專利名稱：智能電子裝置內(nèi)產(chǎn)生低emi的開(kāi)關(guān)電源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)由開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的電磁干擾的降低。
背景技術(shù)：
例如開(kāi)關(guān)電源(“SMPS”)的電子裝置在運(yùn)行時(shí)發(fā)射電磁能。故該電磁能通常稱為傳導(dǎo)發(fā)射，或由于該電磁能可干擾其他電子裝置的運(yùn)行，而稱為電磁干擾(“EMI”)。電子裝置的EMI發(fā)射受到管制。例如，美國(guó)聯(lián)邦通信委員會(huì)(“FCC”)頒布了其關(guān)于傳導(dǎo)發(fā)射的第 15部分07 C.F.R. §15)的A級(jí)要求，該要求指定了適用于商業(yè)及工業(yè)應(yīng)用的電子裝置的 EMI發(fā)射要求。FCC還頒布了其標(biāo)題15的B級(jí)的要求，該要求為應(yīng)用于住宅中的電子裝置設(shè)定了 EMI發(fā)射要求。標(biāo)準(zhǔn)化組織還公布了關(guān)于傳導(dǎo)發(fā)射的限值的推薦標(biāo)準(zhǔn)。一個(gè)例子即由國(guó)際電工委員會(huì)(“IEC”)的國(guó)際無(wú)線電干擾特別委員會(huì)公布的標(biāo)準(zhǔn)16號(hào)和標(biāo)準(zhǔn)22號(hào) ("CISPR 16”和“CISra 22”)，所述標(biāo)準(zhǔn)指定了傳導(dǎo)發(fā)射限值以及測(cè)定傳導(dǎo)發(fā)射的方法。SMPS包括例如晶體管等一個(gè)以上開(kāi)關(guān)，所述開(kāi)關(guān)以受控制的頻率接通和斷開(kāi)。晶體管的接通和斷開(kāi)控制著流過(guò)晶體管的能量，從而保持受控的電壓或電流。一種控制晶體管的開(kāi)關(guān)的技術(shù)是采用脈寬調(diào)制(“PWM”)，其中，使開(kāi)關(guān)循環(huán)的周期保持恒定，而調(diào)制或改變脈沖的寬度，從而調(diào)節(jié)流過(guò)晶體管的能量。PWM SMPS裝置的恒定開(kāi)關(guān)周期或者穩(wěn)態(tài)下的變頻開(kāi)關(guān)裝置的開(kāi)關(guān)頻率可導(dǎo)致EMI的發(fā)射在某些頻率及這些頻率的諧波處達(dá)到峰值，所述某些頻率諸如SMPS裝置的基頻。這種峰值可超出諸如FCC A級(jí)或FCC B級(jí)或者CISPR 16或CISPR 22等要求與標(biāo)準(zhǔn)。電子裝置中的組件布局也可對(duì)所述電子裝置對(duì)規(guī)定的遵循造成影響。例如，由于EMI的強(qiáng)度隨距離遞減，因此組件彼此之間布置得越近，就越可能彼此干擾。為防止EMI干擾其他裝置而以例如銅屏蔽來(lái)屏蔽SMPS裝置的做法是昂貴的。而且，銅屏蔽比電路組件大，會(huì)占用大量的空間。因此，需要一種方法來(lái)減小諸如SMPS裝置、 尤其是PWM SMPS裝置等電子裝置的EMI發(fā)射，從而降低所述電子裝置對(duì)其他電子裝置的干擾，并且在某些情況下使所述電子裝置符合相關(guān)要求與標(biāo)準(zhǔn)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于改變SMPS的定時(shí)的設(shè)備，該設(shè)備包括 微控制器，其配置為輸出第一 PWM信號(hào)；轉(zhuǎn)換器，其耦接于微控制器，并且用于接收第一 PWM 信號(hào)，并對(duì)與SMPS耦接的SMPS定時(shí)電容器輸出模擬信號(hào)。所述模擬信號(hào)改變定時(shí)電容器的放電時(shí)間，以改變SMPS的開(kāi)關(guān)頻率。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種改變SMPS的定時(shí)的方法，該方法包括輸出 PWM信號(hào)；將PWM信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)；并且通過(guò)以模擬信號(hào)改變定時(shí)電容器上的電荷，而改變SMPS定時(shí)電容器的放電時(shí)間，從而使SMPS的開(kāi)關(guān)頻率變化。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括微控制器，其用于輸出第一PWM信號(hào)；以及轉(zhuǎn)換器，其耦接于微控制器，并且用于接收第一PWM信號(hào)并輸出模擬信號(hào)。所述系統(tǒng)還包括定時(shí)電容器，該定時(shí)電容器耦接于轉(zhuǎn)換器并響應(yīng)于模擬信號(hào)。所述模擬信號(hào)通過(guò)使定時(shí)電容器上的電荷變化而改變定時(shí)電容器的放電時(shí)間。所述系統(tǒng)還包括SMPS， 該SMPS耦接于定時(shí)電容器，SMPS配置為監(jiān)測(cè)定時(shí)電容器上的電荷，并且響應(yīng)于定時(shí)電容器上的電荷而改變第二 PWM信號(hào)的頻率。


在閱讀下列詳細(xì)說(shuō)明并參照附圖后，可明白本發(fā)明的前述及其他優(yōu)點(diǎn)。圖1為包括用于本發(fā)明的各方面的一些元件的系統(tǒng)的電路圖；圖2為包括本發(fā)明的一些方面的方法的流程圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明的一些方面的PWM信號(hào)及對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)的圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明的一些方面的EMI發(fā)射輪廓的圖；并且圖5為包括用于本發(fā)明的各方面的一些元件的系統(tǒng)的電路圖。
具體實(shí)施例方式盡管連同某些方面和/或?qū)嵤├齺?lái)說(shuō)明本發(fā)明，然而應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不局限于那些特定方面和/或?qū)嵤├?。相反，本發(fā)明旨在覆蓋可包含在所附的權(quán)利要求書(shū)所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的所有替代、變化和等同布置。開(kāi)關(guān)電源(“SMPS”)可包括SMPS控制器以及由SMPS控制器所控制的至少一個(gè)開(kāi)關(guān)。圖1表示電子裝置100，電子裝置100包括與開(kāi)關(guān)112耦接的SMPS控制器110。例如，開(kāi)關(guān)112可以為雙極結(jié)型晶體管或場(chǎng)效應(yīng)晶體管。SMPS控制器110控制開(kāi)關(guān)112的開(kāi)關(guān)頻率，即開(kāi)關(guān)112接通的頻率。SMPS控制器110可以為脈寬調(diào)制(“PWM”)控制器或變頻控制器。PWM控制器調(diào)制開(kāi)關(guān)112斷開(kāi)的時(shí)間以改變脈沖寬度，從而控制流過(guò)開(kāi)關(guān)112 的能量。例如，SMPS控制器110可以為ON SEMICONDUCTOR UC3845B電流型PWM控制器或 Texas Instrument (德州儀器)公司的U(^844電流型PWM控制器。SMPS控制器110的開(kāi)關(guān)頻率由與SMPS控制器110的定時(shí)輸入引腳耦接的定時(shí)電容器114(Ct)決定。定時(shí)電容器114的放電由電容器的大小、電荷以及耦接于定時(shí)電容器 114和電壓源118的定時(shí)電阻器116 (Rt)的值來(lái)決定。例如，定時(shí)電容器114可以為220pF 的電容器，并且定時(shí)電阻器可以為3ΙΩ的電阻器。SMPS控制器110可包括內(nèi)部振蕩器(未圖示)，該內(nèi)部振蕩器允許定時(shí)電容器114通過(guò)定時(shí)電阻器116而充電至較高值，例如2. 9V 或3. IV。SMPS控制器110允許定時(shí)電容器114以設(shè)定速率(例如8. 3mA)放電至較低值， 例如IV或1.2V。所述充電和放電在SMPS控制器的定時(shí)輸入引腳處產(chǎn)生可表示為斜坡的電壓信號(hào)。例如，斜坡信號(hào)的頻率可以為200kHz。SMPS控制器110可將該斜坡信號(hào)分頻成例如約IOOkHz的信號(hào)，并用分頻信號(hào)來(lái)設(shè)置開(kāi)關(guān)頻率。繼續(xù)參照?qǐng)D1并且還參照?qǐng)D2，可通過(guò)改變定時(shí)電容器114的放電時(shí)間來(lái)改變 SMPS控制器110的開(kāi)關(guān)頻率。圖2表示改變圖1中的系統(tǒng)100的開(kāi)關(guān)頻率的方法200。微控制器120配置為產(chǎn)生代表抖動(dòng)(dithering)信號(hào)的PWM信號(hào)122(圖2的框210)。微控制器120可以為例如Microchip Technology (微芯科技)公司的PIC12C671。PWM信號(hào)122為其中信號(hào)的占空比或?qū)〞r(shí)間可變的恒頻信號(hào)。PWM信號(hào)122的占空比周期性地上升然后下降，例如，從占空比為12. 5%上升至占空比為87.5%，然后占空比再次下降至12.5%。所述上升和下降可以是線性的或非線性的。例如，PWM信號(hào)122 可包括12個(gè)脈沖序列。每個(gè)脈沖可由8個(gè)位表示，每個(gè)位可以是1或0。例如，占空比為 12. 5%的脈沖會(huì)包括單個(gè)1值位及其后的7個(gè)0值位。12個(gè)脈沖序列例如可表示如下
0
0 0
0
000000000000000100001100011100111101110011000100000000000000PWM信號(hào)122可表示為數(shù)字信號(hào)。轉(zhuǎn)換器IM將PWM信號(hào)122從數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)126。例如，轉(zhuǎn)換器IM可以是低通濾波器，并且可由低通濾波器124對(duì)PWM信號(hào) 122進(jìn)行濾波以產(chǎn)生濾波后的抖動(dòng)信號(hào)(圖2的框21 。低通濾波器IM對(duì)數(shù)字PWM信號(hào) 122進(jìn)行平滑處理，并產(chǎn)生具有由PWM信號(hào)所決定的形狀的模擬信號(hào)126。圖3以時(shí)間為χ 軸310并以幅值為y軸而在一張圖上共同表示了示例性的PWM信號(hào)314及對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào) 316?；蛘撸捎脭?shù)模轉(zhuǎn)換器(“DAC”)來(lái)產(chǎn)生模擬信號(hào)。可選地，模擬信號(hào)1 可由耦接于低通濾波器124的阻抗元件(例如電阻器)US(Z)衰減，以產(chǎn)生衰減的模擬信號(hào)，該衰減的模擬信號(hào)在與定時(shí)電容器114上的電荷變化相稱的電壓范圍內(nèi)變化(圖2的框214)。例如，阻抗元件1 可以為300ΚΩ的電阻器。阻抗元件1 在定時(shí)電容器114和定時(shí)電阻器116之間的節(jié)點(diǎn)處與定時(shí)電容器114耦接。模擬信號(hào)126通過(guò)阻抗元件1 來(lái)改變提供給定時(shí)電容器114的電壓，該電壓進(jìn)而改變電容器放電至較低值所用的時(shí)間(圖2的框216)。改變定時(shí)電容器114的放電時(shí)間使得 SMPS控制器110的頻率相應(yīng)地變化(圖2的框218)。模擬信號(hào)126使SMPS控制器110的開(kāi)關(guān)頻率在某范圍或帶寬內(nèi)抖動(dòng)或變化。可從最小開(kāi)關(guān)頻率fSWmin至最大開(kāi)關(guān)頻率fSWmax而改變或調(diào)制SMPS控制器110的開(kāi)關(guān)頻率。于是，帶寬為fSWmax_fSWmin。模擬信號(hào)126的周期是模擬信號(hào)126使開(kāi)關(guān)頻率從fSWmin經(jīng)過(guò)fSWmax再返回fSWmin的循環(huán)所用的時(shí)間量。模擬信號(hào)126的頻率是該模擬信號(hào)的周期的倒數(shù)。如圖5所示，低通濾波器IM是D級(jí)放大器的一部分。D級(jí)放大器可在低通濾波器的帶寬內(nèi)產(chǎn)生任意模擬波形。這使得數(shù)字PWM信號(hào)122可方便地轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)126。更具體地，低通濾波器1 可包括在約IOOHz處具有3dB點(diǎn)的二階切比雪夫?yàn)V波器。為減少組件數(shù)，可使用正單放大器雙二階(Positive Single Amplifier Bi quad, SAB)器件。低通濾波器124可包括運(yùn)算放大器(“運(yùn)放” )510，例如Texas Instruments公司的0PA335單電源軌運(yùn)放(single supply rail opamp)。電阻器512、516和電容器514、518共同設(shè)定運(yùn)放510的增益和截止頻率。電阻器512可以為10ΚΩ的電阻器，電阻器516可以為10ΚΩ 的電阻器，電容器514可以為270nF的電容器，并且電容器518可以為68nF的電容器，然而在其他實(shí)施方式中，可使用其他值來(lái)設(shè)定運(yùn)放510的增益和截止頻率?？僧a(chǎn)生模擬信號(hào)126以改變SMPS控制器110的開(kāi)關(guān)頻率，從而滿足具體的EMI要求。EMI要求通常落入兩個(gè)測(cè)量類別中平均值和準(zhǔn)峰值。準(zhǔn)峰值EMI要求的EMI幅值通常顯著高于對(duì)應(yīng)的平均值EMI要求的EMI幅值。平均值測(cè)量通常用與包括SMPS的電子裝置耦接的頻譜分析儀(未圖示)來(lái)進(jìn)行。在通常的測(cè)試設(shè)置中，例如在CISPR 16或FCC第 15部分所指定的測(cè)試設(shè)置中，頻譜分析儀可耦接于線路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)(LISN)。頻譜分析儀憑借均值濾波器而可具有9kHz的分辨帶寬。頻譜分析儀的平均濾波時(shí)間常數(shù)通?？杉s為 100ms，并且可通過(guò)將視頻帶寬設(shè)定為IOHz而極為接近地逼近該時(shí)間常數(shù)。例如，CISI3R 16 指定通過(guò)采用9kHz帶寬并以160ms為時(shí)間常數(shù)的頻譜分析儀而獲得平均值EMI測(cè)量結(jié)果。如果模擬信號(hào)1 掃描(sweep)到頻譜分析儀的分辨帶寬以外(即，SMPS的開(kāi)關(guān)頻率的帶寬大于頻譜分析儀的分辨帶寬)，則由頻譜分析儀測(cè)定的平均值EMI大約會(huì)減小20*Log (掃描帶寬 /9kHz)，其中，掃描帶寬為開(kāi)關(guān)頻率的帶寬。由于頻譜分析儀的平均濾波時(shí)間常數(shù)約為IOOms (例如，對(duì)于CISPR 16為160ms)， 因此頻率掃描波形的周期必須遠(yuǎn)小于IOOms (頻率必須遠(yuǎn)大于IOHz)。這是因?yàn)轭l譜分析儀會(huì)認(rèn)為該帶寬內(nèi)部的抖動(dòng)與SMPS控制器110的標(biāo)稱頻率相同。例如，在頻率為87Hz的情況下，電源的開(kāi)關(guān)頻率帶寬可以為10kHz。圖4表示將模擬信號(hào)126通過(guò)阻抗元件128而施加給與SMPS控制器110耦接的定時(shí)電容器114和定時(shí)電阻器116時(shí)對(duì)測(cè)定的EMI的影響。尖峰狀軌跡414表示在不施加模擬信號(hào)126的情況下的包括SMPS控制器110和開(kāi)關(guān)112的SMPS的發(fā)射譜。尖峰狀軌跡 414表示在一些頻率值(在χ軸416上表示)處的發(fā)射幅值(在y軸412上表示)。尖峰狀軌跡414的峰值對(duì)應(yīng)于SMPS控制器110的基本開(kāi)關(guān)頻率。平坦軌跡418表示將模擬信號(hào)1 通過(guò)阻抗元件1 而施加給與SMPS控制器110耦接的定時(shí)電容器114和定時(shí)電阻器116的結(jié)果。如圖所示，平坦軌跡418表示在f^Wmin頻率值420和fSWmax頻率值422之間的最大平坦發(fā)射譜。fSWmin頻率值420和fSWmax頻率值422為模擬信號(hào)126的帶寬的外緣。例如對(duì)于IOkHz的帶寬，fSWmin可以為-5kHz，而fSWmax可以為+5kHz。平坦軌跡418的幅值遠(yuǎn)小于尖峰狀軌跡414的幅值。于是，使用模擬信號(hào)時(shí)的發(fā)射幅值遠(yuǎn)小于未使用模擬信號(hào)時(shí)的發(fā)射幅值。上述附圖表明，可通過(guò)改變電源的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)降低諸如SMPS的電源的傳導(dǎo)發(fā)射或EMI。具體來(lái)說(shuō)，微控制器120可產(chǎn)生PWM信號(hào)122，采用低通濾波器IM對(duì)PWM信號(hào)122 進(jìn)行濾波以產(chǎn)生模擬信號(hào)126。模擬信號(hào)使定時(shí)電容器114上的電荷變化，從而改變開(kāi)關(guān)頻率。EMI的特性可從超過(guò)窄頻率范圍的要求的幅值變成在基本開(kāi)關(guān)頻率附近的帶寬范圍中的最大平坦輪廓。例如鋸齒形的模擬信號(hào)的形狀使得模擬信號(hào)不會(huì)從fSWmax急劇地轉(zhuǎn)換至 fSWfflin^而且，模擬信號(hào)的形狀調(diào)整為使在頻率fSWmax*fSWmin處的停留時(shí)間減小。使用具有這些特性的模擬信號(hào)可生成最大平坦EMI輪廓。而且，因?yàn)槭褂昧宋⑻幚砥饕援a(chǎn)生PWM信號(hào)，故在濾波時(shí)可將PWM信號(hào)編程為具有不同形狀、帶寬和頻率的各種不同的波形。于是， 無(wú)需變換電路組件，而可通過(guò)對(duì)微控制器編程來(lái)改變易于使定時(shí)電容器上的電荷變化的模擬信號(hào)的特性。 雖然圖示并描述了本發(fā)明的特定方面、實(shí)施例和應(yīng)用，然而應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于此處公開(kāi)的精確構(gòu)造和組成，并且在不脫離由所附的權(quán)利要求書(shū)所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，顯然可對(duì)在先的描述作出各種修改、變化和變形。
權(quán)利要求
1.一種用于改變開(kāi)關(guān)電源的定時(shí)的設(shè)備，該設(shè)備包括 微控制器，其用于輸出第一脈寬調(diào)制信號(hào)；和轉(zhuǎn)換器，其耦接于所述微控制器，并且用于接收所述第一脈寬調(diào)制信號(hào)并對(duì)與開(kāi)關(guān)電源耦接的開(kāi)關(guān)電源定時(shí)電容器輸出模擬信號(hào)；其中，所述模擬信號(hào)改變所述定時(shí)電容器的放電時(shí)間以改變所述開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)頻率。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述轉(zhuǎn)換器包括低通濾波器。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述轉(zhuǎn)換器包括平均時(shí)間常數(shù)約為IOOms的D級(jí)放大器。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述模擬信號(hào)包括鋸齒形信號(hào)。
5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述模擬信號(hào)為周期信號(hào)，濾波后的信號(hào)的周期大于 100ms。
6.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述開(kāi)關(guān)電源的所述開(kāi)關(guān)頻率的帶寬大于9kHz，并且所述模擬信號(hào)的周期小于160ms。
7.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述控制器配置為根據(jù)比特流而輸出所述第一脈寬調(diào)制信號(hào)，所述比特流包括1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 01 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 01 1 1 1 1 0 0 01 1 1 1 0 0 0 01 1 1 0 0 0 0 01 1 0 0 0 0 0 Oo
8.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括與所述轉(zhuǎn)換器耦接的阻抗元件，所述阻抗元件用于接收所述模擬信號(hào)并將衰減后的模擬信號(hào)輸出至所述定時(shí)電容器。
9.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述轉(zhuǎn)換器為數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
10.一種改變開(kāi)關(guān)電源的定時(shí)的方法，該方法包括 輸出脈寬調(diào)制信號(hào)；將所述脈寬調(diào)制信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)；通過(guò)以所述模擬信號(hào)使開(kāi)關(guān)電源定時(shí)電容器上的電荷變化，改變所述定時(shí)電容器的放電時(shí)間，從而使所述開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)頻率變化。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，轉(zhuǎn)換所述脈寬調(diào)制信號(hào)包括以低通濾波器對(duì)所述脈寬調(diào)制信號(hào)進(jìn)行濾波。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述濾波后的信號(hào)為鋸齒形信號(hào)。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述低通濾波器包括D級(jí)放大器，并且其中所述低通濾波器的平均時(shí)間常數(shù)約為100ms。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述模擬信號(hào)為周期信號(hào)，所述濾波后的信號(hào)的周期大于100ms。
15.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述開(kāi)關(guān)電源的所述開(kāi)關(guān)頻率的帶寬大于9kHz， 并且所述模擬信號(hào)的周期大于160ms。
16.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述脈寬調(diào)制信號(hào)由微控制器產(chǎn)生并且由比特流表示，所述比特流包括10000000110000001110000011110000111110001111110011111110111111001111100011110000111000001100000Oo
17.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括通過(guò)阻抗元件使所述模擬信號(hào)衰減。
18.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，轉(zhuǎn)換所述脈寬調(diào)制信號(hào)包括使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器。
19.一種系統(tǒng)，其包括微控制器，其用于輸出第一脈寬調(diào)制信號(hào)；轉(zhuǎn)換器，其耦接于所述微控制器，并且用于接收所述第一脈寬調(diào)制信號(hào)并輸出模擬信號(hào)；定時(shí)電容器，其耦接于所述轉(zhuǎn)換器并且響應(yīng)于所述模擬信號(hào)，其中，所述模擬信號(hào)通過(guò)使所述定時(shí)電容器上的電荷變化而改變所述定時(shí)電容器的放電時(shí)間；以及開(kāi)關(guān)電源，其耦接于所述定時(shí)電容器，所述開(kāi)關(guān)電源配置為監(jiān)測(cè)所述定時(shí)電容器上的電荷，并且響應(yīng)于所述定時(shí)電容器上的電荷而改變第二脈寬調(diào)制信號(hào)的頻率。
20.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中，所述轉(zhuǎn)換器包括時(shí)間常數(shù)約為IOOms的低通濾波器；并且所述模擬信號(hào)為鋸齒形信號(hào)。
21.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中，所述模擬信號(hào)為周期信號(hào)，所述模擬信號(hào)的周期小于100ms。
22.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中，開(kāi)關(guān)頻率調(diào)制的帶寬大于9kHz，并且開(kāi)關(guān)頻率抖動(dòng)的周期小于160ms。
23.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中，由用于生成比特流的函數(shù)產(chǎn)生所述第一脈寬調(diào)制信號(hào)，所述比特流包括1 0 0 0 0 0 0 01 1 0 0 0 0 001 1 1 0 0 0 001 1 1 1 0 0 00111110 0011111100 11111110111111001 1 1 1 10 001 1 1 1 0 0 001 1 1 0 0 0 001 1 0 0 0 0 0Oo
24.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，還包括用于使所述模擬信號(hào)衰減的阻抗元件。
全文摘要
一種用于改變SMPS的定時(shí)的設(shè)備，該設(shè)備包括微控制器，其配置為輸出第一PWM信號(hào)；轉(zhuǎn)換器，其耦接于微控制器，并且配置為接收第一PWM信號(hào)并將模擬信號(hào)輸出至與SMPS耦接的SMPS定時(shí)電容器。模擬信號(hào)改變定時(shí)電容器的放電時(shí)間以改變SMPS的開(kāi)關(guān)頻率。
文檔編號(hào)H02M1/44GK102292902SQ200980155090
公開(kāi)日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2009年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月12日
發(fā)明者埃林·麥克費(fèi)倫, 肖恩·巴爾丁 申請(qǐng)人:施耐德電氣美國(guó)股份有限公司