技術(shù)總結(jié)
本公開涉及一種用于制造檢測器元件的方法和裝置。檢測器元件包括位于半導體層的相對側(cè)上的第一電極和第二電極。第一電極和第二電極在垂直于半導體層的平面中彼此錯開。

技術(shù)研發(fā)人員：卡里姆·S·卡里姆;西納·甘巴爾扎德
受保護的技術(shù)使用者：多斯智能成像
文檔號碼：201680001971
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.14
技術(shù)公布日：2017.03.22