技術(shù)編號(hào)：5268937
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的目的在于提供了，包括從下往上依次設(shè)置的基片、底電極、阻變層、頂電極；其特征在于，所述底電極與阻變層之間還設(shè)置有隔離層。本發(fā)明通過增加納米級(jí)隔離層，使阻變存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)窗口提高到105量級(jí)以上，達(dá)到多級(jí)存儲(chǔ)所需的首要條件；并且采用電化學(xué)活性材料作為頂電極，利用電化學(xué)活性材料的漂移特性實(shí)現(xiàn)不同電壓激勵(lì)下不同的電阻狀態(tài)，達(dá)到多級(jí)存儲(chǔ)的目的。同時(shí)，隔離層的加入減小了氧離子移動(dòng)過程中的耗散，有效的保護(hù)了底電極，增大了器件的穩(wěn)定性。另外，該多級(jí)阻變存儲(chǔ)器單元的制...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。