專利名稱：痤瘡治療的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種采用加熱治療痤瘡的方法，以及更具體的，應用加熱優(yōu)先或部分破壞毛發(fā)毛囊、皮脂腺和/或其他與痤瘡相關的結構，從而改善或根除痤瘡而不損害皮膚。
背景技術：
痤瘡是一種毛囊皮脂腺的炎癥性疾病，其中，我們認為是毛囊的阻塞導致了粉刺(即黑頭或白頭)的形成，其由皮脂、角蛋白和微生物，特別是痤瘡丙酸桿菌(P.acnes)組成。我們進一步認為P.acnes分解皮脂和角蛋白生成一些產(chǎn)物，這些產(chǎn)物可刺激毛囊、導致炎癥、膿腫或囊腫形成，或在嚴重的病例中形成瘢痕。痤瘡影響青少年和成年人，有時年齡直到55歲。
局部治療包括用過氧化苯甲酰殺滅細菌并干燥皮膚、水楊酸幫助清除毛囊阻塞、以及用硫清除毛囊阻塞和幫助消除黑頭和白頭。名為類視色素的維生素A衍生物可以局部用于加速皮膚脫落、幫助清除毛囊阻塞。全身性抗生素治療和/或口服類視色素，諸如異維生素A酸，常常更有效，但由于它們有更嚴重的副反應，因此只用于嚴重的痤瘡病例。
加熱燈也可用于減輕痤瘡的癥狀，也許能促進拔除毛囊栓及感染的引流。相似地，我們熟知延長暴露于陽光中以及使用紫外燈可有助于改善痤瘡的癥狀。
根據(jù)現(xiàn)有所述的脫毛治療法(Tankovich，US 5,425,728 and US5,226,907，在此將其公開資料并入本文作為參考)，將一種對于某一波長光線吸收率高的污染物，比如石墨，用于皮膚的一個部位。采用短激光脈沖以適當波長的照射皮膚來破壞毛發(fā)結構。我們認為此種脫毛方法不能用于治療痤瘡，因為污染物會刺激皮膚，在痤瘡存在的情況下，會加重痤瘡的癥狀。
在另一現(xiàn)有脫毛治療技術中(Eckhouse，EPO 736308 and EPO788814，在此將其公開資料并入本文作為參考)，用600至1300nm的濾過光通過一塊至于皮膚表面的凝膠照射到皮膚上。毛發(fā)吸收了光，加熱至約70℃，導致毛囊的破壞，從而破壞毛囊。用于皮膚上的凝膠起散熱片的作用，以防止皮膚達到發(fā)生加熱損傷的溫度。該系統(tǒng)不可用于治療痤瘡。
先前的一項痤瘡治療技術系統(tǒng)(US Patent 5,540,660，在此將其公開資料并入本文作為參考)使用發(fā)光二極管(LEDS)照射病人皮膚上包括痤瘡的那一小塊區(qū)域。所描述的系統(tǒng)在治療期間沒有預防皮膚損害的措施。但是，LEDS的輻射水平很少或幾乎不產(chǎn)生熱。
A.R Shalita MD，等人在Clinicl Application Notes Vol.9 No.1，“Acne Photo Clearing Using a Novel，High Intensity Enhanced，NarrowBand Blue Light Source，”(在此將其公開資料并入本文作為參考)中報道用可被光卟啉吸收的特異光帶來治療痤瘡。光卟啉的激發(fā)產(chǎn)物，一種由P.acnes產(chǎn)生的化學物質(zhì)，可破壞某些P.acnes細菌。該方法并非特異性針對產(chǎn)生痤瘡的結構，治療8周后，僅60％的病例有改善。
Anderson和Parrish在1983年介紹了選擇性光熱分解(“SelectivePhotothermolysisPrecise Microsurgery by Selective Absorption of PulsedRadiation，”Science，Vol.220，pp.524-527)，在此將其公開資料并入本文作為參考，其中被破壞組織的特征在于，相較于周圍組織，其對某一波長電磁輻射的光吸收有顯著的增強。脈沖時間與目標的熱緩解時間保持相似，以防止對周圍皮膚的熱損傷。
另一現(xiàn)有技術系統(tǒng)(在WO 99/449937中描述，在此將其公開資料并入本文作為參考)通過選擇性吸收輻射而直接加熱富含脂肪的組織(諸如皮脂腺)，從而導致相關結構的破壞(諸如毛囊及痤瘡)。為了防止皮膚損傷，在皮膚上應用降溫物質(zhì)。由于降溫物質(zhì)是無選擇性的，它也可能冷卻毛囊皮脂腺栓，阻止痤瘡感染的引流。富含脂肪組織吸收的熱量可以傳導到毛囊，破壞毛發(fā)。
在美國專利6,187,001中說明了先前所述的基于光熱分解的脫發(fā)技術系統(tǒng)，在此將其公開資料并入本文作為參考。在該方法中，輻射能量使皮膚和毛發(fā)的溫度升高。然后，熱量從皮膚外的空氣經(jīng)由毛發(fā)傳導入毛囊，破壞毛囊。最初對皮膚和毛發(fā)的加熱升高了它們的溫度，以此降低傳導入毛囊破壞毛發(fā)所需加熱的持續(xù)時間和強度，防止加熱周圍組織而引起的損傷。可治療的組織包括胎記、酒色斑、微血管擴張及靜脈曲張。此項專利未指明其可用于治療痤瘡。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明某些實施例的一個方面，在痤瘡的治療中，熱量經(jīng)毛發(fā)傳導入毛囊，破壞毛囊并使痤瘡減小或消退。
此外或可選擇的，熱量經(jīng)毛發(fā)傳導入毛囊和/或一個或多個痤瘡相關結構，破壞它們，使痤瘡減小或消退。痤瘡相關結構包括，(但不限于)皮脂腺、乳突、細菌(諸如痤瘡丙酸桿菌)、痤瘡囊腫或結節(jié)、痤瘡丘疹、痤瘡膿皰、毛囊內(nèi)過度角化、由閉合粉刺(白頭)或開放粉刺(黑頭)構成的毛囊皮脂腺毛囊、假性毛囊炎(向內(nèi)生長的毛發(fā))、汗腺、汗腺導管及出血性毛囊栓。
加熱毛發(fā)通常伴隨著輻射或熱量從皮膚外傳導入毛發(fā)。依照本發(fā)明的某些實施例，到達皮膚的熱量至少部分是從皮膚外的空氣傳導而來的，例如引用的上述美國專利6,187,001。
在一個示例中，在熱量經(jīng)毛發(fā)傳導入毛囊并破壞毛發(fā)及一個或多個痤瘡相關結構之前，毛發(fā)和皮膚的溫度就升高了，例如用脈沖輻射能量。這種輻射能量，舉例而言，可以是來自高強度燈發(fā)出的白光(可選擇通過一適當波長的選擇裝置，例如濾波器)、寬帶電磁輻射或一種激光束，其具有適當?shù)牟ㄩL，容易被痤瘡相關結構所吸收。
在一示例中，升高皮膚和毛發(fā)周圍的溫度可以降低通過熱傳導破壞毛囊和痤瘡相關結構所需熱量的強度和/或持續(xù)時間，因此皮膚溫度不會升高到發(fā)生損害的程度。此外，皮膚和毛發(fā)的加熱過程會降低皮膚與毛發(fā)之間的溫度梯度，因此經(jīng)毛發(fā)吸收且傳導到毛囊和痤瘡相關結構的熱量不會很快傳到皮膚，從而防止對皮膚的損害。
根據(jù)本發(fā)明某些實施例的一個方面，采用任何方法至少部分破壞毛發(fā)之后，用任何方法加熱皮膚周圍的空氣均可消退或改善痤瘡癥狀。這種加熱可以采用，例如，引用的上述美國專利6,187,001中所描述的方法。此外或可選擇的，高強度燈發(fā)出的白光通過一適當波長的選擇裝置(比如濾波器)可產(chǎn)生脈沖輻射能量。
此外或可選擇的，脈沖輻射能量為寬帶電磁波輻射。
此外或可選擇的，脈沖輻射能量為單色電磁輻射，例如來自激光束。該脈沖輻射能量可以是，例如，來自一激光束，其波長適合于被多數(shù)毛發(fā)和/或痤瘡相關結構中的一個或多個優(yōu)先吸收。
熱量被傳導至痤瘡相關結構，導致痤瘡相關物質(zhì)的引流和/或痤瘡相關結構的破壞及部分破壞的增加。
例如，當加熱分解了毛囊阻塞物，或加熱導致皮脂膨脹迫使阻塞物到開放的毛囊之外時，就發(fā)生了引流。
此外或可選擇的，采用任何方法至少部分地破壞毛發(fā)之后，熱量傳導到毛囊和/或直接通過皮膚，導致上述記錄的一個或多個痤瘡相關結構的破壞或部分破壞。
在一示例中，采用任何方法至少部分破壞毛發(fā)之后，在一個或多個痤瘡相關結構破壞之前，毛囊和/或皮膚的溫度就升高了。這樣降低了通過熱傳導引流毛囊和/或破壞一個或多個痤瘡相關結構所需加熱的強度和/或持續(xù)時間，從而保持皮膚溫度低于可發(fā)生熱損害的溫度。此外，升高皮膚和/或毛囊周圍的溫度可降低皮膚、毛囊和痤瘡相關結構之間的溫度梯度。經(jīng)毛發(fā)吸收且傳導到毛囊和痤瘡相關結構的熱量不會很快傳到皮膚，防止了對皮膚的損害。
根據(jù)本發(fā)明某些實施例的一個方面，在對痤瘡的治療中，一次或多次對皮膚加熱來破壞或部分破壞一個或多個痤瘡相關結構，而未導致皮膚或毛發(fā)的損傷。
在一示例中，熱量是經(jīng)由傳導來自皮膚周圍的熱空氣而供給皮膚的。溫度保持低于導致毛發(fā)或皮膚損傷所需的溫度，但是高于引起一個或多個痤瘡相關結構破壞或部分破壞所需的溫度。此外或可選擇的，應用加熱的持續(xù)時間短暫，因此對皮膚或毛發(fā)無損傷，但可破壞或部分破壞一個或多個痤瘡相關結構。此外或可選擇的，不止一次地對皮膚進行短暫的加熱，且加熱發(fā)生在痤瘡相關結構處而從毛發(fā)和皮膚處消散，導致至少部分地破壞痤瘡相關結構而未引起皮膚或毛發(fā)的損傷。
在本發(fā)明的一個示例中，該加熱為持續(xù)時間10至1000毫秒的脈沖加熱。
依照本發(fā)明的一個實施例，此處提供一種用于治療某一皮膚區(qū)域痤瘡的裝置，該裝置包括一個有開口的套，當開口置于與皮膚部位相接觸的部位時，該套形成一個腔，封閉一定體積的空氣；一個放置在套內(nèi)部的可開關熱源，其可快速加熱該體積的空氣，使其達到一定溫度，足以經(jīng)由傳導來自皮膚和/或毛發(fā)的熱量而破壞或部分破壞一個痤瘡相關結構；一個電源，其能夠可控制性地供應熱源能量。
因此這里提供了一種治療痤瘡的方法，包括加熱與痤瘡病灶相關的毛發(fā)；以及將能量從毛發(fā)傳導到至少一個痤瘡相關結構來至少部分破壞該結構。
視需要，一個痤瘡相關結構包括一個與痤瘡病灶相關聯(lián)的結構。
另外，該加熱視情況可不足以導致皮膚損傷。
視需要，該加熱的一部分由相干輻射能量產(chǎn)生。
另一選擇為，該加熱的一部分視需要由不相干的輻射能量產(chǎn)生。
視需要，加熱毛發(fā)包括加熱皮膚外部的空氣；以及將熱量經(jīng)毛發(fā)傳導至痤瘡相關結構。
在本發(fā)明的某些實施例中，加熱毛發(fā)導致該毛發(fā)的破壞。
視需要，毛發(fā)的破壞至少包括該毛發(fā)所在毛囊的部分破壞。
在本發(fā)明的某些實施例中，該加熱不足以導致毛發(fā)的損傷。
因此這里提供了一種治療痤瘡的方法，包括第一次用加熱來破壞與痤瘡病灶相關的毛發(fā)；以及第二次用脈沖加熱痤瘡病灶來至少部分破壞一個痤瘡相關結構。
視需要，該加熱的一部分由入射皮膚的相干輻射能量產(chǎn)生。
另外，該加熱的一部分視需要由入射皮膚的不相干輻射能量產(chǎn)生。
在本發(fā)明的某些實施例中，至少該加熱的一部分由傳導自皮膚外部空氣的熱量而產(chǎn)生。
視需要，至少該加熱的一部分由輻射能量產(chǎn)生，和皮膚相比，該輻射能量優(yōu)先加熱與病灶相關的病灶或皮脂。
因而此處提供了一種改善某一皮膚區(qū)域痤瘡癥狀的裝置，該裝置包括一個有開口的套，當開口置于與皮膚部位相接觸的部位時，該套形成一個腔，封閉一定體積的空氣；一個放置在套內(nèi)部的脈沖加熱源，其可快速加熱該體積的空氣，使其達到一定的溫度，足以經(jīng)由皮膚或毛發(fā)傳導熱量而破壞一個痤瘡相關結構，而不引起皮膚或毛發(fā)的損傷。
視需要，該脈沖燈加熱源在熱源與皮膚之間形成一個溫度梯度。
視需要，該脈沖燈加熱源不會加熱該容積的空氣達到足以損傷毛發(fā)或皮膚的溫度。
視需要，該脈沖加熱源所發(fā)出熱量的持續(xù)時間不足以升高皮膚或毛發(fā)的溫度至它們發(fā)生損傷。
視需要，該裝置包括一個對皮膚溫度有反應的熱傳感器，在皮膚和毛發(fā)溫度升高到可引起毛發(fā)或皮膚損傷的水平前降低它們的溫度。
在本發(fā)明的某些實施例中，該脈沖加熱源為一脈沖熱光源，用作傳送脈沖輻射以及通過傳導到皮膚進行加熱。
視需要，該脈沖熱光源可產(chǎn)生寬帶脈沖光。
視需要，該脈沖熱光源包括一可過濾該寬帶脈沖光的濾波器。
視需要，該脈沖熱光源為一閃光燈或一弧光放電燈。
因而此處提供了一種治療痤瘡的方法，包括用脈沖熱加熱患者的皮膚以及視需要加熱毛發(fā)；將一部分來自皮膚，以及視情況可來自毛發(fā)的熱量傳導至一個或多個痤瘡相關結構；以及通過傳導熱量至少部分破壞一個或多個痤瘡相關結構而未引起皮膚損傷。
視需要，加熱皮膚及視需要加熱毛發(fā)可以包括不止一次加熱，間期短于10分鐘。
另外，加熱皮膚及視需要加熱毛發(fā)可以視情況包括不止一次加熱，間期短于2分鐘。
另外，加熱皮膚及視需要加熱毛發(fā)可以視情況包括不止一次加熱，間期短于大約1分鐘。
另外，加熱皮膚及視需要加熱毛發(fā)可以視情況包括不止一次加熱，其中每次加熱不足以導致一個痤瘡相關結構的完全破壞。
視需要，一個痤瘡相關結構包括一個與痤瘡病灶相關的結構。
視需要，該加熱的一部分由相干輻射能量產(chǎn)生。
另外，至少該加熱的一部分視情況可由不相干輻射能量產(chǎn)生。
在本發(fā)明的某些實施例中，加熱皮膚及視需要加熱毛發(fā)包括加熱皮膚外部的空氣；以及經(jīng)由皮膚及視需要經(jīng)由毛發(fā)傳導熱量至一個或多個痤瘡相關結構。
在本發(fā)明的某些實施例中，加熱皮膚及視需要加熱毛發(fā)包括加熱皮膚和毛發(fā)。
在本發(fā)明的某些實施例中，痤瘡包括一個皮膚外部無相關毛發(fā)的病灶，其中加熱毛發(fā)及視需要加熱皮膚包括加熱該皮膚。
視需要，加熱皮膚及視需要加熱毛發(fā)包括加熱皮膚和毛發(fā)。
視需要，該痤瘡包括皮膚外部無相關毛發(fā)的病灶，其中加熱毛發(fā)及視需要加熱皮膚包括加熱該皮膚。
在本發(fā)明的某些實施例中，痤瘡相關結構視情況可包括痤瘡囊腫或結節(jié)。
另外，痤瘡相關結構視情況可包括皮脂腺。
另外，痤瘡相關結構視情況可包括乳突。
另外，痤瘡相關結構視情況可包括痤瘡丘疹。
另外，痤瘡相關結構視情況可包括痤瘡膿皰。
另外，痤瘡相關結構視情況可包括毛囊內(nèi)過度角化。
另外，痤瘡相關結構視情況可包括汗腺。
另外，痤瘡相關結構視情況可包括出血性毛囊栓。
另外，痤瘡相關結構視情況可包括阻塞物。
另外，痤瘡相關結構視情況可包括細菌。
另外，痤瘡相關結構視情況可包括痤瘡丙酸桿菌。
另外，痤瘡相關結構視情況可包括毛囊皮脂腺毛囊阻塞物。
另外，痤瘡相關結構視情況可包括毛囊皮脂腺毛囊阻塞物，其包括一閉合粉刺(白頭)。
另外，痤瘡相關結構視情況可包括毛囊皮脂腺毛囊阻塞物，其包括一開放粉刺(黑頭)。
另外，痤瘡相關結構視情況可包括假性毛囊炎。
附圖簡要說明在以下說明中描述了本發(fā)明的無限制示例，請參考閱讀附于此處的圖表。在這些圖表中，出現(xiàn)于不止一幅圖中的相同及相似的結構、組件或其中的部分在圖中一般用相同的或相似的旁注標記。主要依照方便和明確的展示來選擇圖中所示組件及輪廓的大小，而不是必須放大。附圖為

圖1為本發(fā)明裝置某一實施例的示意圖，其用于第一次治療某一區(qū)域的皮膚，包括毛發(fā)和相關結構；圖2為本發(fā)明裝置某一實施例的示意圖，其用于在接下來幾次中治療某一區(qū)域的皮膚，包括毛發(fā)和相關結構。
具體實施方案圖1為本發(fā)明中用來治療痤瘡的一示范性加熱裝置100一實施例的示意圖。加熱裝置100用于對皮膚110和毛發(fā)112的某個區(qū)域加熱，升高它們的溫度，導致痤瘡癥狀的改善或消退。
在一個示例中，加熱裝置100有一輻射加熱源114，其提供可被毛發(fā)112及皮膚110吸收的脈沖輻射熱能。視需要，加熱裝置100有一個套120，其設計有一反光表面來增加脈沖輻射加熱源114的加熱功效。此外或可選擇的，套120有一墊圈118，其用來將套120靠在皮膚上封閉，使熱量丟失量相對減少。視需要，加熱裝置100也可包括第二個單色輻射加熱源144，其當皮膚達到預定溫度，如60℃時打開來選擇性加熱毛發(fā)。
在一個示例中，輻射能量源144實質(zhì)上是單色輻射能量的激光束。Zaias在Us Patent No.5,059,192中揭示了這種用作去除毛發(fā)的現(xiàn)有技術系統(tǒng)。
視需要，輻射加熱源114可以是脈沖染色激光，如由Candela Corp.of Wayland，Mass制造的Sclero-激光。
在一個示例中，根據(jù)Eckhouse，EPO 736308的現(xiàn)有技術應用，該輻射能量源的應用時間近似為10至100毫秒，能量流量近似為10至100J/cm2。在另一該現(xiàn)有技術所講述的實施例中，每一步驟至少用兩個成角偏散來重復，從而至少獲得兩個穿透深度。
在用于脫毛法的現(xiàn)有技術所描述的另一實施例中，將凝膠或其它適當?shù)囊后w物質(zhì)用于皮膚110上使其冷卻，以便輻射能量主要被毛發(fā)112吸收且傳導入毛囊142。
此外或可選擇的，脈沖輻射加熱源114可以根據(jù)受體皮膚類型提供熱量。由于波長較短的波不易穿過皮膚，所以應視情況使用可截斷引起各種皮膚色素沉著的短波的濾波器。例如，當患者皮膚白皙時，截斷600nm波長的波，而對皮膚黑的人則應采取截斷700至800nm范圍的波。
在本發(fā)明的另一實施例中，例如圖2中所示，加熱源244提供非輻射能量246，例如脈沖熱，來加熱皮膚周圍的空氣。視需要，加熱源244可以提供輻射能246，比如脈沖輻射。實際上，單一來源，例如脈沖閃光燈，可以提供兩種熱源。在這樣一個裝置中，脈沖輻射能首先到達皮膚，預熱毛發(fā)及皮膚。來自燈的熱量傳向皮膚，加熱毛發(fā)和皮膚。然而，在溫度達到足以損傷皮膚前，通過吹冷經(jīng)過皮膚的空氣、吸收套的熱空氣或?qū)⑻讖钠つw移開來去除皮膚的熱量。該型裝置是由，例如，美國專利6,187,001講述的。
在一個示例中，舉例而言，輻射能量源114為一盞如現(xiàn)有技術US6,187,001中所講述的氙弧光燈，其具有一個玻璃管或任何其他閃光燈的。當閃光時，該燈放射出可被皮膚和毛發(fā)吸收的寬帶電磁輻射來提供預加熱。
此外或可選擇的，該熱源為與一盞濾波器相連的石英閃光燈。該濾波器能夠濾去導致皮膚損傷的100-400nm的光。
此外或可選擇的，提供具有增強能量傳送的加熱源100。例如，表面122為一拋物線反射器，其有助于來自熱源114和/或熱源144或熱源244的輻射能量的傳布。此外或可選擇的，提供凹透鏡來使寬帶光/或輻射能成為平行線，因而燈發(fā)出的所有能量基本上都直接射向靶點及周圍組織。
任何所選熱源的目標都是使得盡管毛發(fā)、皮脂腺及痤瘡相關結構被破壞，但加熱不引起皮膚110的損傷。這是因為輻射能量打開的時間不會長到足以損傷周圍組織，而僅僅經(jīng)毛發(fā)112和/或痤瘡相關結構傳導一短暫時間。此外或可選擇的，皮膚110及毛發(fā)112被預先加熱，被治療的結構與周圍皮膚110間的溫度梯度小，；因此，到達周圍組織的熱流率是極微的，所以皮膚不會受損傷。
此外或可選擇的，本發(fā)明打算使用任何可以通過選擇性加熱毛發(fā)而對其進行破壞的加熱源。
在一示例中，本發(fā)明采用脫毛法來導致痤瘡癥狀的改善或消失。為了破壞或部分破壞毛發(fā)，脈沖輻射熱量由毛發(fā)112傳導至毛囊根部130，從而使毛發(fā)112脫落。另外，熱量經(jīng)毛發(fā)112傳導以破壞或部分破壞毛囊皮脂腺栓124、皮脂腺138和痤瘡相關結構及存在于這些結構中的P.acnes。
另外，加熱破壞或部分破壞了毛發(fā)112及引起痤瘡相關結構內(nèi)皮脂142和角蛋白的流動，使這些結構引流。P.acnes是一種厭氧菌，其暴露于氧氣下即可被破壞。物質(zhì)流出了毛囊根136周圍的空間，不僅部分清除了P.acnes的養(yǎng)分來源，而且允許氧氣進入毛囊根部空間136、皮脂腺138及相關結構，殺滅P.acnes細菌。
圖2為本發(fā)明加熱裝置200的實施例示意圖，其用于在隨后的機會中治療對包括毛發(fā)和相關結構的某一區(qū)域皮膚。
如上所述，在第一次治療中，用任何方法破壞毛發(fā)。然后，在第二次或進一步接下來的治療中(其可以距離第一次治療數(shù)天或數(shù)周)加熱源244引起皮膚210的一個區(qū)域的一個或多個痤瘡相關結構的部分破壞來改善痤瘡感染，此時所用的功率可以低于上述最初治療所用的功率。
例如，毛發(fā)被加熱源244破壞了的毛囊212經(jīng)過第二次應用能量治療后被開放，允許任何皮脂、角蛋白或液體的引流。含有皮脂218，而其毛發(fā)被破壞了的毛囊214出現(xiàn)出血性栓子216，其為脫毛所致，現(xiàn)在用隨后來自加熱源244的治療措施對其進行治療。由于不暴露于空氣中，皮脂218，已經(jīng)成為P.acnes感染的基礎并且參與改變痤瘡膿皰的過程。
毛發(fā)破壞了的毛囊220有一小的毛囊皮脂腺栓222，其在第一次治療后形成，且開始阻塞毛囊220，因而皮脂腺224產(chǎn)生皮脂潴留，接著被P.acnes感染。現(xiàn)在用加熱源224打開阻塞的毛囊220。毛發(fā)破壞了的毛囊230已被一些出血性碎屑232填滿，這些碎屑存在于液體里，導致感染的形成。此外，加熱源224正被用于去除出血性碎屑232，因而感染能繼續(xù)消退。
在一個示例中，在第二次治療時，加熱源244輸送熱量246到毛囊214、220、230內(nèi)的阻塞物，因而它們分解并通過代謝原料的丟失或通過氧氣的作用而去除P.acnes細菌。
痤瘡相關結構的部分破壞導致毛囊皮脂腺栓的不完全改善，減少細菌生長，將痤瘡發(fā)炎的嚴重度降到最小。隨后的治療開放毛囊，促使痤瘡癥狀進一步改善或消失。
圖2也包括本發(fā)明裝置的實施例示意圖，其用于根據(jù)本發(fā)明裝置的另一實施例對包括毛發(fā)和相關結構的皮膚的某個區(qū)域進行重復治療。依照本發(fā)明的該實施例，毛發(fā)未破壞。
當用圖2的示范裝置治療痤瘡時，伴有毛發(fā)的破壞，閃光燈所提供的輻射能量水平一般在6-7.5J/cm2范圍(總光能量約75J)，閃光燈所提供的電能量的水平為520-600J，熱能為450-530J。這些數(shù)值是代表性的，也可以用其它高一些的數(shù)值。發(fā)明者已經(jīng)發(fā)現(xiàn)單次治療對破壞毛發(fā)和痤瘡通常都是有效的，因此隨后的治療通常不是必需的。
為了不破壞毛發(fā)，采用低水平的能量。該低水平在如上所述的毛發(fā)破壞后的后續(xù)治療中也是可行的。
例如，對于用作破壞毛發(fā)的相同裝置，輸入350-420J的電可提供3.4J/cm2水平的輻射能以及約50J的光能和約300-370J的熱能。然而，在本發(fā)明該實施例中，有用的能量水平比這些數(shù)值更寬，而且可以采用低于毛發(fā)破壞臨界值的能量水平，只要足以加熱痤瘡相關結構來達到足以破壞它們的高水平。例如可采用2J/cm2水平的輻射能量。
該能源可以在短期間隔內(nèi)(例如每次應用之間間隔1分鐘)兩次或更多次地(例如5次)通過皮膚。
可在數(shù)次治療時重復兩次或更多次的應用，例如三個星期的時間內(nèi)進行6次多重應用的治療。對毛發(fā)(諸如毛發(fā)112a和112b)的多重治療會導致痤瘡相關結構的部分破壞或引流，從而改善痤瘡感染。
我們認為，相對間隔較近的治療每次加熱毛囊皮脂腺栓或其它富含液體的結構到一給定溫度，其不足以破壞這些結構。然而，由于脂肪組織的高熱容量，第二次治療會進一步加熱液體組織到更高的溫度。然而，普通組織在間隔期間變冷，因而該組織的溫度不能升到高于第一次治療的溫度。但是，可能也有其它更復雜的機制造成了該結果。
無毛囊皮脂腺栓，皮脂142a和P.acnes可從毛發(fā)根部130a周圍的毛囊區(qū)域136a及毛發(fā)根部130b周圍的毛囊區(qū)域142b處引流，從而改善痤瘡感染。此外或可選擇的，隨著皮脂腺138a和138b的破壞和/或部分破壞，皮脂142a不能進一步形成，改善了痤瘡感染。此外或可選擇的，其它痤瘡相關結構被破壞、部分破壞和/或引流，從而改善了痤瘡病情。痤瘡相關結構包括(但不限于)一個或多個以下結構乳突、痤瘡囊腫或結節(jié)、痤瘡膿皰、毛囊內(nèi)角化過度、假性毛囊炎(毛發(fā)向內(nèi)生長)、汗腺、汗腺導管或出血性毛囊栓。
皮脂腺138和毛囊皮脂腺栓124和P.acnes結構破壞的溫度較毛發(fā)112低。因此，皮脂腺138、毛囊皮脂腺栓124和P.acnes可由于皮膚110和/或毛發(fā)112傳導的熱量而被破壞或部分破壞，即使該熱量不足以破壞毛發(fā)112。此外，這些結構似乎比皮膚和毛發(fā)能夠更長久的保持熱量，因此間隔一分鐘的多重加熱導致在這些結構中形成的熱量足以損傷它們，但卻不足以損傷皮膚和毛發(fā)。
此外或可選擇的，包含在之內(nèi)的黑素細胞能夠吸收輻射能量，該能量可以從毛囊230、220和214中的黑素細胞傳導來殺滅P.acnes細菌而不損傷皮膚或毛發(fā)。
盡管已用有限數(shù)量的實施例來描述了本發(fā)明，應了解仍可以對本發(fā)明進行許多變更、改進和其它應用。同時，變更元件的組合可以結合并且也可以使用單獨元件。正如附加的權利要求書所規(guī)定的，任何及所有這樣的變更和改進，以及本領域的技術人員熟知的其他變更都應在本發(fā)明的范圍內(nèi)進行。
這里所用術語“包括(include)”、“包含(comprise)”、“有(have)”以及它們的變化形式的意思是“包括但不必局限于”。
本領域的技術人員應了解本發(fā)明不受迄今已描述內(nèi)容的限制。更確切的，本發(fā)明的范圍僅受所附的權利要求書的限制。
權利要求
1.一種治療痤瘡的方法，包括加熱與痤瘡病灶相關的毛發(fā)；以及從毛發(fā)傳導熱量到至少一個痤瘡相關結構以至少部分破壞該結構。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述的痤瘡相關結構包括與痤瘡病灶相關聯(lián)的結構。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述的加熱不足以導致皮膚損傷。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述的加熱至少部分由相干輻射能量產(chǎn)生。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述的加熱至少部分由不相干輻射能量產(chǎn)生。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述的加熱毛發(fā)包括加熱皮膚外部的空氣；以及由毛發(fā)傳導熱量至痤瘡相關結構。
7.根據(jù)權利要求1至6任一項所述的方法，其中所述的加熱毛發(fā)導致該毛發(fā)的破壞。
8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中所述的毛發(fā)的破壞至少包括該毛發(fā)所在毛囊的部分破壞。
9.根據(jù)權利要求1至6任一項所述的方法，其中所述的加熱不足以導致毛發(fā)損傷。
10.一種治療痤瘡的方法，包括在第一次治療中用加熱破壞與痤瘡病灶相關的毛發(fā)；以及在第二次治療中脈沖加熱該痤瘡病灶來至少部分破壞痤瘡相關結構。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中所述的加熱至少部分由入射到皮膚上的相干輻射能量產(chǎn)生。
12.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中所述的加熱至少部分由入射到皮膚上的不相干輻射能量產(chǎn)生。
13.根據(jù)權利要求10至12任一項所述的方法，其中所述的加熱至少部分由傳導皮膚外部空氣的熱量所產(chǎn)生。
14.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中所述的加熱至少部分由輻射能量產(chǎn)生，與皮膚相比，其優(yōu)先加熱病灶或與病灶相關的皮脂。
15.一種用于改善一個皮膚區(qū)域中痤瘡癥狀的裝置，該裝置包括一個有開口的套，當開口置于與皮膚區(qū)域相接觸的部位時，該套形成一個腔，封閉一定體積的空氣；一個放置在套內(nèi)部的脈沖加熱源，可快速加熱該容積的空氣，使其達到足以經(jīng)由皮膚或毛發(fā)傳導熱量而破壞一個痤瘡相關結構，而不引起皮膚或毛發(fā)損傷的溫度，。
16.根據(jù)權利要求15所述的裝置，其中所述的脈沖光熱源在熱源和皮膚之間形成溫度梯度。
17.根據(jù)權利要求15所述的裝置，其中所述的脈沖加熱源不會將該容積空氣的溫度升高到足以損傷毛發(fā)或皮膚的程度。
18.根據(jù)權利要求15所述的裝置，其中所述的脈沖加熱源發(fā)出熱量的持續(xù)時間不足以使皮膚或毛發(fā)的溫度升高到它們發(fā)生損傷的程度。
19.根據(jù)權利要求15所述的裝置，該裝置包括一個對皮膚溫度有反應的熱傳感器，在溫度升高到可引起毛發(fā)或皮膚損傷的水平前降低它們的溫度。
20.根據(jù)權利要求15至19任一項所述的方法，其中所述的脈沖加熱源為一脈沖熱光源，用作傳送脈沖輻射及通過傳導到皮膚進行加熱。
21.根據(jù)權利要求20所述的裝置，其中所述的脈沖熱光源產(chǎn)生寬帶脈沖光。
22.根據(jù)權利要求20所述的裝置，該裝置包括一個可過濾寬帶脈沖光的濾波器。
23.根據(jù)權利要求20所述的裝置，其中所述的脈沖光熱源為一閃光燈或一弧光放電燈。
24.一種治療痤瘡的方法，包括用脈沖熱加熱患者的皮膚以及視需要加熱毛發(fā)；從皮膚以及視情況可從毛發(fā)傳導一部分熱量到一個或多個痤瘡相關結構；以及通過熱傳導至少部分破壞一個或多個痤瘡相關結構而未導致皮膚損傷。
25.根據(jù)權利要求24所述的方法，其中所述的加熱皮膚及視需要加熱毛發(fā)包括不止一次加熱，間隔短于10分鐘。
26.根據(jù)權利要求25所述的方法，加熱皮膚及視需要加熱毛發(fā)包括不止一次加熱，間隔短于2分鐘。
27.根據(jù)權利要求25所述的方法，加熱皮膚及視需要加熱毛發(fā)包括不止一次加熱，間隔短于大約1分鐘。
28.根據(jù)權利要求25所述的方法，其中所述的加熱皮膚及視需要加熱毛發(fā)包括不止一次加熱，其中所述的每一次加熱不足以導致一個痤瘡相關結構的完全破壞。
29.根據(jù)權利要求25所述的方法，其中所述的痤瘡相關結構包括與痤瘡病灶相關聯(lián)的結構。
30.根據(jù)權利要求25所述的方法，其中所述的加熱至少部分由相干輻射能量產(chǎn)生。
31.根據(jù)權利要求25所述的方法，其中所述的加熱至少部分由不相干輻射能量產(chǎn)生。
32.根據(jù)權利要求24至31任一項所述的方法，其中所述的加熱皮膚及視需要加熱毛發(fā)包括加熱皮膚外部的空氣；以及由皮膚及視情況可由毛發(fā)傳導熱量到一個或多個痤瘡相關結構。
33.根據(jù)權利要求24至31任一項所述的方法，其中所述的加熱皮膚及視需要加熱毛發(fā)包括加熱該皮膚及該毛發(fā)。
34.根據(jù)權利要求24至31任一項所述的方法，其中所述的痤瘡包括皮膚外面無相關聯(lián)毛發(fā)的一個病灶，其中所述的加熱毛發(fā)及視需要加熱皮膚包括加熱該皮膚。
35.根據(jù)權利要求32所述的方法，其中所述的加熱皮膚及視需要加熱毛發(fā)包括加熱該皮膚及該毛發(fā)。
36.根據(jù)權利要求32所述的方法，其中所述的痤瘡包括皮膚外面無相關毛發(fā)的病灶，其中所述的加熱毛發(fā)及視需要加熱皮膚包括加熱該皮膚。
37.根據(jù)權利要求1、10或24任一項所述的方法，其中所述的痤瘡相關結構包括痤瘡囊腫或結節(jié)。
38.根據(jù)權利要求1、10或24任一項所述的方法，其中所述的痤瘡相關結構包括皮脂腺。
39.根據(jù)權利要求1、10或24任一項所述的方法，其中所述的痤瘡相關結構包括乳頭狀突起。
40.根據(jù)權利要求1、10或24任一項所述的方法，其中所述的痤瘡相關結構包括痤瘡丘疹。
41.根據(jù)權利要求1、10或24任一項所述的方法，其中所述的痤瘡相關結構包括痤瘡膿皰。
42.根據(jù)權利要求1、10或24任一項所述的方法，其中所述的痤瘡相關結構包括毛囊內(nèi)角化過度。
43.根據(jù)權利要求1、10或24任一項所述的方法，其中所述的痤瘡相關結構包括汗腺。
44.根據(jù)權利要求1、10或24任一項所述的方法，其中所述的痤瘡相關結構包括出血性毛囊栓。
45.根據(jù)權利要求1、10或24任一項所述的方法，其中所述的痤瘡相關結構包括阻塞物。
46.根據(jù)權利要求1、10或24任一項所述的方法，其中所述的痤瘡相關結構包括細菌。
47.根據(jù)權利要求1、10或24任一項所述的方法，其中所述的痤瘡相關結構包括痤瘡丙酸桿菌。
48.根據(jù)權利要求1、10或24任一項所述的方法，其中所述的痤瘡相關結構包括毛皮脂腺囊阻塞物。
49.根據(jù)權利要求1、10或24任一項所述的方法，其中所說痤瘡相關結構包括含有閉合粉刺(白頭)的毛皮脂腺囊阻塞物。
50.根據(jù)權利要求1、10或24任一項所述的方法，其中所說痤瘡相關結構包括含有開放粉刺(黑頭)的毛皮脂腺囊阻塞物。
51.根據(jù)權利要求1、10或24任一項所述的方法，其中所述的痤瘡相關結構包括假性毛囊炎。
全文摘要
一種使用脈沖輻射能量(246)治療痤瘡的方法及設備(100)，以破壞或部分破壞一根或多根毛發(fā)(112)，而不損傷皮膚，或者，可選擇用以破壞或部分破壞一個或多個痤瘡相關結構而不損傷皮膚或毛發(fā)。
文檔編號A61N5/06GK1520276SQ01823404
公開日2004年8月11日 申請日期2001年6月27日 優(yōu)先權日2001年6月27日
發(fā)明者Z·阿薩爾, Z 阿薩爾, P·沙萊夫, 撤 申請人:雷迪恩斯公司