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用于流體的細(xì)菌減少的設(shè)備和其使用過程的制作方法_4

文檔序號:9552483閱讀:來源:國知局
2被供給到設(shè)備 1,然后含有細(xì)菌的流體2'在包括殺菌劑22的流體接觸表面上被處理,以便形成具有降低 的細(xì)菌計數(shù)的流體2' '。具有降低的細(xì)菌計數(shù)的流體2' '然后通過出口 14從設(shè)備1去除。 流體2'、2''通過設(shè)備1的流動通過使用圖1的箭頭示意性示出。
[0062] 用于流體中細(xì)菌減少的過程是本領(lǐng)域已知的,例如,如在之前引用的參考書中以 及在由 Lippincott Williams and Wilkins 作為 2001 年第 5 版出版的由 S. S. Block 編 著的"Disinfection, Sterilization, and Preservation"(ISBN 0-683-30740-1)中公 開的那樣。除非另外指示,這種常規(guī)類型的細(xì)菌減少過程的各流體供給流和操作參數(shù)及條 件通??梢栽诒疚牡母鶕?jù)本發(fā)明的細(xì)菌減少過程中使用,并且可以利用設(shè)備1。此外,在特 定的實施例中,本發(fā)明的設(shè)備可以單獨地使用,或與本領(lǐng)域已知的細(xì)菌減少設(shè)備一起使用。 在一個實施例中,本發(fā)明的設(shè)備可以與紫外細(xì)菌減少裝置(諸如HF激勵的氣體放電燈)一起 使用。
[0063] 示例 給出以下示例,以給本領(lǐng)域技術(shù)人員提供對下述方面的詳細(xì)描述,所述方面即:用于流 體2的細(xì)菌減少的設(shè)備1如何處理以降低含有細(xì)菌的流體2'的細(xì)菌計數(shù);并且,本文中要 求保護的用途被評估,但它們并不旨在限制發(fā)明人認(rèn)為是其發(fā)明的范圍。
[0064] 在這些示例中,本發(fā)明的設(shè)備1和過程被成功用在含有大腸桿菌的水樣本的細(xì)菌 計數(shù)減少的典型應(yīng)用中,其中,該水樣本具有的細(xì)菌計數(shù)大大超過通常在本發(fā)明的設(shè)備的 預(yù)見應(yīng)用領(lǐng)域中見到的細(xì)菌計數(shù),即在大約7X 107到7X 10 8細(xì)胞/毫升之間。
[0065] 在工作示例中,Sulzer SMV? DN 15靜態(tài)混合元件30涂布有形式為前述聚合物化 合物的含有殺菌劑的聚合物:聚酰胺(PA)、聚乙烯(PE)、含氟聚合物、或者與作為殺菌劑22 的胍或其衍生物化合的聚氨酯(PU)。涂布是在浸漬涂布過程中進(jìn)行的,其中,靜態(tài)混合元件 30被首先放置在涂布浴池中10秒。在其從浴池中拿出來之后,溶劑蒸發(fā),通過在室溫下處 理靜態(tài)混合元件30達(dá)2小時、接著在65°C下處理2小時以及然后在室溫下處理8小時、之 后在65°C下處理1小時,涂層變硬。得到的靜態(tài)混合元件30因此具有包含殺菌劑22的流 體接觸表面20。設(shè)備1然后使用形式為硅管的外殼10構(gòu)造,硅管包含總共5個涂布?xì)⒕鷦?的靜態(tài)混合元件30。
[0066] 作為比較示例,通過在硅管外殼中構(gòu)造含有殺菌劑顆粒的填料床,直徑為3mm或 5mm并且包括相同的含有殺菌劑的聚合物的顆粒被測試。構(gòu)造填料床,以便具有與上述工作 示例的設(shè)備1相似的含有殺菌劑的活性表面區(qū)域。
[0067] 在靜態(tài)和動態(tài)條件下,進(jìn)行本發(fā)明工作性示例的設(shè)備1的細(xì)菌計數(shù)減少性質(zhì)相對 現(xiàn)有的填料床的比較測試。"空白處"控制示例使用未涂布含有殺菌劑的聚合物的靜態(tài)混合 元件構(gòu)造的設(shè)備進(jìn)行。在工作和比較示例中,關(guān)于細(xì)菌計數(shù),基于通常使用的ISO細(xì)菌計數(shù) 方法使用細(xì)胞增殖實驗來分析被處理流體。
[0068]圖7示出了本發(fā)明的設(shè)備1的實施例(被涂布靜態(tài)混合元件)相對控制設(shè)備(未涂 布靜態(tài)混合元件)的動態(tài)測試中細(xì)菌計數(shù)減少的代表性結(jié)果。在只有5秒的停留時間之后, 細(xì)菌計數(shù)的降低在涂布有含殺菌劑聚合物的被涂布靜態(tài)混合元件30情況下為至少5X 105 的量級,檢測不到任何活性細(xì)菌。在具有未涂布靜態(tài)混合器的空白處控制設(shè)備情況下,沒有 檢測到任何細(xì)菌計數(shù)減少。
[0069] 圖8示出了本發(fā)明的設(shè)備1的實施例(被涂布靜態(tài)混合元件)相對控制設(shè)備(未涂 布靜態(tài)混合元件)的動態(tài)測試中細(xì)菌計數(shù)減少的代表性結(jié)果。被涂布的靜態(tài)混合元件30涂 布了基于PE或者PA的聚合化合物并包含工作示例中的殺菌劑,在這些動態(tài)測試中使用10 秒停留時間。如在之前的示例的情況下那樣,在工作示例的情形中,在10秒之后基本上未 檢測到細(xì)菌計數(shù),而在使用了未涂布靜態(tài)混合元件的控制測試中細(xì)菌計數(shù)基本上是不改變 的。
[0070] 在基于顆粒床的比較示例中,不僅壓力損失明顯高于上文中基于本發(fā)明的設(shè)備1 的實施例的工作示例中的壓力損失,而且細(xì)菌減少在顆粒填料床的情況下比在有相似活性 的含有殺菌劑的表面區(qū)域的工作示例的情況下更差。
[0071] 圖9示出了,基于涂布了殺菌劑的含氟聚合物化合物的鋁,抵抗殺菌劑徙動出模 型靜態(tài)混合元件30的穩(wěn)定性的長期測試。在靜態(tài)條件下,在水中以37°C經(jīng)過95天,通過光 譜學(xué)分析,在涂布了含氟聚合物化合物的靜態(tài)混合元件30或未涂布的空白控制樣本的情 況下,在周圍水中沒有檢測到任何殺菌劑。
[0072] 盡管出于例示目的已經(jīng)陳述了各個實施例,但前述描述不應(yīng)當(dāng)視為對本文范圍的 限制。因此,在不偏離本文中的精神和范圍的情況下,各種修改、變化和替代方式對本領(lǐng)域 技術(shù)人員是容易想到的。
【主權(quán)項】
1. 一種用于流體(2)的細(xì)菌減少的設(shè)備(1),包括: 外殼(10), 入口(12), 出口(14), 流體接觸表面(20 ),所述流體接觸表面(20 )包括實現(xiàn)為降低所述流體(2 )的細(xì)菌計數(shù) 的殺菌劑(22), 其特征在于:所述流體接觸表面(20)是靜態(tài)混合元件(30)的流體接觸表面(20)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備(1 ),其中,所述流體接觸表面(20 )不會向所述流體(2 ) 大量地釋放所述殺菌劑(22 )。3. 根據(jù)權(quán)利要求1到權(quán)利要求2中任一項所述的設(shè)備(1),其中,所述流體接觸表面 (20)包括胍或其衍生物。4. 根據(jù)權(quán)利要求1到權(quán)利要求3中任一項所述的設(shè)備(1),其中,所述流體接觸表面 (20)包括含有殺菌劑的聚合物。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備(1 ),其中,所述含有殺菌劑的聚合物是共聚物,或優(yōu)選 是聚合物化合物。6. 根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求5中任一項所述的設(shè)備(1),其中,所述靜態(tài)混合元件 (30)只在包圍所述流體接觸表面(20)的表面區(qū)域(21)中含有殺菌劑(22)。7. -種使用權(quán)利要求1到權(quán)利要求6中任一項所述的設(shè)備(1)來降低含有細(xì)菌的流體 (2')的細(xì)菌計數(shù)的過程,包括步驟: 將含有細(xì)菌的流體(2')通過所述入口(12)供給到所述設(shè)備(1), 在包括殺菌劑(22)的流體接觸表面上處理所述含有細(xì)菌的流體(2'),以便形成具有 降低的細(xì)菌計數(shù)的流體(2''), 通過所述出口(14)從所述設(shè)備(1)去除具有降低的細(xì)菌計數(shù)的流體(2'')。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中,在所述設(shè)備(1)中的停留時間小于600秒,優(yōu)選 小于180秒,更優(yōu)選小于60秒,甚至更優(yōu)選小于10秒,還要更優(yōu)選小于5秒,以及最優(yōu)選小 于1秒。9. 根據(jù)權(quán)利要求7或權(quán)利要求8所述的方法,其中,所述流體(2')在所述設(shè)備(1)中 的溫度在〇°C和200°C之間,優(yōu)選在10°C到100°C之間,更優(yōu)選在10°C到60°C之間,最優(yōu)選 在20°C到30°C之間。10. 根據(jù)權(quán)利要求7到權(quán)利要求9中任一項所述的方法,其中,所述流體(2')的細(xì)菌含 量在所述過程中降低l〇g〇. 5到log7,優(yōu)選降低log2到log6,最優(yōu)選降低log3到log5。11. 根據(jù)權(quán)利要求7到權(quán)利要求10中任一項所述的方法,其中,在所述過程中,所述流 體(2'')的壓力小于或等于100巴,優(yōu)選小于或等于20巴,更優(yōu)選小于或等于16巴,甚至 更優(yōu)選小于或等于10巴,最優(yōu)選小于或等于6巴。12. 根據(jù)權(quán)利要求7到權(quán)利要求11中任一項所述的方法,其中,所述設(shè)備(1)的活性表 面與體積的比率大于50m2/m3,優(yōu)選大于150m2/m3,更優(yōu)選大于300m2/m3,最優(yōu)選大于600m2/ m3〇13. 根據(jù)權(quán)利要求7到權(quán)利要求12中任一項所述的方法,其中,在所述過程中,所述流 體(2' ')的粘度小于1000帕?秒,優(yōu)選小于10帕?秒,更優(yōu)選小于0. 1帕?秒。14. 根據(jù)權(quán)利要求7到權(quán)利要求13中任一項所述的方法,其中,所述流體(2' ')的壓力 損失小于1巴,優(yōu)選小于〇. 3巴,最優(yōu)選小于0. 1巴。15. 權(quán)利要求1到權(quán)利要求6中任一項所述的設(shè)備(1)在燃油、食品或水凈化的細(xì)菌減 少中的用途,優(yōu)選在廢水凈化、工業(yè)過程用水或飲用水處理的細(xì)菌減少中的用途。
【專利摘要】公開了用于流體的細(xì)菌減少的靜態(tài)脫揮發(fā)設(shè)備(1)。設(shè)備(1)包括外殼(10)、入口(12)、出口(14)、流體接觸表面(20),所述流體接觸表面(20)包括實現(xiàn)為降低所述流體(2)的細(xì)菌計數(shù)的殺菌劑(22),其中,所述流體接觸表面(20)是靜態(tài)混合元件(30)的流體接觸表面(20)。本發(fā)明還涉及使用設(shè)備(1)降低含有細(xì)菌的流體(2’)的細(xì)菌計數(shù)的過程,并且還涉及設(shè)備(1)在燃油、食品或水凈化的細(xì)菌減少中的用途,優(yōu)選在廢水凈化、工業(yè)處理水或飲用水處理的細(xì)菌減少中的用途。
【IPC分類】B01F5/06, A01N25/00, C02F1/50, A61L2/232
【公開號】CN105307688
【申請?zhí)枴緾N201480026177
【發(fā)明人】W.奧伯瓦爾德, S.奧伯瓦爾德, T.米勒, M.韋爾利, S.希爾施貝格
【申請人】蘇舍化學(xué)技術(shù)有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2014年5月6日
【公告號】CA2910504A1, EP2801374A1, EP2981300A1, US20160052806, WO2014180799A1
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