專利名稱：高切割效率的切割框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高切割效率的切割框架，并且尤其涉及一種包括多個(gè)切 割器的切割框架，所述切割器用于以預(yù)定傾角從矩形基底材料上切割一種或 更多種具有較小尺寸的矩形單元件，所述切割器安裝或形成在所述切割框架 中，使得所述切割器與所述矩形單元件相對(duì)應(yīng)，其中，所述切割器基于所述 矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)而安裝或形成在所述切割框架中，使得除最上排矩形 單元件和最下排矩形單元件以外的大多數(shù)剩余矩形單元件被布置為在每個(gè)矩 形單元件的四條邊處鄰近不同的矩形單元件，并且相鄰的四個(gè)矩形單元件的 至少一些組合在其中心形成島式剩余部。
背景技術(shù)：
在多個(gè)領(lǐng)域中已經(jīng)采用了這樣一種技術(shù)其用于切割具有較大尺寸的矩 形基底材料，以制造具有較小尺寸的多個(gè)矩形單元件。例如，通過一次切割 處理，用切割框架重復(fù)地切割具有預(yù)定寬度和長(zhǎng)的長(zhǎng)度的基底材料片，以同 時(shí)制造多個(gè)矩形單元件。
同時(shí)，基底材料的尺寸(寬度)是規(guī)定的，而由于例如基底材料供應(yīng)方 的限制、制造處理的效率方面、矩形單元件的需求波動(dòng)等的多種因素，矩形 單元件的尺寸可以根據(jù)需要而變化。在這種情況下，當(dāng)基于基底材料的尺寸 來切割多個(gè)所期望的矩形單元件時(shí)，切割效率取決于切割框架以何種結(jié)構(gòu)來 構(gòu)造，即用于從基底材料上切割矩形單元件的切割器以何種結(jié)構(gòu)布置而顯著 變化。低的切割效率增加了由基底材料產(chǎn)生的廢料量，而廢料將在切割處理 之后被除去，最后的結(jié)果是，矩形單元件的制造成本增加。
當(dāng)基底材料的尺寸(寬度和長(zhǎng)度)與具體的矩形單元件的尺寸(長(zhǎng)度和 寬度)成恒定比例時(shí)，可以通過按順序布置矩形單元件使得矩形單元件在具 有這種恒定比例的位置處彼此接觸而將切割損失降至最低。然而，當(dāng)未形成 這種恒定比例時(shí)，切割損失可能取決于矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)而變化。此外，當(dāng)將要以與基底材料的縱向成預(yù)定角度來切割矩形單元件時(shí)，不 可避免地產(chǎn)生了大量的廢料。
為了以預(yù)定角度來切割矩形單元件，通常使用切割器(例如，刀具)布 置在切割框架上使得與切割器相對(duì)應(yīng)的矩形單元件彼此相鄰的陣列結(jié)構(gòu)。
在這一方面，圖l和圖2典型地圖示了常規(guī)的切割框架，在常規(guī)的切割 框架中，矩形單元件位于基底材料上以構(gòu)造與矩形單元件相對(duì)應(yīng)的切割器。 為了描述方便，基底材料圖示為具有預(yù)定的長(zhǎng)度。
參考這些附圖，從具有預(yù)定寬度和長(zhǎng)的長(zhǎng)度的基底材料片10上切割多個(gè)
矩形單元件20。在切割框架30上，布置有與矩形單元件20相對(duì)應(yīng)的多個(gè)切 割器32。因此，矩形單元件20的陣列結(jié)構(gòu)與切割器32的陣列結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上是 相同的。
切割器32安裝或形成在切割框架30中，使得切割器32能夠通過一次切 割處理來切割預(yù)定數(shù)量(圖1中為六個(gè)而圖2中為八個(gè))的矩形單元件20。 因此，基底材料片10通過切割框架30來切割，然后在基底材料片IO在基底 材料片10的縱向上交迭了預(yù)定長(zhǎng)度s時(shí)再次通過切割框架30來切割基底材 料片IO。這樣，實(shí)現(xiàn)了一連串的切割處理。
每個(gè)矩形單元件20構(gòu)造為這樣一種矩形結(jié)構(gòu)其中，每個(gè)矩形單元件 20的縱邊a比每個(gè)矩形單元件20的橫邊b長(zhǎng)。而且，每個(gè)矩形單元件20與 基底材料片10的縱向成大約45度的角a傾斜。當(dāng)傾斜的矩形單元件20布 置在基底材料10上時(shí)，可以考慮如圖1和圖2所示的兩種矩形單元件的陣列 結(jié)構(gòu)。
矩形單元件的第一種陣列結(jié)構(gòu)為按順序布置矩形單元件使得各個(gè)矩形 單元件的橫邊b彼此重合，如圖1所示。根據(jù)這種陣列結(jié)構(gòu)，可以從具有有 效寬度W和長(zhǎng)度L的基底材料片10上切割出總共24個(gè)矩形單元件20。然 而，不可能切割出位于偏離基底材料片10的有效寬度W的位置處的矩形單 元件21。
在這種陣列結(jié)構(gòu)中，實(shí)質(zhì)上僅使用了基底材料片IO的切割寬度D，而非 有效寬度W，因此，剩余寬度W-D被作為廢料而除去。由于矩形單元件20 以大約45度角傾斜，因此在基底材料片的上端區(qū)域也不可避免地產(chǎn)生了廢矩形單元件的第二種陣列結(jié)構(gòu)為按順序布置矩形單元件，使得各個(gè)矩 形單元件的縱邊a彼此重合，如圖2所示。根據(jù)這種陣列結(jié)構(gòu)，可以從具有 有效寬度W和長(zhǎng)度L的基底材料片IO上切割出總共19個(gè)矩形單元件20。
考慮到以上描述，可以看出，切割效率可以根據(jù)矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu) 而變化。然而，當(dāng)矩形單元件與基底材料片成特定角度傾斜時(shí)，不易以不同 的方式來布置矩形單元件。為此，在現(xiàn)有技術(shù)中，僅主要考慮如圖1或圖2 所示的矩形單元件的特定邊(縱邊或橫邊)彼此重合的結(jié)構(gòu)的矩形單元件的 陣列結(jié)構(gòu)。
此外，當(dāng)從同一基底材料上切割兩種或更多種具有不同尺寸的矩形單元 件時(shí)，矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)是非常復(fù)雜的。為此，僅考慮矩形單元件的特 定邊彼此重合或矩形單元件的中心軸線彼此重合的結(jié)構(gòu)的矩形單元件的陣列 結(jié)構(gòu)(參見圖7)。
因此，當(dāng)提供了一種表現(xiàn)出比如圖l和圖2所示的矩形單元件的陣列結(jié) 構(gòu)的切割效率高的切割效率的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)時(shí)，可以降低切割損失 并且最終降低產(chǎn)品的制造成本。切割效率的提高越來越重要，尤其在基底材 料價(jià)格高和/或要大規(guī)模地制造矩形單元件時(shí)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明致力于解決上述問題，以及尚待解決的其它技術(shù)問題。 作為對(duì)切割框架進(jìn)行多種廣泛且深入的研究和實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，本發(fā)明的發(fā)
明人發(fā)現(xiàn)當(dāng)切割器以稍后將進(jìn)行描述的矩形單元件的特定陣列結(jié)構(gòu)而形成 使得切割器與各個(gè)矩形單元件相對(duì)應(yīng)時(shí)，與常規(guī)的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)相 比，切割效率得到了顯著提高。本發(fā)明基于這些發(fā)現(xiàn)而完成。
具體地，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種包括多個(gè)切割器的切割框架，所 述切割器形成為在從具有較大尺寸的矩形基底材料上切割與矩形基底材料的 縱向成預(yù)定角度傾斜的多個(gè)矩形單元件時(shí)表現(xiàn)出高的切割效率。
本發(fā)明的另一目的是提供一種廢料，其具有與矩形單元件相對(duì)應(yīng)的孔， 所述矩形單元件布置在如上所述表現(xiàn)出高的切割效率的矩形單元件的陣列結(jié) 構(gòu)中。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方案，上述以及其它目的可以通過提供這樣一種切割 框架來實(shí)現(xiàn)所述切割框架包括用于以預(yù)定傾角從矩形基底材料上切割一種或更多種具有較小尺寸的矩形單元件的多個(gè)切割器，所述切割器安裝或形成 在所述切割框架中，使得所述切割器與所述矩形單元件相對(duì)應(yīng)，其中，所述 切割器基于所述矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)而安裝或形成在所述切割框架中，使 得除最上排矩形單元件和最下排矩形單元件以外的大多數(shù)剩余矩形單元件被 布置為在每個(gè)矩形單元件的四條邊處鄰近不同的矩形單元件，并且相鄰的四 個(gè)矩形單元件的至少一些組合在其中心形成島式剩余部。
因此，根據(jù)本發(fā)明的切割框架是以這樣一種結(jié)構(gòu)來構(gòu)造的其中，盡管 如圖1和圖2所示矩形單元件布置為彼此相鄰，但是一個(gè)矩形單元件的一條 邊并不與另一矩形單元件的對(duì)應(yīng)邊完全重合，而是略偏離于另一矩形單元件 的對(duì)應(yīng)邊。當(dāng)切割器布置在基底材料上以切割傾斜的矩形單元件時(shí)，所述矩 形單元件的這種陣列結(jié)構(gòu)并不是通常容易考慮到的。然而，出乎我們意料的 是，經(jīng)證實(shí)矩形單元件的這種獨(dú)特的陣列結(jié)構(gòu)提供了比常規(guī)的切割框架更高 的切割效率。
因?yàn)閱卧且跃匦谓Y(jié)構(gòu)構(gòu)造而成的，所以根據(jù)本發(fā)明的切割框架通過 如上所述的矩形單元件的獨(dú)特陣列結(jié)構(gòu)而表現(xiàn)出比常規(guī)切割框架高的切割效 率，并且矩形單元件是與基底材料的縱向成預(yù)定角度傾斜而被切割的。
本發(fā)明的發(fā)明人證實(shí)當(dāng)單元件以正方形結(jié)構(gòu)構(gòu)造或者單元件在不傾斜 時(shí)進(jìn)行切割時(shí)，通過將單元件布置為彼此相鄰從而相對(duì)邊彼此重合的陣列結(jié) 構(gòu)，切割效率得到了進(jìn)一步提高。因此，根據(jù)本發(fā)明的切割框架優(yōu)選地用于 在矩形單元件以預(yù)定角度傾斜的同時(shí)切割矩形單元件。
在以上描述中，術(shù)語"最上排單元件"和術(shù)語"最下排單元件"是指在 布置在矩形基底材料上的一系列矩形單元件中實(shí)質(zhì)上位于最上側(cè)和最下側(cè)的 矩形單元件。這些矩形單元件的特征在于，所述矩形單元件通常僅在其第一 至第三邊處鄰近不同的矩形單元件。
另一方面，如先前所限定的，位于最上排矩形單元件與最下排矩形單元 件之間的大多數(shù)剩余的矩形單元件被布置為在每個(gè)矩形單元件的四條邊處鄰 近不同的矩形單元件。在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)中，在每個(gè) 矩形單元件的四條邊中，每個(gè)矩形單元件的兩條邊的每條邊均鄰近兩個(gè)不同 的矩形單元件，并且每個(gè)矩形單元件的剩余兩條邊的每條邊均鄰近一個(gè)不同 的矩形單元件。因此，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)， 一個(gè)矩形單元件可以鄰近不同的矩形 單元件的數(shù)量為五個(gè)(參見圖2)或六個(gè)(參見圖l)。
7考慮到這點(diǎn)，根據(jù)本發(fā)明的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)以矩形單元件略偏離 于彼此的結(jié)構(gòu)構(gòu)造而成，使得任一矩形單元件的每條邊均僅鄰近一個(gè)不同的 矩形單元件。因此，相鄰的四個(gè)矩形單元件的至少一些組合在其中心形成島 式剩余部。"島式剩余部"是指由如上所述的矩形單元件的偏置陣列結(jié)構(gòu)所產(chǎn) 生的具有較大尺寸的剩余部。所述島式剩余部留在以小矩形切割基底材料之 后所產(chǎn)生的廢料上。
在本發(fā)明中，除最上排矩形單元件和最下排矩形單元件以外的大多數(shù)剩 余的矩形單元件被布置為在每個(gè)矩形單元件的四條邊處鄰近不同的矩形單元 件的結(jié)構(gòu)包括這樣一種結(jié)構(gòu)其中，特別地，由于陣列結(jié)構(gòu)的變化， 一些矩 形單元件鄰近少于或多于四個(gè)矩形單元件。然而，大多數(shù)的矩形單元件表現(xiàn) 出這種規(guī)則性。
在本發(fā)明中，所述基底材料可以是可以執(zhí)行一次或多次切割處理的分離 的單個(gè)材料或具有預(yù)定寬度和相對(duì)較大長(zhǎng)度的連續(xù)材料。后者可以是長(zhǎng)的基 底材料片。在這種情況下，可以將基底材料片從輥?zhàn)由险归_，并且通過切割 框架來按順序切割展開的基底材料片?？紤]到制造矩形單元件的生產(chǎn)效率和 經(jīng)濟(jì)效率，基底材料優(yōu)選地為一種連續(xù)材料。
如前所述，所有的矩形單元件是在與基底材料的縱向成預(yù)定角度傾斜的 同時(shí)從基底材料上切割出的。例如，當(dāng)基底材料在縱向或橫向上的固有物理 性質(zhì)必須通過相對(duì)于矩形單元件的預(yù)定角度來表達(dá)時(shí)，矩形單元件可以在與 基底材料成預(yù)定角度傾斜的同時(shí)被切割。例如，所述矩形單元件可以以20 至70度傾斜。
在優(yōu)選實(shí)施例中，所述基底材料是一種包括在縱向或橫向上僅吸收或透 射特定方向的光波或電磁波的波動(dòng)的層O吸收層或透射層')的薄膜，并且 從所述基底材料上切割出的所述矩形單元件是一種尺寸較小的薄膜，所述薄
膜的吸收層或透射層以45度角傾斜。
根據(jù)本發(fā)明的切割框架具有與現(xiàn)有技術(shù)相比實(shí)質(zhì)上增加了基底材料的切
割面積率的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)。在如前所述的圖1和圖2的現(xiàn)有技術(shù)中， 基底材料的切割寬度D比基底材料的有效寬度W小的多。也就是說，除切 割寬度D以外的有效寬度W的下端區(qū)域被作為廢料除去。
因此，切割面積率優(yōu)選地通過將矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)設(shè)置為最大化地 利用基底材料的有效寬度來增加。例如，所述最上排矩形單元件的上端頂點(diǎn)與所述最下排矩形單元件的下端頂點(diǎn)之間的寬度C切割寬度')可以是所述 基底材料的有效寬度的95 %至100 %。
在這種情況下，如前所述，矩形單元件布置為略偏離彼此，使得矩形單 元件可以接近基底材料的有效寬度。因此，大量的矩形單元件被布置為使得 每四個(gè)矩形單元件彼此相鄰，并且在每四個(gè)相鄰的矩形單元件中形成島式剩 余部。
有效寬度是指除基底材料的無需包括在切割的矩形單元件中的區(qū)域或由 于基底材料的性質(zhì)或切割處理的原因而不易于切割的區(qū)域(例如，基底材料 的上端區(qū)域和下端區(qū)域)以外實(shí)質(zhì)上能夠切割的基底材料的剩余區(qū)域。根據(jù) 情況，有效寬度可以等于基底材料的實(shí)際寬度。
形成所述島式剩余部的每四個(gè)相鄰的矩形單元件的組合數(shù)量?jī)?yōu)選地不少 于除所述最上排矩形單元件和所述最下排矩形單元件以外剩余的矩形單元件
的數(shù)量的50%，更優(yōu)選地不少于90%，但是每四個(gè)相鄰的矩形單元件的組 合數(shù)量可以取決于矩形單元件的種類和數(shù)量而變化。
盡管切割了兩種或更多種矩形單元件，但是當(dāng)切割一種矩形單元件時(shí)或 者當(dāng)矩形單元件的尺寸不成正比時(shí)，矩形單元件的大多數(shù)組合產(chǎn)生了島式剩 余部。島式剩余部可以具有相同的尺寸或不同的尺寸。
優(yōu)選地，在所述矩形單元件彼此相鄰的區(qū)域形成具有比所述島式剩余部 的尺寸小的尺寸的切割邊緣。切割框架通過使用切割器而從大尺寸的矩形基 底材料上獨(dú)立地切割多個(gè)小尺寸的矩形單元件。因此，當(dāng)矩形單元件彼此接 觸時(shí)，也就是說，當(dāng)相鄰的矩形單元件的對(duì)邊通過單個(gè)切割器而同時(shí)形成時(shí)， 在切割處理之后的隨后處理時(shí)難以將矩形單元件作為獨(dú)立的單元件來處理。 因此，更優(yōu)選地是，矩形單元件布置為使得在各個(gè)矩形單元件之間設(shè)置有小 的切割邊緣。然而，如前所述，切割邊緣具有比島式剩余部的尺寸小的尺寸。
在本發(fā)明中，可以切割一種矩形單元件，或者可以切割兩種或更多種矩 形單元件。然而，在布置有兩種或更多種矩形單元件的結(jié)構(gòu)中，也可以這樣 應(yīng)用矩形單元件的上述相鄰條件以及島式剩余部的形成條件。
在本發(fā)明中，矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)與切割框架的切割器或切割器的陣 列結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上是重合的。因此，在未給出另外的描述時(shí)，可以認(rèn)為矩形單元 件的陣列結(jié)構(gòu)是指切割器或切割器的陣列結(jié)構(gòu)。
9在切割器表現(xiàn)出從基底材料上切割矩形單元件的結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，不對(duì)切 割器進(jìn)行特別地限制。典型地，每個(gè)切割器可以是一種用于切割的刀具，例
如金屬刀或沖水刀(jet water knife)，或者用于切割的光源，例如激光。
根據(jù)本發(fā)明的另一方案，提供了一種廢料，其是在以預(yù)定傾角從基底材 料上切割一種或更多種矩形單元件之后獲得的。
具體地，所述廢料的特征在于，與所述矩形單元件相對(duì)應(yīng)的多個(gè)孔沿切 割邊緣連續(xù)地彼此連接，除最上排矩形單元件孔和最下排矩形單元件孔以外 的大多數(shù)剩余的矩形單元件孔被布置為通過與所述切割邊緣相對(duì)應(yīng)的間隙而 在其四條邊上鄰近不同的矩形單元件孔，并且相鄰的四個(gè)矩形單元件的至少 一些組合在其中心形成具有比所述切割邊緣的尺寸大的尺寸的島式剩余部。
所述廢料的矩形單元件孔的形狀反映了切割框架的切割器或切割器的陣 列形狀。因此，在與廢料相對(duì)應(yīng)的切割框架中，切割器在矩形單元件之間通 過切割邊緣而彼此間隔開，并且切割器布置為使得相鄰的四個(gè)矩形單元件的 大多數(shù)組合形成島式剩余部。


通過結(jié)合附圖的下列詳細(xì)描述，將更加清楚地理解本發(fā)明的上述和其它
目的、特征以及其它優(yōu)點(diǎn)，其中
圖1和圖2為圖示了常規(guī)的切割框架的典型圖，在常規(guī)的切割框架中， 矩形單元件位于基底材料上以構(gòu)造與矩形單元件相對(duì)應(yīng)的切割器；
圖3為圖示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的切割框架的典型圖，其中，一 種矩形單元件位于基底材料上以構(gòu)造與矩形單元件相對(duì)應(yīng)的切割器；
圖4為圖示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的當(dāng)矩形單元件布置在特定切割框架上時(shí)具 有預(yù)定尺寸的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)的典型圖5和圖6為圖示了在與圖4相同的情況下在根據(jù)本發(fā)明的切割框架上 的矩形單元件的各種陣列結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的局部典型圖7為圖示了常規(guī)的切割框架的典型圖，其中，兩種矩形單元件位于基 底材料上以構(gòu)造與矩形單元件相對(duì)應(yīng)的切割器；
圖8為圖示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的當(dāng)矩形單元件布置在切割框架 上時(shí)兩種矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)的局部典型圖；以及
圖9為圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的廢料的形狀的局部典型圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)地描述。應(yīng)當(dāng)注意到 的是，本發(fā)明的范圍不受所圖示的實(shí)施例限制。
圖3為圖示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的切割框架的典型圖，其中，一 種矩形單元件位于基底材料上以構(gòu)造與矩形單元件相對(duì)應(yīng)的切割器。
參考圖3，矩形單元件布置為使得一個(gè)矩形單元件200鄰近兩個(gè)矩形單 元件210和230而不鄰近一個(gè)矩形單元件220。與該陣列結(jié)構(gòu)相比，在如圖1 所示的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)中， 一個(gè)矩形單元件與六個(gè)矩形單元件接觸， 而在如圖2所示的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)中， 一個(gè)矩形單元件與五個(gè)矩形單 元件接觸。因此，在如圖l和圖2所示的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)中，矩形單 元件的一些邊同時(shí)與兩個(gè)不同的矩形單元件接觸。作為參考，為了圖示的簡(jiǎn) 化，圖3僅示出了鄰近矩形單元件200的兩個(gè)矩形單元件210和230，而未 示出另外兩個(gè)矩形單元件。
而且，矩形單元件布置為使得在鄰近的四個(gè)矩形單元件200、 210、 220 和230中形成島式剩余部110 (參見點(diǎn)劃線所示的圓圈)。島式剩余部110是 由矩形單元件的各個(gè)邊所限定的近似為矩形的剩余部。該結(jié)構(gòu)是從圖1和圖 2的陣列結(jié)構(gòu)中根本看不到的。
在如上所述的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)中，基底材料片ioo的使用大于圖 1中的情況。優(yōu)選地，基底材料片100的有效寬度W與切割寬度D實(shí)質(zhì)上幾 乎相等。
而且，具有比島式剩余部110的尺寸小的尺寸的切割邊緣120位于矩形 單元件200和210之間，矩形單元件200和210在每個(gè)矩形單元件的一條邊 處彼此相鄰。因此，當(dāng)從基底材料片100上切割矩形單元件200、 210、 220 和230時(shí)，各個(gè)矩形單元件通過切割框架的切割器而被有效地切割為獨(dú)立的 單元件。
通過圖4至圖6以及結(jié)合附圖的下列描述，可以證實(shí)通過在根據(jù)本發(fā)明 的切割框架上的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)來提高基底材料的切割效率的事實(shí)。
圖4為圖示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的當(dāng)矩形單元件布置在特定切割框架上時(shí)具 有預(yù)定尺寸的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)的典型圖，而圖5和圖6為圖示了在相 同的情況下在根據(jù)本發(fā)明的切割框架上的矩形單元件的各種陣列結(jié)構(gòu)的實(shí)施 例的局部典型圖。
ii首先參考圖4，具有長(zhǎng)度為25 cm并且寬度為20 cm的矩形單元件20布 置在具有長(zhǎng)度為160 cm并且寬度為100 cm的切割框架100上，使得矩形單 元件20在每個(gè)矩形單元件的橫邊(單邊)彼此重合，如圖1所示，同時(shí)矩形 單元件20以45度角傾斜。
根據(jù)矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)101，總共16個(gè)矩形單元件20 (精確地說， 與矩形單元件相對(duì)應(yīng)的切割器)布置在切割框架100上。未布置有矩形單元 件20的區(qū)域作為基底材料的廢料而被除去。
切割框架100以預(yù)定的節(jié)寬P來連續(xù)地切割基底材料(未示出)。當(dāng)通 過一次切割處理切割出的矩形單元件20的數(shù)量增加或者當(dāng)盡管通過一次切 割處理切割出相同數(shù)量的矩形單元件20但是節(jié)寬P減小時(shí)，可以相應(yīng)地降 低切割損失。
根據(jù)如圖4所示的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)IOI，當(dāng)切割長(zhǎng)度為100m(即， 長(zhǎng)度為1000 cm并且寬度為100 cm)的基底材料時(shí)，產(chǎn)生了總共1372個(gè)矩 形單元件20。也就是說，該陣列結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出這樣的生產(chǎn)率其中，從長(zhǎng)度為 1 m的基底材料中產(chǎn)生了總共13.72個(gè)矩形單元件20。當(dāng)將該生產(chǎn)率轉(zhuǎn)換為 面積率時(shí)，該生產(chǎn)率對(duì)應(yīng)于63.41 %的面積率。與36.59 %的剩余面積率相對(duì) 應(yīng)的基底材料被作為基底材料的廢料而除去。
另一方面，如圖5和圖6所示的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)102和103在以 下方面彼此相同其中，在四個(gè)相鄰的矩形單元件200中形成了島式剩余部 111和112。然而，島式剩余部111和112具有不同的形狀。具體地，圖5的 島式剩余部111以在一個(gè)方向上具有比圖6的島式剩余部112長(zhǎng)的長(zhǎng)度的矩 形形狀形成。這導(dǎo)致了如圖5所示的在矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)102中的矩形 單元件200之間較大的偏差。
當(dāng)基于上述矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)來切割具有與關(guān)于圖4所描述的尺寸 相同尺寸的基底材料時(shí)，根據(jù)如圖5所示的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)102產(chǎn)生 了總共1521個(gè)矩形單元件200，而根據(jù)如圖6所示的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu) 103產(chǎn)生了總共1630個(gè)矩形單元件200。當(dāng)將生產(chǎn)率轉(zhuǎn)換為面積率時(shí)，如圖 5所示的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)102具有69.9 %的面積率，而如圖6所示的 矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)103具有74.88 %的面積率。因此，如圖5所示的矩 形單元件的陣列結(jié)構(gòu)102和如圖6所示的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)103的切割效率比如圖4所示的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)101的切割效率高出6.49 %和 11.47%。
因此，與我們期望根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的其中矩形單元件布置為使得矩形單元 件彼此緊密接觸的圖4所示的陣列結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出最高的切割效率相反，出乎我 們意料的是，證實(shí)了圖5和圖6的偏置陣列結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出更高的切割效率。還 證實(shí)了切割效率可以取決于島狀剩余部的形狀而變化。
圖7為圖示了常規(guī)的切割框架的典型圖，其中，兩種矩形單元件位于基 底材料上以構(gòu)造與矩形單元件相對(duì)應(yīng)的切割器。當(dāng)將要取決于矩形單元件的 需求波動(dòng)而靈活地生產(chǎn)各種矩形單元件時(shí)，尤其優(yōu)選的是，同時(shí)切割兩種或 更多種矩形單元件。
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，當(dāng)布置有兩種矩形單元件時(shí)，矩形單元件布置為使得矩 形單元件在每個(gè)矩形單元件的一條邊處彼此重合或者使得矩形單元件位于同 一軸線上。圖7圖示了矩形單元件在每個(gè)矩形單元件的一條邊處彼此重合的 陣列結(jié)構(gòu)。在該陣列結(jié)構(gòu)中， 一些矩形單元件例如矩形單元件201中的每一 個(gè)與三個(gè)不同的矩形單元件接觸，并且一些矩形單元件例如矩形單元件202 中的每一個(gè)與五個(gè)不同的矩形單元件接觸。也就是說，該陣列結(jié)構(gòu)未表現(xiàn)出 規(guī)則性。另外，在該陣列結(jié)構(gòu)中未產(chǎn)生島式剩余部。
盡管如圖7所示的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出其中切割寬度D與基底 材料100的有效寬度W幾乎相等的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明的發(fā)明人對(duì)矩形單元件 的各種陣列結(jié)構(gòu)的檢查顯示，即使在布置兩種矩形單元件時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的 陣列結(jié)構(gòu)也表現(xiàn)出較高的切割效率。
圖8為圖示了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的當(dāng)矩形單元件布置在切割框架 上時(shí)兩種矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)的局部典型圖。如圖8所示的矩形單元件的 陣列結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出比圖7的切割效率更高的切割效率。
參考圖8，局部地圖示了示范性陣列結(jié)構(gòu)104，其中，小尺寸的矩形單元 件203和204與大尺寸的矩形單元件205和206以數(shù)量比2: 3布置，所述矩 形單元件的尺寸比為30: 34。
島式剩余部114包括在包括小尺寸的矩形單元件203和204以及大尺寸 的矩形單元件205和206的陣列結(jié)構(gòu)中。因此，圖8的陣列結(jié)構(gòu)不同于圖7 的陣列結(jié)構(gòu)。根據(jù)矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)，在一些矩形單元件204、 205和206彼此相 鄰的特定區(qū)域B處可能未產(chǎn)生島式剩余部。然而，在根據(jù)本發(fā)明的矩形單元 件的陣列結(jié)構(gòu)中，在至少一些矩形單元件的組合中不可避免地包括島式剩余 部114。
圖9為圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的廢料的形狀的局部典型圖。
參考圖9，廢料100a是在根據(jù)如圖3所示的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)從基 底材料上切割多個(gè)矩形單元件之后獲得的。具體地，當(dāng)通過切割如圖3所示 的包括矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)的切割框架來按順序切割基底材料時(shí)，可以獲 得廢料100a，其中，與矩形單元件相對(duì)應(yīng)的多個(gè)孔200a通過切割邊緣120a 連續(xù)地彼此連接，并且與矩形單元件相對(duì)應(yīng)的孔200a被布置為通過與切割邊 緣120a相對(duì)應(yīng)的間隙而在其四條邊處鄰近不同的矩形單元件孔。
而且，在廢料100a的相鄰的四個(gè)矩形單元件孔200a中形成了具有比切 割邊緣120a的尺寸大的尺寸的島式剩余部110a。
盡管為了圖示目的已經(jīng)公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人 員應(yīng)當(dāng)意識(shí)到的是，可以在不背離如隨附的權(quán)利要求所公開的本發(fā)明的范圍 和精神的情況下進(jìn)行各種改進(jìn)、增加以及替換。
工業(yè)應(yīng)用性
從以上描述中可以清楚地看出，當(dāng)在矩形單元件相對(duì)于基底材料傾斜的 同時(shí)將要從基底材料上切割矩形單元件時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的切割框架通過一種 獨(dú)特且規(guī)則的矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)而表現(xiàn)出高的切割效率，根據(jù)材料的性 質(zhì)對(duì)所述矩形單元件的方向特性是有要求的。特別是，當(dāng)通過大規(guī)模生產(chǎn)來 產(chǎn)生大量的矩形單元件時(shí)，可以基于高的切割效率而顯著降低矩形單元件的 總制造成本。
權(quán)利要求
1、一種切割框架，其包括用于以預(yù)定傾角從矩形基底材料上切割一種或更多種具有較小尺寸的矩形單元件的多個(gè)切割器，所述切割器安裝或形成在所述切割框架中，使得所述切割器與所述矩形單元件相對(duì)應(yīng)，其中所述切割器基于所述矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)而安裝或形成在所述切割框架中，使得除最上排矩形單元件和最下排矩形單元件以外的大多數(shù)剩余矩形單元件被布置為在每個(gè)矩形單元件的四條邊處鄰近不同的矩形單元件，并且相鄰的四個(gè)矩形單元件的至少一些組合在其中心形成島式剩余部。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割框架，其中，所述基底材料是一種具有預(yù)定寬度和相對(duì)較大長(zhǎng)度的連續(xù)材料。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割框架，其中，所述矩形單元件以20至70 度角傾斜。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割框架，其中，所述基底材料是一種包括在 縱向或橫向上僅吸收或透射特定方向的光波或電磁波的波動(dòng)的層O吸收層或 透射層')的薄膜，并且從所述基底材料上切割出的所述矩形單元件是一種較 小尺寸的薄膜，所述薄膜的所述吸收層或透射層以45度角傾斜。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割框架，其中，所述最上排矩形單元件的上端頂點(diǎn)與所述最下排矩形單元件的下端頂點(diǎn)之間的寬度r切割寬度')是所述基底材料的有效寬度的95 %至100 %。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割框架，其中，形成所述島式剩余部的所述 矩形單元件的組合數(shù)量不少于除所述最上排矩形單元件和所述最下排矩形單 元件以外剩余的矩形單元件的數(shù)量的50 %。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割框架，其中，在所述矩形單元件彼此相鄰 的區(qū)域形成具有比所述島式剩余部的尺寸小的尺寸的切割邊緣。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的切割框架，其中，每個(gè)切割器是用于切割的刀 具或用于切割的光源。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的切割框架，其中，所述用于切割的刀具是金屬 刀或沖水刀，而所述用于切割的光源是激光。
10、 一種廢料，其是在以預(yù)定傾角從基底材料上切割一種或更多種矩形 單元件之后獲得的，其中，與所述矩形單元件相對(duì)應(yīng)的多個(gè)孔通過切割邊緣 連續(xù)地彼此連接，除最上排矩形單元件孔和最下排矩形單元件孔以外的大多數(shù)剩余的矩形單元件孔被布置為通過與所述切割邊緣相對(duì)應(yīng)的間隙而在其四 條邊上鄰近不同的矩形單元件孔，并且相鄰的四個(gè)矩形單元件的至少一些組 合在其中心形成具有比所述切割邊緣的尺寸大的尺寸的島式剩余部。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種切割框架，其包括用于以預(yù)定傾角從矩形基底材料上切割一種或更多種具有較小尺寸的矩形單元件的多個(gè)切割器，所述切割器安裝或形成在所述切割框架中，使得所述切割器與所述矩形單元件相對(duì)應(yīng)，其中，所述切割器基于所述矩形單元件的陣列結(jié)構(gòu)而安裝或形成在所述切割框架中，使得除最上排矩形單元件和最下排矩形單元件以外的大多數(shù)剩余矩形單元件被布置為在每個(gè)矩形單元件的四條邊處鄰近不同的矩形單元件，并且相鄰的四個(gè)矩形單元件的至少一些組合在其中心形成島式剩余部。
文檔編號(hào)A41H43/00GK101686738SQ200880022969
公開日2010年3月31日 申請(qǐng)日期2008年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月4日
發(fā)明者李鍾求, 李鎬敬, 許淳基 申請(qǐng)人:Lg化學(xué)株式會(huì)社