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一種加工珍珠的方法

文檔序號:8304914閱讀:593來源:國知局
一種加工珍珠的方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明設及一種加工珍珠的方法,屬于珍珠加工技術領域。
【背景技術】
[0002] 珍珠的主要成分為有機質和碳酸巧,呈層狀堆擱結構,使得珍珠的硬度不高,磨 損、劃傷、污染、腐蝕、長時間的氧化都會使其價值大損,因此如何妥善保養(yǎng)珍珠顯得尤為重 要。
[0003] 在珠寶玉石表面形成或者附著一種無色或有色的薄膜狀物質,不僅能夠掩蓋瑕 疵,改善珠寶玉石表面的顏色、光潔光澤度,還能起到抗磨損劃傷、抗腐蝕污染、抗氧化老化 的作用。該種在物件表面進行膜處理的技術的加工方式主要有鍛膜、覆膜、涂膜幾種。覆膜 是指將粘合劑涂布在塑料薄膜上,通過加壓加熱等方式使薄膜與物件結合制成覆膜產品, 此方法顯然不適用于珍珠的加工;鍛膜分為化學鍛、電鍛、真空鍛,電鍛對材質要求較高,化 學鍛污染嚴重且鍛膜性能不穩(wěn)定,而真空鍛膜是指在真空環(huán)境下,將某種金屬、金屬化合物 或者聚合物等非金屬W氣相的形式沉積到材料表面,屬于物理氣相沉積工藝;涂膜則是將 涂料施工于物件表面,待涂層固化后成膜,操作簡單,施工方式多樣,包括浸涂、空氣噴涂、 靜電噴涂、電泳涂裝等。
[0004] 為了使涂層與表面更好的結合,我們需要先對珍珠進行表面清洗。真空等離子處 理是最有效的對表面進行清洗、活化和涂層的處理工藝之一,通過使用該種創(chuàng)新的表面處 理工藝,可W去除灰塵和油污,精細清洗和去靜電;大幅提高表面的潤濕性能,形成活性的 表面;通過表面涂層處理提供功能性的表面,提高表面的附著能力,提高表面粘接的可靠性 和持久性,實現(xiàn)現(xiàn)代制造工藝所追求的高品質,高可靠性,高效率,低成本和環(huán)保等目標。
[0005] 現(xiàn)行工藝是在珍珠表面上蠟拋光,可W填補珍珠表面一些微小的縫隙,改善其光 潔度,還能使珍珠光澤色彩更加清晰動人。但是蠟膜穩(wěn)定性不夠好,在珍珠表面保持時間 短。

【發(fā)明內容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于提供一種加工珍珠的方法,W解決現(xiàn)有技術中存在的上述問 題。
[0007] 本發(fā)明的目的是通過W下技術方案來實現(xiàn)的:
[000引一種加工珍珠的方法,其包括如下步驟:
[0009] 珍珠前處理;
[0010] 將經過前處理的珍珠連線成串后,浸潤在涂料中,浸泡15~30min后,隊直定速度 牽引線頭將珍珠從涂料中提拉出來,使所述涂料均勻地粘附在珍珠表面;
[0011] 將粘附有涂料的珍珠在60~80°C下固化90~120min ;
[0012] 其中,所述涂料的由按重量百分數(shù)計的如下原料組成:
[001 引 棟楠蠟 5~10%; 十二烷基苯礙酸鋼 1~10%; 八甲基環(huán)四娃氧焼 25~!35%; 正娃酸乙廳 ]~2%; 甲基丙賺醜氧丙基甲基二甲氧基娃焼 化5~1%; 余量為水。
[0014] 作為優(yōu)選方案,所述珍珠前處理的方法為:先用清水或者酒精對珍珠進行預清洗, 然后將珍珠驚干后放入真空箱,在l(K)pa的真空條件下對珍珠進行等離子氣體轟擊。
[001引作為優(yōu)選方案,所述等離子氣體選自H2、Ar、N2中的任一種。
[0016] 作為優(yōu)選方案,述等離子氣體為&。
[0017] 作為優(yōu)選方案,對珍珠進行的預清洗在超聲條件下進行,所用超聲波設備功率密 度為 1. 5w/cm。
[001引作為優(yōu)選方案,所述珍珠穿線成串后,控制相鄰兩顆珍珠之間的距離為1mm。
[0019] 作為優(yōu)選方案,所述提拉珍珠的恒定速度為0. 1~0. 2mm/min。
[0020] 作為優(yōu)選方案,涂料粘度為7~15cp。
[0021] 與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明具有如下有益效果;表面膜處理后的珍珠將被賦予更好 的穩(wěn)定性,膜層很薄,無色透明,透光率為91%,保持了珍珠特有的美麗色彩光澤;硬度達 到3H,耐酸堿、耐高溫,因此對硬物的劃傷、汗液的侵蝕、灰塵等雜質的污染都有了更好的抵 抗性。由有機娃、無機納米填料復合而成的涂層,既具有蠟膜的優(yōu)點,又彌補了蠟膜的不足, 能長期穩(wěn)定地存在于珍珠表面,是優(yōu)良的替代材料。
【具體實施方式】
[0022] 下面結合具體實施例對本發(fā)明進行詳細說明。W下實施例將有助于本領域的技術 人員進一步理解本發(fā)明,但不W任何形式限制本發(fā)明。應當指出的是,對本領域的普通技術 人員來說,在不脫離本發(fā)明構思的前提下,還可W做出若干變形和改進。該些都屬于本發(fā)明 的保護范圍。
[0023] 各實施例和對比例的硬度W GB/T6739-1996的方法檢測。
[0024] 連施例1
[0025] 一、先用清洗液對珍珠進行預清洗,然后將珍珠驚干后放進真空倉內,用離子槍對 珍珠的表面進行轟擊,完成清洗;
[0026] 二、將清洗后的珍珠連線成串,控制相鄰珍珠間留有1mm的間隙,將珍珠浸潤在涂 料中15~30min后,W 0. 1~0. 2mm/min的恒速牽引線頭將珍珠從涂料中提拉起來,使涂 料均勻地粘附在珍珠表面;
[0027] 其中,所述涂料的由按重量百分數(shù)計的如下原料組成。
[002引 掠楠蠟 10%; 十二烷基苯礎酸鋼 1%; 八甲基環(huán)四娃氧焼 %%; 正珪酸乙醋 1%; 甲基丙締醜氧丙基甲基二甲氧基硅烷 0.5%; 余量為水。
[0029] S、將珍珠放入烘箱中,在60~80°C下加熱90~120min,固化成膜,膜層厚約為 3 ~5 U m。
[0030] 本實施例制備的珍珠透光率為91 %,硬度為3H。
[0031] 連施例2
[0032] 一、先用清水或者酒精在超聲的條件下對珍珠進行預清洗,然后將珍珠驚干后放 進真空倉內,用離子槍對珍珠的表面進行轟擊,完成清洗;
[0033] 二、將清洗后的珍珠連線成串,控制相鄰珍珠間留有1mm的間隙,將珍珠浸潤在涂 料中15~30min后,W 0. 1~0. 2mm/min的恒速牽引線頭將珍珠從涂料中提拉起來,使涂 料均勻地粘附在珍珠表面;
[0034] 其中,所述涂料的由按重量百分數(shù)計的如下原料組成。
[0035] 掠擱蠟 5%; 十二烷基苯碼酸鋼 10%; 八甲基環(huán)四硅氧烷 25%; 正娃酸藝醋 2%;
[0036] 甲基丙婦酷氧丙基甲基二甲氧基娃焼 化5%; 余量為水。
[0037] S、將珍珠放入烘箱中,在60~80°C下加熱90~120min,固化成膜,膜層厚約為 3 ~5 U m。
[003引本實施例制備的珍珠透光率為93 %,硬度為3H。
[003引 對比例1
[0040] 一、將水性蠟乳液與小顆粒的玉米巧混合,配比為1kg乳液;10kg玉米巧;
[0041] 二、浸蠟后的玉米巧在白巧燈箱里,溫度50°C烘烤3小時;
[0042] =、將珍珠與烘好的玉米巧一起倒入攬拌箱里進行上蠟拋光。
[0043] 本對比例制備的珍珠透光率為88%,硬度為3B。
[0044] W上對本發(fā)明的具體實施例進行了描述。需要理解的是,本發(fā)明并不局限于上述 特定實施方式,本領域技術人員可W在權利要求的范圍內做出各種變形或修改,該并不影 響本發(fā)明的實質內容。
【主權項】
1. ー種加工珍珠的方法,其特征在于,包括如下步驟: 珍珠前處理; 將經過前處理的珍珠連線成串后,浸潤在涂料中,浸泡15~30min后,以恒定速度牽引 線頭將珍珠從涂料中提拉出來,使所述涂料均勻地粘附在珍珠表面; 將粘附有涂料的珍珠在60~80°C下固化90~120min; 其中,所述涂料由按重量百分數(shù)計的如下原料組成:
2. 如權利要求1所述的加工珍珠的方法,其特征在于,所述珍珠前處理的方法為:先用 清水或者酒精對珍珠進行預清洗,然后將珍珠晾干后放入真空箱,在IOOpa的真空條件下 對珍珠進行等離子氣體轟擊。
3. 如權利要求2所述的加工珍珠的方法,其特征在于,所述等離子氣體選自H2、Ar、N2 中的任ー種。
4. 如權利要求3所述的加工珍珠的方法,其特征在于,所述等離子氣體為H2。
5. 如權利要求2所述的加工珍珠的方法,其特征在于,對珍珠進行的預清洗是在超聲 條件下進行,所用超聲波設備功率密度為I. 5w/cm。
6. 如權利要求1所述的加工珍珠的方法,其特征在于,所述珍珠連線成串后,控制相鄰 兩顆珍珠之間的距離為1mm。
7. 如權利要求1所述的加工珍珠的方法,其特征在于,所述提拉珍珠的恒定速度為 0? 1 ~0? 2mm/min〇
8. 如權利要求1所述的加工珍珠的方法,其特征在于,涂料粘度為7~15cp。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種加工珍珠的方法,其包括如下步驟:珍珠前處理;將經過前處理的珍珠連線成串后,浸潤在涂料中,浸泡15~30min后,以恒定速度牽引線頭將珍珠從涂料中提拉出來,使所述涂料均勻地粘附在珍珠表面;將粘附有涂料的珍珠在60~80℃下固化90~120min;其中,所述涂料的由有機硅和無機納米填料組成。本發(fā)明具有如下有益效果:表面膜處理后的珍珠將被賦予更好的穩(wěn)定性,對汗液的侵蝕、硬物的劃傷、灰塵等雜質的污染有更好的抵抗性,從而能夠長久保持美麗色彩光澤。
【IPC分類】A44C27-00, C09D183-04, C09D7-12, C09D191-06
【公開號】CN104621875
【申請?zhí)枴緾N201510061514
【發(fā)明人】陳海軍, 李小龍, 何海英, 王威
【申請人】千足珍珠集團股份有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2015年2月5日
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