技術編號：6831998
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及改善的TFT(薄膜晶體管)及其制造方法。更具體地，本發(fā)明涉及在低電壓下獲得高漏極電流(drain current)的TFT及其制造方法。背景技術 圖1顯示一種常規(guī)n溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的結構。TFT是一種MOSFET，其中非晶硅或者多晶硅半導體薄膜形成于玻璃襯底上，且FET結構形成在該半導體薄膜上。如圖1所示，對應于陰極的源極和對應于陽極的漏極之間的電流通路(即溝道)上的電導由接觸MOSFET中溝道上的氧化物薄膜的柵極...
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