技術(shù)特征：

1.一種結(jié)構(gòu)可控的CdS納米材料的制備方法，其特征在于：將Cd(Ac)·2H₂O、R₁NHCSNHR₂和二乙烯三胺DETA與去離子水的混合溶液混合后，在加熱條件下進(jìn)行反應(yīng)制備得到，其中R₁、R₂為H、烷基、硝基或鹵代基。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種結(jié)構(gòu)可控的CdS納米材料的制備方法，其特征在于：具體制備方法包括如下步驟：

步驟(1)、將Cd(Ac)·2H₂O和R₁NHCSNHR₂加入反應(yīng)釜內(nèi)膽中；

步驟(2)、將二乙烯三胺DETA與去離子水的混合二元體系溶液加入到反應(yīng)釜內(nèi)膽中；

步驟(3)、將反應(yīng)釜放入烘箱中進(jìn)行加熱反應(yīng)，反應(yīng)溫度為150～240℃，恒溫時(shí)間為10～24h，之后取出反應(yīng)釜冷卻至室溫。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種結(jié)構(gòu)可控的CdS納米材料的制備方法，其特征在于：將步驟(3)中得到的產(chǎn)物經(jīng)過(guò)離心分離，蒸餾水清洗和有機(jī)溶劑清洗后，真空干燥得到CdS納米材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3之一所述的一種結(jié)構(gòu)可控的CdS納米材料的制備方法，其特征在于：所述Cd(Ac)·2H₂O和R₁NHCSNHR₂的摩爾比為1：1～10。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～3之一所述的一種結(jié)構(gòu)可控的CdS納米材料的制備方法，其特征在于：所述二乙烯三胺DETA與去離子水的體積比為50﹕1～1﹕10。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～3之一所述的一種結(jié)構(gòu)可控的CdS納米材料的制備方法，其特征在于：每100mm二乙烯三胺DETA與去離子水的混合二元體系溶液中加入1～6mmol的Cd(Ac)·2H₂O。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種結(jié)構(gòu)可控的CdS納米材料的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中加入到反應(yīng)釜內(nèi)膽中的二乙烯三胺DETA與去離子水的混合二元體系溶液的體積占反應(yīng)釜內(nèi)膽體積的75％～85％。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種結(jié)構(gòu)可控的CdS納米材料的制備方法，其特征在于：所述離心分離的速率為4000～10000r/min，離心時(shí)間為5～20min。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種結(jié)構(gòu)可控的CdS納米材料的制備方法，其特征在于：所述有機(jī)溶劑為無(wú)水乙醇；所述蒸餾水和無(wú)水乙醇各清洗3至5次。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種結(jié)構(gòu)可控的CdS納米材料的制備方法，其特征在于：所述真空干燥溫度為50～100℃，真空干燥時(shí)間為5～10h。