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用于浸漬材料以遮蔽交變電磁場效應(yīng)的組成物、其在涂布/浸漬纖維和/或多孔基質(zhì)以及含有該組成物的材料上的應(yīng)用的制作方法

文檔序號:11285900閱讀:376來源:國知局
用于浸漬材料以遮蔽交變電磁場效應(yīng)的組成物、其在涂布/浸漬纖維和/或多孔基質(zhì)以及含有該組成物的材料上的應(yīng)用的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及一種用于浸漬其它材料的組成物,從而使其能夠遮蔽交變電磁場效應(yīng),包括該組成物用于涂布和修飾建造材料、家具、紡織品、衣服和其它材料。本發(fā)明可應(yīng)用于家用用品,涂布建筑物的結(jié)構(gòu)件和遮蔽電氣和電子設(shè)備等建造業(yè)上。



背景技術(shù):

機電、電子、遠程技術(shù)和信息科技(it)設(shè)備的技術(shù)發(fā)展以及其迅速增長的應(yīng)用需要我們分析電場(ef)、磁場(mf)和電磁場(emf)對人體健康的影響。以下組織參與了這個問題的工作:世衛(wèi)組織、歐洲委員會:健康和消費者保護,國際非電離輻射防護委員會和ieee(電氣與電子工程師協(xié)會)。美國在1940年代快速電氣化過程中對健康狀況的分析表明,電磁輻射對文明疾病的貢獻大于生活方式的實際變化[medicalhypotheses74(2010)337]。由于我們不能放棄使用電氣設(shè)備,唯一的解決方案是遮蔽它們。ef遮蔽的傳統(tǒng)材料是基于法拉第籠蔽效應(yīng)的高導(dǎo)電性的單相材料(金屬、碳、導(dǎo)電聚合物及其組合)。放置在聚合物或玻璃內(nèi)的金屬箔和柵格,導(dǎo)電聚合物以及由棉和聚酯制成且編入微米直徑的銀或不銹鋼線的材料系用作為ef遮蔽[ieeetrans.電磁兼容性30(1988)187;出處同上30(1988)282]。這些類型的解決方案已在美國專利us6028266-低頻率mf遮蔽和us6320123-emf遮蔽以及電纜遮蔽中揭示。一種新的解決方案是應(yīng)用多相材料來形成emf遮蔽復(fù)合材料,因為在調(diào)控組分相的性能、重量/體積比和連接性時,可以獲得具有適合于所欲應(yīng)用要求的性能的材料[材料科學(xué)雜志44(2009)3917;材料科學(xué)進展59(2013)183]。

許多專利解決方案與ghz頻率范圍內(nèi)的emf遮蔽復(fù)合材料相關(guān)。該解決方案尤其在以下專利中揭示:us3599210、ep0312333b1、fr2695760a1、ep0420513b1、us5661484和jp10013081。對于具有從hz到ghz的寬范圍的emf遮蔽復(fù)合材料,還有其它發(fā)明,例如在國際專利申請wo2002/40799a1、美國專利us6337125b1、國際專利申請wo2003031722a1和拋光專利pl203956中。在國際專利申請wo2002/40799a1中給出了寬的emf遮蔽范圍(從hz到ghz),其中遮蔽材料使用以水泥、灰泥或石膏為基質(zhì)的復(fù)合材料,其可與各種灰分、渣、微硅粉和石灰石(caco3與混合物)和反射/吸收電磁輻射的成分,如剝落石墨、電極石墨、石墨片,碳纖維,煙灰、亞鐵鹽和碳化硅(sic)結(jié)合。遮蔽材料含有1-6層金屬網(wǎng)格和0.5-60%w/w的鐵屑。美國專利us6337125b1提出了用于制造吸收電磁輻射的復(fù)合材料的裝置和方法,其允許增加吸收速率并且比先前使用的裝置更薄和/或更輕。這些是合成介電材料與合成磁性材料,或與高磁性損耗的材料的組合,使得介電容率和磁化率在所欲的頻率范圍內(nèi)匹配,頻率吸收帶為10mhz至10ghz。

國際專利申請wo2003/031722a1顯示由適當?shù)剡x擇可反射電磁波的層和包含導(dǎo)電纖維(例如,長度選擇適合吸收電磁波波段的碳纖維)的吸收層所組成的復(fù)合材料。

波蘭專利pl203956b1顯示從幾khz到2ghz的頻帶吸收電磁波的材料,其是由具有相對低介電容率的高嶺土條紋和具有相對高介電容率的有機極性分子層組成的奈米復(fù)合材料。高嶺土包裝的厚度<1nm,而0.2-2nm極性有機分子層是咪唑?qū)?,這是插入高嶺土的極性有機分子。

中國專利申請cn103755333提出了由填充有鎂-鋇-鋁奈米亞鐵鹽的硅氧橡膠泡沫形式的基質(zhì)組成的復(fù)合材料。在這種情況下,輻射吸收劑是奈米亞鐵鹽,然而并沒有具體說明專利復(fù)合材料的遮蔽頻率。

波蘭專利申請pl387274提出了一種用于浸漬材料的水溶液以遮蔽具有低頻率特性的交變電場。此包括含有可水合的鹽,或是含有來自mgcl2、na3po4、cuso4以及其它可水合的鹽類的可水合的鹽混合物的液體,而鹽或鹽混合物與水的重量比在1:1至1:100的范圍內(nèi),并且可選地添加從用于對織物進行表面處理的聚合物組群,特別是聚(乙酸乙烯酯)。在本發(fā)明之前所示的現(xiàn)有技術(shù)的圖式示出了使用以1:20比例浸漬有mgcl2:h2o水溶液和外加之聚(乙酸乙烯酯)分散液的聚酯材料來吸收電場。

通常在低頻率范圍內(nèi)使用高電導(dǎo)率的單相材料來對emf遮蔽,其中該單相材料重、昂貴且通常需要接地。此外,大多數(shù)遮蔽材料使用多相系統(tǒng):可以遮蔽微波帶或幾khz到幾ghz的emf的復(fù)合材料,連同在hz-ghz范圍內(nèi)還具有特定遮蔽特性且含有金屬網(wǎng)和鐵填充物的復(fù)合材料(因此需要接地)。繼續(xù)尋找可以從低頻率(亦即10-2hz)開始到無線電頻率(即高達106hz以上)以幾ghz的數(shù)量級將emf遮蔽的材料,且無需接地,同時可保持光線并可用于各種形式:箔片、非織布、石膏、壁材或木材,甚至可以在低相對濕度下遮蔽。出乎意料的是,所有上述問題都由本發(fā)明獲得解決。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明是設(shè)計成浸漬其它材料的組成物,因此使得該些材料能夠遮蔽交變電磁場效應(yīng)。該組成物包含可形成水合物的鹽的水溶液,或包含鹽的組合的水溶液,其中至少一種鹽可形成水合物,該組成物的特征在于其含有丙烯酸和/或苯乙烯-丙烯酸分散液和/或硅氧烷乳液和/或增強添加劑,該增強添加劑選自含有表面活性劑和/或鋁硅酸鹽和硅酸鹽和/或可溶性和不溶性鈣化合物、金屬和類金屬氧化物,而交變場被遮蔽至少在10-2hz至106hz的范圍內(nèi)。本發(fā)明的組成物優(yōu)選的特征在于具有界面活性劑,該界面活性劑系選自于由洗滌劑、表面活性劑、乳化劑、兩親體、較佳的消泡劑、分散劑和二醇所成群組的化合物。本發(fā)明組成物優(yōu)選的特征在于,鋁硅酸鹽和硅酸鹽是選自于由膨潤土、高嶺土和滑石所成群組的化合物。本發(fā)明組成物較佳的特征在于,不溶性鈣化合物是選自粉狀石灰石和白云石所成群組的化合物。本發(fā)明組成物優(yōu)選的特征在于,含有選自含石膏、氫氧化鈣和波特蘭水泥(portlandcement)所成群組的化合物。本發(fā)明組成物優(yōu)選的特征在于,含有樹脂,優(yōu)選為在有機溶劑中的醇酸樹脂,以及固態(tài)或溶液中的環(huán)氧樹脂,乙醇中的酚醛樹脂,或溶液或懸浮液中的硅氧烷樹脂??梢孕纬蔁o機水合物的化合物是:mgcl2(mgcl2·6h2o)、cacl2[cacl2·h2o、cacl2·2h2o、cacl2·6h2o]、naco3[naco3·h2o、naco3·7h2o、naco3·10h2o]、licl[licl·h2o、licl·8h2o]等。作為聚合物分散液,可以使用丙烯酸分散液,苯乙烯-丙烯酸分散液和硅氧烷乳液。本發(fā)明作為改質(zhì)劑,可以使用表面活性劑,亦即消泡劑如硅氧烷油乳液,分散劑如聚丙烯酸鈉,陰離子活性乳化劑和黏度增強劑如羧甲基纖維素和聚(環(huán)氧乙烷)。作為改質(zhì)劑,可以使用以下化合物:堿性硅酸鎂[mg3si4o10(oh)2-滑石],堿性硅酸鋁[al2si2o5(oh)4-高嶺土,高嶺土的主要成分]和膨潤土形式的鋁硅酸鹽,以及鈣化合物:石灰粉[>90%caco3]、白云石粉[(ca,mg)(co3)2]、石膏[caso4·2h2o]和波特蘭水泥[3cao·sio2(50-65%)、2cao·sio2(-20%)、4cao·al2o3·fe2o3(-10%)和3cao·al2o3(-10%)]。優(yōu)選為當可水合鹽:水的重量比在飽和溶液中的鹽濃度至1:1,000,聚合物:水的比例在1:1至1:2000的范圍內(nèi),表面活性劑:水的重量比的范圍為1:20至1:10,000,而無機改質(zhì)劑:水的重量比為1:0.5至1,000。同樣本發(fā)明組成物優(yōu)選用于氣密凝膠遮蔽物,遮蔽可達3ghz。

本發(fā)明的另一個目的是使用前述組成物來涂布/浸漬纖維和/或多孔基質(zhì),其在干燥之后獲得emf遮蔽性質(zhì),優(yōu)選用于涂布或修飾建造、家具、紡織品和衣服等材料。本發(fā)明優(yōu)選的建造材料是底漆、石膏/油漆底漆、油漆、抹灰砂漿,建造中使用的層壓板,包括:屋頂膜,特別適用于屋頂和其它應(yīng)用的蒸氣阻隔層壓板、透氣層壓板、涂有遮蔽溶液的箔片和具有遮蔽性能的紡織品。本發(fā)明用作纖維材料為纖維素、黏液纖維、聚酯以及其它聚合物不織布、紡織和針織織物,同時使用以下多孔材料:水泥、不同的磚、石膏、灰泥、石膏板、灰泥板、水泥板、osb和不同商業(yè)名稱的類似材料、木材、層壓板和各種蒸氣滲透和蒸氣屏障屋頂膜。浸漬有組成物的材料,例如為不織布、紡織或針織材料或建造材料(如水泥、灰泥、石膏板/灰泥板/水泥板、陶瓷材料、磚、硅酸鹽塊或木質(zhì)復(fù)合材料基質(zhì)),其干燥后的emf吸收材料結(jié)合陷在孔洞/奈米孔洞表面上的微米和納米微滴形式的水以及結(jié)合水形式的改質(zhì)劑顆粒(與形成鹽的水合物有關(guān))以及吸收在主體(膨潤土)和分散的聚合物顆粒和引入的改質(zhì)劑顆粒中的水。

本發(fā)明的第三個目的是用于建造材料、家具、紡織品或衣服材料的電場遮蔽,其特征在于它包含在本發(fā)明的第一目的中定義的組份材料。

本發(fā)明的一個重要特征是開發(fā)了用于浸漬纖維和/或多孔材料的遮蔽組成物以遮蔽10-2hz低頻率至無線電頻率,即,106hz范圍內(nèi)的電磁場。該組成物是以下的混合物:一種或多種能夠形成水合物的鹽的水溶液,聚合物分散液(丙烯酸或苯乙烯-丙烯酸分散液或硅氧烷乳液)和/或改質(zhì)劑(表面活性劑和/或硅酸鹽和鋁硅酸鹽和/或水溶性和不溶性鈣化合物)。包含本發(fā)明組成物的材料例如為不織布、紡織或針織材料和/或建造材料例如為水泥、石膏板/灰泥板/水泥板,陶瓷材料/磚,硅酸鹽塊和/或木材是統(tǒng)計拓撲復(fù)合基質(zhì)(compositematricesofstatistictopology),其干燥之后,可遮蔽電磁輻射。該復(fù)合材料的遮蔽性能與所有復(fù)合組份的介電損耗產(chǎn)生的電介質(zhì)吸收有關(guān),并且與復(fù)合材料中發(fā)生的馬克士威-華格納極化(themaxwell-wagnerpolarization)有關(guān),馬克士威-華格納極化則與基質(zhì)和填料以及陷入的水和改質(zhì)劑的介電常數(shù)之差有關(guān)。藉由改變基質(zhì)的類型和拓撲以及可水合鹽的類型和濃度、聚合物分散液的濃度、改質(zhì)劑的種類和濃度,可以調(diào)整屏蔽頻帶以適應(yīng)應(yīng)用的要求。通過改變基質(zhì)的類型和拓撲以及可水合鹽的類型和濃度,聚合物分散液的濃度以及改質(zhì)劑的種類和濃度,可以調(diào)整遮蔽頻帶以適應(yīng)應(yīng)用上的要求。

基質(zhì)優(yōu)選具有孔和/或狹縫和/或毛細管。優(yōu)選的,屬于包含紡織品,針織材料,不織布,陶瓷,木材,塑料,建造材料及其各種系統(tǒng)所成群組的復(fù)合基質(zhì)。制造emf遮蔽復(fù)合材料,并對不同的多孔基質(zhì)進行電場遮蔽試驗,而多孔基質(zhì)例如為浸漬有各種組成的浸漬溶液的陶瓷,不織布和類似材料。研究了基質(zhì)結(jié)構(gòu)和類型(如孔隙率,重量,親水性)的效應(yīng)以及溫濕度的效應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明制造的屏蔽可用于生產(chǎn)用于建造中的不同類型的篩網(wǎng),例如非織造屋頂、屋頂膜、磚、瓷磚、水泥、砂漿和灰泥、油漆、底漆、油灰或可以直接施加到建筑物墻壁上,以保護活生物體和電子裝置免受交變電磁場的影響。遮蔽材料也可以直接用于例如電源插座和電纜。浸漬溶液的另一應(yīng)用是生產(chǎn)整體床墊。具有由不織布、紡織或針織材料制成的基質(zhì)的篩網(wǎng)也可用于生產(chǎn)服裝、床單、被子、帳篷、睡袋和泡沫墊。本發(fā)明的用途不止于保護人體健康和電子設(shè)備。本發(fā)明可用于保護房間和建筑物免受電子信息泄漏等。

于圖式中顯示了本發(fā)明的實施例,其中圖1表示在生產(chǎn)在線生產(chǎn)的箔屏的介電常數(shù)的實部和虛部(ε',ε“)和介電損耗(tanδ)對頻率的依賴性;圖2顯示了遮蔽效率對各種屏蔽的頻率的依賴性;圖3顯示了12μm厚鋁箔形式的屏蔽與含有凝膠以及添加了sio2的nh4cl和mgcl2之水溶液的屏蔽的遮蔽效率對頻率依賴性的比較;圖4顯示了遮蔽效率對于27mhz頻率下的凝膠屏蔽的電場和磁場分量的依賴性的比較;圖5顯示了遮蔽效率對含有添加了sio2的凝膠nh4c1和mgcl2之水溶液的屏蔽與含有另添加的結(jié)冷凝膠(gelgellan)的屏蔽的頻率依賴性比較;圖6顯示對于以添加有膨潤土(特定百分比濃度的添加劑系以重量百分比表示)的各種水合鹽水溶液浸漬的聚乙烯(pe)箔與碳酸鈣(caco3)形式的基質(zhì)的遮蔽,其由se=(e0-ee)/e0百分比(e0是屏蔽前面的電場強度,ee是屏蔽后面的電場強度)決定的電場遮蔽效率se對頻率的依賴性比較;以及圖7顯示了專利申請pl387274中所示發(fā)明與本發(fā)明的組成物在低濕度環(huán)境下的遮蔽比較。

實施例1

為了說明本發(fā)明的優(yōu)點,將其性能與已知解決方案進行比較。作為本發(fā)明的典型現(xiàn)有技術(shù),專利申請pl387274中所示的發(fā)明如下所示,其中在不超過117℃的溫度下用mgcl2溶液浸漬由聚酯制成的親水性織物以獲得ef遮蔽。以重量比mgcl2·6h2o:h2o等于1:20制備溶液,并加入屬于用于對織物進行表面處理的聚合物組群的聚(乙酸乙烯酯)分散液以保持鍵結(jié)的水合物。隨后,在排水之后,將織物干燥并保持達到環(huán)境濕度-以便將游離水從材料中分離出來。干燥后,織物吸收低頻率帶電磁波的電信成份。使用maschekesm-100測定電場遮蔽能力。c&c發(fā)電機fg-220c被用作交流電場的源頭。在101至5×104hz的測量結(jié)果在標記為現(xiàn)有技術(shù)的圖示中示出,示出了使用電場強度計,測量放置在電場強度計和連接到發(fā)生器的天線之間的由本發(fā)明實施例1制程所獲得之改質(zhì)織物對電場強度的頻率的依賴性(參見用正方形標記的測量點的曲線,以及用三角形標記的測量點為未經(jīng)改質(zhì)的織物的對照組測量)。圖7顯示出專利申請pl387274中所示的發(fā)明與本發(fā)明含有2.2%的mgcl2,另加入20%丙烯酸分散液和5%二氧化硅的組成物在相對濕度為25%至37%的范圍內(nèi)的遮蔽效率的比較。

本發(fā)明的實施例在表和圖式說明中顯示遮蔽效率的測量結(jié)果。表和圖式說明顯示了遮蔽效率(se)se=(e0-ee)/e0(e0是屏蔽前面的電場強度,ee是屏蔽后面的電場強度)或是遮蔽效率(db)的測量結(jié)果。不同的基質(zhì)用16g/m2的各種組成物浸漬,然后在24小時后測量遮蔽效率。浸漬基質(zhì)的干燥時間選擇為過長的干燥時間,因為早在10小時,沒有觀察到se的變化。在這些實施例中使用的聚合物是分散相:水分比為1:1的分散液。在環(huán)境溫度下使用maschekelektronik,esm-1003dh/e的電磁場儀測量在5hz到400khz的頻率范圍內(nèi)的電磁場強度。連接到c&cfg-220c發(fā)電機的棒狀天線被用作交變電場源。對于浸漬有遮蔽組分材料的聚丙烯不織布,也在環(huán)境溫度下使用novocontrolgmbh的寬帶介電譜儀,在的頻率范圍內(nèi)進行介電測量。表1示出了由在浸漬各種浸漬溶液之后的基質(zhì)(pe+caco3)制成的模型壁的遮蔽效率的增加,其中浸漬溶液為:mgcl2的水溶液,mgcl2水溶液與聚乙烯醇(pva)分散液的混合物以及mgcl2水溶液與pva分散液和各種改質(zhì)劑的混合物。圖式標示現(xiàn)有技術(shù)的前四個結(jié)果說明波蘭專利申請pl387274中所示的發(fā)明。與最接近的現(xiàn)有技術(shù)相比,取決于所使用的改質(zhì)劑,遮蔽效率(se)增加和遮蔽頻率范圍向著較高頻率顯著變寬(參見從表1中的第5號開始的結(jié)果),而添加的pva分散液的20%濃度接近最佳濃度。表1的其它位置顯示了改質(zhì)劑的效果:膨潤土、鋁硅酸鈉、高嶺土、鈦白、二氧化硅、滑石、石灰粉、白云石粉、消泡劑(硅氧烷油乳液)、分散劑(聚丙烯酸鈉)、聚乙烯醇、羧甲基纖維素和殺生物劑(kathon886)。表1顯示對于以mgcl2水溶液與pva分散液和各種改質(zhì)劑(特定百分比濃度的添加劑系以重量百分比表示)的混合物浸漬的聚乙烯(pe)箔與碳酸鈣(caco3)形式的基質(zhì),其由se=(e0-ee)/e0百分比(e0是屏蔽前面的電場強度,ee是屏蔽后面的電場強度)決定的電場遮蔽效率se。

表1

實施例2

進行與實施例1相同的測試,實施例2說明對于浸漬了mgcl2水溶液與丙烯酸分散液和各種改質(zhì)劑的混合物的聚乙烯箔與碳酸鈣(caco3)的基質(zhì)形式的遮蔽物其取決于頻率的ef遮蔽效率的測試(表2–顯示以mgcl2水溶液與丙烯酸分散液和各種改質(zhì)劑(特定百分比濃度的添加劑系以重量百分比表示)的混合物浸漬的聚乙烯箔片與碳酸鈣(caco3)形式的基質(zhì),其由se=(e0-ee)/e0百分比(e0是屏蔽前面的電場強度,ee是屏蔽后面的電場強度)決定的電場遮蔽效率se。)。

表2

實施例3

進行與實施例1相同的測試,實施例3說明對于浸漬了mgcl2水溶液與苯乙烯-丙烯酸分散液和各種改質(zhì)劑的混合物的聚乙烯箔與碳酸鈣(caco3)的基質(zhì)形式的遮蔽物其取決于頻率的ef遮蔽效率的測試(表3–顯示以mgcl2水溶液與苯乙烯-丙烯酸分散液和各種改質(zhì)劑(特定百分比濃度的添加劑系以重量百分比表示)的混合物浸漬的聚乙烯箔片與碳酸鈣(caco3)形式的基質(zhì),其由se=(e0-ee)/e0百分比(e0是屏蔽前面的電場強度,ee是屏蔽后面的電場強度)決定的電場遮蔽效率se。)。

表3

實施例4

進行與實施例1相同的測試,實施例4說明對于浸漬了mgcl2水溶液與硅氧烷乳液和各種改質(zhì)劑的混合物的聚乙烯箔與碳酸鈣(caco3)的基質(zhì)形式的遮蔽物其取決于頻率的ef遮蔽效率的測試(表4–顯示以mgcl2水溶液與硅氧烷乳液和各種改質(zhì)劑(特定百分比濃度的添加劑系以重量百分比表示)的混合物浸漬的聚乙烯箔片與碳酸鈣(caco3)形式的基質(zhì),其由se=(e0-ee)/e0百分比(e0是屏蔽前面的電場強度,ee是屏蔽后面的電場強度)決定的電場遮蔽效率se。)。

表4

實施例5

進行與實施例1相同的測試,實施例5說明對于浸漬了mgcl2水溶液與各種改質(zhì)劑的混合物的聚乙烯箔與碳酸鈣(caco3)的基質(zhì)形式的遮蔽物其取決于頻率的ef遮蔽效率的測試(表5–顯示以mgcl2水溶液與各種改質(zhì)劑(特定百分比濃度的添加劑系以重量百分比表示)浸漬的聚乙烯箔片與碳酸鈣(caco3)形式的基質(zhì),其由se=(e0-ee)/e0百分比(e0是屏蔽前面的電場強度,ee是屏蔽后面的電場強度)決定的電場遮蔽效率se。)。

表5

實施例6

進行與實施例1相同的測試,實施例6說明對于浸漬了mgcl2水溶液與各種改質(zhì)劑的混合物的聚乙烯箔與碳酸鈣(caco3)的基質(zhì)形式的遮蔽物其取決于頻率的ef遮蔽效率的結(jié)果(表6)。對于以mgcl2水溶液與各種改質(zhì)劑(特定百分比濃度的添加劑系以重量百分比表示)浸漬的聚乙烯箔片與碳酸鈣(caco3)形式的基質(zhì),其各種頻率的電場的遮蔽效率系由se=(e0-ee)/e0百分比(e0是屏蔽前面的電場強度,ee是屏蔽后面的電場強度)來決定。

表6

綜上所述,可以在寬范圍的場頻中獲得高效率的ef遮蔽。使用mgcl2水溶液與苯乙烯-丙烯酸分散液的混合物是非常有效的,而苯乙烯-丙烯酸分散液的添加量必須為~90%(表3),而硅氧烷乳液即使加入百分比分數(shù)就有效(表4)。遮蔽效率和頻率范圍可藉由添加以下添加物而增加:改質(zhì)劑,例如百分之幾到幾十的膨潤土、鋁硅酸鈉、鈦白、石灰和白云石粉和滑石粉。隨后,如實施例1-7所示,當使用mgcl2水溶液時,這些添加劑的最佳濃度都取決于基質(zhì)類型和聚合物分散液的類型。

實施例7

按照表7中示出的比例,向粉末狀氯化鎂六水合物中加入松散的建筑材料(增加遮蔽范圍)。使用以下材料:合成石膏、天然石膏、水泥和熟石灰,并粉碎以獲得均勻的粉末混合物。將水加入到混合物中以獲得合適的稠度,并將混合物用于涂布25g/m2基本重量的不織聚丙烯基質(zhì)。干燥后,獲得ef遮蔽物,并且在2khz至400khz的頻率范圍內(nèi)進行遮蔽效率測量,結(jié)果示于表7。表7說明了根據(jù)上述所制得的遮蔽物(特定百分比濃度的添加劑系以重量百分比表示),其取決于各種頻率的電場遮蔽效率,該電場遮蔽效率se系由se=(e0-ee)/e0百分比(e0是屏蔽前面的電場強度,ee是屏蔽后面的電場強度)決定。

表7

實施例8

將以下組成物的浸漬溶液:2.2%mgcl2水溶液與20%pva分散液和0.3%添加膨潤土的混合物涂布至市售的建筑材料,其形式為:

a)石膏板,

b)石膏墻,

c)osb板。

浸漬和干燥板的測量的遮蔽效率在表8中的特定值,示出了由于市售的板形式的建筑材料在浸漬2.2%mgcl2水溶液與20%pva分散液和0.3%添加膨潤土的混合物之前和之后,在50hz頻率下的電場強度降低。

表8

實施例9

開發(fā)了生產(chǎn)在線生產(chǎn)的用于保護大型表面(大型設(shè)備,睡眠場所)的抗低頻率ef(高達約20khz)的箔片遮蔽物。將25g/m2基本重量的聚丙烯不織布從水平放置的捆包中連續(xù)展開,在室溫下將其拖曳通過含有浸漬溶液的浴,使用軋制機壓制,并在95℃下干燥(距離5米處0.5分鐘)并纏繞在軋輥上。該浴含有2.2%mgcl2水溶液與20%pva分散液和添加0.5%的膨潤土及0.1%的二氧化硅的混合物。與未改質(zhì)的不織布的基本重量相比,改質(zhì)的不織布的基本重量增加了30%。隨后,用聚乙烯薄膜在不織布兩側(cè)進行另一種處理,包括熱浸(hotdrenching)。這種屏蔽箔不會滲透水,可用作屋頂絕緣層,可放置在地板下和墻壁內(nèi)。介電測量(圖1)顯示,所獲得的屏蔽箔在10-2hz至107hz的低頻率范圍內(nèi)呈現(xiàn)介電損耗(tanδ>1)。屏蔽箔的遮蔽效率對頻率的依賴性可由圖2中標有數(shù)據(jù)點的曲線表示。

實施例10

開發(fā)了用于保護大型表面的抗低頻率ef(高達約20khz)的遮蔽層壓板。使用以下物質(zhì):添加了0.5%膨潤土和0.1%二氧化硅的2.2%mgcl2水溶液、20%pva分散液和30%丙烯酸膠的混合物。該膠系用于連接兩層箔片,在環(huán)境溫度下干燥約一周,得到ef遮蔽層壓板。箔片系由含有碳酸鈣夾雜物的透氣性聚乙烯箔制成。膠的用量為每1m2箔片16g。層壓板的ef遮蔽效率對頻率的依賴性可由圖2中標有數(shù)據(jù)點的曲線表示。

實施例11

使用以下物質(zhì)開發(fā)了用于保護大型表面的抗低頻率ef(高達約20khz)的遮蔽地板墊:添加了0.5%的膨潤土、0.1%的二氧化硅和0.3%的高嶺土的2.2%mgcl2水溶液、20%pva分散液和3%丙烯酸膠的混合物。將膠噴涂在xps地板墊上,并在60℃下通風(fēng)干燥。膠的用量為每1m2箔片5g。所獲得的材料吸收emf的電信成份,可由圖2中標有數(shù)據(jù)點的曲線表示。

實施例12

使用以下物質(zhì)制備遮蔽油漆:2.2%mgcl2水溶液、20%pva分散液和0.4%膨潤土、2%高嶺土、0.1%二氧化硅和0.5%表面活性劑的混合物。使用涂漆軋輥,以涂漆墻壁用的底漆(16g/m2)涂在多孔箔片上,該多孔箔片系由含有碳酸鈣夾雜物(用以模擬墻壁)的聚乙烯制成。干燥后,涂上底漆的箔片可遮蔽低頻率ef,如表9所示,對于涂有遮蔽底漆的聚乙烯箔片與碳酸鈣(caco3)形式的基質(zhì),其各種頻率的電場的遮蔽效率se系由se=(e0-ee)/e0百分比(e0是屏蔽前面的電場強度,ee是屏蔽后面的電場強度)來決定。

表9

實施例13

開發(fā)了一種凝膠高頻emf屏蔽,以遮蔽核磁共振(nmr)和電子順磁共振(epr)的設(shè)備。屏蔽使用以7%二氧化硅、5%nh4cl、5%mgcl2和1%鋁-硅酸鈉在水性基質(zhì)上生產(chǎn)的封裝氣密凝膠。圖3顯示出放置在兩個聚(氯乙烯)(pcv)箔片之間的凝膠的衰減效率的頻率特性,兩個聚(氯乙烯)(pcv)箔片之間放置了不織布以保持固定的屏蔽厚度。凝膠層的厚度為1mm。圖3顯示相同凝膠遮蔽物下在頻率為27mhz時的遮蔽效率。

實施例14

開發(fā)了一種凝膠高頻emf屏蔽,以遮蔽核磁共振(nmr)和電子順磁共振(epr)的設(shè)備。屏蔽使用以結(jié)冷凝膠、二氧化硅、氯化銨和氯化鎂在水性基質(zhì)上生產(chǎn)的封裝氣密凝膠。圖5顯示出放置在兩個聚(氯乙烯)箔片之間的凝膠與添加物的se的頻率特性,兩個聚(氯乙烯)箔片之間放置了不織布以保持固定的屏蔽厚度。凝膠層的厚度為1mm。表10和表11顯示使用不同填料的相同基質(zhì)的屏蔽的ef屏蔽效率比較。表10比較了使用浸漬有各種浸漬溶液的聚乙烯(pe)箔與碳酸鈣(caco3)形式的基質(zhì)的屏蔽的50hzef遮蔽效率,而表11顯示浸漬有mgcl2水溶液與各種改質(zhì)劑的聚丙烯不織布的遮蔽效率。

表10

表11

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