專利名稱：導(dǎo)管尖部裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文公開的主題大體涉及導(dǎo)管，并且更具體而言，涉及導(dǎo)管尖部裝置。
背景技術(shù)：
在醫(yī)療診斷領(lǐng)域中廣泛使用導(dǎo)管尖部裝置來(lái)承載安裝在導(dǎo)管尖部的囊中的各種構(gòu)件，包括集成電路芯片(die)。例如，安裝在導(dǎo)管尖部?jī)?nèi)的傳感器芯片能夠通過(guò)身體孔ロ和/或通過(guò)外科手術(shù)切ロ來(lái)插入到活體中。至少ー些已知的導(dǎo)管尖部裝置的構(gòu)件和結(jié)構(gòu)ー般需要手動(dòng)地執(zhí)行大部分制造和/或組裝過(guò)程。例如，將已知的電路芯片手動(dòng)地聯(lián)接到電連接件上，以及然后通過(guò)載體將它們手動(dòng)地安裝在囊內(nèi)。將載體/芯片精確地安裝在囊內(nèi)會(huì)增強(qiáng)導(dǎo)管尖部裝置的操作性，并且促進(jìn)將導(dǎo)管尖部裝置置于身體內(nèi)。但是，將芯片置于囊內(nèi)常常是困難或不精確的，并且可依賴于組裝導(dǎo)管尖部裝置的技術(shù)員。通常，將芯片置于囊內(nèi)會(huì)導(dǎo)致芯片的電連接部接觸囊，從而造成芯片的運(yùn)行問(wèn)題和/或失效。此外，使用手動(dòng)組裝一般會(huì)増加制造成本和/或與這種制造相關(guān)聯(lián)的人為誤差。

發(fā)明內(nèi)容
在一方面，提供一種換能器模塊。該換能器模塊包括載體和阻隔件，阻隔件從載體延伸，以促進(jìn)在制造過(guò)程期間保護(hù)載體的芯片區(qū)域。在另一方面，提供一種導(dǎo)管尖部裝置。該導(dǎo)管尖部裝置包括囊、換能器模塊和阻隔件，阻隔件從載體延伸，以促進(jìn)在制造過(guò)程期間保護(hù)載體的芯片區(qū)域。在另一方面，提供ー種制造導(dǎo)管尖部裝置的方法。該方法包括形成載體，載體包括促進(jìn)保護(hù)載體的區(qū)域的阻隔件，并且該方法包括在載體上形成促進(jìn)接收導(dǎo)電導(dǎo)線的凹槽式導(dǎo)線區(qū)域。


圖I示出了示例性導(dǎo)管尖部裝置的透視圖。圖2示出了圖I中顯示的導(dǎo)管尖部裝置的平面圖。圖3示出了可用于圖I中顯示的導(dǎo)管尖部裝置的換能器模塊的平面圖。圖4示出了圖I中顯示的導(dǎo)管尖部裝置的沿著圖3的線4-4得到的局部橫截面圖。圖5示出了圖3中顯示的換能器模塊的側(cè)視圖。圖6示出了圖3中顯示的換能器模塊的局部端視圖。圖7示出了用于制造圖I中顯示的導(dǎo)管尖部裝置的示例性方法的流程圖。部件列表10導(dǎo)管尖部裝置12 芯片14換能器模塊比囊
18 腔體20 窗ロ22 殼體24 凹槽26 載體28 表面30芯片區(qū)域31外周緣32導(dǎo)線區(qū)域33外周緣34導(dǎo)線墊區(qū)域35 邊緣36凹ロ式芯片附連區(qū)域37外邊緣38 凹槽39 壁40 劑41內(nèi)部部分42阻隔件44上表面46 側(cè)壁48 端壁50 第一端52 第二端54 本體56 凹槽58導(dǎo)電導(dǎo)線60載體端64熔敷材料66互連件h:第一端高度h2第二端高度hsw側(cè)壁高度hic互連件高度700產(chǎn)生載體陣列710在各個(gè)載體中產(chǎn)生導(dǎo)線區(qū)域、凹ロ式芯片附連區(qū)域和阻隔件720在導(dǎo)線區(qū)域中產(chǎn)生至少ー個(gè)凹槽730將換能器芯片附連在導(dǎo)線區(qū)域內(nèi)740使換能器芯片與至少ー個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)線互連
750對(duì)準(zhǔn)阻隔件與囊760將載體插入到囊中770封閉進(jìn)填料780將至少ー個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)線布置到至少ー個(gè)凹槽中790將導(dǎo)線附連材料施用到至少ー個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)線上且施用到至少ー個(gè)凹槽內(nèi)
具體實(shí)施例方式圖1是示例性導(dǎo)管尖部裝置10的透視圖。圖2是裝置10的平面圖。圖3是用于裝置10的換能器模塊14的平面圖。在示例性實(shí)施例中，使用導(dǎo)管尖部裝置10來(lái)承載安裝在導(dǎo)管尖部(未顯示)中的ー個(gè)或多個(gè)集成電路芯片12。例如，芯片12可(但不限干)用于換能器(例如傳感器和促動(dòng)器)、數(shù)據(jù)處理裝置(例如ASIC微處理器)和/或遙測(cè)裝置(例如用于無(wú)線或RF通訊)。芯片12可構(gòu)造成響應(yīng)于患者的外邊界狀況(例如壓カ、溫度、PH值等)而提供電信號(hào)輸出。裝置10可通過(guò)身體中的孔口和/或通過(guò)外科手術(shù)切ロ而能夠插入到活體(未顯示)中，并且可用于各種各樣的應(yīng)用，包括例如在身體內(nèi)對(duì)諸如壓力、溫度、PH值等的參數(shù)執(zhí)行直接測(cè)量。在示例性實(shí)施例中，導(dǎo)管尖部裝置10包括聯(lián)接到囊16上的換能器模塊14。囊16可由諸如(但不限于)塑料材料的生物相容性材料制成，但不限于由其制成。例如，囊16由符合ISO 10993的材料制成。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可使用其它醫(yī)療級(jí)材料來(lái)制造囊16,包括例如金屬、陶瓷或復(fù)合材料。在示例性實(shí)施例中,囊16為基本圓柱形，并且包括限定在其中的腔體18，腔體18大小設(shè)置成和定向成在其中接收換能器模塊14的至少一部分。備選地，囊16可具有使得導(dǎo)管尖部裝置10能夠如本文描述的那樣起作用的任何其它形狀、大小和/或定向。囊16還包括使得能夠觀察到換能器模塊14的至少一部分的窗ロ 20。在示例性實(shí)施例中，囊16包括殼體22，殼體22具有接收換能器模塊14的相対的凹槽24。在示例性實(shí)施例中，換能器模塊14包括聯(lián)接到載體26上的至少ー個(gè)換能器芯片12。換能器芯片12可為例如(但不限干)經(jīng)微加工的感測(cè)元件或促動(dòng)器元件?？墒褂媚Ｖ苹ミB裝置(MID)技術(shù)來(lái)制造載體26。在一個(gè)實(shí)施例中，載體26由塑料材料制成。在另ー個(gè)實(shí)施例中，載體26由陶瓷材料制成。應(yīng)當(dāng)注意,本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解,載體26可由使得載體26能夠如本文描述的那樣起作用的任何材料制成。在示例性實(shí)施例中，載體26包括相應(yīng)地形成有芯片區(qū)域30、導(dǎo)線區(qū)域32以及在芯片區(qū)域30和導(dǎo)線區(qū)域32之間的導(dǎo)線墊區(qū)域34的表面28。在示例性實(shí)施例中，載體26包括具有外周緣31的凹ロ式芯片附連區(qū)域或井36，夕卜周緣31大于接收在區(qū)域36內(nèi)的換能器芯片12的外周緣33。因而，在換能器芯片12的一個(gè)或多個(gè)邊緣35和區(qū)域36的外周緣之間形成開ロ凹槽38。圖4示出了凹ロ式芯片區(qū)域36和凹槽38的局部橫截面圖。凹ロ式芯片附連區(qū)域36使得換能器芯片12能夠插入到載體26上。在示例性實(shí)施例中，芯片附連區(qū)域36大小設(shè)置成和定向成接收換能器芯片12和至少ー個(gè)其它裝置，諸如例如ASIC和/或RF收發(fā)器。在另ー個(gè)實(shí)施例中，載體26可包括大小設(shè)置成和定向成接收兩個(gè)或更多個(gè)芯片12的兩個(gè)或更多個(gè)凹ロ式芯片附連區(qū)域36。在另ー個(gè)實(shí)施例中，凹ロ式芯片附連區(qū)域36不包括形成于芯片12的邊緣35和區(qū)域36的周緣之間的凹槽38。在示例性實(shí)施例中，使用在凹槽38的內(nèi)部施用的粘合劑40 (例如有機(jī)硅凝膠或在室溫下硬化(RTV)的有機(jī)硅)來(lái)將換能器芯片12聯(lián)接在凹ロ式芯片附連區(qū)域36內(nèi)。凹槽38促進(jìn)將劑40保持在區(qū)域36內(nèi)，以及因而阻止粘合劑40滲漏出凹ロ式芯片附連區(qū)域36。為了促進(jìn)保護(hù)凹ロ式芯片附連區(qū)域36和為了促進(jìn)對(duì)準(zhǔn)換能器模塊14，載體26還包括從載體26的上表面44向上延伸的阻隔件42。阻隔件42包括相對(duì)的側(cè)壁46和端壁48。各個(gè)側(cè)壁相應(yīng)地包括第一端50、第二端52和在第一端50和第二端52之間延伸的本體54。側(cè)壁46可定位在載體上表面44的外邊緣37處或外邊緣37附近。在示例性實(shí)施例中，各個(gè)第一端50均在載體芯片區(qū)域30的附近，而各個(gè)第二端52均在導(dǎo)線墊區(qū)域34內(nèi)。備選地，第二端52可定位在載體端60處。不管第二端52的位置如何，本體54都在第一端50和第二端52之間延伸，并且端壁48從側(cè)壁46的各個(gè)第一端50延伸。在這種構(gòu)造中，端壁48和側(cè)壁46部分地包圍凹ロ式芯片附連區(qū)域36，以促進(jìn)保護(hù)凹ロ式芯片附連的區(qū)域36在制造過(guò)程期間不被處理。此外，在實(shí)施例中，側(cè)壁46部分地鄰接導(dǎo)線墊區(qū)域34。圖5是換能器模塊14的側(cè)視圖。在示例性實(shí)施例中，側(cè)壁第一端50的高度Ii1短于側(cè)壁第二端52的高度h2，使得本體54從第一端50向上朝第二端52漸縮。在一個(gè)實(shí)施例中，本體54相對(duì)于載體上表面44以小于或大致等于45°的角漸縮。在另ー個(gè)實(shí)施例中(未顯示)，第一端50和第二端52形成有大致相同的高度。備選地，第一端50和/或第二端52可形成為使本體54以斜角朝載體表面44漸縮。在另ー個(gè)實(shí)施例中，第一端50和/或第二端52基本筆直地平行于載體表面44。圖6是換能器模塊14的端視圖。在示例性實(shí)施例中，載體26的導(dǎo)線區(qū)域32包括至少ー個(gè)凹槽56。各個(gè)凹槽56大小設(shè)置成和定向成在其中接收至少ー個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)線58。更具體而言，在示例性實(shí)施例中，各個(gè)凹槽56從載體端60基本沿軸向延伸向?qū)Ь€墊區(qū)域34。在示例性實(shí)施例中，凹槽56包括成角度的且相對(duì)的壁39，壁39形成為定向成和大小設(shè)置成在其中接收導(dǎo)電導(dǎo)線58的溝槽構(gòu)造。凹槽56可形成為使得導(dǎo)電導(dǎo)線58能夠如本文描述的那樣起作用的任何其它形狀，例如(但不限干)正方形形式。導(dǎo)線區(qū)域凹槽56促進(jìn)將導(dǎo)電導(dǎo)線58對(duì)準(zhǔn)到導(dǎo)線區(qū)域32上和/或?qū)?zhǔn)到導(dǎo)線區(qū)域32內(nèi)。凹槽56還促進(jìn)在其中保持熔敷材料64，諸如例如焊料材料或?qū)щ姯h(huán)氧樹脂材料，以用于將導(dǎo)電導(dǎo)線58聯(lián)接在凹槽56內(nèi)。此外，凹槽56促進(jìn)降低導(dǎo)線附連材料64電橋接到相鄰的導(dǎo)電導(dǎo)線58上的可能性。在一方面，作為傳統(tǒng)印刷電路板的替代，例如可通過(guò)金屬鍍覆來(lái)將ー個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)線58布置在載體26上。可使用導(dǎo)電導(dǎo)線58來(lái)將換能器芯片12互連到配備來(lái)接收傳輸自換能器芯片12的電信號(hào)的裝置上。這樣的導(dǎo)電導(dǎo)線58典型地是金屬的。備選地，可使用其它材料來(lái)制造導(dǎo)電導(dǎo)線58。 換能器芯片12可互連到ー個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)線58上。在一個(gè)實(shí)施例中，在換能器芯片12和導(dǎo)電導(dǎo)線58之間的互連件66(圖4)可為ー個(gè)或多個(gè)結(jié)合線(未顯示)提供的電互連件。結(jié)合線可由具有例如25 iim至75 iim的直徑的細(xì)線形成。結(jié)合線可由諸如(但不限于)金、鋁、銀或銅的材料制成。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可使用其它材料。在另ー個(gè)實(shí)施例中，可通過(guò)使用晶片倒轉(zhuǎn)技術(shù)(其包括焊料突出)而非結(jié)合線來(lái)提供換能器芯片12與導(dǎo)電導(dǎo)線58的電互連。互連件66可形成為如本文描述的那樣促進(jìn)電連接的任何構(gòu)造。
在示例性實(shí)施例中，阻隔件42從載體26向上延伸超過(guò)互連件66。如所示出的那樣，側(cè)壁46在凹ロ式芯片附連區(qū)域36的上方延伸以及沿其延伸，并且鄰近最外部的互連件66。側(cè)壁46在互連件66的附近的高度hsw高于互連件66的高度hie。因而，側(cè)壁46促進(jìn)在換能器模塊14組裝到囊16上的期間保護(hù)互連件66。此外，側(cè)壁46在載體26的外邊緣37上用作對(duì)準(zhǔn)導(dǎo)引件或軌道，以使得載體18能夠插入囊凹槽24內(nèi)。此外，側(cè)壁46促進(jìn)在載體插入囊的期間使載體26保持與囊16大致齊平。具體而言，側(cè)壁46促進(jìn)在插入期間阻止載體26向上傾斜，這又阻止互連件66接觸囊16的內(nèi)部部分41。另外，在示例性實(shí)施例中，阻隔件42的側(cè)壁46和端壁48促進(jìn)阻止傳感器芯片12和互連件66的任何保護(hù)涂層或封閉劑或隔離材料在裝置10的組裝期間被組裝者接觸。另外，阻隔件42促進(jìn)在裝置10的運(yùn)輸和進(jìn)ー步處理期間容納任何保護(hù)涂層或封閉劑或隔離材料。 在導(dǎo)管尖部裝置10的制造期間，換能器模塊14可以各種各樣的方式(包括(但不限于)塑料焊接、溶劑結(jié)合和/或使用粘合劑)附連到囊16上。另外，可用封閉劑填充囊16，諸如例如介電有機(jī)硅灌封。圖7是用于制造導(dǎo)管尖部裝置10的示例性方法的流程圖。在示例性實(shí)施例中，制造過(guò)程700-790中的任何或全部均可為完全自動(dòng)化的，因而提供顯著的質(zhì)量改進(jìn)和成本降低。首先，使用MID技術(shù)來(lái)產(chǎn)生700載體26陣列。備選地，可使用可產(chǎn)生載體26而使得載體26如本文描述的那樣起作用的任何模制或加工エ藝。使各個(gè)載體26形成710有使得至少ー個(gè)換能器芯片12能夠附連在其中的至少ー個(gè)凹ロ式芯片附連區(qū)域36。產(chǎn)生710各個(gè)載體26，使得阻隔件42定位在至少芯片附連區(qū)域30和導(dǎo)線墊區(qū)域34上。在制造期間，為導(dǎo)線區(qū)域32產(chǎn)生720至少ー個(gè)凹槽56。然后將至少ー個(gè)換能器芯片12附連730到凹ロ式芯片附連區(qū)域36上?？墒褂谜澈蟿?0 (例如有機(jī)硅凝膠或在室溫下硬化(RTV)的有機(jī)硅)來(lái)附連730換能器芯片12與凹ロ式芯片附連區(qū)域36。這個(gè)凹ロ式芯片附連區(qū)域36通過(guò)這樣的方式使得能夠使用環(huán)氧樹脂將預(yù)成形的環(huán)氧樹脂置于凹ロ式芯片附連區(qū)域36中，然后布置換能器芯片12，以及然后使環(huán)氧樹脂回流，而沒(méi)有溢出的風(fēng)險(xiǎn)?；ミB或電聯(lián)接740各個(gè)換能器芯片12。一旦互連，阻隔件42就對(duì)換能器芯片12和互連件66提供保護(hù)，以防在處理、制造或運(yùn)輸過(guò)程期間接觸或撞到囊16。在完成換能器芯片12的互連之后，廣生完整的換能器t旲塊104陣列，陣列中的各個(gè)換能器模塊14包括附連到載體26上的換能器芯片12，以及在換能器芯片12之間的ー個(gè)或多個(gè)互連件66。接下來(lái)，可將多個(gè)囊16安裝到夾具(未顯示)上。夾具可具有帶有構(gòu)造成接收囊16的開ロ的至少ー個(gè)凹ロ式區(qū)域。囊16可設(shè)置成陣列，以促進(jìn)將它們置于夾具的開口中。移除或単一化(singulate)載體26陣列的ー側(cè)，以暴露換能器模塊14。從陣列中取出完整的換能器模塊14。一旦取出，阻隔件42則對(duì)準(zhǔn)750特定的囊16，使得完整的換能器模塊14可插入到囊16中。在插入期間，使阻隔件42的相對(duì)的側(cè)壁46對(duì)準(zhǔn)750囊16的凹槽24。將側(cè)壁46插入760到凹槽24的附近，以啟用囊16的腔體18內(nèi)的芯片凹ロ式區(qū)域36。通過(guò)諸如(但不限于)通過(guò)塑性焊接、溶劑結(jié)合或使用粘合劑的エ藝來(lái)將插入的載體26附連到囊16上。通過(guò)自動(dòng)化的エ藝，可對(duì)囊16填充諸如例如介電有機(jī)硅灌封提供770的封閉劑，以保護(hù)換能器芯片12和互連件66免受外部環(huán)境的影響。將至少一個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)線58布置780在凹槽56內(nèi)，使得凹槽56對(duì)準(zhǔn)導(dǎo)電導(dǎo)線58。在將導(dǎo)電導(dǎo)線58置于凹槽56內(nèi)之后，將導(dǎo)線附連材料64施用790到導(dǎo)電導(dǎo)線58上和凹槽56內(nèi)，以使得導(dǎo)電導(dǎo)線58能夠附連到載體26上。在制造期間，凹槽56促進(jìn)將導(dǎo)電導(dǎo)線58對(duì)準(zhǔn)到導(dǎo)線區(qū)域32上。凹槽56還促進(jìn)將材料64保持在凹槽56內(nèi)和導(dǎo)電導(dǎo)線58上，使得材料將電橋接到相鄰的導(dǎo)電導(dǎo)線58上的可能性降低。 在另ー種方法中，在擠制換能器模塊14之前，將導(dǎo)電導(dǎo)線58布置在凹槽56內(nèi)，使得凹槽56對(duì)準(zhǔn)730導(dǎo)電導(dǎo)線58。在將導(dǎo)電導(dǎo)線58置于凹槽56內(nèi)之后，將導(dǎo)線附連材料64施用到導(dǎo)電導(dǎo)線58上和凹槽56內(nèi)，以使得導(dǎo)電導(dǎo)線58能夠附連到載體26上。然后，通過(guò)移除或単數(shù)化載體26的陣列的一側(cè)來(lái)取出換能器模塊14，以將換能器模塊14插入到囊16中。導(dǎo)管尖部裝置10的制造促進(jìn)將換能器模塊14插入到囊16中。換能器模塊14大小設(shè)置成和定向成精確地插入囊16內(nèi)，同時(shí)在制造過(guò)程期間保護(hù)芯片、導(dǎo)線和相關(guān)聯(lián)的電互連件。通過(guò)防止或去除組裝技術(shù)員的困難和/或不精確的處理，精確地制造換能器模塊14以及將換能器模塊14插入囊16內(nèi)增強(qiáng)了裝置10的整體制造性。另外，精確地插入換能器模塊14增強(qiáng)了導(dǎo)管尖部裝置10的操作性，并且促進(jìn)將導(dǎo)管尖部裝置10置于身體內(nèi)。本書面描述使用實(shí)例來(lái)公開本發(fā)明，包括最佳模式，并且還使本領(lǐng)域任何技術(shù)人員能夠制造和使用本發(fā)明。本發(fā)明的可授予專利的范圍由權(quán)利要求限定，并且可包括本領(lǐng)域技術(shù)人員想到的其它實(shí)例。如果這樣的其它實(shí)例具有不異于權(quán)利要求的字面語(yǔ)言的結(jié)構(gòu)元素，或者如果這樣的其它實(shí)例包括與權(quán)利要求的字面語(yǔ)言無(wú)實(shí)質(zhì)性差異的等效結(jié)構(gòu)元素，則它們意圖處于權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。本書面描述使用實(shí)例來(lái)公開本發(fā)明，包括最佳模式，并且還使本領(lǐng)域任何技術(shù)人員能夠?qū)嵺`本發(fā)明，包括制造和使用任何裝置或系統(tǒng)，以及執(zhí)行任何結(jié)合的方法。本發(fā)明的可授予專利的范圍由權(quán)利要求限定，并且可包括本領(lǐng)域技術(shù)人員想到的其它實(shí)例。如果這樣的其它實(shí)例具有不異于權(quán)利要求的字面語(yǔ)言的結(jié)構(gòu)元素，或者如果這樣的其它實(shí)例包括與權(quán)利要求的字面語(yǔ)言無(wú)實(shí)質(zhì)性差異的等效結(jié)構(gòu)元素，則它們意圖處于權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種換能器模塊,包括 載體(26)，其包括凹ロ式芯片附連區(qū)域(36)和導(dǎo)線區(qū)域(32)，所述導(dǎo)線區(qū)域(32)包括形成于其中的至少ー個(gè)凹槽(38);以及 阻隔件(42)，其從所述載體(26)延伸，并且部分地包圍所述凹ロ式芯片附連區(qū)域(36)，以促進(jìn)在制造過(guò)程期間保護(hù)所述凹ロ式芯片附連區(qū)域(36)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的換能器模塊，其特征在于，所述至少一個(gè)凹槽(38)沿著所述導(dǎo)線區(qū)域(32)基本沿軸向延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的換能器模塊，其特征在于，所述至少一個(gè)凹槽(38)促進(jìn)對(duì)準(zhǔn)布置到所述載體(26)上的至少ー個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)線(58)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的換能器模塊，其特征在于，所述載體(26)包括聯(lián)接到所述凹ロ式芯片附連區(qū)域(36)上的換能器芯片(12)，所述換能器芯片(12)通過(guò)互連件(66)來(lái)電連接到所述至少ー個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)線(58)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的換能器模塊，其特征在于，所述阻隔件(42)從所述載體(26)向上延伸高于所述互連件(66) —定距離。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的換能器模塊，其特征在于，所述阻隔件(42)包括一對(duì)相對(duì)的側(cè)壁(46)和在所述側(cè)壁(46)之間延伸的端壁(48)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的換能器，其特征在于，各個(gè)側(cè)壁(46)包括第一端(50)、第二端(52)以及在所述第一端(50)和所述第二端(52)之間延伸的本體(54)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的換能器，其特征在于，所述第一端(50)具有短于所述第二端(52)的高度(h2)的高度(hi)。
9.一種導(dǎo)管尖部裝置，包括 囊(16)； 附連到所述囊(16)上的換能器模塊(14)，所述換能器模塊(14)包括 包括凹ロ式芯片附連區(qū)域(36)且包括導(dǎo)線區(qū)域(32)的載體(26)； 位于所述凹ロ式芯片附連區(qū)域(36)中的換能器芯片(12)，以及 布置到所述導(dǎo)線區(qū)域(32)的至少ー個(gè)凹槽(38)中的至少ー個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)線(58)，所述至少ー個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)線(58)電互連到所述換能器芯片(12)上；以及 阻隔件(42)，其從所述載體(26)延伸，并且部分地包圍所述凹ロ式芯片附連區(qū)域(36)，以促進(jìn)在制造過(guò)程期間保護(hù)所述凹ロ式芯片附連區(qū)域(36)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)管尖部裝置，其特征在于，所述至少一個(gè)凹槽(38)包括促進(jìn)對(duì)準(zhǔn)布置到所述載體(26)上的所述至少ー個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)線(58)的相対的壁(39)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)管尖部裝置，其特征在于，所述阻隔件(42)包括一對(duì)相對(duì)的側(cè)壁(46)和端壁(48)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的導(dǎo)管尖部裝置，其特征在于，所述對(duì)相對(duì)的側(cè)壁(46)部分地包圍所述換能器芯片(12)和所述至少ー個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)線(58)的所述電互連。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)管尖部裝置，其特征在于，各個(gè)側(cè)壁(46)包括第一端(50)、第二端(52)以及在所述第一端(50)和所述第二端(52)之間延伸的本體(54)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的導(dǎo)管尖部裝置，其特征在于，所述本體(54)在所述第一端(50)和所述第二端(52)之間漸縮。
15.ー種制造導(dǎo)管尖部裝置的方法，包括 形成載體(26)，所述載體(26)包括凹ロ式芯片附連區(qū)域(36)、凹槽式導(dǎo)線區(qū)域(32)和至少部分地包圍在所述凹ロ式芯片附連區(qū)域(36)的周圍的阻隔件(42)； 將至少一個(gè)換能器芯片(12)附連到所述凹ロ式芯片附連區(qū)域(36)上；以及 互連所述至少ー個(gè)換能器芯片(12)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法進(jìn)ー步包括將至少一個(gè)導(dǎo)電導(dǎo)線(58)布置在所述凹槽式導(dǎo)線區(qū)域(32)內(nèi)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法進(jìn)ー步包括將熔敷材料(64)施用到所述凹槽式導(dǎo)線區(qū)域(32)中。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，形成所述載體(26)包括形成包括ー對(duì)相對(duì)的側(cè)壁(46)和端壁(48)的所述阻隔件(42)。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述方法進(jìn)ー步包括通過(guò)將所述阻隔件(42)的所述對(duì)相對(duì)的側(cè)壁(46)對(duì)準(zhǔn)到所述囊(16)的凹槽(24)中來(lái)對(duì)準(zhǔn)所述阻隔件(42)與囊(16)。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法進(jìn)ー步包括將所述載體(26)插入到所述囊(16)內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明涉及導(dǎo)管尖部裝置及其制造方法。一種導(dǎo)管尖部裝置和用于制造導(dǎo)管尖部裝置的方法。裝置(10)包括附連到囊(16)上的換能器模塊(14)，其中，換能器模塊(14)包括載體(26)。載體(26)包括凹口式芯片附連區(qū)域(36)、具有設(shè)置在其中的至少一個(gè)凹槽(38)的導(dǎo)線區(qū)域(32)，并且包括阻隔件(42)。阻隔件(42)從載體(26)延伸，以部分地包圍凹口式芯片附連區(qū)域(36)。制造導(dǎo)管尖部裝置(10)的方法包括利用將載體(26)插入到囊(16)中。
文檔編號(hào)A61B5/00GK102649001SQ201210052790
公開日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2012年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月22日
發(fā)明者B·J·奈曼, C·V·米克勞斯, J·F·馬爾奎恩, M·A·謝沃德 申請(qǐng)人:通用電氣公司