本發(fā)明涉及一種對(duì)向處置部供給的高頻電力的輸出進(jìn)行控制的高頻控制單元以及具備該高頻控制單元的高頻處置系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

專利文獻(xiàn)1中公開了如下一種高頻處置系統(tǒng)：向設(shè)置于處置部的兩個(gè)電極部供給高頻電力，使高頻電流流過被夾持在電極部之間的生物體組織等處置對(duì)象，由此對(duì)處置對(duì)象進(jìn)行處置。在該高頻處置系統(tǒng)中，設(shè)置有用于生成向處置部供給的高頻電力的高頻能量生成部(高頻電力生成部)。而且，利用電力量檢測(cè)部隨時(shí)間經(jīng)過檢測(cè)從高頻能量生成部輸出的高頻電力。控制部基于電力量檢測(cè)部的檢測(cè)結(jié)果來隨時(shí)間經(jīng)過計(jì)算所輸出的高頻電力從輸出開始時(shí)起的累計(jì)值(實(shí)測(cè)累計(jì)值)。在計(jì)算出的累計(jì)值超過閾值的時(shí)間點(diǎn)，通過控制部停止從高頻能量生成部輸出高頻電力。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2008-114042號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問題

在上述專利文獻(xiàn)1中，只是與高頻電力的累計(jì)值超過閾值相對(duì)應(yīng)地停止高頻電力的輸出，在高頻電力的累計(jì)值超過閾值之前，不基于高頻電力的累計(jì)值進(jìn)行高頻電力的輸出狀態(tài)的調(diào)整。因此，存在從輸出開始時(shí)起到高頻電力的累計(jì)值達(dá)到閾值為止需要長(zhǎng)的時(shí)間的情況，也存在從輸出開始時(shí)起在短時(shí)間內(nèi)高頻電力的累計(jì)值達(dá)到閾值的情況。即使在所輸出(即向處置部供給)的高頻電力的到輸出停止時(shí)的累計(jì)值相同的情況下，基于高頻電力的處置部的處置性能也會(huì)與供給高頻電力的時(shí)間相對(duì)應(yīng)地變化。另外，在向處置部供給高頻電力的狀態(tài)下，處置性能也會(huì)與所輸出的高頻電力的輸出水平等輸出狀態(tài)相對(duì)應(yīng)地變化。因而，在基于高頻電力的從輸出開始時(shí)到輸出停止時(shí)的累計(jì)量(累計(jì)值)停止高頻電力的輸出的情況下，也有可能根據(jù)供給高頻電力的時(shí)間、高頻電力的輸出狀態(tài)不同而不能適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行處置。

本發(fā)明是著眼于上述課題而完成的，其目的在于提供一種在輸出停止時(shí)之前也基于高頻電力的累計(jì)量來適當(dāng)?shù)乜刂聘哳l電力的輸出狀態(tài)的高頻控制單元。另外，提供一種具備該高頻控制單元的高頻處置系統(tǒng)。

用于解決問題的方案

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的某個(gè)方式是一種在高頻處置系統(tǒng)中使用的高頻控制單元，其具備：高頻電力生成部，其生成向處置部供給的高頻電力；電力檢測(cè)部，其隨時(shí)間經(jīng)過檢測(cè)從所述高頻電力生成部輸出的所述高頻電力；累計(jì)值計(jì)算部，其基于所述電力檢測(cè)部的檢測(cè)結(jié)果來隨時(shí)間經(jīng)過計(jì)算實(shí)測(cè)累計(jì)值，該實(shí)測(cè)累計(jì)值是所輸出的所述高頻電力從輸出開始時(shí)起的累計(jì)值的實(shí)測(cè)值；目標(biāo)軌跡設(shè)定部，其設(shè)定隨時(shí)間經(jīng)過示出目標(biāo)累計(jì)值的目標(biāo)軌跡，該目標(biāo)累計(jì)值是所輸出的所述高頻電力從所述輸出開始時(shí)起的所述累計(jì)值的目標(biāo)值；以及控制部，其隨時(shí)間經(jīng)過對(duì)由所述累計(jì)值計(jì)算部計(jì)算出的所述實(shí)測(cè)累計(jì)值與由所述目標(biāo)軌跡設(shè)定部設(shè)定的所述目標(biāo)軌跡進(jìn)行比較，基于比較結(jié)果來隨時(shí)間經(jīng)過控制從所述高頻電力生成部輸出所述高頻電力的輸出狀態(tài)。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種在輸出停止時(shí)之前也基于高頻電力的累計(jì)量來適當(dāng)?shù)乜刂聘哳l電力的輸出狀態(tài)的高頻控制單元。另外，能夠提供一種具備該高頻控制單元的高頻處置系統(tǒng)。

附圖說明

圖1是示出第一實(shí)施方式所涉及的高頻處置系統(tǒng)的概要圖。

圖2是示出第一實(shí)施方式所涉及的高頻控制單元在處置中的處理的流程圖。

圖3是示出由第一實(shí)施方式所涉及的控制部進(jìn)行的調(diào)整高頻電壓的處理的流程圖。

圖4是示出使用了第一實(shí)施方式所涉及的高頻控制單元的處置中的阻抗的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的一例的概要圖。

圖5是示出使用了第一實(shí)施方式所涉及的高頻控制單元的處置中的高頻電力的目標(biāo)累計(jì)值、高頻電力的實(shí)測(cè)累計(jì)值以及高頻電壓的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的一例的概要圖。

圖6是示出使用了第一實(shí)施方式的第一變形例所涉及的高頻控制單元的處置中的高頻電力的目標(biāo)累計(jì)值、高頻電力的實(shí)測(cè)累計(jì)值以及高頻電壓的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的一例的概要圖。

圖7是示出使用了第一實(shí)施方式的第二變形例所涉及的高頻控制單元的處置中的高頻電力的目標(biāo)累計(jì)值、高頻電力的實(shí)測(cè)累計(jì)值以及高頻電壓的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的一例的概要圖。

圖8是示出第二實(shí)施方式所涉及的高頻控制單元在處置中的處理的流程圖。

圖9是示出使用了第二實(shí)施方式所涉及的高頻控制單元的處置中的高頻電力的目標(biāo)累計(jì)值、高頻電力的實(shí)測(cè)累計(jì)值以及高頻電壓的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的一例的概要圖。

圖10是示出第二實(shí)施方式的第一變形例所涉及的高頻控制單元在處置中的處理的流程圖。

具體實(shí)施方式

(第一實(shí)施方式)

參照?qǐng)D1至圖5來說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式。圖1是示出本實(shí)施方式的高頻處置系統(tǒng)1的圖。如圖1所示，高頻處置系統(tǒng)1具備高頻處置器具2和高頻能量源裝置等高頻控制單元3。高頻處置器具2與高頻控制單元3之間經(jīng)由線纜5相連接。高頻處置器具2具備處置部(末端執(zhí)行器)6，該處置部6被供給高頻電力(高頻電能)P，使用被供給的高頻電力P對(duì)生物體組織等處置對(duì)象H進(jìn)行處置。處置部6設(shè)置有第一電極部7A和第二電極部7B。另外，在高頻處置器具2中設(shè)置有能量操作按鈕等能量操作輸入部8，該能量操作輸入部8被輸入用于使高頻電力P向處置部6供給的能量操作。此外，也可以與高頻處置器具2分開地設(shè)置腳踏開關(guān)等來作為能量操作輸入部(8)。

高頻控制單元3具備控制部11、高頻電力生成部12、輸出測(cè)定部13以及A/D轉(zhuǎn)換部15?？刂撇?1由具備CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)或ASIC(application specific integrated circuit：專用集成電路)的處理器以及存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)部形成，控制高頻控制單元3整體。高頻電力生成部12具備可變直流電源16、波形生成電路等波形生成部17以及包括放大電路的輸出電路18。另外，控制部11具備用于檢測(cè)能量操作的輸入的操作輸入檢測(cè)部21。操作輸入檢測(cè)部21例如由設(shè)置于CPU或ASIC中的電子電路(檢測(cè)電路)形成。在高頻處置器具2例如設(shè)置有通過被輸入能量操作輸入部8的能量操作而開閉狀態(tài)發(fā)生變化的開關(guān)(未圖示)。通過與開關(guān)的開閉狀態(tài)的變化相對(duì)應(yīng)地向操作輸入檢測(cè)部21傳送操作信號(hào)，來檢測(cè)能量操作的輸入。

控制部11基于能量操作的輸入以及已設(shè)定的條件來控制可變直流電源16和波形生成部17。通過輸入能量操作，在控制部11的控制下從可變直流電源16輸出直流電力，并從波形生成部17輸出波形(例如矩形波)。然后，直流電力和波形被傳送到輸出電路18，由此輸出電路18被驅(qū)動(dòng)并生成高頻電力(高頻電能)P。

輸出電路18經(jīng)由第一電路徑22A而與第一電極部7A電連接，經(jīng)由第二電路徑22B而與第二電極部7B電連接。第一電路徑22A和第二電路徑22B從高頻控制單元3穿過線纜5的內(nèi)部和高頻處置器具2而延伸設(shè)置。生成的高頻電力P從輸出電路18輸出，并通過第一電路徑22A和第二電路徑22B而向處置部6的第一電極部7A和第二電極部7B供給。通過被供給高頻電力P，第一電極部7A和第二電極部7B具有互不相同的電位，從而第一電極部7A與第二電極部7B之間被施加高頻電壓V。由此，通過將處置對(duì)象H夾持在第一電極部7A與第二電極部7B之間來使高頻電流I流過處置對(duì)象H。由此，在處置部6中進(jìn)行使用了高頻電力P的處置。

另外，輸出測(cè)定部13具備作為檢測(cè)電路或電流計(jì)的電流檢測(cè)部25以及作為檢測(cè)電路或電壓計(jì)的電壓檢測(cè)部26。電流檢測(cè)部25隨時(shí)間經(jīng)過檢測(cè)通過高頻電力P的輸出而流過包括第一電路徑22A、處置對(duì)象H以及第二電路徑22B的電路的高頻電流I的電流值。另外，電壓檢測(cè)部26隨時(shí)間經(jīng)過檢測(cè)通過高頻電力P的輸出而在第一電極部7A與第二電極部7B之間施加的高頻電壓V(即，第一電路徑22A與第二電路徑22B之間產(chǎn)生的電位差)的電壓值。表示電流檢測(cè)部25的檢測(cè)結(jié)果和電壓檢測(cè)部26的檢測(cè)結(jié)果的檢測(cè)信號(hào)在由模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換電路等形成的A/D轉(zhuǎn)換部15中被從模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)后經(jīng)由總線等接口被傳送到控制部11。

控制部11具備阻抗檢測(cè)部31、電力檢測(cè)部32、累計(jì)值計(jì)算部33以及目標(biāo)軌跡設(shè)定部35。阻抗檢測(cè)部31、電力檢測(cè)部32、累計(jì)值計(jì)算部33以及目標(biāo)軌跡設(shè)定部(基準(zhǔn)軌跡設(shè)定部)35由形成CPU或ASIC的電子電路(檢測(cè)電路、運(yùn)算電路等)形成。電力檢測(cè)部(電力獲取部)32基于電流檢測(cè)部25和電壓檢測(cè)部26的結(jié)果來隨時(shí)間經(jīng)過檢測(cè)(獲取)從高頻電力生成部12(輸出電路18)輸出的高頻電力P。高頻電力P是高頻電流I與高頻電壓V的積。累計(jì)值計(jì)算部33基于電力檢測(cè)部32的檢測(cè)結(jié)果來隨時(shí)間經(jīng)過計(jì)算所輸出的高頻電力P從輸出開始時(shí)起的累計(jì)值W的實(shí)測(cè)值即實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal。此外，高頻電力P的累計(jì)值W為對(duì)高頻電力P進(jìn)行時(shí)間積分所得到的值。

阻抗檢測(cè)部(阻抗獲取部)31基于電流檢測(cè)部25和電壓檢測(cè)部26的檢測(cè)結(jié)果來隨時(shí)間經(jīng)過檢測(cè)(獲取)流過高頻電流I的電路的阻抗(高頻阻抗)Z。阻抗Z為高頻電壓V除以高頻電流I所得到的值。然后，目標(biāo)軌跡設(shè)定部35基于阻抗檢測(cè)部31的檢測(cè)結(jié)果來設(shè)定隨時(shí)間經(jīng)過示出高頻電力P從輸出開始時(shí)起的累計(jì)值W的目標(biāo)值(基準(zhǔn)值)即目標(biāo)累計(jì)值(基準(zhǔn)累計(jì)值)Wref的目標(biāo)軌跡(基準(zhǔn)軌跡)。控制部11隨時(shí)間經(jīng)過對(duì)由累計(jì)值計(jì)算部33計(jì)算出的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與已設(shè)定的目標(biāo)軌跡進(jìn)行比較。然后，控制部11基于比較結(jié)果來經(jīng)由總線等接口控制可變直流電源16和波形生成部17來隨時(shí)間經(jīng)過控制從高頻電力生成部12輸出高頻電力P的輸出狀態(tài)。

接著，對(duì)高頻控制單元3和高頻處置系統(tǒng)1的作用及效果進(jìn)行說明。在處置中，將處置部6插入體內(nèi)，將血管等處置對(duì)象H夾持在第一電極部7A與第二電極部7B之間。在該狀態(tài)下，手術(shù)操作者通過能量操作輸入部8輸入能量操作。

圖2是示出處置中由高頻控制單元3進(jìn)行的處理的流程圖。在處置中，當(dāng)操作輸入檢測(cè)部21檢測(cè)出能量操作輸入部8中的能量操作的輸入時(shí)(步驟S101-“是”(YES))，控制部11控制高頻電力生成部12的可變直流電源16和波形生成部17，高頻電力生成部12(輸出電路18)開始進(jìn)行高頻電力(高頻電能)P的輸出(步驟S102)。由此，向第一電極部7A和第二電極部7B傳送高頻電力P，進(jìn)行使用高頻電力P來使處置對(duì)象H凝固(封閉)的處置。

當(dāng)輸出高頻電力P時(shí)，電流檢測(cè)部25隨時(shí)間經(jīng)過檢測(cè)高頻電流I，電壓檢測(cè)部26隨時(shí)間經(jīng)過檢測(cè)高頻電壓V。然后，阻抗檢測(cè)部31開始基于電流檢測(cè)部25和電壓檢測(cè)部26的檢測(cè)結(jié)果來隨時(shí)間經(jīng)過檢測(cè)流過高頻電流I的電路的阻抗Z(即，處置對(duì)象H的阻抗)(步驟S103)。然后，目標(biāo)軌跡設(shè)定部35基于阻抗檢測(cè)部31的檢測(cè)結(jié)果來設(shè)定隨時(shí)間經(jīng)過示出高頻電力P從輸出開始時(shí)Ts起的累計(jì)值W的目標(biāo)值(基準(zhǔn)值)即目標(biāo)累計(jì)值(基準(zhǔn)累計(jì)值)Wref的目標(biāo)軌跡(基準(zhǔn)軌跡)(步驟S104)。當(dāng)設(shè)定好目標(biāo)軌跡時(shí)，控制部11進(jìn)行基于目標(biāo)軌跡調(diào)整高頻電壓V的處理(步驟S105)。

圖3是示出由控制部11進(jìn)行的調(diào)整高頻電壓V(高頻電力P)的處理(圖2的步驟S105)的流程圖。圖4是示出使用了高頻控制單元3的處置中的阻抗Z的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的一例的圖，圖5是示出處置中的高頻電力P的目標(biāo)累計(jì)值Wref、高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal以及高頻電壓V(輸出水平)的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的一例的圖。在圖4中，橫軸表示時(shí)間T，縱軸表示阻抗Z。另外，在圖5中，橫軸表示時(shí)間T，縱軸表示高頻電力P的累計(jì)值W和高頻電壓V。另外，在圖5中，用實(shí)線表示實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的隨時(shí)間經(jīng)過的變化，用虛線表示目標(biāo)累計(jì)值Wref的隨時(shí)間經(jīng)過的變化，用點(diǎn)劃線表示高頻電壓V的隨時(shí)間經(jīng)過的變化。

在血管等處置對(duì)象H的外表面附著有附著物。因此，在從開始進(jìn)行高頻電力P的輸出的輸出開始時(shí)Ts起到經(jīng)過一定程度的時(shí)間為止去除附著于處置對(duì)象H的附著物，從輸出開始時(shí)Ts起到處置部6(第一電極部7A和第二電極部7B)與處置對(duì)象H的外表面接觸為止需要一定程度的時(shí)間。如圖4所示，在處置部6與處置對(duì)象H的外表面接觸之前(即，在去除附著于處置對(duì)象H的附著物的期間)，阻抗(高頻阻抗)Z隨時(shí)間經(jīng)過減少。然后，在處置部6與處置對(duì)象H的外表面接觸之后(即，在進(jìn)行處置對(duì)象H的凝固和封閉的期間)，阻抗Z隨時(shí)間經(jīng)過增加。因此，在處置部6與處置對(duì)象H的外表面接觸的時(shí)間點(diǎn)，或者在處置部6與處置對(duì)象H的外表面接觸的時(shí)間點(diǎn)的附近，阻抗Z變?yōu)樽钚≈?極小值)Zmin。在圖4中，阻抗Z在時(shí)間Tmin變?yōu)樽钚≈礪min，從輸出開始時(shí)Ts起到阻抗最小時(shí)Tmin為止需要時(shí)間ΔTmin。此外，將阻抗Z從遞減向遞增轉(zhuǎn)變的時(shí)間點(diǎn)檢測(cè)為阻抗Z變?yōu)樽钚〉淖杩棺钚r(shí)Tmin。

在圖2的步驟S104中，目標(biāo)軌跡設(shè)定部35設(shè)定作為停止高頻電力P的輸出的時(shí)間點(diǎn)的目標(biāo)累計(jì)值Wref的目標(biāo)停止累計(jì)值(基準(zhǔn)停止累計(jì)值)We、以及從輸出開始時(shí)Ts起到目標(biāo)累計(jì)值Wref變?yōu)槟繕?biāo)停止累計(jì)值We為止的目標(biāo)停止時(shí)間(基準(zhǔn)停止時(shí)間)ΔTe(即，從輸出開始時(shí)Ts起到停止輸出為止的目標(biāo)時(shí)間)。然后，目標(biāo)軌跡設(shè)定部35基于已設(shè)定的目標(biāo)停止累計(jì)值We和目標(biāo)停止時(shí)間ΔTe來設(shè)定隨時(shí)間經(jīng)過示出高頻電力P的目標(biāo)累計(jì)值Wref的目標(biāo)軌跡。目標(biāo)停止累計(jì)值We和目標(biāo)停止時(shí)間ΔTe是基于阻抗檢測(cè)部31的檢測(cè)結(jié)果設(shè)定的。例如，目標(biāo)軌跡設(shè)定部35基于高頻電力P的輸出開始時(shí)Ts的阻抗Z的值Zs、從輸出開始時(shí)Ts起到阻抗Z變?yōu)樽钚≈礪min為止的阻抗Z的變化的斜率(減少率)σ、以及從輸出開始時(shí)Ts起到阻抗Z變?yōu)樽钚≈礪min為止的時(shí)間ΔTmin中的至少一個(gè)，來設(shè)定目標(biāo)停止累計(jì)值We和目標(biāo)停止時(shí)間ΔTe。此外，在設(shè)置于控制部11的存儲(chǔ)部(未圖示)中存儲(chǔ)有目標(biāo)累計(jì)值Wref的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的圖案互不相同的多個(gè)目標(biāo)軌跡，與阻抗Z的檢測(cè)結(jié)果相對(duì)應(yīng)地從多個(gè)變化的圖案中選擇一個(gè)圖案的目標(biāo)軌跡。另外，使用式(1)來計(jì)算從輸出開始時(shí)Ts起到阻抗最小時(shí)Tmin為止的阻抗Z的變化的斜率σ。

[式1]

$\mathrm{\σ}=\frac{Zmin-Zs}{Tmin-Ts}=\frac{Zmin-Zs}{\mathrm{\Δ}Tmin}---\left(1\right)$

如圖3所示，當(dāng)開始進(jìn)行調(diào)整高頻電壓V的處理(步驟S105)時(shí)，電力檢測(cè)部32基于電流檢測(cè)部25和電壓檢測(cè)部26的檢測(cè)結(jié)果來隨時(shí)間經(jīng)過檢測(cè)從高頻電力生成部12輸出的高頻電力P(步驟S111)。然后，累計(jì)值計(jì)算部33基于電力檢測(cè)部32的檢測(cè)結(jié)果來隨時(shí)間經(jīng)過計(jì)算所輸出的高頻電力P從輸出開始時(shí)Ts起的累計(jì)值W的實(shí)測(cè)值即實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal(步驟S112)。然后，控制部11隨時(shí)間經(jīng)過對(duì)計(jì)算出的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與目標(biāo)軌跡(目標(biāo)累計(jì)值Wref)進(jìn)行比較，基于比較結(jié)果來隨時(shí)間經(jīng)過控制從高頻電力生成部12輸出高頻電力P的輸出狀態(tài)。在本實(shí)施方式中，控制部11通過控制高頻電壓V來控制高頻電力P的輸出狀態(tài)。

在實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal相對(duì)于目標(biāo)軌跡的隨時(shí)間經(jīng)過的比較中，控制部11判斷實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與目標(biāo)累計(jì)值Wref之間的差的絕對(duì)值是否為規(guī)定的閾值εth以下(步驟S113)。即，判斷式(2)是否成立。

[式2]

|Wreal-Wref|≤εth (2)

由此，判斷實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal從目標(biāo)軌跡偏離的程度。在實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與目標(biāo)累計(jì)值Wref之間的差的絕對(duì)值為規(guī)定的閾值εth以下的情況下(即，在式(2)成立的情況下)(步驟S113-“是”)，控制部11通過控制可變直流電源16和波形生成部17來維持通過高頻電力P的輸出而施加的高頻電壓V的大小(步驟S114)。由此，在阻抗Z不變化的情況下，既維持高頻電流I的大小，也維持從高頻電力生成部12輸出的高頻電力P的大小(輸出水平)。另一方面，在實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與目標(biāo)累計(jì)值Wref之間的差的絕對(duì)值大于規(guī)定的閾值εth的情況下(步驟S113-“否”)，判斷實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal是否大于目標(biāo)累計(jì)值Wref(步驟S115)。即，判斷式(3)是否成立。

[式3]

Wreal＞W(wǎng)ref (3)

在實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal大于目標(biāo)累計(jì)值Wref的情況下(步驟S115-“是”)，控制部11通過控制可變直流電源16和波形生成部17來使通過高頻電力P的輸出而施加的高頻電壓V減少(步驟S116)。由此，在阻抗Z不變化的情況下，高頻電流I減少，從高頻電力生成部12輸出的高頻電力P也減少。另一方面，在實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal小于目標(biāo)累計(jì)值Wref的情況下(步驟S115-“否”)，控制部11通過控制可變直流電源16和波形生成部17來使通過高頻電力P的輸出而施加的高頻電壓V增加(步驟S117)。由此，在阻抗Z不變化的情況下，高頻電流I增加，從高頻電力生成部12輸出的高頻電力P也增加。

如圖2所示，在高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal達(dá)到由目標(biāo)軌跡設(shè)定部35設(shè)定的目標(biāo)停止累計(jì)值We之前(步驟S106-“否”)，隨時(shí)間經(jīng)過反復(fù)進(jìn)行調(diào)整高頻電壓V的處理(步驟S105)。因而，在圖5中，在時(shí)間T1與時(shí)間T2之間，實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與目標(biāo)累計(jì)值Wref之間的差的絕對(duì)值大于規(guī)定的閾值εth且實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal小于目標(biāo)累計(jì)值Wref，因此控制部11使高頻電壓V從電壓值V1向電壓值V2增加。由此，高頻電力P增加。另外，在時(shí)間T2與時(shí)間T3之間，實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與目標(biāo)累計(jì)值Wref之間的差的絕對(duì)值為規(guī)定的閾值εth以下，因此控制部11隨時(shí)間經(jīng)過將高頻電壓V維持為電壓值V2。由此，隨時(shí)間經(jīng)過維持高頻電力P的大小。然后，在時(shí)間T3之后，實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與目標(biāo)累計(jì)值Wref之間的差的絕對(duì)值大于規(guī)定的閾值εth且實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal小于目標(biāo)累計(jì)值Wref，因此控制部11使高頻電壓V從電壓值V2向電壓值V3增加。由此，高頻電力P增加。

當(dāng)高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal達(dá)到由目標(biāo)軌跡設(shè)定部35設(shè)定的目標(biāo)停止累計(jì)值We時(shí)(步驟S106-“是”)，控制部11通過控制可變直流電源16和波形生成部17來停止從高頻電力生成部12輸出高頻電力P(步驟S107)。由此，處置結(jié)束。即，在式(4)成立的時(shí)間點(diǎn)，停止高頻電力P的輸出。此外，高頻電力P的輸出停止時(shí)Te是從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了目標(biāo)停止時(shí)間ΔTe后的時(shí)間點(diǎn)，或者是從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了目標(biāo)停止時(shí)間ΔTe后的時(shí)間點(diǎn)的附近的時(shí)間，由于也存在控制的微小差異等，因此該高頻電力P的輸出停止時(shí)Te未必一定與從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了目標(biāo)停止時(shí)間ΔTe后的時(shí)間點(diǎn)一致。

[式4]

Wreal≥We (4)

在本實(shí)施方式中，如上述那樣設(shè)定示出高頻電力P的累計(jì)值W的目標(biāo)值即目標(biāo)累計(jì)值Wref的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的目標(biāo)軌跡。目標(biāo)軌跡示出處置中理想的累計(jì)值W的隨時(shí)間經(jīng)過的變化。而且，在本實(shí)施方式中，基于實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal相對(duì)于目標(biāo)軌跡的比較來調(diào)整高頻電壓V，將高頻電力P的輸出狀態(tài)控制為使實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的隨時(shí)間經(jīng)過的變化從目標(biāo)軌跡的偏離變小的狀態(tài)。因此，在本實(shí)施方式中，輸出高頻電力P的時(shí)間(ΔTe)以及輸出高頻電力P的各個(gè)時(shí)間點(diǎn)的高頻電力P(高頻電壓V)的輸出水平等輸出狀態(tài)被調(diào)整為能夠在處置部6中進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶幹玫臓顟B(tài)。即，在本實(shí)施方式中，在從輸出開始時(shí)Ts起適當(dāng)?shù)妮敵鰰r(shí)間內(nèi)從高頻電力生成部12輸出高頻電力P，并且在輸出停止時(shí)Te之前也將高頻電力P的輸出水平等輸出狀態(tài)調(diào)整為在處置中最佳的狀態(tài)。因而，在本實(shí)施方式中，能夠提供在輸出停止時(shí)Te之前也基于高頻電力P的累計(jì)值W來適當(dāng)?shù)乜刂聘哳l電力P的輸出狀態(tài)的高頻控制單元3，并能夠使用高頻電力P適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行處置。

另外，在本實(shí)施方式中，基于阻抗Z來設(shè)定目標(biāo)停止累計(jì)值We和目標(biāo)停止時(shí)間ΔTe。因此，基于處置對(duì)象H的濕潤(rùn)程度等處置對(duì)象H的狀態(tài)來適當(dāng)?shù)卦O(shè)定目標(biāo)停止累計(jì)值We和目標(biāo)停止時(shí)間ΔTe。而且，基于適當(dāng)?shù)卦O(shè)定的目標(biāo)停止累計(jì)值We和目標(biāo)停止時(shí)間ΔTe來設(shè)定目標(biāo)軌跡。因此，與處置對(duì)象H的濕潤(rùn)程度等狀態(tài)無關(guān)地，表示高頻電力P的目標(biāo)累計(jì)值Wref的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的目標(biāo)軌跡為示出在處置中理想的高頻電力P的累計(jì)值W的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的軌跡。因而，通過基于實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal相對(duì)于已設(shè)定的目標(biāo)軌跡的比較來控制高頻電力P的輸出狀態(tài)，能夠與處置對(duì)象H的狀態(tài)相對(duì)應(yīng)地適當(dāng)?shù)乜刂聘哳l電力P的輸出狀態(tài)。

另外，基于實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal相對(duì)于目標(biāo)軌跡的比較結(jié)果來控制高頻電力P的輸出狀態(tài)，因此高頻電力P的輸出狀態(tài)被調(diào)整為在從高頻電力P的輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了目標(biāo)停止時(shí)間ΔTe的時(shí)間點(diǎn)使高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與目標(biāo)停止累計(jì)值We大致相同的狀態(tài)。因此，在從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了由目標(biāo)軌跡設(shè)定部35設(shè)定的目標(biāo)停止時(shí)間ΔTe的時(shí)間點(diǎn)，或者在從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了目標(biāo)停止時(shí)間ΔTe的時(shí)間點(diǎn)的附近，實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal達(dá)到目標(biāo)停止累計(jì)值We，停止高頻電力P的輸出。因而，能夠?qū)妮敵鲩_始時(shí)Ts起到輸出停止時(shí)Te為止供給高頻電力P的時(shí)間以及從輸出開始時(shí)Ts起到輸出停止時(shí)Te為止的高頻電力P的累計(jì)值W調(diào)整為適于處置的狀態(tài)。

如上述那樣基于高頻電力P的累計(jì)值W來調(diào)整高頻電壓V以進(jìn)行高頻電力P的輸出控制，由此從輸出開始時(shí)(供給開始時(shí))Ts起到輸出停止時(shí)(供給停止時(shí))Te為止始終穩(wěn)定地向處置部6供給高頻電力P。因此，能夠適當(dāng)?shù)厥固幹脤?duì)象H凝固和封閉。

(第一實(shí)施方式的變形例)

基于實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal相對(duì)于目標(biāo)軌跡的比較結(jié)果來調(diào)整高頻電壓V以控制高頻電力P的輸出的處理(圖3所示的處理)的方式并不限于第一實(shí)施方式。例如，在圖6所示的第一實(shí)施方式的第一變形例中，在實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal小于目標(biāo)累計(jì)值(基準(zhǔn)累計(jì)值)Wref、且作為高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的隨時(shí)間經(jīng)過的增加率的實(shí)測(cè)增加率γreal小于目標(biāo)軌跡中的作為目標(biāo)累計(jì)值Wref的隨時(shí)間經(jīng)過的增加率γ的目標(biāo)增加率(基準(zhǔn)增加率)γref的情況下，控制部11基于阻抗Z的檢測(cè)結(jié)果來控制高頻電力P的輸出。此外，圖6示出處置中的高頻電力P的目標(biāo)累計(jì)值Wref、高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal以及高頻電壓V(輸出水平)的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的一例。另外，在圖6中，橫軸表示時(shí)間T，縱軸表示高頻電力P的累計(jì)值W和高頻電壓V。而且，在圖6中，用實(shí)線表示實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的隨時(shí)間經(jīng)過的變化，用虛線表示目標(biāo)累計(jì)值Wref的隨時(shí)間經(jīng)過的變化，用點(diǎn)劃線表示高頻電壓V的隨時(shí)間經(jīng)過的變化。

在本變形例中，在實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal小于目標(biāo)累計(jì)值Wref且實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的實(shí)測(cè)增加率γreal小于目標(biāo)累計(jì)值Wref的目標(biāo)增加率γref的情況下，控制部11判斷阻抗Z是否大于規(guī)定的閾值Zth。當(dāng)阻抗Z大于規(guī)定的閾值Zth時(shí)，雖然增大高頻電壓V，但是通過高頻電力P的輸出而流過的高頻電流I變小。因此，雖然增大高頻電壓V(輸出水平)，但是每單位時(shí)間輸出的高頻電力P變小，從而高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的實(shí)測(cè)增加率γreal也變小。即，當(dāng)阻抗Z變大時(shí)，不能向處置對(duì)象H供給大的高頻電力P，從而不能增大實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的實(shí)測(cè)增加率γreal。因而，在本變形例中，判斷阻抗Z是否大到即使增大高頻電壓V也無法增大供給的高頻電力P的程度。

因此，在本變形例中，當(dāng)阻抗Z大于規(guī)定的閾值Zth時(shí)，控制部11使高頻電壓V(輸出水平)暫時(shí)降低。然后，在以降低高頻電壓V后的狀態(tài)保持了規(guī)定的基準(zhǔn)降低時(shí)間ΔTl之后，使高頻電壓V的大小(輸出水平)向原來恢復(fù)，直到達(dá)到阻抗Z超過規(guī)定的閾值Zth之前(實(shí)測(cè)增加率γreal小于目標(biāo)增加率γref之前)的大小為止。在圖6中，在時(shí)間T4使高頻電壓V從電壓值V4降低到電壓值V5。然后，在時(shí)間T4與時(shí)間T5之間，高頻電壓V維持為電壓值V5。然后，在時(shí)間T5，使高頻電壓V增加到電壓值V6，高頻電壓V恢復(fù)到原來的大小(輸出水平)。

通過使高頻電壓V暫時(shí)降低，流過高頻電流I的電路的阻抗Z變小。由于阻抗Z變小，阻抗Z變?yōu)橐?guī)定的閾值Zth以下。由此，高頻電流I增加，高頻電力P也增加。即，通過使高頻電壓V(高頻電力P的輸出水平)暫時(shí)降低，阻抗Z降低，從而促進(jìn)高頻電力P的供給。由于高頻電力P變大，實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的實(shí)測(cè)增加率γreal也變大。因而，在本變形例中，即使在由于阻抗Z的增加而不能增大高頻電力P的輸出的情況下，也能夠通過如上述那樣控制高頻電力P的輸出來使阻抗Z降低。由此，實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的實(shí)測(cè)增加率γreal變大，從而高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal從目標(biāo)軌跡的偏離被抑制得小。因此，在本變形例中，也能夠從輸出開始時(shí)Ts起到輸出停止時(shí)Te為止始終穩(wěn)定地向處置部6供給高頻電力P，來適當(dāng)?shù)厥固幹脤?duì)象H凝固和封閉。

另外，在本變形例中也與第一實(shí)施方式同樣地，當(dāng)實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal達(dá)到目標(biāo)停止累計(jì)值We時(shí)(即，當(dāng)式(4)成立時(shí))，停止高頻電力P的輸出。在圖6的一例中，在比從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了目標(biāo)停止時(shí)間ΔTe的時(shí)間點(diǎn)(Ts+ΔTe)稍靠后的時(shí)間點(diǎn)，停止高頻電力P的輸出。

另外，在圖7所示的第一實(shí)施方式的第二變形例中也同樣，在實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal小于目標(biāo)累計(jì)值Wref、且作為高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的隨時(shí)間經(jīng)過的增加率的實(shí)測(cè)增加率γreal小于目標(biāo)軌跡中的作為目標(biāo)累計(jì)值Wref的隨時(shí)間經(jīng)過的增加率γ的目標(biāo)增加率γref的情況下，控制部11判斷阻抗Z是否大于規(guī)定的閾值Zth。此外，圖7示出處置中的高頻電力P的目標(biāo)累計(jì)值Wref、高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal以及高頻電壓V(輸出水平)的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的一例。另外，在圖7中，橫軸表示時(shí)間T，縱軸表示高頻電力P的累計(jì)值W和高頻電壓V。而且，在圖7中，用實(shí)線表示實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的隨時(shí)間經(jīng)過的變化，用虛線表示目標(biāo)累計(jì)值Wref的隨時(shí)間經(jīng)過的變化，用點(diǎn)劃線表示高頻電壓V的隨時(shí)間經(jīng)過的變化。

在本變形例中，與第一實(shí)施方式的第一變形例不同，當(dāng)阻抗Z大于規(guī)定的閾值Zth時(shí)，在由控制部11使高頻電壓V(輸出水平)與阻抗Z超過規(guī)定的閾值Zth之前(實(shí)測(cè)增加率γreal小于目標(biāo)增加率γref之前)相比較上下振蕩的狀態(tài)下輸出高頻電力P。在通過控制部11使高頻電壓V振蕩的狀態(tài)下，高頻電壓V的電壓值上下振動(dòng)。在圖7中，在時(shí)間T6切換為高頻電壓V(輸出水平)上下振蕩的狀態(tài)。然后，從時(shí)間T6起到高頻電力P的輸出停止時(shí)Te為止維持使高頻電壓V振蕩的狀態(tài)。

通過使高頻電壓V上下振蕩，流過高頻電流I的電路的阻抗Z變小。由于阻抗Z變小，阻抗Z變?yōu)橐?guī)定的閾值Zth以下。由此，高頻電流I增加，高頻電力P也增加。即，通過使高頻電壓V(高頻電力P的輸出水平)上下振蕩，阻抗Z降低，從而促進(jìn)高頻電力P的供給。在本變形例中也同樣，由于高頻電力P變大，實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的實(shí)測(cè)增加率γreal也變大。因而，在本變形例中也同樣，即使在由于阻抗Z的增加而不能增大高頻電力P的輸出的情況下，也能夠通過如上述那樣控制高頻電力P的輸出來使阻抗Z降低。由此，將實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的實(shí)測(cè)增加率γreal增大，來將高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal從目標(biāo)軌跡的偏離抑制得小。因此，在本變形例中，也能夠從輸出開始時(shí)Ts起到輸出停止時(shí)Te為止始終穩(wěn)定地向處置部6供給高頻電力P，來適當(dāng)?shù)厥固幹脤?duì)象H凝固和封閉。

另外，在本變形例中也與第一實(shí)施方式同樣地，當(dāng)實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal達(dá)到目標(biāo)停止累計(jì)值We時(shí)(即，當(dāng)上述的式(4)成立時(shí))，停止高頻電力P的輸出。在圖7的一例中，在比從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了目標(biāo)停止時(shí)間ΔTe的時(shí)間點(diǎn)(Ts+ΔTe)稍靠后的時(shí)間點(diǎn)，停止高頻電力P的輸出。

另外，在第一實(shí)施方式的某個(gè)變形例中，在圖3的步驟S113中，不進(jìn)行基于實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與目標(biāo)累計(jì)值Wref之間的差的絕對(duì)值的判斷，取而代之地，控制部11判斷實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal是否與目標(biāo)累計(jì)值Wref一致。在該情況下，在實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與目標(biāo)累計(jì)值Wref一致的情況下，維持高頻電壓V(高頻電力P的輸出水平)。另一方面，在實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與目標(biāo)累計(jì)值Wref不一致的情況下，進(jìn)行步驟S115的判斷。

在上述的第一實(shí)施方式及其變形例中，目標(biāo)軌跡設(shè)定部(35)設(shè)定作為停止高頻電力(P)的輸出的時(shí)間點(diǎn)的目標(biāo)累計(jì)值(Wref)的目標(biāo)停止累計(jì)值(We)以及從輸出開始時(shí)(Ts)起到目標(biāo)累計(jì)值(Wref)變?yōu)槟繕?biāo)停止累計(jì)值(We)為止的目標(biāo)停止時(shí)間(ΔTe)，基于目標(biāo)停止累計(jì)值(We)和目標(biāo)停止時(shí)間(ΔTe)設(shè)定目標(biāo)軌跡。然后，控制部(11)從輸出開始時(shí)(Ts)起到輸出停止時(shí)(Te)為止隨時(shí)間經(jīng)過對(duì)由累計(jì)值計(jì)算部(33)計(jì)算出的實(shí)測(cè)累計(jì)值(Wreal)與由目標(biāo)軌跡設(shè)定部(35)設(shè)定的目標(biāo)軌跡進(jìn)行比較，基于比較結(jié)果來隨時(shí)間經(jīng)過控制從高頻電力生成部(12)輸出高頻電力(P)的輸出狀態(tài)。

(第二實(shí)施方式)

接著，參照?qǐng)D8和圖9對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外，第二實(shí)施方式是對(duì)第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)進(jìn)行如下變形而得到的。此外，對(duì)與第一實(shí)施方式相同的部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并省略其說明。

在本實(shí)施方式中也與第一實(shí)施方式同樣，高頻控制單元3具備控制部11、高頻電力生成部12以及輸出測(cè)定部13等。但是，在本實(shí)施方式中，高頻電力生成部12能夠以第一輸出模式和控制部11的控制方法與第一輸出模式不同的第二輸出模式輸出高頻電力P。第一模式下的控制部11的控制方法與第二模式下的控制部11的控制方法不同，因此高頻電力P的輸出狀態(tài)不同，每單位時(shí)間輸出的高頻電力P不同。由于每單位時(shí)間輸出的高頻電力P不同，因此在第一輸出模式和第二輸出模式下，作為高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的隨時(shí)間經(jīng)過的增加率的實(shí)測(cè)增加率γreal互不相同。在本實(shí)施方式中，與第二輸出模式相比，在第一輸出模式下高頻電力P的輸出被控制為實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的實(shí)測(cè)增加率γreal變小的狀態(tài)。

圖8是示出處置中的高頻控制單元3進(jìn)行的處理的流程圖。圖9是示出處置中的高頻電力P的目標(biāo)累計(jì)值(基準(zhǔn)累計(jì)值)Wref、高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal以及高頻電壓V(輸出水平)的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的一例的圖。在圖9中，橫軸表示時(shí)間T，縱軸表示高頻電力P的累計(jì)值W和高頻電壓V。另外，在圖9中，用實(shí)線表示實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的隨時(shí)間經(jīng)過的變化，用虛線表示目標(biāo)累計(jì)值Wref的隨時(shí)間經(jīng)過的變化，用點(diǎn)劃線表示高頻電壓V的隨時(shí)間經(jīng)過的變化。

如圖8所示，在本實(shí)施方式中，當(dāng)操作輸入檢測(cè)部21檢測(cè)出能量操作輸入部8中的能量操作的輸入時(shí)(步驟S121-“是”)，通過控制部11的控制，高頻電力生成部12(輸出電路)18開始以第二輸出模式輸出高頻電力P(步驟S122)。在主要去除附著于處置對(duì)象H的附著物的期間(即，從輸出開始時(shí)Ts起到處置部6與處置對(duì)象H的外表面接觸為止的期間)以第二輸出模式輸出高頻電力P。

當(dāng)開始輸出高頻電力P時(shí)，與第一實(shí)施方式同樣地，阻抗檢測(cè)部31開始基于電流檢測(cè)部25和電壓檢測(cè)部26的檢測(cè)結(jié)果隨時(shí)間經(jīng)過檢測(cè)流過高頻電流I的電路的阻抗Z(步驟S123)。然后，目標(biāo)軌跡設(shè)定部35基于阻抗檢測(cè)部31的檢測(cè)結(jié)果，來設(shè)定隨時(shí)間經(jīng)過示出高頻電力P從輸出開始時(shí)Ts起的累計(jì)值W的目標(biāo)值即目標(biāo)累計(jì)值Wref的目標(biāo)軌跡(步驟S124)。

但是，在本實(shí)施方式中，目標(biāo)軌跡設(shè)定部(基準(zhǔn)軌跡設(shè)定部)35設(shè)定第一目標(biāo)累計(jì)值(目標(biāo)停止累計(jì)值)We和小于第一目標(biāo)累計(jì)值We的第二目標(biāo)累計(jì)值(目標(biāo)切換累計(jì)值)Wc來作為高頻電力P的目標(biāo)累計(jì)值Wref。另外，目標(biāo)軌跡設(shè)定部35對(duì)從輸出開始時(shí)Ts起到達(dá)到第一目標(biāo)累計(jì)值We為止的第一目標(biāo)時(shí)間(目標(biāo)停止時(shí)間)ΔTe以及從輸出開始時(shí)Ts起到達(dá)到第二目標(biāo)累計(jì)值Wc為止的第二目標(biāo)時(shí)間(目標(biāo)切換時(shí)間)ΔTc進(jìn)行設(shè)定。然后，目標(biāo)軌跡設(shè)定部35基于已設(shè)定的第一目標(biāo)累計(jì)值(第一基準(zhǔn)累計(jì)值)We、第二目標(biāo)累計(jì)值(第二基準(zhǔn)累計(jì)值)Wc、第一目標(biāo)時(shí)間(第一基準(zhǔn)時(shí)間)ΔTe以及第二目標(biāo)時(shí)間(第二基準(zhǔn)時(shí)間)ΔTc，來設(shè)定隨時(shí)間經(jīng)過示出高頻電力P的目標(biāo)累計(jì)值Wref的目標(biāo)軌跡。第一目標(biāo)累計(jì)值We、第二目標(biāo)累計(jì)值Wc、第一目標(biāo)時(shí)間ΔTe以及第二目標(biāo)時(shí)間ΔTc是基于阻抗檢測(cè)部31的檢測(cè)結(jié)果設(shè)定的。例如，目標(biāo)軌跡設(shè)定部35基于高頻電力P的輸出開始時(shí)Ts的阻抗Z的值Zs、從輸出開始時(shí)Ts起到阻抗Z變?yōu)樽钚≈礪min為止的阻抗Z的變化的斜率(減少率)σ以及從輸出開始時(shí)Ts起到阻抗Z變?yōu)樽钚≈礪min為止的時(shí)間ΔTmin中的至少一個(gè)，來設(shè)定第一目標(biāo)累計(jì)值We、第二目標(biāo)累計(jì)值Wc、第一目標(biāo)時(shí)間ΔTe以及第二目標(biāo)時(shí)間ΔTc。

目標(biāo)軌跡設(shè)定部35將目標(biāo)軌跡設(shè)定為如下狀態(tài)：從第二目標(biāo)累計(jì)值Wc起到第一目標(biāo)累計(jì)值We為止目標(biāo)累計(jì)值Wref以第一目標(biāo)增加率(第一基準(zhǔn)增加率)γref1隨時(shí)間經(jīng)過增加。而且，目標(biāo)軌跡設(shè)定部35將目標(biāo)軌跡設(shè)定為如下狀態(tài)：從高頻電力P的輸出開始時(shí)Ts起到第二目標(biāo)累計(jì)值Wc為止目標(biāo)累計(jì)值Wref以與第一目標(biāo)增加率γref1不同的第二目標(biāo)增加率(第二基準(zhǔn)增加率)γref2隨時(shí)間經(jīng)過增加。在本實(shí)施方式中，第一目標(biāo)增加率γref1小于第二目標(biāo)增加率γref2。因此，在圖9所示的目標(biāo)累計(jì)值Wref的目標(biāo)軌跡中，從第二目標(biāo)累計(jì)值Wc到第一目標(biāo)累計(jì)值We為止的期間內(nèi)的軌跡的斜率小于從輸出開始時(shí)Ts起到第二目標(biāo)累計(jì)值Wc為止的期間內(nèi)的軌跡的斜率。

當(dāng)設(shè)定好目標(biāo)軌跡時(shí)，控制部11進(jìn)行基于目標(biāo)軌跡調(diào)整高頻電壓V的處理(步驟S125)。調(diào)整高頻電壓V的處理是以與第一實(shí)施方式同樣的方式(即，如圖3的流程圖所示那樣)進(jìn)行的。此時(shí)，以實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的實(shí)測(cè)增加率γreal高的第二輸出模式輸出高頻電力P。在第二輸出模式下，高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的實(shí)測(cè)增加率γreal(每單位時(shí)間輸出的高頻電力P)變大，因此迅速地進(jìn)行附著物的去除。如上述那樣，在高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal從輸出開始時(shí)Ts起向第二目標(biāo)累計(jì)值(第二基準(zhǔn)累計(jì)值)Wc基于與目標(biāo)軌跡之間的比較結(jié)果而隨時(shí)間經(jīng)過增加的狀態(tài)下，控制部11使高頻電力生成部12以第二輸出模式輸出高頻電力P。此外，也可以如第一實(shí)施方式的變形例中所述的那樣調(diào)整高頻電壓V。

如圖8所示，在高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal達(dá)到由目標(biāo)軌跡設(shè)定部35設(shè)定的第二目標(biāo)累計(jì)值(目標(biāo)切換累計(jì)值)Wc之前(步驟S126-“否”)，以第二輸出模式輸出高頻電力P，并且隨時(shí)間經(jīng)過反復(fù)進(jìn)行調(diào)整高頻電壓V的處理(步驟S125)。因而，在圖9中，在時(shí)間T7與時(shí)間T8之間，實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與目標(biāo)累計(jì)值Wref之間的差的絕對(duì)值大于規(guī)定的閾值εth且實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal小于目標(biāo)累計(jì)值Wref，因此控制部11使高頻電壓V從電壓值V7向電壓值V8增加。由此，高頻電力P增加。另外，在時(shí)間T8與時(shí)間(模式切換時(shí))Tc之間，實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與目標(biāo)累計(jì)值Wref之間的差的絕對(duì)值為規(guī)定的閾值εth以下，因此控制部11隨時(shí)間經(jīng)過將高頻電壓V維持為電壓值V8。由此，隨時(shí)間經(jīng)過維持高頻電力P的大小。

當(dāng)高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal達(dá)到由目標(biāo)軌跡設(shè)定部35設(shè)定的第二目標(biāo)累計(jì)值Wc時(shí)(步驟S126-“是”)，控制部11通過控制可變直流電源16和波形生成部17來將高頻電力生成部12的高頻電力P的輸出從第二輸出模式切換為第一輸出模式(步驟S127)。即，在式(5)成立的時(shí)間點(diǎn)，高頻電力P的輸出被切換為第一輸出模式。此外，高頻電力P的模式切換時(shí)Tc是從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了第二目標(biāo)時(shí)間(目標(biāo)切換時(shí)間)ΔTc的時(shí)間點(diǎn)，或者是從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了第二目標(biāo)時(shí)間ΔTc的時(shí)間點(diǎn)的附近的時(shí)間，由于也存在控制的微小差異等，因此該高頻電力P的模式切換時(shí)Tc未必一定與從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了第二目標(biāo)時(shí)間ΔTc的時(shí)間點(diǎn)一致。

[式5]

Wreal≥Wc (5)

在處置部6與處置對(duì)象H的外表面接觸之后，以第一輸出模式輸出高頻電力P。高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的實(shí)測(cè)增加率γreal(每單位時(shí)間輸出的高頻電力P)在第一輸出模式下比在第二輸出模式下小，從而適當(dāng)?shù)叵蛱幹脤?duì)象H供給高頻電力P(高頻電流I)。在圖9所示的一例中，在模式切換時(shí)Tc從第二輸出模式切換為第一輸出模式，控制部11使高頻電壓V(輸出水平)從電壓值V8減少到電壓值V9。由此，與第二輸出模式相比，在第一輸出模式下，每單位時(shí)間輸出的高頻電力P變小，從而高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的實(shí)測(cè)增加率γreal變小。

如上述那樣，在本實(shí)施方式中，在輸出開始時(shí)Ts以后，在以第二輸出模式輸出高頻電力P之后以第一輸出模式輸出高頻電力P。而且，在第一輸出模式和第二輸出模式下，均基于實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal相對(duì)于目標(biāo)軌跡的比較結(jié)果來控制高頻電力P的輸出狀態(tài)。但是，控制部11在第二輸出模式下將目標(biāo)軌跡的目標(biāo)累計(jì)值Wref以第二目標(biāo)增加率γref2增加的部分與實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal進(jìn)行比較，與此相對(duì)，控制部11在第一輸出模式下將目標(biāo)軌跡的目標(biāo)累計(jì)值Wref以第一目標(biāo)增加率γref1增加的部分與實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal進(jìn)行比較。因此，在第一輸出模式和第二輸出模式下，控制部11的控制方法不同，高頻電力P的輸出狀態(tài)互不相同。

在高頻電力P的輸出狀態(tài)被切換為第一輸出模式之后，控制部11也進(jìn)行基于目標(biāo)軌跡調(diào)整高頻電壓V的處理(步驟S128)。此時(shí)，也以與第一實(shí)施方式同樣的方式(即，如圖3的流程圖所示的那樣)進(jìn)行處理。因而，在本實(shí)施方式中，在高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal從第二目標(biāo)累計(jì)值Wc向第一目標(biāo)累計(jì)值We基于與目標(biāo)軌跡之間的比較結(jié)果而隨時(shí)間經(jīng)過增加的狀態(tài)下，控制部11以第一輸出模式使高頻電力生成部12輸出高頻電力P。此外，也可以如第一實(shí)施方式的變形例中所述的那樣調(diào)整高頻電壓V。

如圖8所示，在高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal達(dá)到由目標(biāo)軌跡設(shè)定部35設(shè)定的第一目標(biāo)累計(jì)值(目標(biāo)停止累計(jì)值)We之前(步驟S129-“否”)，以第一輸出模式輸出高頻電力P，并且隨時(shí)間經(jīng)過反復(fù)進(jìn)行調(diào)整高頻電壓V的處理(步驟S128)。因而，在圖9中，在時(shí)間T9與時(shí)間T10之間，實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與目標(biāo)累計(jì)值Wref之間的差的絕對(duì)值大于規(guī)定的閾值εth且實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal大于目標(biāo)累計(jì)值Wref，因此控制部11使高頻電壓V從電壓值V9向電壓值V10減少。由此，高頻電力P減少。另外，在時(shí)間T10與時(shí)間(輸出停止時(shí))Te之間，實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與目標(biāo)累計(jì)值Wref之間的差的絕對(duì)值為規(guī)定的閾值εth以下，因此控制部11隨時(shí)間經(jīng)過將高頻電壓V維持為電壓值V10。由此，隨時(shí)間經(jīng)過維持高頻電力P的大小。

當(dāng)高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal達(dá)到由目標(biāo)軌跡設(shè)定部35設(shè)定的第一目標(biāo)累計(jì)值We時(shí)(步驟S129-“是”)，控制部11通過控制可變直流電源16和波形生成部17來停止從高頻電力生成部12輸出高頻電力P(步驟S130)。即，在上述的式(4)成立的時(shí)間點(diǎn)，停止高頻電力P的輸出。此外，高頻電力P的輸出停止時(shí)Te是從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了第一目標(biāo)時(shí)間(目標(biāo)停止時(shí)間)ΔTe的時(shí)間點(diǎn)，或者是從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了第一目標(biāo)時(shí)間ΔTe的時(shí)間點(diǎn)的附近的時(shí)間，由于也存在控制的微小差異等，因此該高頻電力P的輸出停止時(shí)Te未必一定與從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了第一目標(biāo)時(shí)間ΔTe的時(shí)間點(diǎn)一致。

在本實(shí)施方式中也與第一實(shí)施方式同樣地，設(shè)定示出高頻電力P的累計(jì)值W的目標(biāo)值即目標(biāo)累計(jì)值Wref的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的目標(biāo)軌跡。而且，在本實(shí)施方式中，基于實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal相對(duì)于目標(biāo)軌跡的比較來調(diào)整高頻電壓V，將高頻電力P的輸出狀態(tài)控制為使實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal的隨時(shí)間經(jīng)過的變化從目標(biāo)軌跡的偏離變小的狀態(tài)。因此，在本實(shí)施方式中，輸出高頻電力P的時(shí)間(ΔTe)和輸出高頻電力P的各個(gè)時(shí)間點(diǎn)的高頻電力P(高頻電壓V)的輸出水平等輸出狀態(tài)被調(diào)整為能夠在處置部6中進(jìn)行適當(dāng)?shù)奶幹玫臓顟B(tài)。因而，在本實(shí)施方式中，也能夠提供在輸出停止時(shí)Te之前也基于高頻電力P的累計(jì)值W來適當(dāng)?shù)乜刂聘哳l電力P的輸出狀態(tài)的高頻控制單元3，能夠使用高頻電力P適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行處置。

另外，在本實(shí)施方式中，目標(biāo)軌跡設(shè)定部35設(shè)定第一目標(biāo)累計(jì)值We和小于第一目標(biāo)累計(jì)值We的第二目標(biāo)累計(jì)值Wc來作為高頻電力P的目標(biāo)累計(jì)值。而且，目標(biāo)軌跡被設(shè)定為如下狀態(tài)：從第二目標(biāo)累計(jì)值Wc起到第一目標(biāo)累計(jì)值We為止目標(biāo)累計(jì)值Wref以第一目標(biāo)增加率γref1隨時(shí)間經(jīng)過增加，并且從輸出開始時(shí)Ts起到第二目標(biāo)累計(jì)值Wc為止目標(biāo)累計(jì)值Wref以與第一目標(biāo)增加率γref1不同的第二目標(biāo)增加率γref2隨時(shí)間經(jīng)過增加。例如，在處置對(duì)象H附著有附著物的情況下，需要在從輸出開始時(shí)Ts起到輸出停止時(shí)Te為止的期間內(nèi)切換高頻電力P的輸出模式。在本實(shí)施方式中，如上述那樣設(shè)定目標(biāo)軌跡，因此在需要在從輸出開始時(shí)Ts起到輸出停止時(shí)Te為止的期間內(nèi)切換高頻電力P的輸出模式的情況下，也能夠通過目標(biāo)軌跡表示處置中理想的累計(jì)值W的隨時(shí)間經(jīng)過的變化。因而，通過基于高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal相對(duì)于如上述那樣設(shè)定的目標(biāo)軌跡的比較結(jié)果來控制高頻電力P的輸出狀態(tài)，在需要在從輸出開始時(shí)Ts起到輸出停止時(shí)Te為止的期間內(nèi)切換高頻電力P的輸出模式的情況下，也能夠?qū)⒏哳l電力P的輸出水平等輸出狀態(tài)調(diào)整為在處置中最佳的狀態(tài)，并能夠使用高頻電力P適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行處置。

另外，在本實(shí)施方式中，基于阻抗Z來設(shè)定第一目標(biāo)累計(jì)值(目標(biāo)停止累計(jì)值)We、第二目標(biāo)累計(jì)值(目標(biāo)切換累計(jì)值)Wc、第一目標(biāo)時(shí)間(目標(biāo)停止時(shí)間)ΔTe以及第二目標(biāo)時(shí)間(目標(biāo)切換時(shí)間)ΔTc。因此，基于處置對(duì)象H的濕潤(rùn)程度等處置對(duì)象H的狀態(tài)來適當(dāng)?shù)卦O(shè)定第一目標(biāo)累計(jì)值We、第二目標(biāo)累計(jì)值Wc、第一目標(biāo)時(shí)間ΔTe以及第二目標(biāo)時(shí)間ΔTc。而且，基于適當(dāng)?shù)卦O(shè)定的第一目標(biāo)累計(jì)值We、第二目標(biāo)累計(jì)值Wc、第一目標(biāo)時(shí)間ΔTe以及第二目標(biāo)時(shí)間ΔTc來設(shè)定目標(biāo)軌跡。因此，與處置對(duì)象H的濕潤(rùn)程度等狀態(tài)無關(guān)地，表示高頻電力P的目標(biāo)累計(jì)值Wref的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的目標(biāo)軌跡為示出在處置中理想的高頻電力P的累計(jì)值W的隨時(shí)間經(jīng)過的變化的軌跡。因而，通過基于實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal相對(duì)于已設(shè)定的目標(biāo)軌跡的比較來控制高頻電力P的輸出狀態(tài)，能夠與處置對(duì)象H的狀態(tài)相對(duì)應(yīng)地適當(dāng)?shù)乜刂聘哳l電力P的輸出狀態(tài)。

另外，基于實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal相對(duì)于目標(biāo)軌跡的比較結(jié)果來控制高頻電力P的輸出狀態(tài)，因此高頻電力P的輸出狀態(tài)被調(diào)整為在從高頻電力P的輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了第二目標(biāo)時(shí)間(目標(biāo)切換時(shí)間)ΔTc的時(shí)間點(diǎn)使高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與第二目標(biāo)累計(jì)值(目標(biāo)切換累計(jì)值)Wc大致相同的狀態(tài)。因此，在從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了由目標(biāo)軌跡設(shè)定部35設(shè)定的第二目標(biāo)時(shí)間ΔTc的時(shí)間點(diǎn)，或者在從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了第二目標(biāo)時(shí)間ΔTc的時(shí)間點(diǎn)的附近，實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal達(dá)到第二目標(biāo)累計(jì)值Wc，高頻電力P的輸出從第二輸出模式切換為第一輸出模式。因而，能夠?qū)妮敵鲩_始時(shí)Ts起到模式切換時(shí)Tc為止以第二輸出模式供給高頻電力P的時(shí)間以及從輸出開始時(shí)Ts起到模式切換時(shí)Tc為止的第二輸出模式下的高頻電力P的累計(jì)值(累計(jì)量)W調(diào)整為適于處置的狀態(tài)。

同樣地，基于實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal相對(duì)于目標(biāo)軌跡的比較結(jié)果來控制高頻電力P的輸出狀態(tài)，因此高頻電力P的輸出狀態(tài)被調(diào)整為在從高頻電力P的輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了第一目標(biāo)時(shí)間(目標(biāo)停止時(shí)間)ΔTe的時(shí)間點(diǎn)使高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal與第一目標(biāo)累計(jì)值(目標(biāo)停止累計(jì)值)We大致相同的狀態(tài)。因此，在從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了由目標(biāo)軌跡設(shè)定部35設(shè)定的第一目標(biāo)時(shí)間ΔTe的時(shí)間點(diǎn)，或者在從輸出開始時(shí)Ts起經(jīng)過了第一目標(biāo)時(shí)間ΔTe的時(shí)間點(diǎn)的附近，實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal達(dá)到第一目標(biāo)累計(jì)值We，停止高頻電力P的輸出。因而，能夠?qū)妮敵鲩_始時(shí)Ts起到輸出停止時(shí)Te為止供給高頻電力P的時(shí)間以及從輸出開始時(shí)Ts起到輸出停止時(shí)Te為止的高頻電力P的累計(jì)值W調(diào)整為適于處置的狀態(tài)。

如上述那樣，在本實(shí)施方式中也與第一實(shí)施方式同樣，基于高頻電力P的累計(jì)值W調(diào)整高頻電壓V，以進(jìn)行高頻電力P的輸出控制，由此能夠從輸出開始時(shí)Ts起到輸出停止時(shí)Te為止始終穩(wěn)定地向處置部6供給高頻電力P。因此，能夠適當(dāng)?shù)厥固幹脤?duì)象H凝固和封閉。

(第二實(shí)施方式的變形例)

此外，在第二實(shí)施方式中，基于實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal達(dá)到第二目標(biāo)累計(jì)值Wc而將高頻電力P的輸出切換為第一輸出模式，但并不限于此。例如，在圖10所示的第二實(shí)施方式的第一變形例中，控制部11基于阻抗檢測(cè)部31中的阻抗Z的檢測(cè)結(jié)果來將從高頻電力生成部12輸出高頻電力P的輸出狀態(tài)從第二輸出模式切換為第一輸出模式。

圖10是示出處置中的高頻控制單元3進(jìn)行的處理的流程圖。如圖10所示，在本變形例中也同樣，當(dāng)檢測(cè)到能量操作的輸入時(shí)(步驟S131-“是”)，通過控制部11的控制，高頻電力生成部12以第二輸出模式開始進(jìn)行高頻電力P的輸出(步驟S132)，阻抗檢測(cè)部31開始進(jìn)行阻抗Z的檢測(cè)(步驟S133)。

在本變形例中，在輸出開始時(shí)Ts之后，當(dāng)檢測(cè)出阻抗Z變?yōu)樽钚≈礪min的阻抗最小時(shí)Tmin(參照?qǐng)D4)時(shí)(步驟S134-“是”)，控制部11將高頻電力生成部12的高頻電力P的輸出從第二輸出模式切換為第一輸出模式(步驟S135)。即，基于阻抗Z變?yōu)榱俗钚≈礪min，而將高頻電力P的輸出狀態(tài)切換為第一輸出模式。如第一實(shí)施方式中所述的那樣，在處置部6與處置對(duì)象H的外表面接觸的時(shí)間點(diǎn)，或者在處置部6與處置對(duì)象H的外表面接觸的時(shí)間點(diǎn)的附近，阻抗Z變?yōu)樽钚≈?極小值)Zmin。因此，在附著于處置對(duì)象H的附著物的去除完成而處置部6開始接觸到處置對(duì)象H的外表面的適當(dāng)?shù)臅r(shí)刻，高頻電力P的輸出狀態(tài)被切換為第一輸出模式。

當(dāng)切換為第一輸出模式時(shí)，目標(biāo)軌跡設(shè)定部35基于阻抗檢測(cè)部31的檢測(cè)結(jié)果來設(shè)定隨時(shí)間經(jīng)過示出高頻電力P從輸出開始時(shí)Ts起的累計(jì)值W的目標(biāo)值即目標(biāo)累計(jì)值Wref的目標(biāo)軌跡(步驟S136)。在某個(gè)實(shí)施例中，與第二實(shí)施方式同樣地，由目標(biāo)軌跡設(shè)定部35設(shè)定第一目標(biāo)累計(jì)值(目標(biāo)停止累計(jì)值)We、第二目標(biāo)累計(jì)值(目標(biāo)切換累計(jì)值)Wc、從輸出開始時(shí)Ts起到達(dá)到第一目標(biāo)累計(jì)值We為止的第一目標(biāo)時(shí)間(目標(biāo)停止時(shí)間)ΔTe、以及從輸出開始時(shí)Ts起到達(dá)到第二目標(biāo)累計(jì)值Wc為止的第二目標(biāo)時(shí)間(目標(biāo)切換時(shí)間)ΔTc。然后，目標(biāo)軌跡設(shè)定部35基于已設(shè)定的第一目標(biāo)累計(jì)值We、第二目標(biāo)累計(jì)值Wc、第一目標(biāo)時(shí)間ΔTe以及第二目標(biāo)時(shí)間ΔTc，來設(shè)定隨時(shí)間經(jīng)過示出高頻電力P的目標(biāo)累計(jì)值Wref的目標(biāo)軌跡。此時(shí)，不需要設(shè)定從輸出開始時(shí)Ts起到目標(biāo)累計(jì)值Wref達(dá)到第一目標(biāo)累計(jì)值We為止的目標(biāo)軌跡，只要至少在第二目標(biāo)累計(jì)值Wc與第一目標(biāo)累計(jì)值We之間設(shè)定目標(biāo)軌跡即可。

另外，在其它某個(gè)實(shí)施例中，目標(biāo)軌跡設(shè)定部35設(shè)定停止高頻電力P的輸出的第一目標(biāo)累計(jì)值即目標(biāo)停止累計(jì)值We以及從輸出開始時(shí)Ts起到達(dá)到目標(biāo)停止累計(jì)值We為止的第一目標(biāo)時(shí)間即目標(biāo)停止時(shí)間ΔTe。另外，從累計(jì)值計(jì)算部33獲取切換為第一輸出模式的時(shí)間點(diǎn)Tc(阻抗Z變?yōu)樽钚≈礪min的時(shí)間點(diǎn))的高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal來作為切換時(shí)累計(jì)值(第二目標(biāo)累計(jì)值)Wc。然后，設(shè)定從切換時(shí)累計(jì)值Wc起到目標(biāo)停止累計(jì)值We為止隨時(shí)間經(jīng)過增加的目標(biāo)軌跡。

當(dāng)設(shè)定好目標(biāo)軌跡時(shí)，與第二實(shí)施方式同樣地，控制部11進(jìn)行基于目標(biāo)軌跡調(diào)整高頻電壓V的處理(步驟S137)。此時(shí)，以與第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式同樣的方式(即，如圖3的流程圖所示那樣)進(jìn)行處理。此時(shí)，以第一輸出模式輸出高頻電力P。因而，在本變形例中，在高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal從第二目標(biāo)累計(jì)值(切換時(shí)累計(jì)值)Wc向第一目標(biāo)累計(jì)值(目標(biāo)停止累計(jì)值)We基于與目標(biāo)軌跡之間的比較結(jié)果而隨時(shí)間經(jīng)過增加的狀態(tài)下，控制部11使高頻電力生成部12以第一輸出模式輸出高頻電力P。即，在第一輸出模式下，控制部11基于實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal相對(duì)于目標(biāo)軌跡的比較結(jié)果來控制高頻電力P的輸出狀態(tài)。此外，也可以如第一實(shí)施方式的變形例中所述的那樣調(diào)整高頻電壓V。

當(dāng)高頻電力P的實(shí)測(cè)累計(jì)值Wreal達(dá)到由目標(biāo)軌跡設(shè)定部35設(shè)定的第一目標(biāo)累計(jì)值We時(shí)(步驟S138-“是”)，與第二實(shí)施方式同樣地，控制部11通過控制可變直流電源16和波形生成部17來停止從高頻電力生成部12輸出高頻電力P(步驟S139)。

在上述的第二實(shí)施方式及其變形例中，高頻電力生成部(12)能夠以第一輸出模式和控制部(11)的控制方法與第一輸出模式不同的第二輸出模式輸出高頻電力(P)，在輸出開始時(shí)(Ts)以后，高頻電力生成部(12)在以第二輸出模式輸出高頻電力(P)之后以第一輸出模式輸出高頻電力(P)。而且，控制部(11)至少在第一輸出模式下基于實(shí)測(cè)累計(jì)值(Wreal)相對(duì)于目標(biāo)軌跡的比較結(jié)果來控制高頻電力(P)的輸出狀態(tài)。

(其它變形例)

此外，在上述的實(shí)施方式中，向處置部6僅供給高頻電力P，但除了供給高頻電力P以外，也可以向處置部6供給超聲波振蕩、熱等其它處置能量。

在包括第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式在內(nèi)的上述的實(shí)施方式等中，高頻控制單元(3)具備：高頻電力生成部(12)，其生成向處置部(6)供給的高頻電力(P)；電力檢測(cè)部(32)，其隨時(shí)間經(jīng)過檢測(cè)從高頻電力生成部(12)輸出的高頻電力(P)；以及累計(jì)值計(jì)算部(33)，其基于電力檢測(cè)部(32)的檢測(cè)結(jié)果來隨時(shí)間經(jīng)過計(jì)算實(shí)測(cè)累計(jì)值(Wreal)，該實(shí)測(cè)累計(jì)值(Wreal)是所輸出的高頻電力(P)從輸出開始時(shí)(Ts)起的累計(jì)值的實(shí)測(cè)值。而且，高頻控制單元(3)具備：目標(biāo)軌跡設(shè)定部(35)，其設(shè)定隨時(shí)間經(jīng)過示出目標(biāo)累計(jì)值(Wref)的目標(biāo)軌跡，該目標(biāo)累計(jì)值(Wref)是所輸出的高頻電力(P)從輸出開始時(shí)(Ts)起的累計(jì)值的目標(biāo)值；以及控制部(11)，其隨時(shí)間經(jīng)過對(duì)由累計(jì)值計(jì)算部(33)計(jì)算出的實(shí)測(cè)累計(jì)值(Wreal)與由目標(biāo)軌跡設(shè)定部(35)設(shè)定的目標(biāo)軌跡進(jìn)行比較，基于比較結(jié)果來隨時(shí)間經(jīng)過控制從高頻電力生成部(12)輸出高頻電力(P)的輸出狀態(tài)。

以上，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式等進(jìn)行了說明，但是不言而喻的是，本發(fā)明并不限定于上述的實(shí)施方式等，在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變形。