一個(gè)方面涉及一種用于可植入醫(yī)療裝置的饋通裝置。饋通建立醫(yī)療裝置的氣密密封的內(nèi)部與外部之間的電連接。已知的可植入治療裝置包括心臟起搏器或除顫器，其通常包括氣密密封的金屬殼體，該金屬殼體在一側(cè)設(shè)置有連接體，也稱為集管。所述連接體包括用于連接電極引線的連接插口。在這個(gè)背景下，連接插口包括電接點(diǎn)，其用于將電極引線電連接到可植入治療裝置（也稱為可植入裝置）的殼體內(nèi)部中的控制電子裝置。用于此類電襯套的基本先決條件是相對(duì)于周圍環(huán)境的氣密密封。

因此，需要確保被引入到絕緣元件中且電信號(hào)經(jīng)由其前進(jìn)的導(dǎo)線在沒(méi)有任何間隙的情況下被引入到絕緣元件中。在這個(gè)背景下，已經(jīng)證明不利的是導(dǎo)線通常由金屬制成且需要被引入到陶瓷絕緣元件中。為了確保兩個(gè)元件之間的持久連接，必須將絕緣元件的鉆孔的內(nèi)表面金屬化以便將導(dǎo)線焊接到其中。絕緣元件中的鉆孔內(nèi)部的所述金屬化已被證明是難以施加的。只能借助于昂貴的程序來(lái)確保絕緣元件中的鉆孔的內(nèi)表面的均勻金屬化。替代地或者除此之外，可使用銅焊來(lái)將導(dǎo)線連接到絕緣元件。然而，金屬化和銅焊兩者都會(huì)隨時(shí)間推移而導(dǎo)致泄漏。

由于這些及其它原因，需要本發(fā)明。

附圖說(shuō)明

所包括的附圖提供了實(shí)施例的進(jìn)一步理解并被結(jié)合在本說(shuō)明書中且構(gòu)成其一部分。附圖示出了實(shí)施例并且與說(shuō)明書一起用于解釋實(shí)施例的原理。將很容易認(rèn)識(shí)到其它實(shí)施例以及實(shí)施例的許多預(yù)期優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)橥ㄟ^(guò)參考以下詳細(xì)描述可更好地理解它們。附圖的元件不一定相對(duì)于彼此按比例描繪。相同的附圖標(biāo)記指定相應(yīng)的類似部分。

圖1A和1B示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的饋通裝置。

圖2示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的可植入醫(yī)療裝置中的饋通組件的截面圖。

圖3A和3B分別地示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的饋通組件的截面圖和平面圖。

圖4示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的饋通組件和形成方法。

圖5示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的形成饋通組件的方法的流程圖。

圖6示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的可植入醫(yī)療裝置中的饋通組件的截面圖。

圖7示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的可植入醫(yī)療裝置中的饋通組件的截面圖。

具體實(shí)施方式

在以下詳細(xì)描述中，對(duì)構(gòu)成其一部分的附圖進(jìn)行參考，并且在附圖中以圖示的方式示出了其中可實(shí)施本發(fā)明的特定實(shí)施例。在這方面，參考正在描述的（一個(gè)或多個(gè)）圖的取向來(lái)使用方向術(shù)語(yǔ)，諸如“上”、“下”、“前”、“后”、“前導(dǎo)”、“拖后”等。由于實(shí)施例的部件可以以許多不同的取向定位，所以方向術(shù)語(yǔ)是用于說(shuō)明的目的且絕不是限制性的。應(yīng)理解的是在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以采用其它實(shí)施例，或者可進(jìn)行結(jié)構(gòu)或邏輯上的改變。因此，不應(yīng)在限制性意義上理解以下詳細(xì)描述，并且本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來(lái)限制。

應(yīng)理解的是本文所述的各種示例性實(shí)施例的特征可被相互組合，除非另外具體地說(shuō)明。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供了一種將絕緣體聯(lián)接到可植入醫(yī)療裝置中的周圍套圈的方法。提供絕緣體，多個(gè)傳導(dǎo)元件延伸通過(guò)該絕緣體。將絕緣體與傳導(dǎo)元件一起放置在具有框狀形狀的套圈內(nèi)，套圈沿著界面圍繞絕緣體。用第一激光器加熱絕緣體直至將絕緣體的溫度升高至第一溫度水平。一旦絕緣體已經(jīng)達(dá)到第一溫度，則用第二激光器將套圈沿著界面焊接到絕緣體。

通常，沿著界面將套圈焊接到絕緣體所需的能量水平如此快且被限制在局部，以至于絕緣體的陶瓷通常會(huì)破裂。然而，由于第一激光器在焊接之前首先逐漸地升高陶瓷絕緣體的溫度，所以焊接的熱沖擊被最小化。

在一個(gè)實(shí)施例中，在第二激光器將絕緣體焊接到套圈的同時(shí)用第一激光器來(lái)保持絕緣體的溫度。這可以在焊接期間繼續(xù)保持熱沖擊的減少以進(jìn)一步使任何破裂最小化。在一個(gè)實(shí)施例中，第一激光器被控制成掃描絕緣體的整個(gè)表面。

在一個(gè)實(shí)施例中，傳導(dǎo)元件被設(shè)置在絕緣體中，使得它們不延伸超過(guò)絕緣體的表面。這樣，第一激光器能夠在沒(méi)有來(lái)自傳導(dǎo)元件的干擾的情況下掃描絕緣體的整個(gè)表面。

在一個(gè)實(shí)施例中，在沒(méi)有銅焊部的情況下提供絕緣體，使得第一激光器能夠在不使任何銅焊部熔化的情況下掃描絕緣體的整個(gè)表面。這樣，饋通的氣密密閉度并未受到銅焊部熔化的損害。

在一個(gè)實(shí)施例中，第一激光器是構(gòu)造成掃描絕緣體并使其溫度上升到1300至1600攝氏度范圍內(nèi)的CO2激光器。在一個(gè)實(shí)施例中，第一激光器被控制為使絕緣體的溫度以每秒100-150攝氏度的速率從室溫斜坡上升至1300和1600攝氏度之間。在一個(gè)實(shí)施例中，第一激光器被控制為使絕緣體的溫度以每秒100-150攝氏度的速率斜坡下降直至溫度達(dá)到300攝氏度。以這些方式控制溫度可以幫助防止使絕緣體材料破裂。

在一個(gè)實(shí)施例中，套圈設(shè)置有錐形的內(nèi)邊緣，其中，絕緣體具有也為錐形的外邊緣，以與套圈的內(nèi)邊緣匹配，這可以對(duì)于在焊接期間相對(duì)于絕緣體保持套圈方面提供優(yōu)點(diǎn)。

在一個(gè)實(shí)施例中，一種用于醫(yī)療可植入裝置的饋通包括套圈，套圈包括構(gòu)造成被焊接到可植入裝置的罩殼的金屬。絕緣體基本上被套圈圍繞并與之共享界面。絕緣體包括玻璃或陶瓷材料。傳導(dǎo)元件被形成為通過(guò)絕緣體，從而提供通過(guò)絕緣體的導(dǎo)電路徑。在套圈和絕緣體之間的界面處不存在銅焊部或錫焊部，并且在傳導(dǎo)元件附近不存在銅焊部或錫焊部。在界面處沒(méi)有銅焊部或錫焊部的情況下，降低了泄漏的風(fēng)險(xiǎn)，并且保持了饋通的氣密密閉度。

在一個(gè)實(shí)施例中，該套圈包括包含鈮、鈦、鈦合金、鉬、鈷、鋯、鉻和鉑的組中的一個(gè)，絕緣體包括氧化鋁并且導(dǎo)電材料包括金屬陶瓷。這些材料允許避免任何銅焊部以保護(hù)饋通中的氣密密封。

在一個(gè)實(shí)施例中，套圈構(gòu)造有錐形的內(nèi)邊緣，并且絕緣體構(gòu)造有錐形的外邊緣，以與套圈的內(nèi)邊緣匹配。在一個(gè)實(shí)施例中，套圈和絕緣體的各自邊緣的錐形相對(duì)于垂直于饋通的頂面行進(jìn)的線以5至15度的角成錐形。界面處的絕緣體和套圈的邊緣的錐角允許絕緣體在絕緣體和套圈兩者被沿著界面焊接在一起之前容易地座置在套圈中。絕緣體的外邊緣相對(duì)于套圈的相應(yīng)內(nèi)邊緣的錐角防止套圈和絕緣體在組裝和焊接期間的相對(duì)移動(dòng)。

在一個(gè)實(shí)施例中，沿著界面在套圈和絕緣體之間的距離不大于25微米。保持界面處的間隙小于25微米使焊接期間的絕緣體的破裂最小化。

在一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種在可植入醫(yī)療裝置中焊接絕緣體的方法。提供絕緣體，多個(gè)傳導(dǎo)元件延伸通過(guò)該絕緣體。絕緣體被與傳導(dǎo)元件一起放置在金屬罩殼內(nèi)，金屬罩殼在界面處圍繞絕緣體。用第一激光器將絕緣體加熱直至使絕緣體的溫度升高至第一溫度水平。一旦絕緣體已經(jīng)達(dá)到第一溫度，則用第二激光器將罩殼焊接到絕緣體。

圖1A和1B分別示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的諸如用于可植入醫(yī)療裝置的饋通裝置10的透視圖和剖視圖。饋通裝置10包括套圈12、絕緣體14和饋通引腳16。套圈12是具有內(nèi)部開(kāi)口的框狀結(jié)構(gòu)，絕緣體14被形成到該內(nèi)部開(kāi)口中且饋通引腳16延伸通過(guò)該內(nèi)部開(kāi)口。絕緣體14有助于饋通引腳16以不導(dǎo)電方式延伸通過(guò)套圈12的框狀結(jié)構(gòu)。

套圈12構(gòu)造成配合到可植入醫(yī)療裝置的罩殼的開(kāi)口中，并且使得其可以被緊緊地固定到那里，以便確保相對(duì)于醫(yī)療裝置的內(nèi)部空間的氣密密封。饋通引腳16從醫(yī)療裝置的罩殼的內(nèi)部空間延伸到裝置外面，從而提供從內(nèi)部到外部的電連接，同時(shí)保持氣密密封。可以在套圈12上面提供凸緣22以進(jìn)一步幫助將饋通裝置10固定到可植入醫(yī)療裝置的罩殼的開(kāi)口并確保其氣密密封。

通常，絕緣體14是陶瓷或玻璃材料，而套圈12是金屬的。套圈12是金屬的，使得其可以被容易地焊接到可植入醫(yī)療裝置的金屬罩殼。為了使絕緣體14的陶瓷材料被聯(lián)接到套圈12的金屬材料，絕緣體14通常被用金屬化涂層20“金屬化”。替代地，使用金屬銅焊部來(lái)將絕緣體14的陶瓷材料固定到套圈12的金屬材料。類似地，使用銅焊部18將絕緣體14的陶瓷材料聯(lián)接到饋通引腳16，饋通引腳16是金屬導(dǎo)體。

使用銅焊部18來(lái)將絕緣體14固定到饋通引腳16并將絕緣體14固定到套圈12和/或需要金屬化涂層20來(lái)將絕緣體14固定到套圈12產(chǎn)生了額外的處理步驟并增加了制造饋通裝置10的復(fù)雜性和費(fèi)用。此類銅焊部18和金屬化20還可以導(dǎo)致饋通裝置10的氣密密封的泄漏和失效。

圖2示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的可植入醫(yī)療裝置100?？芍踩脶t(yī)療裝置100包括饋通組件102和罩殼104。饋通組件102包括套圈110、絕緣體112和傳導(dǎo)元件114。在一個(gè)實(shí)施例中，套圈10是框狀結(jié)構(gòu)，絕緣體112和傳導(dǎo)元件114被形成到其中。在一個(gè)實(shí)施例中，饋通組件102被焊接到罩殼104，使得罩殼104的內(nèi)部120被相對(duì)于其外部122氣密密封。

在根據(jù)圖1的示例性實(shí)施例中，套圈110構(gòu)造成本質(zhì)上是框形的并被固定到罩殼104，從而限定內(nèi)部空間120和外部空間122。套圈110可以具有多種形狀，例如，其可以是圓盤形的、圓形的、卵形的或多邊形的，在一個(gè)實(shí)施例中，在垂直于圖1的繪圖平面的剖面中具有矩形或正方形截面。然而，一般說(shuō)來(lái)，其它截面也是可行的。套圈110的圓盤可以被布置成完全在外部空間122中、在內(nèi)部空間120中或者如圖1中所示的那樣跨越兩者。

在一個(gè)實(shí)施例中，饋通組件102的套圈110是金屬材料，如罩殼104一樣，使得饋通組件102能夠容易地焊接到罩殼104。在一個(gè)實(shí)施例中，傳導(dǎo)元件114是導(dǎo)電材料的，使得它們提供從罩殼104的內(nèi)部空間120到外部空間122的導(dǎo)電路徑。絕緣體112是不導(dǎo)電材料的，使得在套圈110和傳導(dǎo)元件114之間不存在導(dǎo)電連接。在絕緣體112和傳導(dǎo)元件114之間以及在絕緣體112和套圈之間的所有界面必須被密封成使得在罩殼104的內(nèi)部空間120和外部空間122之間保持氣密的密封。在一個(gè)實(shí)施例中，所有這些界面都是在不使用銅焊部或錫焊部的情況下被如此密封的，如下面將更全面地解釋的。

圖3A示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的饋通組件102的截面圖。圖3B示出了相對(duì)于其在圖3A中描繪的方式而言從“下”側(cè)看的饋通組件102。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)在第一過(guò)程中形成絕緣體112和傳導(dǎo)元件114來(lái)組裝饋通組件102。在一個(gè)實(shí)施例中，絕緣體112是陶瓷材料，諸如氧化鋁（Al₂O₃），并且傳導(dǎo)元件114是金屬陶瓷材料。

在一個(gè)實(shí)施例的上下文中，術(shù)語(yǔ)“金屬陶瓷”或“含金屬陶瓷的”應(yīng)指代由金屬基體（粘結(jié)劑）中的陶瓷材料制成的所有復(fù)合材料。這些材料的特征在于它們特別高的硬度和耐磨損性?！敖饘偬沾伞焙?或“含金屬陶瓷的”物質(zhì)是與硬質(zhì)合金有關(guān)的切割材料，但是不包含碳化鎢硬質(zhì)合金，并且由粉末冶金手段生產(chǎn)。用于金屬陶瓷和/或含金屬陶瓷的元件的燒結(jié)過(guò)程與用均勻粉末的情況一樣進(jìn)行，例外的是在相同的壓力下與陶瓷材料相比金屬被更強(qiáng)烈地壓緊。含金屬陶瓷的軸承元件具有比燒結(jié)硬質(zhì)合金更高的熱沖擊和抗氧化性。在大多數(shù)情況下，金屬陶瓷的陶瓷組分是氧化鋁（Al₂O₃）和二氧化鋯（ZrO₂），而鈮、鉬、鈦、鈷、鋯、鉻和鉑可設(shè)想作為金屬組分。

絕緣體112的陶瓷可以是例如多層陶瓷片材，多個(gè)過(guò)孔被引入到其中。傳導(dǎo)元件114的金屬陶瓷然后被引入到過(guò)孔中。在一個(gè)實(shí)施例中，兩個(gè)材料都是在生坯狀態(tài)下引入的，這樣，該組合被一起燒制。因此，在不使用銅焊部或錫焊部的情況下，絕緣體112和傳導(dǎo)元件114的結(jié)合在它們之間形成氣密密封。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，絕緣體112也在不使用錫焊部的銅焊部的情況下被固定到套圈110以在它們之間形成氣密密封。為了將絕緣體112固定到套圈110，它們被激光焊接在一起。在一個(gè)實(shí)施例中，使用兩部分激光焊接過(guò)程。在一個(gè)實(shí)施例中，跨絕緣體112掃描第一激光器以便將陶瓷加熱。一旦達(dá)到適當(dāng)?shù)臒崴?，則使用第二激光器來(lái)執(zhí)行焊接以將絕緣體112結(jié)合到套圈110。在一個(gè)實(shí)施例中，在用第二激光器進(jìn)行焊接之前和之后均使用第一激光器來(lái)掃描絕緣體112和套圈110兩者。

圖4示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的饋通組件102。在一個(gè)實(shí)施例中，使用激光焊接沿著界面130將套圈110結(jié)合到絕緣體112。為了使界面130準(zhǔn)備好用于激光焊，第一激光器140掃描絕緣體112以便提高絕緣體112的溫度。在一個(gè)實(shí)施例中，第一激光器140是CO₂激光器，其構(gòu)造成在絕緣體112的陶瓷材料上進(jìn)行掃描以便提高陶瓷的溫度。在一個(gè)實(shí)施例中，第一激光器140在絕緣體112上進(jìn)行掃描以使其溫度上升至1300至1600攝氏度的范圍內(nèi)。

一旦實(shí)現(xiàn)此溫度范圍，則使用第二激光器150來(lái)沿著套圈110和絕緣體112之間的界面130進(jìn)行焊接。在一個(gè)實(shí)施例中，第二激光器150是YAG或光纖激光器，其將套圈110焊接到絕緣體112，同時(shí)第一激光器140保持絕緣體112的溫度。由于第二激光器150沿著界面130產(chǎn)生快速且被限制在局部的能量，所以其通過(guò)將使類似于絕緣體112的陶瓷之類的材料破裂。因此，在應(yīng)用第二激光器150的局部化能量之前使用第一激光器140來(lái)首先提高絕緣體112的陶瓷的溫度，這使得由第二激光器150進(jìn)行的焊接的熱沖擊最小化。

在一個(gè)實(shí)施例中，套圈110是被選擇成具有與絕緣體112的材料類似的熱膨脹系數(shù)的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，絕緣體112是氧化鋁（Al₂O₃）且套圈110是鈮。由于氧化鋁（Al₂O₃）具有8.5×10^-6/C的熱膨脹系數(shù)且鈮具有8.7×l0^-6/C的熱膨脹系數(shù)，所以兩種材料在第一和第二激光器140和150的熱量被去除之后將會(huì)收縮非常類似的量，使得在沿著界面130的焊縫處將存在非常小的應(yīng)力或破裂。這樣，通過(guò)將套圈110焊接到罩殼104而建立的氣密密封將不會(huì)泄漏。

在一個(gè)實(shí)施例中，被選擇用于絕緣體112的材料將會(huì)具有在被選擇用于套圈110的材料的熱膨脹系數(shù)（CTE）的25%內(nèi)的CTE。在一個(gè)實(shí)施例中，材料的CTE保持相似或者在彼此的25%內(nèi)，使得一旦饋通組件102被固定于罩殼104時(shí)，可植入醫(yī)療裝置100的氦泄漏率小于3.0E-09 Atm cc/sec。

在其它實(shí)施例中，與氧化鋁（Al₂O₃）絕緣體112一起，可以將具有相似熱膨脹系數(shù)的其它金屬用于套圈110。例如，在某些實(shí)施例中還可使用具有8.6×10^-6/C的CTE的鋯（ZrO₂）、具有10.1×10^-6/C的CTE的鈦（2級(jí))以及具有10.6×10^-6/C的CTE的鈦-45鈮（36級(jí)）。

在一個(gè)實(shí)施例中，第一激光器140被控制成將其能量聚焦在絕緣體112上以及聚焦到套圈110上。在焊接之前將絕緣體120的陶瓷和套圈110的金屬兩者加熱可以改善焊接的質(zhì)量。在一個(gè)實(shí)施例中，在第二激光器150在界面130處執(zhí)行焊接的同時(shí)第一激光器140繼續(xù)保持絕緣體112的已加熱溫度也是重要的。

在一個(gè)實(shí)施例中，套圈110被特別地構(gòu)造成在用第二激光器150進(jìn)行焊接之前用第一激光器140進(jìn)行加熱。如圖1A和1B中所示，具有延伸通過(guò)絕緣體14的饋通引腳16的饋通裝置10并不容易被激光器加熱。由于饋通引腳16延伸超過(guò)絕緣體14的表面許多，所以它們將趨向于與需要掃描絕緣體的整個(gè)表面以便在用另一激光器進(jìn)行焊接之前將其充分地加熱的激光器相干擾。

另外，饋通裝置10還需要銅焊部18以將饋通引腳16相對(duì)于絕緣體14密封。這樣，即使激光器能夠圍繞著饋通引腳16以某種方式行進(jìn)以掃描絕緣體14的整個(gè)表面，銅焊部18也將很有可能由于激光器所引起的熱量而回熔。通常，銅焊部18是諸如金之類的金屬，并且其熔點(diǎn)低于第一激光器140將會(huì)把絕緣體和相鄰材料（諸如銅焊部18）加熱到的溫度。這將非常有可能損害饋通引腳16和絕緣體14之間的密封并潛在地引起泄漏。

如先前所指示的，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的饋通組件102包括被引入到絕緣體112內(nèi)的過(guò)孔中的傳導(dǎo)元件114。在一些實(shí)施例中，傳導(dǎo)元件114可構(gòu)造成延伸超過(guò)絕緣體112的頂面和底面，并且在其它實(shí)施例中，傳導(dǎo)元件可構(gòu)造成與一個(gè)或兩個(gè)表面齊平。如圖3A中所示，例如，傳導(dǎo)元件114構(gòu)造成與絕緣體112的頂面和底面兩者齊平或?qū)R。在此構(gòu)造中，第一激光器140能夠容易地掃描絕緣體112的整個(gè)表面而沒(méi)有來(lái)自從表面突出的任何東西的干擾。此外，由于傳導(dǎo)元件114和絕緣體112被用共同燒結(jié)過(guò)程密封，使得不使用銅焊，所以使第一激光器140在絕緣體112的表面掃描將不會(huì)引起銅焊部回熔的問(wèn)題。

在一個(gè)實(shí)施例中，沿著界面130的套圈110和絕緣體112之間的距離被控制成使得結(jié)構(gòu)在被第二激光器150焊接之前被緊貼地配合。如果在套圈110和絕緣體112之間存在顯著地間隙，則在焊接過(guò)程期間可能發(fā)生一定程度的破裂。在一個(gè)實(shí)施例中，在沿著界面130的任何位置處的套圈110和絕緣體112之間的距離不大于25微米。這樣，當(dāng)兩種材料被焊接時(shí)，絕緣體112的破裂被最小化。

圖5是流程圖，示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的制造饋通組件的過(guò)程200。在第一步驟210中，向絕緣體中引入傳導(dǎo)元件。在一個(gè)實(shí)施例中，傳導(dǎo)元件被形成為與絕緣體的表面齊平或者被銑削或研磨至齊平。在步驟220處，傳導(dǎo)元件和絕緣體被放置在框狀套圈中。絕緣體和套圈彼此緊鄰，形成界面。

在步驟230，第一激光器在絕緣體的整個(gè)表面上掃描以便提高絕緣體的溫度。在一個(gè)實(shí)施例中，絕緣體被從室溫加熱至1300和1600攝氏度之間。在一個(gè)實(shí)施例中，第一激光器被控制成使溫度以每秒100-150攝氏度的速率從室溫斜坡上升至1300和1600攝氏度之間。在一個(gè)實(shí)施例中，此速率下的加熱將不會(huì)導(dǎo)致絕緣體材料破碎或破裂。在一個(gè)實(shí)施例中，雖然第一激光器被引導(dǎo)而掃描絕緣體的整個(gè)表面，而在一個(gè)實(shí)施例中被引導(dǎo)為另外還掃描圍繞絕緣體的套圈。

在步驟240，使用第二激光器來(lái)沿著套圈和絕緣體之間的界面將套圈焊接到絕緣體。在一個(gè)實(shí)施例中，在第二激光器將套圈焊接到絕緣體的同時(shí)，第一激光器繼續(xù)掃描絕緣體，以便保持絕緣體上的溫度。在一個(gè)實(shí)施例中，在第二激光器將套圈焊接到絕緣體的同時(shí)，第一激光器繼續(xù)將絕緣體的溫度保持在1300和1600攝氏度之間。在一個(gè)實(shí)施例中，一旦整個(gè)界面被焊接，則第一激光器被控制成允許溫度以受控的速率斜坡下降。在一個(gè)實(shí)施例中，第一激光器被控制成使溫度以每秒100-150攝氏度的速率斜坡下降直至溫度達(dá)到300攝氏度。然后，第一激光器可以被關(guān)掉或者可以被控制成繼續(xù)斜坡下降直至溫度達(dá)到室溫。

圖6示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的可植入醫(yī)療裝置300?？芍踩脶t(yī)療裝置300包括饋通組件302和罩殼304。饋通組件302包括套圈310、絕緣體312和傳導(dǎo)元件314。在一個(gè)實(shí)施例中，套圈310是框狀結(jié)構(gòu)，絕緣體312和傳導(dǎo)元件314被形成到其中。在一個(gè)實(shí)施例中，饋通組件302被焊接到罩殼304，使得罩殼304的內(nèi)部320被相對(duì)于其外部322氣密密封。

在一個(gè)實(shí)施例中，套圈310具有錐形的內(nèi)邊緣，并且絕緣體312具有也是錐形的外邊緣，以在界面330處與套圈310的內(nèi)邊緣匹配。在一個(gè)實(shí)施例中，界面330處的邊緣相對(duì)于垂直于饋通組件302的頂面行進(jìn)的線以一定的錐角α成錐形。在一個(gè)實(shí)施例中，錐角α在5和15度之間。在一個(gè)實(shí)施例中，界面330處的絕緣體312和套圈310的邊緣的錐角α允許在絕緣體和套圈310兩者被沿著界面330焊接在一起之前絕緣體312容易地座置在套圈310中。絕緣體312的外邊緣相對(duì)于套圈的相應(yīng)內(nèi)邊緣的錐角α防止套圈310和絕緣體312在組裝和焊接期間的相對(duì)移動(dòng)。

在一個(gè)實(shí)施例中，一旦絕緣體312抵靠著套圈310就位，則如上文關(guān)于先前的實(shí)施例所述的那樣用第一激光器將絕緣體312加熱。在達(dá)到一溫度范圍之后，第二激光器被引導(dǎo)在套圈310和絕緣體312之間的界面330處，使得套圈310被焊接到絕緣體312，類似于上文關(guān)于饋通組件102所述的。

圖7示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的可植入醫(yī)療裝置400?？芍踩脶t(yī)療裝置400包括饋通組件402和罩殼404。饋通組件402包括絕緣體412和傳導(dǎo)元件414。如從圖7與圖6或圖2的比較所顯見(jiàn)的，饋通組件402不包括套圈，使得絕緣體412被直接焊接到罩殼404，使得罩殼404的內(nèi)部420被相對(duì)于其外部422氣密密封。

在一個(gè)實(shí)施例中，饋通組件402包括具有錐形的外邊緣的絕緣體412，并且罩殼404具有也是錐形的內(nèi)邊緣，以與絕緣體412的外邊緣匹配。一旦饋通組件402被放置在罩殼404的開(kāi)口中，則絕緣體412被用第一激光器加熱，如上文關(guān)于先前的實(shí)施例所述的。在達(dá)到一溫度范圍之后，第二激光器被引導(dǎo)在罩殼404和絕緣體412之間的界面處，使得罩殼404被焊接到饋通組件402。由于罩殼404通常是金屬的，諸如由鈦組成，所以第二激光器將金屬罩殼焊接到絕緣體412，類似于上文針對(duì)套圈和絕緣體如何被焊接在一起所述的。

在不需要套圈的情況下將饋通組件402直接附接到罩殼404，這簡(jiǎn)化了組裝過(guò)程和步驟，減少了零件和材料，并且減少了總時(shí)間和成本。

雖然在這里已經(jīng)示出并描述了特定實(shí)施例，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的是在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下多種替代的和/或等同的實(shí)施方式可代替所示和所述的特定實(shí)施例。本申請(qǐng)意圖涵蓋本文所討論的特定實(shí)施例的任何修改或改變。因此，所意圖的是本發(fā)明僅僅由權(quán)利要求及其等同物限制。