專利名稱：一種原生多晶碳頭料的清洗方法
技術領域：
本發(fā)明主要涉及一種清洗方法，尤其涉及一種原生多晶碳頭料的清洗方法。
背景技術：
多晶娃在生產過程中有部分娃料的附有石墨,且在運輸中有些雜質附于表面。傳統(tǒng)的處理方法是用地將附在靚面的石墨磨去，這樣對硅的損耗降會很大，且速度很慢，嚴重浪費生產工時，處理不妥還會額外帶來一些雜質，不能保證硅料表面雜質完全被清除。

發(fā)明內容
本發(fā)明目的就是為了彌補已有技術的缺陷，提供一種原生多晶碳頭料的清洗方 法。本發(fā)明是通過以下技術方案實現(xiàn)的
一種原生多晶碳頭料的清洗方法，包括以下步驟
(1)在槽中配置重量比為3-4:1:1的硫酸、氯化錳、雙氧水的混合溶液，將多晶碳頭料放入混合溶液，浸泡12-14小時；
(2)撈出多晶碳頭料后用去離子水沖洗2-3次；
(3)將多晶碳頭放入質量比為10-15:0.8-1. 2 :0. 2-0. 3的硝酸、氫氟酸、偏硅酸鈉的混合溶液中清洗1-3分鐘，然后用去離子水沖洗2-3次；
(4)在濃度為O.3-0. 5%的高錳酸鉀溶液中浸泡1-2小時，然后用去離子水沖洗2-3次；
(5)將多晶碳頭料進行超聲處理；
(6 )撈出多晶碳頭料，進行烘干，完成清洗過程。步驟(I)所述的硫酸為濃度為97-98%的電子級硫酸，所述的氯化錳的濃度為20-25%、所述的雙氧水的濃度為20-25%。步驟(3)中所述的硝酸是濃度為70-75%的電子級硝酸，所述的氫氟酸濃度為49-55%。本發(fā)明的優(yōu)點是
本方法摒棄了傳統(tǒng)的機械加工來去除多晶碳頭料上的石墨雜質的方法，采用化學清洗的方法。由于使用了化學溶液對多晶碳頭料進行的清洗，與傳統(tǒng)的方法相比能夠將多晶碳頭料的上的石墨雜質去除，完全符合太陽能硅業(yè)的清潔要求，且對多晶碳頭料本身的損耗很少，增加了原料的可利用率。且經過清洗后廢酸及沖洗液經排放處理后不會對環(huán)境造成污染。


圖I為本發(fā)明的工藝流程圖。
具體實施方式
實施例I
一種原生多晶碳頭料的清洗方法，包括以下步驟
(1)在槽中配置重量比為4:1:1的硫酸、氯化錳、雙氧水的混合溶液，將多晶碳頭料放入混合溶液，浸泡14小時；
(2)撈出多晶碳頭料后用去離子水沖洗3次；
(3)將多晶碳頭放入質量比為15:I. 2 :0. 2的硝酸、氫氟酸、偏硅酸鈉的混合溶液中清洗1-3分鐘，然后用去離子水沖洗2-3次；
(4)在濃度為O.5%的高錳酸鉀溶液中浸泡2小時，然后用去離子水沖洗2-3次；
(5)將多晶碳頭料進行超聲處理；
(6 )撈出多晶碳頭料，進行烘干，完成清洗過程。步驟(I)所述的硫酸為濃度為98%的電子級硫酸，所述的氯化錳的濃度為25%、所述的雙氧水的濃度為25%。步驟(3)中所述的硝酸是濃度為70-75%的電子級硝酸，所述的氫氟酸濃度為55%。本發(fā)明能夠將多晶碳頭料的上的石墨雜質去除，完全符合太陽能硅業(yè)的清潔要求，且對多晶碳頭料本身的損耗很少。
權利要求
1.一種原生多晶碳頭料的清洗方法，其特征在于包括以下步驟 (1)在槽中配置重量比為3-4:1:1的硫酸、氯化錳、雙氧水的混合溶液，將多晶碳頭料放入混合溶液，浸泡12-14小時； (2)撈出多晶碳頭料后用去離子水沖洗2-3次； (3)將多晶碳頭放入質量比為10-15:0.8-1. 2 :0. 2-0. 3的硝酸、氫氟酸、偏硅酸鈉的混合溶液中清洗1-3分鐘，然后用去離子水沖洗2-3次； (4)在濃度為O.3-0. 5%的高錳酸鉀溶液中浸泡1-2小時，然后用去離子水沖洗2-3次； (5)將多晶碳頭料進行超聲處理； (6 )撈出多晶碳頭料，進行烘干，完成清洗過程。
2.根據權利要求I所述的一種原生多晶碳頭料的清洗方法，其特征在于步驟(I)所述的硫酸為濃度為97-98%的電子級硫酸，所述的氯化錳的濃度為20-25%、所述的雙氧水的濃度為 20-25%。
3.根據權利要求I所述的一種原生多晶碳頭料的清洗方法，其特征在于步驟(3)中所述的硝酸是濃度為70-75%的電子級硝酸，所述的氫氟酸濃度為49-55%。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種原生多晶碳頭料的清洗方法，包括以下步驟在槽中配置硫酸、氯化錳、雙氧水的混合溶液，將多晶碳頭料放入，浸泡；撈出多晶碳頭料后用去離子水沖洗2-3次；將多晶碳頭放入硝酸、氫氟酸的混合溶液中清洗；在高錳酸鉀溶液中浸泡，然后用去離子水沖洗2-3次；將多晶碳頭料進行超聲處理；撈出多晶碳頭料，進行烘干，完成清洗過程。本方法摒棄了傳統(tǒng)的機械加工來去除多晶碳頭料上的石墨雜質的方法，采用化學清洗的方法。完全符合太陽能硅業(yè)的清潔要求，且對多晶碳頭料本身的損耗很少，增加了原料的可利用率。且經過清洗后廢酸及沖洗液經排放處理后不會對環(huán)境造成污染。
文檔編號B08B3/08GK102962224SQ20121043869
公開日2013年3月13日 申請日期2012年11月6日 優(yōu)先權日2012年11月6日
發(fā)明者錢新江 申請人:安徽日能中天半導體發(fā)展有限公司