200mm左右，錐角β2為7.2°左右。在此，α2和β2用下式定義α2＝X1-X2……(2)β2＝2tan-1{Y(0.45-0.1)/(X1-X2)} ……(3)Y光纖母材的外徑(mm)X1外徑為Y×0.9的長度方向位置(mm)
X2外徑為Y×0.2的長度方向位置(mm)而且，設X的原點(0mm的位置)為碳電極加熱器最下端的長度方向位置，設原點的上方(與重力方向相反的方向)為正。
以下，對使用第2實施形式的拉絲裝置101所做的實驗結果進行說明。在這些實驗中，與實施例1、實施例2和比較例1同樣，光纖母材2，直徑是36mm，且芯部由添加Ge石英玻璃構成，包覆部使用由純石英玻璃構成的單一型纖維用玻璃母材。由該光纖母材2拉成玻璃外徑125μm的光纖3。惰性氣體使用N2氣。
實施例3是根據(jù)第2實施形式的光纖的拉絲方法和拉絲裝置設計的實驗例。
(實施例3)將拉絲速度設定為100m/min，將拉絲張力設定為100gf，將N2氣的供給量設定為3升/min。使碳電極加熱器113發(fā)熱，以使拉絲爐111的爐心管的溫度為1500℃，在使拉絲爐111的爐心管的溫度保持在1500℃的狀態(tài)下，對光纖母材2進行拉絲。而且，碳電極加熱器13發(fā)熱部的拉絲方向上的長度為750mm。另外，爐心管12的拉絲方向上的長度為900mm。此時，彎月形部2a的光纖母材2的拉絲方向上的長度α1為200mm左右，錐角β1為7.2°左右。
根據(jù)拉出的光纖3的波長損失特性求出的瑞利散射系數(shù)，如圖3所示，是0.88dBμm4/km。
如以上所述，在實施例3，瑞利散射系數(shù)為0.88dBμm4/km，與比較例1的瑞利散射系數(shù)是0.97dBμm4/km相比，能大幅降低瑞利散射系數(shù)。
這樣一來，如上述實驗結果所表明的那樣，第2實施形式的光纖的拉絲裝置和拉絲方法，與第1實施形式一樣，拉絲時的光纖母材2的表面上的最高溫度下降到比現(xiàn)有技術低的不到1800℃，光纖母材2內的原子排列比較整齊，為一種降低了原子排列混亂程度的狀態(tài)。因此，延伸光纖母材2制成的光纖3反映一種降低了該原子排列的混亂程度的狀態(tài)，能獲得降低了瑞利散射強度、能降低傳輸損失的光纖3。該結果，由于能通過控制拉絲時的光纖母材2的溫度來降低瑞利散射強度，所以，不需要象上述現(xiàn)有技術那樣，設置加熱爐，進行再加熱這一工序，拉絲裝置101的設備費用不會上漲，且能簡單地獲得能降低傳輸損失的光纖3。
另外，與第1實施形式一樣，拉絲時的光纖母材2的溫度下降到不到1800℃，即使在光纖母材2的粘度高的狀態(tài)下，也能很容易地將光纖母材2拉到光纖3的所希望的直徑(例如，玻璃外徑125μm)。
另外，由于碳電極加熱器113包含沿拉絲方向并排配設的第1碳電極加熱器113a、第2碳電極加熱器113b和第3碳電極加熱器113c，所以，能很容易地擴大光纖母材2的加熱范圍。
而且，在實施例1～實施例3，光纖母材2，芯部由添加Ge石英玻璃構成，包覆部使用由純石英玻璃構成的單一型纖維用玻璃母材，但除此之外，即使在芯部由純石英玻璃構成、包覆部使用由添加F玻璃構成的光纖母材、通過添加Ge、F具有復雜的折射率分布的石英纖維母材等長距離傳輸用的光纖母材的場合，也能獲得能降低傳輸損失的光纖。
另外，在第1和第2實施形式，雖然使用了具有碳電極加熱器13、113的拉絲爐11、111，但作為拉絲爐也可以使用除感應加熱氧化鋯爐等之外的類型的拉絲爐。
另外，在第2實施形式，作為碳電極加熱器113，雖然將碳電極加熱器并列配設成3段(第1碳電極加熱器113a、第2碳電極加熱器113b和第3碳電極加熱器113c)，但，也可以將碳電極加熱器并列配設成2級或4級以上。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的光纖的拉絲方法和拉絲裝置，能用于石英系光纖的拉絲方法和拉絲裝置。
權利要求
1.一種光纖的拉絲方法，使用具備能供給光纖母材的爐心管的拉絲爐，對上述光纖母材進行加熱拉絲，其特征是在將上述爐心管的溫度保持在不到1800℃的狀態(tài)下，對上述光纖母材進行拉絲。
2.如權利要求1所記載的光纖的拉絲方法，其特征是上述拉絲爐，使用具備使拉絲方向上的發(fā)熱部的長度在上述光纖母材直徑的8倍以上的加熱器的拉絲爐，對上述光纖母材進行拉絲。
3.一種光纖的拉絲方法，使用拉絲爐對光纖母材進行加熱拉絲，其特征是在上述拉絲爐內，對上述光纖母材進行拉絲，使上述光纖母材的彎月形部的錐角在19°以下。
4.一種光纖的拉絲裝置，具備對光纖母材進行加熱拉絲的拉絲爐，其特征是上述拉絲爐具備能供給上述光纖母材的爐心管；配設在上述爐心管的外周，對上述光纖母材的長度方向的規(guī)定范圍進行加熱的加熱器，上述加熱器的發(fā)熱部的拉絲方向上的長度在上述爐心管的內周直徑的6倍以上。
5.如權利要求4所記載的光纖的拉絲裝置，其特征是上述加熱器包含沿拉絲方向并排配設的多個加熱器，上述多個加熱器發(fā)熱部的在上述拉絲方向上的長度的和在上述爐心管的內周直徑的6倍以上。
6.如權利要求4所記載的光纖的拉絲裝置，其特征是上述加熱器，是碳電極加熱器。
全文摘要
一種拉絲裝置1,具有對光纖母材2進行加熱拉絲的拉絲爐11,在該拉絲爐11上配設有碳電極加熱器13。碳電極加熱器13,其發(fā)熱部的拉絲方向上的長度設定在280mm以上。另外,碳電極加熱器13發(fā)熱,使拉絲爐11內的光纖母材2的表面上的最高溫度為不到1800℃。由于在使拉絲爐11的爐心管12的溫度保持在不到1800℃的狀態(tài)下,對光纖母材2進行拉絲,所以,光纖母材2內的原子排列比較整齊,為一種降低了原子排列的混亂程度的狀態(tài)。因此,拉出的光纖3反映降低了該原子排列的混亂程度的狀態(tài),能獲得降低了瑞利散射強度、能降低傳輸損失的光纖3。
文檔編號C03B37/027GK1367763SQ00811172
公開日2002年9月4日 申請日期2000年6月30日 優(yōu)先權日1999年7月5日
發(fā)明者石原朋浩, 齋藤達彥, 大賀裕一 申請人:住友電氣工業(yè)株式會社