專利名稱：清潔圓盤形玻璃基片和磁盤的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)用于例如磁盤的圓盤形玻璃基片和磁盤的清潔方法。
背景技術(shù)：
具有例如形成在圓盤形玻璃基片(在下文中有時(shí)簡(jiǎn)稱為玻璃基片)上的磁層的磁盤，已經(jīng)廣泛地用于例如個(gè)人數(shù)字助理之類的小硬盤。
用于磁盤的玻璃基片通常是通過對(duì)精密拋光的玻璃基片進(jìn)行清潔和干燥而制造的。
對(duì)玻璃基片的清潔通常是通過將其依次浸入例如清潔器容器的多個(gè)清潔液容器和純水容器內(nèi)，在各個(gè)容器內(nèi)進(jìn)行超聲波清潔來進(jìn)行的。近年來，為了安全而有效地除去牢固地附著在玻璃基片上的磨料，已經(jīng)有人提出了在超聲波清潔之前或過程中進(jìn)行擦洗清潔(參見JP-A-2002-74653)。這種擦洗清潔玻璃基片的過程是通過以下方式進(jìn)行的使兩個(gè)擦洗輥輪以相反的方向旋轉(zhuǎn)，在這兩個(gè)輥輪的表面上形成有擦洗墊，玻璃基片夾在兩個(gè)擦洗輥輪之間，同時(shí)旋轉(zhuǎn)該玻璃基片。
如上所述，玻璃基片正在越來越廣泛地用于小硬盤，隨著硬盤的小型化，玻璃基片主表面上記錄區(qū)域的面積也在減小。因此，除了對(duì)高記錄密度的需要以外，能夠有效作為記錄區(qū)域的區(qū)域的面積與主表面面積之比(記錄區(qū)域比例)正在增大。
為了滿足上述需要，不僅必須對(duì)玻璃基片主表面的清潔進(jìn)行改進(jìn)以獲得高記錄密度，而且還必須改進(jìn)對(duì)玻璃基片外緣表面的清潔，這是由于如果對(duì)玻璃基片外緣表面的清潔不夠充分，在玻璃基片處理過程中，清潔不充分的外緣表面上的污物(stain)將會(huì)延伸到玻璃基片的主表面，從而降低記錄區(qū)域比例。
在此情況下，本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是提供一種清潔玻璃基片的方法，該方法能夠改進(jìn)對(duì)玻璃基片的外緣表面的清潔度，本發(fā)明的目標(biāo)還包括提供使用通過該清潔方法清潔過的玻璃基片的磁盤。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種清潔圓盤形玻璃基片的方法，該方法包括使圓盤形玻璃基片繞其中心旋轉(zhuǎn)，并且其主表面處于垂直狀態(tài)，以及使被超聲波輻照過的清潔液沿所述旋轉(zhuǎn)的玻璃基片的外緣表面流下。
本發(fā)明還提供了上述用來清潔圓盤形玻璃基片的方法，該方法是一種清潔多個(gè)圓盤形玻璃基片的方法(多基片清潔法)，其中，通過以下方法使所述多個(gè)圓盤形玻璃基片繞其中心旋轉(zhuǎn)將所述多個(gè)圓盤形玻璃基片儲(chǔ)存在基片支架中，該支架能夠垂直地支撐這些玻璃基片，而這些玻璃基片的下部露出，并且這些玻璃基片相互隔開；將所述多個(gè)圓盤形玻璃基片支撐在兩個(gè)可旋轉(zhuǎn)的軸上，使得露出的下部的外緣表面與這兩個(gè)可旋轉(zhuǎn)的軸接觸；以及旋轉(zhuǎn)這兩個(gè)可旋轉(zhuǎn)的軸，使得所述圓盤形玻璃基片繞其中心旋轉(zhuǎn)。
本發(fā)明還提供一種磁盤，該磁盤是使用通過上述清潔圓盤形玻璃基片的方法清潔過的用于磁盤的玻璃基片制成的。
根據(jù)本發(fā)明，可提高玻璃基片邊緣表面的清潔度，從而提高主表面上與邊緣表面相鄰的部分的清潔度，可以提高記錄區(qū)域比例。
另外，小外徑玻璃基片的邊緣表面也可很容易地進(jìn)行清潔。
另外，在采用擦洗清潔的時(shí)候，通常只有在進(jìn)行多次清潔之后才能獲得高度清潔的邊緣表面，但是通過本發(fā)明僅一次清潔便可獲得。另外還可縮短清潔時(shí)間。
另外，在將玻璃基片浸入清潔液進(jìn)行超聲波清潔的時(shí)候，所用清潔液容器的尺寸必須根據(jù)玻璃基片的尺寸變化，否則從玻璃基片上除去的污染物便很有可能殘留在清潔液中，并再次結(jié)合在玻璃基片上。然而，根據(jù)本發(fā)明，將不會(huì)產(chǎn)生或可能不會(huì)產(chǎn)生這些問題。
在進(jìn)行擦洗清潔的時(shí)候，每次僅能清潔一個(gè)基片。然而，根據(jù)本發(fā)明的多基片清潔法，可同時(shí)清潔多個(gè)基片。另外，不需要將玻璃基片從基片支架取出進(jìn)行清潔，也不需要將清潔后的玻璃基片放回基片支架。
本發(fā)明的清潔方法適用于所述圓盤形玻璃基片是用于磁盤的玻璃基片的情況。


在附圖中圖1是說明本發(fā)明清潔方法的截面示意圖。
圖2是說明本發(fā)明清潔方法的部分側(cè)視示意圖。
圖3是顯示支撐玻璃基片的基片支架的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照?qǐng)D1和圖2詳細(xì)描述本發(fā)明的清潔方法，圖1和圖2顯示了當(dāng)所述玻璃基片是磁盤的玻璃基片的情況下的多基片清潔法。但是本發(fā)明并不限于此。
圖1是顯示本發(fā)明清潔方法的截面示意圖，該方法包括使被超聲波輻照過的清潔液W沿箭頭的方向(沿垂直方向)、沿多個(gè)玻璃基片1的外緣表面1a流下，所述多個(gè)玻璃基片互相隔離地垂直固定，其隔離的方向與垂直于紙面的方向相平行。符號(hào)20表示基片支架。
圖2是顯示本發(fā)明清潔方法的部分側(cè)視示意圖。圖中未顯示基片支架20。
玻璃基片1是經(jīng)過精密拋光的玻璃基片，在精密拋光之后，該基片可通過本發(fā)明的清潔方法、擦洗清潔等方法進(jìn)行清潔，或者可以不進(jìn)行清潔。優(yōu)選的是，該玻璃基片1在精密拋光之后保持在潮濕狀態(tài)。
符號(hào)1b表示主表面，1c表示內(nèi)緣表面。
如圖1所示，在玻璃基片1的中部通常具有一個(gè)孔。然而，本發(fā)明也適用于沒有孔的圓盤形玻璃基片。
符號(hào)2A和2B是支撐著所述玻璃基片1的外緣表面1a的下部的可旋轉(zhuǎn)軸(旋轉(zhuǎn)軸)，在進(jìn)行清潔時(shí)，它們繞其軸旋轉(zhuǎn)，使玻璃基片1繞它們的中心旋轉(zhuǎn)。較佳的是，所述旋轉(zhuǎn)軸的表面上覆蓋有樹脂。
符號(hào)3表示驅(qū)動(dòng)軸，通過該驅(qū)動(dòng)軸的旋轉(zhuǎn)使旋轉(zhuǎn)軸2A和2B旋轉(zhuǎn)。
玻璃基片1的旋轉(zhuǎn)方向可以是固定的，但是優(yōu)選周期性地反向。
符號(hào)10表示用來對(duì)清潔液施加超聲波并使被超聲波輻照過的清潔液流下的設(shè)備，該設(shè)備被稱為流動(dòng)水型高頻超聲波清潔器(流動(dòng)水型清潔器)。
該流動(dòng)水型高頻超聲波清潔器可以是Honda Electronics Co.，Ltd.的常規(guī)產(chǎn)品，例如W-357LS-380。施加在流動(dòng)的水上的MHz(兆赫)高頻超聲波產(chǎn)生了加速的清潔液(例如水)液滴，在此狀態(tài)下的清潔液能除去亞微米級(jí)的污染物顆粒。
流動(dòng)水型清潔器10通常具有用來使清潔液流下的噴嘴(圖中未顯示)和超聲波振蕩器(圖中未顯示)，從超聲波振蕩器向通過噴嘴噴出的清潔液發(fā)射超聲波。
對(duì)于上述W-357LS-380的情況，在底部形成寬2毫米、長(zhǎng)400毫米的狹縫噴嘴，使清潔液從其中流下，在每個(gè)噴嘴的側(cè)面安裝4個(gè)長(zhǎng)度約為100毫米的超聲波振蕩器。從這些超聲波振蕩器向通過噴嘴噴出的清潔液發(fā)射超聲波。流動(dòng)的清潔液的寬度為2毫米，有效長(zhǎng)度為380毫米。
從流動(dòng)水型清潔器10流下的清潔液W落在外緣表面1a上，沿主表面1b或外緣表面1a流下(圖1和圖2中未顯示流下的清潔液)。在與外緣表面1a接觸的清潔液W中存在超聲波，通過超聲波提高外緣表面1a以及與外緣表面1a相鄰的主表面部分的清潔度。
符號(hào)20表示基片支架，該支架能夠垂直地支撐多個(gè)玻璃基片1，同時(shí)使這些基片的下部露出，而且這些基片互相隔開。
圖3是支撐著多個(gè)玻璃基片1的基片支架20的截面圖。該基片支架20可以是商業(yè)產(chǎn)品，該支架的內(nèi)側(cè)上有拉擠成形結(jié)構(gòu)(pultrusion)或凹槽之類的支撐結(jié)構(gòu)(未顯示)用來支撐玻璃基片1，使得這些基片互相隔開。
該基片支架20在水平固定時(shí)用來垂直固定玻璃基片1，但是玻璃基片1通常保持靠在基片支架20支撐結(jié)構(gòu)的上部上，因此玻璃基片1不一定需要嚴(yán)格地垂直固定。在本發(fā)明中，“垂直固定”包括上述情況，通常包括固定的基片與垂直方向的夾角最多為3°的情況。
可以通過使以圖3所示的狀態(tài)存儲(chǔ)和固定在基片支架20中的多個(gè)玻璃基片1的露出該基片支架20的下部外緣表面，與上述旋轉(zhuǎn)軸2A和2B接觸，并使旋轉(zhuǎn)軸2A和2B相對(duì)于基片支架20向上移動(dòng)，或者使基片支架20相對(duì)于旋轉(zhuǎn)軸2A和2B進(jìn)一步向下移動(dòng)，從而如圖1和圖2所示，由旋轉(zhuǎn)軸2A和2B支撐多個(gè)玻璃基片1。
在圖1中，旋轉(zhuǎn)軸2A和2B、驅(qū)動(dòng)軸3和基片支架20由圖中未顯示的支撐器所支撐，優(yōu)選使該支撐器從一側(cè)到另一側(cè)往復(fù)運(yùn)動(dòng)，使玻璃基片1相對(duì)于清潔液W從一側(cè)到另一側(cè)地振動(dòng)。優(yōu)選通過往復(fù)運(yùn)動(dòng)使得基片的支撐部件20移動(dòng)到清潔液W流下的位置。
通常玻璃基片的直徑(D)小于65毫米，厚度(t)小于1毫米，例如當(dāng)D為27.4毫米時(shí)，t為0.38毫米，當(dāng)D為48毫米時(shí)，t為0.51毫米。
根據(jù)本發(fā)明的清潔方法，清潔效果甚至可以作用到主表面1b上與外緣表面1a相鄰的區(qū)域以外的區(qū)域。
當(dāng)需要清潔效果作用于整個(gè)主表面1b時(shí)，D優(yōu)選最多為40毫米。
對(duì)清潔液并沒有限制，只要該清潔液即使在用超聲波輻照過的時(shí)候也不太可能產(chǎn)生氣泡即可，清潔液可以是例如堿清潔液或功能水(functional water)，例如氫水、臭氧水或離子水，通常是水，特別是純水。
所述被超聲波輻照過的清潔液開始流下的位置(對(duì)于上述W-357LS-380，即為噴嘴尖)與所述流下的清潔液落到其上的玻璃基片的外緣表面之間的距離優(yōu)選最多為20毫米。如超過20毫米，下落的清潔液W中的超聲波會(huì)顯著地衰減，從而使得對(duì)邊緣表面清潔度的提高可能不足。更優(yōu)選該距離最多為5毫米，通常最多3毫米。
圖1和圖2顯示的清潔方法中，流動(dòng)水型清潔器的狹縫與玻璃基片主表面呈直角，但是本發(fā)明并不限于此。例如，可采用一種清潔方法，在此方法中玻璃基片在旋轉(zhuǎn)過程中一個(gè)接一個(gè)地朝狹縫方向移動(dòng)，使得清潔液沿玻璃基片的外緣表面流下，也即是說，狹縫與玻璃基片的主表面在同一平面內(nèi)。
可通過已知方法，在經(jīng)過本發(fā)明清潔方法清潔過的用于磁盤的玻璃基片上形成磁層等，來制備本發(fā)明的磁盤。
下面將結(jié)合實(shí)施例更詳細(xì)地描述本發(fā)明。但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不限于這些具體實(shí)施例。
實(shí)施例實(shí)施例1對(duì)SiO2-Al2O3-R2O-RO玻璃(其中R2O是堿金屬氧化物，RO是堿土金屬氧化物)進(jìn)行加工和研磨，制成直徑28.5毫米、厚0.6毫米的圓形玻璃板。
在此圓形玻璃板的中心形成一個(gè)孔，然后進(jìn)行倒角加工、拋光(精密拋光)等，制成D為27.4毫米、內(nèi)徑7.0毫米、t為0.38毫米的1.1英寸玻璃基片。
使用HYMOLD PTE生產(chǎn)的能夠儲(chǔ)存25個(gè)這種1.1英寸玻璃基片的基片支架HD27-710(長(zhǎng)度200毫米，寬35毫米)，將50個(gè)這樣的玻璃基片儲(chǔ)存在這些基片支架中，然后通過圖1和圖2所示的本發(fā)明清潔方法進(jìn)行清潔。
也即是說，使用Honda Electronics Co.，Ltd.制造的流動(dòng)水型清潔器W-357LS-380，用純水(在25℃的電阻率等于或大于17MΩ·厘米)作為清潔液，用從清潔器流向玻璃基片外緣表面的水進(jìn)行2.5分鐘的清潔，其中水的流量為7升/分鐘/100毫米狹縫長(zhǎng)度，清潔器噴嘴尖與玻璃基片外緣表面的距離為1.5毫米，超聲波頻率為1兆赫，超聲波振蕩器的功率為250瓦。
在清潔過程中，玻璃基片以180轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，支撐基片支架等的支撐器以10個(gè)往復(fù)/分鐘的頻率從一側(cè)向另一側(cè)作往復(fù)運(yùn)動(dòng)。
然后將玻璃基片浸入裝有pH值為11的堿清潔液的容器內(nèi)進(jìn)行超聲波清潔，浸入第一純水容器中進(jìn)行超聲波清潔，最后浸入第二純水容器中進(jìn)行超聲波清潔，然后通過旋轉(zhuǎn)干燥法干燥。
使用Hitachi Electronics Engineering Co.，Ltd.制造的光學(xué)缺陷分析儀ODT觀察這樣制得的這些玻璃基片中兩個(gè)玻璃基片的主表面(一個(gè)表面將稱為A側(cè)，另一側(cè)將稱為B側(cè))上高度至少為0.01微米的顆粒(非常細(xì)小的沉積物)的數(shù)量和分布狀態(tài)。測(cè)量結(jié)果列于表1。在這里，外圍鄰域表示主表面上距離外邊界3毫米以內(nèi)的部分。
實(shí)施例2人們已經(jīng)知道了將流動(dòng)水型清潔器用于晶片清潔。在此情況下，晶片被水平地固定，使清潔液直接落在其表面(主表面)上。
依照與實(shí)施例1相同的方式進(jìn)行清潔和干燥，其不同之處在于，使用上述已知的清潔方法(水平清潔)代替實(shí)施例1中所用的本發(fā)明清潔方法，對(duì)依照與實(shí)施例1相同的方法制備的一個(gè)1.1英寸玻璃基片進(jìn)行清潔。垂直清潔通過如下步驟進(jìn)行。也即是說，用樹脂制成的傾斜夾子在外圍部分的三個(gè)點(diǎn)進(jìn)行固定，將整個(gè)基片放置在織帶上，進(jìn)行移動(dòng)，使得基片在1.5分鐘內(nèi)緊挨著噴嘴在噴嘴下方通過，噴嘴尖與基片表面之間的距離為5毫米。然后固定內(nèi)緣部分，翻轉(zhuǎn)基片，使得基片以類似的方式在1.5分鐘內(nèi)緊挨著噴嘴在噴嘴下方通過，以清潔基片的另一側(cè)。然后將基片放入實(shí)施例1所述相同的支架中，然后進(jìn)行清潔和干燥。該實(shí)施例相當(dāng)于比較例。
采用與實(shí)施例1相同的方法測(cè)量這樣制得的玻璃基片2a的主表面上的顆粒數(shù)目和分布狀態(tài)。測(cè)量結(jié)果列于表1。
在實(shí)施例2中，顆粒的數(shù)目與實(shí)施例1相比是很多的，在A側(cè)和B側(cè)上都證明向外圍鄰域的分布不均勻。這認(rèn)為是由于上述清潔在外緣表面上所達(dá)到的清潔度不足，使得在隨后處理玻璃基片的過程中，外緣表面上的顆粒移動(dòng)到主表面上的外圍鄰域所造成的。
實(shí)施例3使用與實(shí)施例1相同的方法制造的兩個(gè)1.1英寸玻璃基片，依照與實(shí)施例1相同的方式進(jìn)行清潔和干燥，不同之處在于，使用擦洗清潔代替實(shí)施例1中進(jìn)行的本發(fā)明清潔方法來進(jìn)行清潔。擦洗通過以下步驟進(jìn)行。也即是說，使海綿刷(擦洗輥輪)以100轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，每個(gè)基片使用堿清潔液清潔10秒。本實(shí)施例相當(dāng)于比較例。
采用與實(shí)施例1相同的方法測(cè)量這樣制得的玻璃基片3a和3b的主表面上的顆粒數(shù)目和分布狀態(tài)。測(cè)量結(jié)果列于表1。
與實(shí)施例1相比，在實(shí)施例3中，一個(gè)側(cè)面上的顆粒數(shù)超過20，在一些側(cè)面上發(fā)現(xiàn)向外圍鄰域的顆粒不均勻分布。
另外，在實(shí)施例1中，可以在2.5分鐘，即150秒內(nèi)同時(shí)清潔所有的50個(gè)基片，而在實(shí)施例3中，清潔一個(gè)基片需要10秒，另外，交換清潔的基片需要至少3秒，因此，制備50個(gè)基片需要13秒/基片×50個(gè)基片，即等于或大于650秒。因此，可以理解為，與常規(guī)的擦洗清潔相比，本發(fā)明的清潔方法可以顯著縮短每個(gè)基片的清潔時(shí)間。另外，通過本發(fā)明方法同時(shí)清潔的基片的數(shù)量不限于50個(gè)，例如，當(dāng)使用大型流動(dòng)水型清潔器，使得基片的數(shù)量超過50時(shí)，可進(jìn)一步縮短每個(gè)基片的清潔時(shí)間。
表1

實(shí)施例4依照與實(shí)施例1相同的方式制備50個(gè)1.1英寸玻璃基片。
依照與實(shí)施例3相同的方式對(duì)玻璃基片進(jìn)行擦洗清潔，然后依照與實(shí)施例1相同的方法進(jìn)行清潔和干燥。
采用KLA-tencor制造的OSA(光學(xué)表面分析儀)測(cè)量這樣制得的玻璃基片4a和4b兩個(gè)主表面上的顆粒數(shù)目和分布狀態(tài)。測(cè)量結(jié)果列于表2。
實(shí)施例5依照與實(shí)施例1相同的方法制備兩個(gè)1.1英寸的玻璃基片。
依照與實(shí)施例3相同的方式擦洗玻璃基片，然后依照與實(shí)施例1相同的方式，浸入裝有pH值為11的堿清潔液的容器內(nèi)進(jìn)行超聲波清潔，浸入第一純水容器中進(jìn)行超聲波清潔，最后浸入第二純水容器中進(jìn)行超聲波清潔，然后通過旋轉(zhuǎn)干燥法干燥。本實(shí)施例相當(dāng)于比較例。
采用與實(shí)施例4相同的方法測(cè)量這樣制得的玻璃基片5a和5b的主表面上的顆粒數(shù)目和分布狀態(tài)。測(cè)量結(jié)果列于表2。
在實(shí)施例5中，其上顆粒在外圍鄰域不均勻地分布的側(cè)面上的顆粒數(shù)量很多(5a的A側(cè)和5b的A側(cè)和B側(cè))，這些側(cè)面上的顆粒數(shù)量大于實(shí)施例4中任意側(cè)面的數(shù)量。因此，可以理解為在實(shí)施例4中，細(xì)顆粒、特別是在外緣表面上的細(xì)顆粒被有效地除去，使得顆粒不會(huì)不均勻地分散在外圍鄰域，主表面上顆粒的數(shù)量很少。
表2

實(shí)施例6對(duì)與實(shí)施例1中相同的玻璃進(jìn)行加工和研磨，制成直徑22.5毫米、厚0.6毫米的圓形玻璃板。
在此圓形玻璃板的中心形成一個(gè)孔，然后進(jìn)行倒角加工、拋光(精密拋光)等，制成D為21.6毫米、內(nèi)徑6.0毫米、t為0.38毫米的0.85英寸玻璃基片。
使用與實(shí)施例3相同的方式對(duì)50個(gè)這樣的0.85英寸玻璃基片進(jìn)行擦洗清潔。
使用HYMOLD PTE生產(chǎn)的能夠儲(chǔ)存25個(gè)這種0.85英寸玻璃基片的基片支架HD21-100(長(zhǎng)度200毫米，寬35毫米)，將50個(gè)擦洗清潔過的玻璃基片儲(chǔ)存在這些基片支架中，然后通過圖1和圖2所示的本發(fā)明清潔方法進(jìn)行清潔。
也即是說，使用Honda Electronics Co.，Ltd.制造的流動(dòng)水型清潔器W-357LS-380，用純水作為清潔液，用從清潔器流向玻璃基片外緣表面的水進(jìn)行2.5分鐘的清潔，其中水的流量為7升/分鐘/100毫米狹縫長(zhǎng)度，清潔器噴嘴尖與玻璃基片外緣表面的距離為2毫米，超聲波頻率為1兆赫，超聲波振蕩器的功率為250瓦。
在清潔過程中，玻璃基片以180轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，支撐基片支架等的支撐器以10個(gè)往復(fù)/分鐘的頻率從一側(cè)向另一側(cè)作往復(fù)運(yùn)動(dòng)。
然后將玻璃基片浸入裝有pH值為11的堿清潔液的容器內(nèi)進(jìn)行超聲波清潔，浸入第一純水容器中進(jìn)行超聲波清潔，最后浸入第二純水容器中進(jìn)行超聲波清潔，然后通過旋轉(zhuǎn)干燥法干燥。
采用上述OSA測(cè)量這樣制得的兩個(gè)玻璃基片6a和6b主表面上的顆粒數(shù)目和分布狀態(tài)。測(cè)量結(jié)果列于表3。
實(shí)施例7依照與實(shí)施例1相同的方法制備了兩個(gè)0.85英寸玻璃基片。
依照與實(shí)施例3相同的方式擦洗清潔玻璃基片，然后依照與實(shí)施例6相同的方式，浸入裝有pH值為11的堿清潔液的容器內(nèi)進(jìn)行超聲波清潔，浸入第一純水容器中進(jìn)行超聲波清潔，最后浸入第二純水容器中進(jìn)行超聲波清潔，然后通過旋轉(zhuǎn)干燥法干燥。本實(shí)施例相當(dāng)于比較例。
采用與實(shí)施例4相同的方法測(cè)量這樣制得的玻璃基片7a和7b的主表面上的顆粒數(shù)目和分布狀態(tài)。測(cè)量結(jié)果列于表3。
在實(shí)施例7中，與實(shí)施例6相比，顆粒的數(shù)目很多，在某些側(cè)面(7b的B側(cè))的清潔特別的不足。另外，在實(shí)施例7中，在一些側(cè)面上觀察到顆粒向外圍鄰域的不均勻分布，因此可以理解為對(duì)外緣表面的清潔度的提高不夠充分。
表3

實(shí)施例8依照與實(shí)施例6相同的方式制備了50個(gè)0.85英寸玻璃基片。
采用與實(shí)施例6相同的本發(fā)明清潔方法對(duì)這50個(gè)0.85英寸的玻璃基片進(jìn)行清潔。
然后將玻璃基片浸入裝有pH值為11的堿清潔液的容器內(nèi)進(jìn)行超聲波清潔，浸入第一純水容器中進(jìn)行超聲波清潔，最后浸入第二純水容器中進(jìn)行超聲波清潔，然后通過旋轉(zhuǎn)干燥法干燥。
采用上述ODT測(cè)量這樣制得的玻璃基片中的兩個(gè)玻璃基片8a和8b的主表面上的顆粒數(shù)目和分布狀態(tài)。測(cè)量結(jié)果列于表4。
實(shí)施例9采用與實(shí)施例8相同的方式，對(duì)使用與實(shí)施例6相同的方式制備的兩個(gè)0.85英寸玻璃基片進(jìn)行清潔和干燥，其不同之處在于，使用與實(shí)施例3相同的擦洗清潔代替實(shí)施例8中進(jìn)行的本發(fā)明清潔法進(jìn)行清潔。本實(shí)施例相當(dāng)于比較例。
采用與實(shí)施例8相同的方法測(cè)量這樣制得的玻璃基片9a和9b的主表面上的顆粒數(shù)目和分布狀態(tài)。測(cè)量結(jié)果列于表4。
在實(shí)施例9中，與實(shí)施例8相比，顆粒的數(shù)量很多，在一個(gè)側(cè)面上(9a的A側(cè))的清潔明顯不充分。另外，在實(shí)施例9中，在一個(gè)側(cè)面上觀察到顆粒向外圍鄰域的不均勻分布，因此可以理解為對(duì)外緣表面上清潔度的提高不充分。
表4

本發(fā)明可有效地用來清潔用于磁盤的玻璃基片磁盤。另外，通過本發(fā)明的清潔方法清潔過的玻璃基片可用于個(gè)人數(shù)字助理之類的小硬盤。
2005年7月19日提交的日本專利申請(qǐng)第2005-208684號(hào)的全文，包括說明書、權(quán)利要求書、附圖和摘要在內(nèi)，全部參考結(jié)合在本文中。
權(quán)利要求
1.一種清潔圓盤形玻璃基片的方法，該方法包括使所述圓盤形玻璃基片繞其中心旋轉(zhuǎn)，并且其主表面處于垂直狀態(tài)，以及使被超聲波輻照過的清潔液沿所述旋轉(zhuǎn)的玻璃基片的外緣表面流下。
2.如權(quán)利要求1所述的清潔圓盤形玻璃基片的方法，其特征在于，所述圓盤形玻璃基片的直徑小于65毫米。
3.如權(quán)利要求1或2所述的清潔圓盤形玻璃基片的方法，其特征在于，所述清潔液是水。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的清潔圓盤形玻璃基片的方法，其特征在于，所述被超聲波輻照過的清潔液開始流下的位置與所述流下的清潔液落到其上的玻璃基片的外緣表面之間的距離最多為20毫米。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的清潔圓盤形玻璃基片的方法，其特征在于，該方法是用于清潔多個(gè)圓盤形玻璃基片的方法，其中，通過以下方法使所述多個(gè)圓盤形玻璃基片繞其中心旋轉(zhuǎn)將所述多個(gè)圓盤形玻璃基片儲(chǔ)存在基片支架中，該支架能夠垂直地支撐這些玻璃基片，而這些玻璃基片的下部露出，并且這些玻璃基片相互隔開；將所述多個(gè)圓盤形玻璃基片支撐在兩個(gè)可旋轉(zhuǎn)的軸上，使得露出的下部的外緣表面與這兩個(gè)可旋轉(zhuǎn)的軸接觸；以及旋轉(zhuǎn)這兩個(gè)可旋轉(zhuǎn)的軸，使得所述圓盤形玻璃基片繞其中心旋轉(zhuǎn)。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的清潔圓盤形玻璃基片的方法，其特征在于，所述圓盤形玻璃基片是用于磁盤的玻璃基片。
7.一種磁盤，它是使用用權(quán)利要求6的清潔圓盤形玻璃基片的方法清潔過的用于磁盤的玻璃基片制成的。
全文摘要
一種清潔圓盤形玻璃基片的方法，該方法包括使所述圓盤形玻璃基片繞其中心旋轉(zhuǎn)，并且其主表面處于垂直狀態(tài)，以及使被超聲波輻照過的清潔液沿所述旋轉(zhuǎn)的玻璃基片的外緣表面流下。
文檔編號(hào)B08B3/04GK1899710SQ200610105939
公開日2007年1月24日 申請(qǐng)日期2006年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月19日
發(fā)明者宮原修, 萬波和夫, 染谷邦之, 丸山勉 申請(qǐng)人:旭硝子株式會(huì)社